Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPH0812847B2 - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPH0812847B2 - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH0812847B2
JPH0812847B2 JP3090612A JP9061291A JPH0812847B2 JP H0812847 B2 JPH0812847 B2 JP H0812847B2 JP 3090612 A JP3090612 A JP 3090612A JP 9061291 A JP9061291 A JP 9061291A JP H0812847 B2 JPH0812847 B2 JP H0812847B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
film
temperature
gas
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP3090612A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05251353A (ja
Inventor
和夫 前田
徳 徳増
裕子 西本
Original Assignee
株式会社半導体プロセス研究所
アルキヤンテック株式会社
キヤノン販売株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社 filed Critical 株式会社半導体プロセス研究所
Priority to JP3090612A priority Critical patent/JPH0812847B2/ja
Priority to DE69229431T priority patent/DE69229431T2/de
Priority to PCT/JP1992/000468 priority patent/WO1992019011A1/ja
Priority to EP92908472A priority patent/EP0537364B1/en
Priority to US07/958,105 priority patent/US5314538A/en
Publication of JPH05251353A publication Critical patent/JPH05251353A/ja
Publication of JPH0812847B2 publication Critical patent/JPH0812847B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/65—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials
    • H10P14/6502—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed before formation of the materials
    • H10P14/6506—Formation of intermediate materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/65—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials
    • H10P14/6516—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials
    • H10P14/6529—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/65—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials
    • H10P14/6516—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials
    • H10P14/6536—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/65—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials
    • H10P14/6516—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials
    • H10P14/6536—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H10P14/6538—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by treatments performed before or after the formation of the materials of treatments performed after formation of the materials by exposure to radiation, e.g. visible light by exposure to UV light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H10P14/6923—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0432—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H10P72/0452—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers
    • H10P72/0454—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H10P72/0468—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/90—Thermal treatments, e.g. annealing or sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/071—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof
    • H10W20/092—Manufacture or treatment of dielectric parts thereof by smoothing the dielectric parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6339—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE or pulsed CVD
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （目次） ・産業上の利用分野 ・従来の技術（図１０，図１１） ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例 （１）本発明の実施例の半導体製造装置 （ａ）第１の実施例（図１） （ｂ）第２の実施例（図４〜図６） （２）本発明の実施例の半導体装置の製造方法 （ｃ）第３の実施例（図２，図３） （ｄ）第４の実施例（図７〜図９） ・発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置及び半
導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、ウエハを外
気に触れさせることなく異なる種類の処理を連続的に行
うことにより膜質の改良された単層の膜や多層の膜を形
成することが可能な、所謂マルチステッププロセス装置
等の半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００３】近年、ＶＬＳＩ（Very Large Integrate C
ercuit）半導体装置の製造装置においては、いくつかの
処理を外気に触れさせることなく連続して行うマルチプ
ロセスの概念を採り入れたものが主流となり、生成膜な
どの膜質の向上や多層膜間の密着性の向上を図ることが
できるようになっている。処理の組み合わせとして、例
えば、膜形成と膜形成後のエッチバック，酸化前処理と
酸化膜形成，又はバリアメタル膜／メタル膜の連続形成
等が上げられる。
【０００４】
【従来の技術】このような処理が可能な半導体製造装置
として、代表的なものにマルチチャンバを用いた所謂マ
ルチチャンバプロセス装置，各処理部を近接して配置し
たマルチステッププロセス装置又はクラスタ装置等があ
る。
【０００５】図１０は、従来例のマルチチャンバを用い
て異なる種類の処理を連続的に行うことによりウエハ上
に絶縁膜を形成する半導体製造装置の構成図である。
【０００６】図１０において、１はマルチチャンバ内外
へのウエハの搬入・搬出の準備を行うためのカセットチ
ャンバ、３はウエハの搬入・搬出の際、チャンバ間の圧
力を整合するロードロックチャンバ、７ａはカセットチ
ャンバ１とロードロックチャンバ２との間を開閉するバ
ルブ、４はウエハを搬送するロボット５が設置されたバ
ッファチャンバ、７ｂはロードロックチャンバ３とバッ
ファチャンバ４との間を開閉するバルブ、６ａ〜６ｅは
バッファチャンバ４を中心として放射状に設けられた処
理チャンバで、例えば、（１）処理チャンバ６ａはプラ
ズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によるSi
O2膜形成（膜形成温度400 ℃）のために、（２）処理チ
ャンバ６ｂは減圧ＣＶＤ法によるＰＳＧ膜形成（膜形成
温度400 ℃）のために、（３）処理チャンバ６ｃは形成
膜のエッチバック（室温）のために、（４）処理チャン
バ６ｄはプラズマＣＶＤ法によるSi3N4 膜形成（膜形成
温度400 ℃）のために、（５）処理チャンバ６ｅは減圧
ＣＶＤ法によるSiO2膜形成（膜形成温度400 ℃）のため
に、それぞれ用いられる。なお、各処理チャンバ６ａ〜
６ｅ内にはウエハ９を膜形成温度に保持するためヒータ
が設けられている。また、８ａ〜８ｅはバッファチャン
バ４とそれぞれの処理チャンバ６ａ〜６ｅとの間を開閉
するバルブである。また、２はウエハ９をカセットチャ
ンバ１からロードロックチャンバ３に備えられた不図示
のロボットに受け渡すロボットである。
【０００７】上記の半導体製造装置を用いて、SiO2膜／
ＰＳＧ膜からなる平坦な多層の絶縁膜を形成する場合、
ウエハ９は下記のようにチャンバ間を移動する。即ち、
処理チャンバ６ａ／処理チャンバ６ｂ／処理チャンバ６
ｃの順序で各処理が行われるように、ロボット５がウエ
ハ９を各処理チャンバ６ａ，６ｂ，６ｃへ搬入・搬出す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハ９を
膜形成温度に加熱・保持するための不図示のヒータは各
処理チャンバ６ａ，６ｂ，６ｃ内に設けられており、ウ
エハ９が上記の処理チャンバ６ａ，６ｂ，６ｃを移動す
る間にウエハ９の温度は室温と膜形成温度との間で変動
する。例えば、上記の例では２５℃／400 ℃／２５℃／
400 ℃／２５℃というように変動する。このため、ウエ
ハ９は一種の温度サイクルを受け、形成されたＣＶＤ膜
の膜質の低下や劣化，或いは形成膜へのストレスの発生
などが起こるという問題がある。
【０００９】また、ＣＶＤ膜を形成後にアニールを必要
とする工程では、ＣＶＤ膜形成後、一旦ウエハを取り出
してカセットに収納し、その後、このカセットを移動し
て加熱炉に挿入して加熱処理を行う。このような場合の
ウエハの温度履歴を図１１に示す。
【００１０】この場合にも、ウエハ温度が室温から1000
℃まで図１０に示す従来例以上に大きく変動するという
問題がある。
【００１１】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、異なる種類の処理を連続的に行う間、ウ
エハ温度の変動を低減することにより、熱歪み等の発生
を防止し、形成膜の膜質の変化や劣化を防止することが
できる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供
することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、上
向きに反応ガスを放出するガス分散具を備えた膜形成部
と、前記形成された膜を後処理する処理手段が上向きに
設置されている処理部と、前記ガス分散具及び前記処理
手段と対面するように下向きにウエハを保持し、そのま
ま前記膜形成部と前記処理部の間を移動するウエハ保持
具と、前記ウエハ保持具の移動中を含め、前記ウエハを
加熱する、前記ウエハ保持具に設置された加熱手段とを
有することを特徴とする半導体製造装置によって達成さ
れ、第２に、前記処理手段は、上向きに赤外線を放射す
る赤外線照射手段、上向きに紫外線を放射する紫外線照
射手段、又は処理ガス供給手段であることを特徴とする
第１の発明に記載の半導体製造装置によって達成され、
第３に、前記膜形成部と前記処理部とを一組とし、これ
らが複数組順に並べられていることを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載の半導体製造装置。第４に、膜形
成部で、第１の温度に加熱されたウエハを下向きに保持
し、反応ガスを上向きに放出して、前記ウエハを前記反
応ガスに曝して成膜する工程と、前記成膜後に前記ウエ
ハを加熱しながら処理部に移動させる工程と、前記処理
部で、赤外線照射により或いは前記加熱手段により前記
ウエハを第２の温度に加熱して、前記形成された膜を後
処理する工程とを有する半導体装置の製造方法によって
達成され、第５に、膜形成部で、第１の温度に加熱され
たウエハを下向きに保持し、反応ガスを上向きに放出し
て、前記ウエハを前記反応ガスに曝して成膜する工程
と、前記成膜後に前記ウエハを加熱しながら処理部に移
動させる工程と、前記処理部で、前記加熱手段により前
記ウエハを前記第２の温度に加熱し、かつ前記ウエハに
紫外線を照射して、或いは処理ガスを散布して前記形成
された膜の後処理を行う工程とを有する半導体装置の製
造方法によって達成される。
【００１３】
【作用】本発明の半導体製造装置においては、第１に、
ウエハに反応ガスを供給するガス分散具を有する膜形成
部及び形成された膜の処理部と、ウエハを保持したまま
膜形成部及び処理部の間を順次移動することが可能なウ
エハ保持具とを有し、ウエハ保持具は、ウエハの移動中
を含めてウエハを加熱することが可能な加熱手段を有し
ている。
【００１４】従って、膜形成部で膜の形成後、他の場所
で形成膜の後処理を行う場合、例えば、処理部で赤外線
照射種端、紫外線照射手段、或いは処理ガス供給手段に
より、膜のリフロー処理を行ったり、紫外線（ＵＶ）照
射処理を行ったり、オゾンガス雰囲気中でのアニール処
理を行ったりする場合、いずれも加熱手段によるウエハ
加熱によりウエハの移動中の自然冷却を防止してウエハ
の温度変動を低減することができる。これにより、ウエ
ハ表面の形成膜に熱歪みを抑制することができる。ま
た、成膜時の温度から直ちに後処理時の温度への設定が
行えるため、加熱又は冷却に時間を要せず、更に、ウエ
ハ温度を安定させ易い。
【００１５】第２に、ウエハに反応ガスを供給するガス
分散具を有する複数の膜形成部と、ウエハ載置面にウエ
ハを保持したまま複数の膜形成部の間を順次移動するこ
とが可能なウエハ保持具とを有し、複数のガス分散具は
それぞれ異なる反応ガスの供給手段を有し、ウエハ保持
具はウエハの移動中を含めてウエハを加熱することが可
能な加熱手段を有している。
【００１６】従って、異なる種類の複数の膜をウエハ上
に形成する場合に、一の膜の形成後、他の膜を形成する
ためウエハを移動させる間中、ウエハの温度を例えばほ
ぼ一の膜の形成温度に保持しておくことができる。これ
により、ウエハの移動中の自然冷却を防止してウエハの
温度の変動を低減し、形成膜への熱歪みの発生等を防止
して形成膜の膜質の変化や劣化を防止することができ
る。
【００１７】本発明の半導体装置の製造方法において
は、第１に、加熱手段を有するウエハ保持具に保持され
たウエハを加熱手段により加熱して第１の温度に保持
し、ウエハの表面に膜を形成した後、膜の加熱処理を行
うため、赤外線照射により或いは加熱手段によりウエハ
を更に加熱してウエハの温度を第１の温度よりも高い第
２の温度に昇温している。
【００１８】従って、従来のようにウエハの温度を下げ
ることなく連続して処理を行うことができるので、ウエ
ハの温度の変動を低減することができる。これにより、
形成膜への熱歪みの発生等を防止して形成膜の膜質の変
化や劣化を防止することができる。
【００１９】第２に、加熱手段を有するウエハ保持具に
保持されたウエハを加熱手段により加熱して第３の温度
に保持し、ウエハの表面に膜を形成した後、第４の温度
に加熱されたウエハに紫外線照射して、或いは処理ガス
を散布して膜の処理を行うため、ウエハを加熱しなが
ら、ウエハ保持具を膜形成部から処理部に移動させてい
る。
【００２０】従って、ウエハ温度は第３の温度と第４の
温度との間の変動で済む。このように、従来と異なり移
動の間にウエハが自然冷却されるのを防止することによ
り、ウエハの温度変動を低減することができるので、形
成膜の膜質の変化や劣化を防止することができる。
【００２１】第３に、加熱手段を有するウエハ保持具に
保持されたウエハを加熱手段により加熱して第５の温度
に保持し、ウエハの表面に第１の膜を形成した後、ウエ
ハの温度を第６の温度に保持して第１の膜の上に第２の
膜を形成するため、ウエハ保持具を第１の膜形成部から
第２の膜形成部に移動させる間、ウエハを加熱してい
る。
【００２２】従って、ウエハ温度は第５の温度と第６の
温度との間の変動で済む。このように、従来と異なり移
動の間にウエハが自然冷却されるのを防止することによ
り、ウエハ温度の変動を低減することができるので、形
成された膜の膜質の変化や劣化を防止することができ
る。
【００２３】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。
【００２４】（１）本発明の実施例の半導体製造装置 （ａ）第１の実施例 図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施例の所謂マ
ルチステッププロセス装置で、図１（ａ）は平面図、図
１（ｂ）は側面図を示す。
【００２５】図１（ａ），（ｂ）に示すマルチステップ
プロセス装置は、ロード／アンロード室１０、ＣＶＤ反
応室（膜形成部）１１、赤外線加熱処理室（処理部）１
２がこのような並びで連接され、塵などによる汚染防止
のためフェースダウンで保持されたウエハ表面にＣＶＤ
法によりＢＰＳＧ膜を形成し、更にリフロー処理するこ
とにより、ウエハ表面の平坦化を図ることができる。な
お、各室の間の仕切り壁や各室の間の開閉を行うための
バルブが設けられる場合もある。
【００２６】図中符号１６はロード／アンロード室１０
に備えられたロボットで、ロード／アンロード室１０外
からウエハ２９を搬入・搬出する。
【００２７】２２はＣＶＤ反応室１１に備えられたガス
分散具で、反応ガスを反応ガス導入口１９から導入し、
ガスシャワー１７のガス放出面１８から上向きに反応ガ
スを放出する。そして、ガスシャワー１７周辺部を囲む
ガス収集具２０により反応の終わった反応ガスを集めて
ガス排出口２１からＣＶＤ反応室１１外に排気する。
【００２８】２８は赤外線加熱処理室１２に備えられた
赤外線照射手段（処理手段）で、酸化防止のためウエハ
２９に放出される不活性ガスを導入するガス導入口２１
を有する赤外線ランプ保持具２３により赤外線ランプ２
４が保持されている。ウエハ２９表面に散布された不活
性ガスは赤外線ランプ保持具２３の周囲に設けられたガ
ス収集具により集められ、ガス排出口２７から赤外線加
熱処理室１２外に放出される。
【００２９】１５は塵などによる汚染防止のためフェー
スダウンでウエハ２９を保持するウエハ保持具で、ウエ
ハ２９を保持したままロード／アンロード室１０、ＣＶ
Ｄ反応室１１、赤外線加熱処理室１２の間を行き来す
る。また、ウエハ保持具１５にはヒータ（加熱手段）１
４が埋め込まれ、ウエハ載置面１３に載置されるウエハ
２９を所定の温度に加熱・保持するようになっている。
【００３０】以上のように、本発明の第１の実施例のマ
ルチステッププロセス装置においては、ウエハ２９に反
応ガスを供給するガス分散具２２を有するＣＶＤ反応室
１１及び形成されたＢＰＳＧ膜等の膜を加熱・リフロー
する赤外線加熱処理室１２と、ウエハ２９を保持したま
まＣＶＤ反応室１１及び赤外線加熱処理室１２の間を順
次移動することが可能なウエハ保持具１５とを有し、ウ
エハ保持具１５は、ウエハ２９の移動中を含めてウエハ
２９を加熱することが可能なヒータ１４を有している。
【００３１】従って、ＣＶＤ反応室１１でＢＰＳＧ膜等
の膜を形成後、赤外線加熱処理室１２で赤外線照射手段
２８によりＢＰＳＧ膜のリフロー処理を行う場合、ＣＶ
Ｄ反応室１１と赤外線加熱処理室１２との間でのウエハ
２９の移動中に、ヒータ１４による加熱調整によりウエ
ハの温度を一定の温度に保持しておくことができるの
で、ウエハ２９温度の変動を低減することができる。
【００３２】なお、第１の実施例では、ＣＶＤ反応室１
１に赤外線加熱処理室１２を連接しているが、赤外線加
熱処理室１２の代わりにＵＶ処理室（紫外線処理室）や
オゾン処理室を連接することもできる。これにより、ダ
ングリングボンドを埋めてＢＰＳＧ膜等の膜を緻密化す
るとともに、ウエハ２９の温度変動を低減することによ
り形成膜への熱歪みの発生を防止し、膜質の向上を図る
ことができる。
【００３３】（ｂ）第２の実施例 図２，図３（ａ）〜（ｃ）及び図４は、本発明の第２の
実施例のマルチステッププロセス装置について説明する
図で、それぞれ図４は装置全体の斜視図、図３（ａ）〜
（ｃ）は赤外線照射手段，紫外線照射手段及びガス分散
具の詳細を示す側面図，図４は装置全体の上面図を示
す。
【００３４】図２，図３（ａ）〜（ｃ）及び図６におい
て、図１（ａ），（ｂ）と異なるところは、ＣＶＤ反応
室及び各処理室が回転軸を中心とする円周に沿って並べ
られており、これに従ってヒータ（加熱手段）を有する
ウエハ保持具も円周に沿って移動するようになっている
ことである。このマルチステッププロセス装置では、例
えばリフローにより平坦化されたＢＰＳＧ膜をSiO2膜で
挟んだ３層構造の絶縁膜を形成することが可能である。
【００３５】図２，図３（ａ）〜（ｃ）及び図４におい
て、37ａ〜37ｆは図３（ａ）〜（ｃ）に示す、互いに分
離されたウエハ保持具で、各ウエハ保持具37ａ〜37ｆは
アーム34ａ〜34ｆにより回転軸３３と固定されている。
そして、回転軸３３を回転することにより各ウエハ保持
具37ａ〜37ｆのウエハ載置面41ａ〜41ｆを含む一平面上
で回転軸３３の回りにウエハ保持具37ａ〜37ｆのウエハ
載置面41ａ〜41ｆが回転するようになっている。また、
各ウエハ保持具37ａ〜37ｆは不図示の排気装置と接続さ
れ、不図示の吸引口や窒素ガスの導入口とパイプ状のア
ーム34ａ〜34ｆを介して連通しているチャックにより、
ウエハ32ａ〜32f をウエハ載置面41ａ〜41ｆに固定した
り、固定されたウエハ32ａ〜32f をウエハ載置面41ａ〜
41ｆから離脱したりする。また、各ウエハ保持具37ａ〜
37ｆには個別にヒータ（加熱手段）42ａ〜42ｆが埋め込
まれ、各ヒータ42ａ〜42ｆに独立して電力を供給し、各
ウエハ保持具37ａ〜37ｆに載置されたウエハ32ａ〜32f
の加熱・保温を個別に行うことができるようになってい
る。
【００３６】38ｂ〜38ｆは、ウエハ保持具37ｂ〜37ｆの
ウエハ載置面41ｂ〜41ｆと対向するように設けられた、
第１の膜形成部のガス分散具／第１の処理部の赤外線照
射手段（処理手段）／第２の膜形成部のガス分散具／第
２の処理部の紫外線照射手段（処理手段）／第３の膜形
成部のガス分散具で、ウエハ保持具37ｂ〜37ｆとは分離
され、かつ回転軸３３を中心とする円周に沿って不図示
の装置の基台に固定して設けられている。
【００３７】各ガス分散具38ｂ，38ｄ，38ｆは、図３
（ｃ）のガス分散具38ｆに代表して示すように、ウエハ
32ｂ，32ｄ，32ｆに反応ガスを供給するガスシャワー43
ｂ，43ｄ，43ｆと、反応の終わったガスを収集するガス
収集具45ｂ，45ｄ，45ｆとを有し、ガスシャワー43ｂ，
43ｄ，43ｆに反応ガス導入口39ｂ，39ｄ，39ｆが接続さ
れ、ガス収集具45ｂ，45ｄ，45ｆにガス排出口40ｂ，40
ｄ，40ｆが接続されている。更に、図６に示すように、
各ガス分散具38ｂ，38ｄ，38ｆのガス放出部は回転軸３
３を中心とする放射方向に直角の方向の複数のスリット
に分割されて設けられている。
【００３８】また、赤外線照射手段38ｃは、図３（ａ）
に示すように、ウエハ32ｃを加熱するための赤外線ラン
プ47ｃと、赤外線ランプ47ｃを保持する赤外線ランプ保
持具46ｃと、酸化防止のためウエハに放出された不活性
ガスを収集するガス収集具45ｃとを有し、赤外線ランプ
保持具46ｃにガス導入口39ｃが接続され、ガス収集具45
ｃにガス排出口40ｃが接続されている。更に、紫外線照
射手段38ｅは、図３（ｂ）に示すように、ウエハ32ｅを
加熱するための水銀ランプ49ｅと、水銀ランプ49ｅを保
持する水銀ランプ保持具48ｅと、酸化防止のためウエハ
に放出された不活性ガスを収集するガス収集具45ｅとを
有し、水銀ランプ保持具48ｅにガス導入口39ｅが接続さ
れ、ガス収集具45ｅにガス排出口40ｅが接続されてい
る。
【００３９】更に、ヒータ42ａと接続されている図４の
スリップリング35ａ，35ｂは、回転軸３３に設けられ、
回転軸３３とともに回転するスリップリング35ａ，35ｂ
の正・負の極性と対応するように接触している一対の集
電子36ａ，36ｂに接続されている。そして、一対の集電
子36ａ，36ｂは不図示の電源と接続され、スリップリン
グ35ａ，35ｂを介してヒータ42ａ〜42ｆに電力を供給で
きるようになっている。なお、図４では１つのウエハ保
持具37ａのヒータ42ａと接続しているスリップリング35
ａ，35ｂのみ図示しているが、回転軸３３には他のウエ
ハ保持具37ｂ〜37ｆのヒータ42ｂ〜42ｆと接続している
スリップリングも設けられている。また、何れのスリッ
プリング35ａ，35ｂも回転軸３３の回転を妨げないよう
にロータリコネクタが用いられている。
【００４０】なお、ウエハ保持具37ａの位置は、図２に
示すように、エレベータ３１が設置されたローダ／アン
ローダ部となっており、エレベータ３１とウエハ保持具
37ａとの間でウエハ32ａの受渡しが行われるのみで、膜
形成は行われない。
【００４１】以上のような第２の実施例のマルチステッ
ププロセス装置においては、ガス分散具38ｂ，38ｄ，38
ｆを複数、かつ互いに分離して設けることにより、異な
る種類の多層膜の形成が可能になる。また、赤外線照射
手段38ｃや紫外線照射手段38ｅが設けられているので、
平坦な絶縁膜の形成，形成膜の平坦化のための処理及び
形成膜の膜質の向上のための処理を連続して行うことが
できる。
【００４２】なお、上記の第２の実施例では、処理手段
として赤外線照射手段38ｃや紫外線照射手段38ｅが設け
られているが、これらの代わりにオゾン等の処理ガス供
給手段が設けられてもよいし、更に処理部を増やし、赤
外線照射手段38ｃや紫外線照射手段38ｅに追加して処理
ガス供給手段が設けられることも可能である。
【００４３】また、膜形成部と処理部とが混在して設け
られているが、膜形成部だけが設けられることもでき
る。
【００４４】更に、フェースダウンのウエハ載置面41ａ
〜41ｆを有しているが、フェースアップのウエハ載置面
を有しているものについても可能である。
【００４５】（２）本発明の実施例の半導体装置の製造
方法 （ｃ）第３の実施例 次に、図１（ａ），（ｂ）のマルチステッププロセス装
置を用いて、平坦化されたＢＰＳＧ膜をウエハ表面に形
成する第３の実施例の製造方法について図５（ａ）〜
（ｃ），図６を参照しながら説明する。図５（ａ）〜
（ｃ）は製造方法について説明する断面図、図３は移動
中のウエハの温度を含む膜形成処理中のウエハの温度の
履歴を示す図である。
【００４６】まず、図５（ａ）に示す、ポリシリコン膜
からなる配線層51ａ，51ｂがSiO2膜５０の上にの形成さ
れたSi基板（ウエハ）２９を、図１（ｂ）に示すロボッ
ト１６によりロード／アンロード室１０に搬入した後、
ウエハ保持具１５のウエハ載置面１３にフェースダウン
で載置する。
【００４７】次に、ウエハ保持具１５に埋め込まれたヒ
ータ１４に電流を流してヒータ１４を発熱させ、ウエハ
２９を加熱してウエハ温度（第１の温度）を４００℃に
保持する。
【００４８】次いで、ウエハ保持具１５を移動し、ウエ
ハ２９をＣＶＤ反応室１１に搬送する。このとき、搬送
中もヒータ１４には電流が流され、ウエハ温度が４００
℃に保持されるようにヒータ１４を発熱させている。続
いて、ＴＥＯＳ／3.5 重量％のリンを含むＴＭＰ（Tri-
Mechyl-Phosphate）／4.0 重量％のボロンを含むＴＭＢ
（Tri-Mechyl-Borate ）／Ｏ3 の混合ガスを反応ガス導
入口１９からガスシャワー１７に導入すると、混合ガス
はガス放出面１８からウエハ２９の表面に放出されるの
で、この状態で所定の時間保持すると、所定の膜厚のＢ
ＰＳＧ膜５２が形成される（図５（ｂ））。
【００４９】次いで、ウエハ保持具１５を赤外線加熱処
理室１２に移動する。このとき、前記の移動時と同様
に、ウエハの搬送中もヒータ１４には電流が流され、ウ
エハ温度が４００℃に保持されるようにヒータ１４を発
熱させている。
【００５０】続いて、赤外線加熱処理室１２に搬入され
たウエハ２９はガス導入口２５から導入された窒素ガス
中で赤外線ランプ２４により更に加熱され、温度（第２
の温度）800 ℃に保持される。その結果、ＢＰＳＧ膜５
２は溶融・流動し、ウエハ２９の表面が平坦化する（図
５（ｃ））。このとき、ＣＶＤ装置から加熱処理炉に移
しかえるためにウエハが自然冷却された後、加熱処理炉
中で再度加熱処理を行う従来の方法と比較して、加熱処
理温度を約100 〜200 ℃低下させることができた。これ
は、ウエハ２９温度を所定の温度以上に保持しているの
で、ＢＰＳＧ膜５２の膜質が変化したり、ＢＰＳＧ膜５
２の吸湿を防止することができるためと考えられる。
【００５１】以上のように、第３の実施例の製造方法に
おいては、図６のウエハ温度の履歴に示すように、ヒー
タ１４を有するウエハ保持具１５に保持されたウエハ２
９をヒータ１４により加熱し、温度400 ℃に保持してウ
エハ２９の表面にＢＰＳＧ膜５２を形成した後、ＢＰＳ
Ｇ膜５２のリフロー処理を行うため、ヒータ加熱に加え
て赤外線照射によりウエハ２９を加熱し、ウエハ２９の
温度を約400 ℃から約800 ℃に昇温している。
【００５２】従って、ＢＰＳＧ膜５２を形成した後にウ
エハ２９の温度を下げることなく連続してＢＰＳＧ膜５
２のリフロー処理を行うことができるので、ウエハ２９
の温度の変動を低減することができる。これにより、Ｂ
ＰＳＧ膜５２の平坦化を図るとともに、ＢＰＳＧ膜５２
への熱歪みの発生等を防止してＢＰＳＧ膜５２の膜質の
変化や劣化を防止することができる。
【００５３】なお、第３の実施例では、ウエハ２９の温
度を約800 ℃に昇温するため赤外線ランプ２４によりウ
エハ２９を加熱しているが、ウエハ保持具１５に埋め込
まれたヒータ１４を用いてウエハ２９を加熱することも
できる。
【００５４】また、ＢＰＳＧ膜５２の形成後に、ＢＰＳ
Ｇ膜５２のリフロー処理を行っているが、ＢＰＳＧ膜５
２の形成後にウエハ２９の加熱を続けたまま搬送し、一
定の温度に保持されたウエハ２９に対して連続してＢＰ
ＳＧ膜５２のＵＶ照射処理（紫外線照射処理）やオゾン
雰囲気中でのアニール処理を行うこともできる。これに
より、ダングリングボンドを埋めてＢＰＳＧ膜５２を緻
密化するとともに、処理時と搬送時との間のウエハ２９
の温度変動を低減してＢＰＳＧ膜５２への熱歪みの発生
を防止し、膜質の向上を図ることができる。
【００５５】（ｄ）第４の実施例 次に、図２のマルチステッププロセス装置を用いて、本
発明の第４の実施例の３層の絶縁膜を形成する方法につ
いて図７（ａ）〜（ｄ），図８（ｅ）〜（ｇ），図９を
参照しながら説明する。
【００５６】図７（ａ）〜（ｄ），図８（ｅ）〜（ｇ）
は製造方法について説明する断面図、図９は移動中のウ
エハの温度を含む膜形成処理中のウエハの温度の履歴を
示す図である。この場合、図８（ｆ）に示すように、ウ
エハ保持具37ａが回転軸３３の回りを一回りする間に所
定膜厚のSiO2膜55ａ／ＢＰＳＧ膜56ａ／SiO2膜５７の３
層構造の絶縁膜がウエハ上に形成されるようになってい
る。なお、最下層のSiO2膜55ａはＢＰＳＧ膜56ａ中のボ
ロン（Ｂ）やリン（Ｐ）がポリシリコン層又はシリサイ
ド層54ａ，54ｂに導入されて、抵抗値が変動するのを防
止するために形成され、最上層のSiO2膜５７はＢＰＳＧ
膜56ａの吸湿を防止するために形成される。
【００５７】まず、不図示のカセットステーションから
図２に示すロボット３０により、図７（ａ）に示すSiO2
膜５３上にポリシリコン層又はシリサイド層54ａ，54ｂ
の形成された第１のウエハ32ａをローダ／アンローダ部
に搬送し、エレベータ３１に載置する。
【００５８】次いで、エレベータ３１を上昇させて、ウ
エハ保持具37ａのウエハ載置面41ａに第１のウエハ32ａ
を接触させるとともに、不図示の吸引口から排気し、吸
引口と連通しているチャックにより第１のウエハ32ａを
ウエハ載置面41ａに載置・固定する。このとき、各ウエ
ハ保持具37ａ〜37ｆのヒータ42ａ〜42ｆと対応するスリ
ップリング35ａ，35ｂ，…／集電子36ａ，36ｂ，…を介
してすべてのウエハ保持具37ａ〜37ｆのヒータ42ａ〜42
ｆに電力を供給し、すべてのウエハ保持具37ａ〜37ｆの
ウエハ載置面41ａ〜41ｆの温度を約400 ℃に保持する。
【００５９】次に、第１のウエハ32ａの温度が約400 ℃
に達した後、回転軸３３を回転し、ガス分散具38ｆの直
上の位置にウエハ保持具37ａを停止する。続いて、ガス
シャワー43ｆから反応ガスとしてＴＥＯＳ−Ｏ3 の混合
ガスを放出する。このとき、SiO2膜５５が成長しはじめ
るが、その成長レートは約2000Åとなり、約１分間この
状態を保持することにより、目標とする膜厚の約2000Å
のSiO2膜５５が第１のウエハ32ａ上に形成される（図７
（ｂ））。なお、この間、上記と同様にして第２のウエ
ハ32ｂをローダ／アンローダ部に位置するウエハ保持具
37ｂに載置し、第２のウエハ32ｂの温度をヒータ42ｂに
より約400 ℃に加熱しておく。
【００６０】次に、回転軸３３を回転し、ガス分散具38
ｆ／紫外線照射手段38ｅの直上の位置にそれぞれウエハ
保持具37ｂ，37ａを停止する。このとき、第１及び第２
のウエハ32ａ，32ｂを移動中にもヒータ42ａ，42ｂによ
り加熱し、図９に示すように、第１及び第２のウエハ32
ａ，32ｂを約400 ℃の温度に保持しておく。この状態
で、紫外線照射手段38ｅの水銀ランプ49ｅを点灯して第
１のウエハ32ａ上のSiO2膜５５に紫外線照射する。その
結果、SiO2膜５５のダングリングボンドを埋めてSiO2膜
55ａを緻密化することができる（図７（ｃ））。一方、
ガスシャワー43ｆから反応ガスとしてＴＥＯＳ−Ｏ3 の
混合ガスを放出し、約１分間この状態を保持すると、第
２のウエハ32ｂ上には目標とする膜厚の約2000ÅのSiO2
膜が形成される。更に、この間、上記と同様にして第３
のウエハ32ｃをローダ／アンローダ部に位置するウエハ
保持具37ｃに載置し、第３のウエハ32ｃの温度を約400
℃にヒータ42ｃにより加熱しておく。
【００６１】次いで、回転軸３３を回転し、ガス分散具
38ｆ／紫外線照射手段38ｅ／ガス分散具38ｄの直上の位
置にそれぞれウエハ保持具37ｃ，37ｂ，37ａを停止す
る。このとき、第１，第２及び第３のウエハ32ａ，32
ｂ，32ｃを移動中にもヒータ42ａ〜42ｃにより加熱し、
図９に示すように、第１，第２及び第３のウエハ32ａ，
32ｂ，32ｃを約400 ℃の温度に保持しておく。この状態
で、直ちに、ガス分散具38ｄのガスシャワー43ｄから反
応ガスとしてＴＥＯＳ−Ｏ3 ／ＴＭＰ／ＴＭＢの混合ガ
スを放出し、約３分間この状態を保持すると、第１のウ
エハ32ａのSiO2膜５５上には目標とする膜厚の約6000Å
のＢＰＳＧ膜５６が形成される（図７（ｄ））。一方、
水銀ランプ49ｅを点灯して第２のウエハ32ｂ上のSiO2膜
に紫外線照射する。その結果、SiO2膜のダングリングボ
ンドを埋めてSiO2膜を緻密化することができる。更に、
ガス分散具38ｆから反応ガスを放出することにより第３
のウエハ32ｃ上には目標とする膜厚の約2000ÅのSiO2膜
が形成される。更に、この間、上記と同様にして第４の
ウエハ32ｄをローダ／アンローダ部に位置するウエハ保
持具37ｄに載置し、第４のウエハ32ｄの温度を約400 ℃
にヒータ42ｄにより加熱しておく。
【００６２】次に、回転軸３３を回転し、ガス分散具38
ｆ／紫外線照射手段38ｅ／ガス分散具38ｄ／赤外線照射
手段38ｃの直上の位置にそれぞれウエハ保持具37ｄ，37
ｃ，37ｂ，37ａを停止する。このとき、第１，第２，第
３及び第４のウエハ32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄを移動中に
もヒータ42ａ〜42ｄにより加熱し、図９に示すように、
第１，第２，第３及び第４のウエハ32ａ，32ｂ，32ｃ，
32ｄを約400 ℃の温度に保持しておく。続いて、第１の
ウエハ32ａ上のＢＰＳＧ膜５６をリフローするために、
赤外線ランプ38ｃを点灯し、図９に示すように、ウエハ
温度を約400 ℃から約800 ℃に上昇させ、保持する。こ
の状態を所定の時間保持すると、ＢＰＳＧ膜５６は溶融
・流動しウエハ表面の凹凸が均される（図７（ｅ））。
なお、第１のウエハ32ａの処理と同時に第２，第３及び
第４のウエハ32ｂ，32ｃ，32ｄについても所定の処理が
なされる。更に、この間、上記と同様にして第５のウエ
ハ32ｅをローダ／アンローダ部に位置するウエハ保持具
37ｅに載置し、第４のウエハ32ｅの温度を約400 ℃にヒ
ータ42ｅにより加熱しておく。
【００６３】次いで、回転軸３３を回転し、ガス分散具
38ｆ／紫外線照射手段38ｅ／ガス分散具38ｄ／赤外線照
射手段38ｃ／ガス分散具38ｂの直上の位置にそれぞれウ
エハ保持具37ｅ，37ｄ，37ｃ，37ｂ，37ａを停止する。
このとき、第１，第２，第３，第４及び第５のウエハ32
ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄ，32ｅは移動中にもヒータ42ａ〜
42ｅにより加熱し、図９に示すように、第１，第２，第
３，第４及び第５のウエハ32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄ，32
ｅを約400 ℃の温度に保持しておく。続いて、ガス分散
具38ｂのガスシャワー43ｂから反応ガスとしてＴＥＯＳ
−Ｏ3 の混合ガスを放出し、約１分間この状態を保持す
ると、第１のウエハ32ａ上には目標とする膜厚の約2000
ÅのSiO2膜５７が形成される（図７（ｆ））。なお、第
１のウエハ32ａの処理と同時に第２，第３，第４及び第
５のウエハ32ｂ，32ｃ，32ｄ，32ｅについても所定の処
理がなされる。更に、この間、上記と同様にして第６の
ウエハ32ｆをローダ／アンローダ部に位置するウエハ保
持具37ｆに載置し、第６のウエハ32ｆの温度を約400 ℃
にヒータ42ｆにより加熱しておく。
【００６４】次いで、回転軸３３を回転し、ガス分散具
38ｆ／紫外線照射手段38ｅ／ガス分散具38ｄ／赤外線照
射手段38ｃ／ガス分散具38ｂ／エレベータ３１の直上の
位置にそれぞれウエハ保持具37ｆ，37ｅ，37ｄ，37ｃ，
37ｂ，37ａを停止する。続いて、エレベータ３１を上昇
し、ウエハ保持具37ａのチャックと対応する吸引口を閉
じるとともに、窒素ガスの導入口のバルブを開けて窒素
ガスをチャックに送ると第１のウエハ32ａがウエハ載置
面41ａから離脱して、エレベータ３１上に載置される。
次に、ロボット３０により第１のウエハ32ａをカセット
ステーションに搬出する。なお、この間、第１のウエハ
32ａの処理と同時に第２，第３，第４，第５及び第６の
ウエハ32ｂ，32ｃ，32ｄ，32ｅ，32ｆについても所定の
処理がなされる。
【００６５】このようにして、第２，第３，第４，第５
及び第６のウエハ32ｂ，32ｃ，32ｄ，32ｅ，32ｆについ
ても第１のウエハ32ａと同様な処理を行い、再び第２，
第３，第４及び第５のウエハ32ｂ，32ｃ，32ｄ，32ｅが
回転軸３３の回りを一回りしてローダ／アンローダ部に
帰ってきたときにこれらのウエハ上には目標とする膜厚
のSiO2膜／ＢＰＳＧ膜／SiO2膜の３層の膜が形成されて
いる。この間ウエハの温度はヒータ42ｂ〜42ｅにより加
熱され、常に一定の温度に保持されているので、温度変
動による形成膜への熱歪みの発生を防止することができ
る。このようにして、次々に所定膜厚のSiO2膜／ＢＰＳ
Ｇ膜／SiO2膜の３層の膜がウエハ上に形成されてカセッ
トステーションに蓄積されていく。
【００６６】その後、下層の配線層54ａ，54ｂ上のSiO2
膜５７及ＢＰＳＧ膜56ａに不図示のビアホールを形成し
た後、Ａｌ膜からなる上層の配線層５８を形成すると、
半導体装置が完成する（図７（ｇ））。
【００６７】以上のように、第４の実施例の半導体装置
の製造方法によれば、ヒータ42ａ〜42ｆを有するウエハ
保持具37ａ，37ｂ，37ｃ，37ｄ，37ｅ，37ｆに保持され
た第１，第２，第３，第４，第５及び第６のウエハ32
ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄ，32ｅ，32ｆをヒータ42ａ〜42ｆ
により加熱して温度約400 ℃に保持したまま、ガス分散
具38ｂ，38ｄ，38ｆと各処理部38ｃ，38ｅとの間を移動
し、ウエハ32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄ，32ｅ，32ｆの表面
に紫外線照射されたSiO2膜55ａ／赤外線照射により平坦
化されたＢＰＳＧ膜56ａ／SiO2膜５７を形成している。
【００６８】従って、図９に示すように、ウエハ温度は
400 ℃と800 ℃との間の変動で済む。このように、従来
と異なり移動の間にウエハ32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄ，32
ｅ，32ｆが自然冷却されるのを防止することにより、ウ
エハ温度の変動を低減することができるので、熱歪みを
低減する等、形成膜の膜質の変化や劣化を防止すること
ができる。
【００６９】なお、第４の実施例では、最下層のSiO2膜
として紫外線照射されたSiO2膜55ａを形成しているが、
オゾン雰囲気中でのアニール処理のなされたSiO2膜を形
成することもできる。また、第４の実施例の膜構造に限
らず、膜形成，赤外線処理，紫外線処理，オゾン雰囲気
中でのアニール処理等を組み合わせて他の構造の膜形成
を行うことが可能である。
【００７０】更に、ＢＰＳＧ膜のリフロー処理のため
に、赤外線照射による加熱を行っているが、ヒータのみ
を用いて加熱処理することも可能である。
【００７１】また、膜形成と形成膜の処理とを行ってい
るが、形成膜の処理を行わずにSiO2膜／ＢＰＳＧ膜／Si
O2膜の異なる種類の多層膜の形成のみを行うことも可能
である。この場合も、ウエハ保持具を膜形成部の間を移
動させる間、ウエハを加熱することにより、ウエハ温度
の変動を低減することができるので、形成された絶縁膜
の熱歪みの低減を図ることができる。
【００７２】更に、膜形成の間中、保持されたウエハ保
持具37ａ〜37ｆの位置を中心として放射方向にオシレー
ションユニットによりウエハ保持具37ａ〜37ｆを直線往
復運動を行わせることにより、ウエハ32ａ〜32ｆ上への
反応ガスの供給を均一化し、均一な膜厚や膜質のSiO2膜
／ＢＰＳＧ膜／SiO2膜を形成することができる。
【００７３】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体製造装置
においては、第１に、ウエハに反応ガスを供給するガス
分散具を有する膜形成部及び形成された膜の処理部と、
ウエハを保持したまま膜形成部及び処理部の間を順次移
動することが可能なウエハ保持具とを有し、ウエハ保持
具は、ウエハの移動中を含めてウエハを加熱することが
可能な加熱手段を有している。
【００７４】第２に、ウエハに反応ガスを供給するガス
分散具を有する複数の膜形成部と、ウエハ載置面にウエ
ハを保持したまま複数の膜形成部の間を順次移動するこ
とが可能なウエハ保持具とを有し、複数のガス分散具は
それぞれ異なる反応ガスの供給手段を有し、ウエハ保持
具はウエハの移動中を含めてウエハを加熱することが可
能な加熱手段を有している。
【００７５】従って、いずれの場合も、ウエハの移動中
のウエハの自然冷却を防止してウエハ温度の変動を低減
し、これにより、形成された膜の膜質の変化や劣化を防
止することができる。
【００７６】本発明の半導体装置の製造方法において
は、第１に、加熱手段を有するウエハ保持具に保持され
たウエハを加熱手段により加熱して第１の温度に保持
し、ウエハの表面に膜を形成した後、膜の加熱処理を行
うため、赤外線照射により或いは加熱手段によりウエハ
を更に加熱してウエハの温度を第１の温度よりも高い第
２の温度に昇温している。
【００７７】第２に、加熱手段を有するウエハ保持具に
保持されたウエハを加熱手段により加熱して第３の温度
に保持し、ウエハの表面に膜を形成した後、第４の温度
に加熱されたウエハに紫外線照射して、或いは処理ガス
を散布して膜の処理を行うため、ウエハを加熱しなが
ら、ウエハ保持具を膜形成部から処理部に移動させてい
る。
【００７８】第３に、加熱手段を有するウエハ保持具に
保持されたウエハを加熱手段により加熱して第５の温度
に保持し、ウエハの表面に第１の膜を形成した後、ウエ
ハの温度を第６の温度に保持して第１の膜の上に第２の
膜を形成するため、ウエハ保持具を第１の膜形成部から
第２の膜形成部に移動させる間、ウエハを加熱してい
る。
【００７９】従って、いずれの場合にも、ウエハの移動
中の自然冷却を防止し、ウエハ温度の変動を低減するこ
とができるので、形成された膜への熱歪みの発生等を防
止して形成された膜の膜質の変化や劣化を防止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例のマルチステッププロセ
ス装置について説明する構成図である。
【図２】本発明の第２の実施例のマルチステッププロセ
ス装置について説明する斜視図である。
【図３】本発明の第２の実施例のマルチステッププロセ
ス装置の膜形成部及び処理部について説明する構成図で
ある。
【図４】本発明の第２の実施例のマルチステッププロセ
ス装置について説明する上面図である。
【図５】本発明の第３の実施例の膜形成方法について説
明する断面図である。
【図６】本発明の第３の実施例の膜形成方法におけるウ
エハ温度の履歴について説明する図である。
【図７】本発明の第４の実施例の膜形成方法について説
明する断面図（その１）である。
【図８】本発明の第４の実施例の膜形成方法について説
明する断面図（その２）である。
【図９】本発明の第４の実施例の膜形成方法におけるウ
エハ温度の履歴について説明する図である。
【図１０】従来例のマルチチャンバプロセス装置につい
て説明する構成図である。
【図１１】従来例の膜形成方法におけるウエハ温度の履
歴について説明する図である。
【符号の説明】
１ カセットチャンバ、 ２，５，１６，３０ ロボット、 ３ ロードロックチャンバ、 ４ バッファチャンバ、 ６ａ〜６ｅ 処理チャンバ、 ７ａ，７ｂ，８ａ〜８ｅ バルブ、 ９，２９，32ａ〜32ｆ Si基板（ウエハ）、 １０ ロード／アンロード室、 １１ ＣＶＤ室（膜形成部）、 １２ 赤外線加熱処理室（処理部）、 １３，41ａ〜41ｆ ウエハ載置面、 １４，42ａ〜42ｆ ヒータ（加熱手段）、 １５，37ａ〜37ｆ ウエハ保持具、 １７，43ｂ，43ｄ，43ｆ ガスシャワー、 １８，44ｂ，44ｄ，44ｆ ガス放出面、 １９，39ｂ，39ｄ，39ｆ 反応ガス導入口、 ２０，２６，45ｂ〜45ｆ ガス収集具、 ２１，２７，40ｂ〜40ｆ ガス排出口、 ２２，38ｂ，38ｄ，37ｆ ガス分散具、 ２３，46ｃ 赤外線ランプ保持具、 ２４，47ｃ 赤外線ランプ、 ２５，39ｃ，39ｅ ガス導入口、 ２８，38ｃ 赤外線照射手段（処理手段）、 ３１ エレベータ、 ３３ 回転軸、 34ａ〜34ｆ アーム、 35ａ，35ｂ スリップリング、 36ａ，36ｂ 集電子、 38ｅ 紫外線照射手段（処理手段）、 48ｅ 水銀ランプ保持具、 49ｅ 水銀ランプ、 ５０，５３，５５，55ａ，５７ SiO2膜、 51ａ，51ｂ，５８ 配線層、 ５２，52ａ，５６，56ａ ＢＰＳＧ膜、 54ａ，54ｂ ポリシリコン層又はシリサイド層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳増 徳 東京都港区港南２ー13ー29 株式会社半導 体プロセス研究所内 (72)発明者 西本 裕子 東京都港区港南２ー13ー29 株式会社半導 体プロセス研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−136234（ＪＰ，Ａ)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】上向きに反応ガスを放出するガス分散具を
    備えた膜形成部と、 前記形成された膜の後処理をする処理手段が上向きに設
    置されている処理部と、 前記ガス分散具及び前記処理手段と対面するように下向
    きにウエハを保持し、そのまま前記膜形成部と前記処理
    部の間を移動させるウエハ保持具と、 前記ウエハ保持具の移動中を含め、前記ウエハを加熱す
    る、前記ウエハ保持具に設置された加熱手段とを有する
    ことを特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項２】前記処理手段は、上向きに赤外線を放射す
    る赤外線照射手段、上向きに紫外線を放射する紫外線照
    射手段、又は処理ガス供給手段であることを特徴とする
    請求項１記載の半導体製造装置。
  3. 【請求項３】前記膜形成部と前記処理部とを一組とし、
    これらが複数組順に並べられていることを特徴とする請
    求項１又は請求項２に記載の半導体製造装置。
  4. 【請求項４】膜形成部で、第１の温度に加熱されたウエ
    ハを下向きに保持し、反応ガスを上向きに放出して、前
    記ウエハ表面を前記反応ガスに曝して成膜する工程と、 前記成膜後に前記ウエハを加熱しながら処理部に移動さ
    せる工程と、 前記処理部で、赤外線照射により或いは前記加熱手段に
    より前記ウエハを第２の温度に加熱して、前記形成され
    た膜を後処理する工程とを有する半導体装置の製造方
    法。
  5. 【請求項５】膜形成部で、第１の温度に加熱されたウエ
    ハを下向きに保持し、反応ガスを上向きに放出して、前
    記ウエハを前記反応ガスに曝して成膜する工程と、 前記成膜後に前記ウエハを加熱しながら処理部に移動さ
    せる工程と、 前記処理部で、前記加熱手段により前記ウエハを前記第
    ２の温度に加熱し、かつ前記ウエハに紫外線を照射し
    て、或いは処理ガスを散布して前記形成された膜の後処
    理を行う工程とを有する半導体装置の製造方法。
JP3090612A 1991-04-22 1991-04-22 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JPH0812847B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3090612A JPH0812847B2 (ja) 1991-04-22 1991-04-22 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
DE69229431T DE69229431T2 (de) 1991-04-22 1992-04-14 Einrichtung und vorrichtung zur herstellung eines halbleiterbauelementes
PCT/JP1992/000468 WO1992019011A1 (fr) 1991-04-22 1992-04-14 Appareil et procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
EP92908472A EP0537364B1 (en) 1991-04-22 1992-04-14 Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US07/958,105 US5314538A (en) 1991-04-22 1992-04-14 Apparatus for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3090612A JPH0812847B2 (ja) 1991-04-22 1991-04-22 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05251353A JPH05251353A (ja) 1993-09-28
JPH0812847B2 true JPH0812847B2 (ja) 1996-02-07

Family

ID=14003307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3090612A Expired - Lifetime JPH0812847B2 (ja) 1991-04-22 1991-04-22 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5314538A (ja)
EP (1) EP0537364B1 (ja)
JP (1) JPH0812847B2 (ja)
DE (1) DE69229431T2 (ja)
WO (1) WO1992019011A1 (ja)

Families Citing this family (343)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753542A (en) * 1985-08-02 1998-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for crystallizing semiconductor material without exposing it to air
US5821175A (en) * 1988-07-08 1998-10-13 Cauldron Limited Partnership Removal of surface contaminants by irradiation using various methods to achieve desired inert gas flow over treated surface
US5518360A (en) * 1990-11-16 1996-05-21 Kabushiki-Kaisha Watanabe Shoko Wafer carrying device and wafer carrying method
US5578520A (en) * 1991-05-28 1996-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for annealing a semiconductor
US5766344A (en) 1991-09-21 1998-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor
US5534072A (en) * 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
JP2809018B2 (ja) * 1992-11-26 1998-10-08 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3165304B2 (ja) * 1992-12-04 2001-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法及び半導体処理装置
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
US7097712B1 (en) * 1992-12-04 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for processing a semiconductor
US6897100B2 (en) * 1993-11-05 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
CN1052566C (zh) * 1993-11-05 2000-05-17 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
US5643366A (en) * 1994-01-31 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum
US5531835A (en) * 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
US5990006A (en) * 1997-02-10 1999-11-23 Micron Technology, Inc. Method for forming materials
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6013134A (en) 1998-02-18 2000-01-11 International Business Machines Corporation Advance integrated chemical vapor deposition (AICVD) for semiconductor devices
JP3624113B2 (ja) * 1998-03-13 2005-03-02 キヤノン株式会社 プラズマ処理方法
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6162299A (en) * 1998-07-10 2000-12-19 Asm America, Inc. Multi-position load lock chamber
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6072157A (en) * 1998-12-11 2000-06-06 Euv Llc Thermophoretic vacuum wand
US6771895B2 (en) * 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6281141B1 (en) 1999-02-08 2001-08-28 Steag Rtp Systems, Inc. Process for forming thin dielectric layers in semiconductor devices
NL1011856C2 (nl) * 1999-04-21 2000-10-24 Asm Internat B V Floating wafer reactor alsmede werkwijze voor het regelen van de temperatuur daarvan.
WO2001003167A1 (en) * 1999-07-02 2001-01-11 Tokyo Electron Limited Semiconductor manufacture equipment, and method and apparatus for semiconductor manufacture
DE19936081A1 (de) * 1999-07-30 2001-02-08 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Temperieren eines Mehrschichtkörpers, sowie ein unter Anwendung des Verfahrens hergestellter Mehrschichtkörper
EP1139404A1 (en) * 2000-03-31 2001-10-04 Applied Materials, Inc. Low thermal budget solution for PMD application using SACVD layer
US20020195056A1 (en) * 2000-05-12 2002-12-26 Gurtej Sandhu Versatile atomic layer deposition apparatus
US6495805B2 (en) * 2000-06-30 2002-12-17 Tokyo Electron Limited Method of determining set temperature trajectory for heat treatment system
KR100458982B1 (ko) * 2000-08-09 2004-12-03 주성엔지니어링(주) 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법
US6541353B1 (en) * 2000-08-31 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer doping apparatus and method
US6599368B1 (en) 2000-10-05 2003-07-29 Applied Materials, Inc. System architecture of semiconductor manufacturing equipment
US6528427B2 (en) 2001-03-30 2003-03-04 Lam Research Corporation Methods for reducing contamination of semiconductor substrates
TWI287253B (en) * 2002-09-30 2007-09-21 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7098149B2 (en) 2003-03-04 2006-08-29 Air Products And Chemicals, Inc. Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure
TWI240959B (en) * 2003-03-04 2005-10-01 Air Prod & Chem Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure
JP2004273893A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Eiko Engineering Co Ltd 複数処理ステーションを有する真空処理装置
DE10320597A1 (de) * 2003-04-30 2004-12-02 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit zwei Prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
DE10323295B4 (de) * 2003-05-21 2009-04-16 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung von Substraten
US7162881B2 (en) * 2004-04-07 2007-01-16 Nikon Corporation Thermophoretic wand to protect front and back surfaces of an object
US7253125B1 (en) 2004-04-16 2007-08-07 Novellus Systems, Inc. Method to improve mechanical strength of low-k dielectric film using modulated UV exposure
GB0410743D0 (en) * 2004-05-14 2004-06-16 Vivactiss Bvba Holder for wafers
JP2006093557A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Sharp Corp 気相成長装置
US9659769B1 (en) 2004-10-22 2017-05-23 Novellus Systems, Inc. Tensile dielectric films using UV curing
US8454750B1 (en) * 2005-04-26 2013-06-04 Novellus Systems, Inc. Multi-station sequential curing of dielectric films
US8282768B1 (en) 2005-04-26 2012-10-09 Novellus Systems, Inc. Purging of porogen from UV cure chamber
US8980769B1 (en) 2005-04-26 2015-03-17 Novellus Systems, Inc. Multi-station sequential curing of dielectric films
US8137465B1 (en) 2005-04-26 2012-03-20 Novellus Systems, Inc. Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers
US8889233B1 (en) 2005-04-26 2014-11-18 Novellus Systems, Inc. Method for reducing stress in porous dielectric films
US8398816B1 (en) 2006-03-28 2013-03-19 Novellus Systems, Inc. Method and apparatuses for reducing porogen accumulation from a UV-cure chamber
US8956457B2 (en) * 2006-09-08 2015-02-17 Tokyo Electron Limited Thermal processing system for curing dielectric films
US10037905B2 (en) 2009-11-12 2018-07-31 Novellus Systems, Inc. UV and reducing treatment for K recovery and surface clean in semiconductor processing
US9050623B1 (en) 2008-09-12 2015-06-09 Novellus Systems, Inc. Progressive UV cure
JP2012129471A (ja) * 2010-12-17 2012-07-05 Tatsumo Kk 基板処理装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10954597B2 (en) 2015-03-17 2021-03-23 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition apparatus
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10388546B2 (en) 2015-11-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Apparatus for UV flowable dielectric
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10347547B2 (en) 2016-08-09 2019-07-09 Lam Research Corporation Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition
US9847221B1 (en) 2016-09-29 2017-12-19 Lam Research Corporation Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) * 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20210057664A (ko) * 2019-11-11 2021-05-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 옥사이드를 포함한 구조물을 형성하는 방법
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59181648A (ja) * 1983-03-31 1984-10-16 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4846623A (en) * 1986-10-08 1989-07-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Wafer transferring device
US5174881A (en) * 1988-05-12 1992-12-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for forming a thin film on surface of semiconductor substrate
JP2982178B2 (ja) * 1989-06-20 1999-11-22 松下電器産業株式会社 鉛蓄電池用極板の製造法
JP2717108B2 (ja) * 1989-07-21 1998-02-18 東京エレクトロン株式会社 レジスト処理方法
US5174827A (en) * 1989-07-26 1992-12-29 Consorzio Ce.Te.V Centro Tecnologie Del Vuoto Double chamber vacuum apparatus for thin layer deposition
US5067218A (en) * 1990-05-21 1991-11-26 Motorola, Inc. Vacuum wafer transport and processing system and method using a plurality of wafer transport arms
US5118642A (en) * 1991-01-24 1992-06-02 Daidousanso Co., Ltd. Method for producing semiconductors
JPH0812846B2 (ja) * 1991-02-15 1996-02-07 株式会社半導体プロセス研究所 半導体製造装置
JPH0669034A (ja) * 1992-08-17 1994-03-11 Daido Steel Co Ltd 棒状多極磁石の着磁コイルとその着磁装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0537364A4 (en) 1996-01-10
JPH05251353A (ja) 1993-09-28
EP0537364A1 (en) 1993-04-21
WO1992019011A1 (fr) 1992-10-29
DE69229431D1 (de) 1999-07-22
US5314538A (en) 1994-05-24
EP0537364B1 (en) 1999-06-16
DE69229431T2 (de) 2000-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0812847B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2729106B2 (ja) ウェファ処理クラスタ・ツール・バッチ予熱及び脱気方法及び装置
KR101814243B1 (ko) 반응관, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US6365518B1 (en) Method of processing a substrate in a processing chamber
KR101107096B1 (ko) 반도체 디바이스의 제조 방법 및 기판 처리 장치
TWI335618B (en) Substrate processing apparatus using a batch processing chamber
KR101177366B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP5787488B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP3023982B2 (ja) 成膜方法
TWI558839B (zh) A substrate processing apparatus, a manufacturing method and a program for a semiconductor device
JP3769426B2 (ja) 絶縁膜形成装置
CN107564812A (zh) 热处理方法及热处理装置
WO2007018139A1 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
CN1898410A (zh) 氮化钛膜的成膜
JPH09186111A (ja) 成膜処理装置
WO2006137287A1 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP4738671B2 (ja) Ｃｖｄ成膜方法
WO2007132884A1 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP5286565B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP4563113B2 (ja) シリコン酸化膜の形成方法、半導体デバイスの製造方法および基板処理装置
JP2009049316A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JPH07201724A (ja) 塗布膜形成方法及びその装置
JPH11204535A (ja) 半導体基板の熱処理方法及び装置
JP2009224457A (ja) 基板処理装置
JP4876337B2 (ja) 処理システム

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19960723