「"reduction projection"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MEASURING METHOD USING REDUCTION-PROJECTION EXPOSURE DEVICE AND REDUCTION-PROJECTION EXPOSURE DEVICE THEREFOR例文帳に追加

縮小投影露光装置を用いた計測方法及びその縮小投影露光装置 - 特許庁

CHIP LEVELING MECHANISM FOR REDUCTION PROJECTION ALIGNER例文帳に追加

縮小投影露光装置のチップレベリング機構 - 特許庁

ADJUSTMENT METHOD FOR REDUCTION PROJECTION ALIGNER例文帳に追加

縮小投影型露光装置の調整方法 - 特許庁

SOFT X-RAY REDUCTION PROJECTION ALIGNER, SOFT X-RAY REDUCTION PROJECTION EXPOSURE METHOD, AND PATTERN FORMATION METHOD例文帳に追加

軟Ｘ線縮小投影露光装置、軟Ｘ線縮小投影露光方法及びパターン形成方法 - 特許庁

REDUCTION PROJECTION EXPOSURE SYSTEM AND METHOD例文帳に追加

縮小投影露光装置及び縮小投影露光方法 - 特許庁

FOCUS DETERMINATION METHOD OF OPTICAL REDUCTION PROJECTION EXPOSURE SYSTEM例文帳に追加

光縮小投影露光装置の焦点合わせ決定方法 - 特許庁

ELECTRON BEAM EXPOSURE APPARATUS, REDUCTION PROJECTION OPTICAL SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING DEVICE例文帳に追加

電子線露光装置、縮小投影系及びデバイス製造方法 - 特許庁

REFLECTION TYPE REDUCTION PROJECTION OPTICAL SYSTEM, ALIGNER AND DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

反射型縮小投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 - 特許庁

RETICLE FOR REDUCTION PROJECTION EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD USING THE SAME例文帳に追加

縮小投影露光装置用レチクルおよびそれを用いた露光方法 - 特許庁

PROJECTION EXPOSING DEVICE, EXPOSING METHOD AND REFLECTION REDUCTION PROJECTION OPTICAL SYSTEM例文帳に追加

投影露光装置及び露光方法、並びに反射縮小投影光学系 - 特許庁

An abnormal focus testing apparatus 3 judges whether a focus value in a shot area is normal or abnormal, before a reduction projection aligner 100 carries out reduction projection exposure.例文帳に追加

フォーカス異常検査装置３は、縮小投影露光装置１００の縮小投影露光の前に、ショット領域のフォーカス値が異常かを判断している。 - 特許庁

STENCIL MASK, MANUFACTURE THEREOF AND REDUCTION PROJECTION EXPOSURE METHOD USING THE SAME例文帳に追加

ステンシルマスク、その製造方法、及びそれを用いた縮小投影露光方法 - 特許庁

To provide an aligner in which a lens tube which holds a reduction projection lens and a reduction projection optical system can be protected against distortion, static deformation or wobbling, vibrations and the like when the reduction projection optical system is mounted on the aligner body.例文帳に追加

縮小投影光学系を露光装置本体に搭載する際に、縮小投影レンズを保持する鏡筒および縮小投影光学系への歪みの発生、静変形やウオブリング、振動の発生等を防ぐことができる露光装置を提供する。 - 特許庁

METHOD OF TRANSFERRING CIRCUIT PATTERN, METHOD OF DETERMINING IMAGE FIELD AND REDUCTION PROJECTION ALIGNER例文帳に追加

回路パタ—ン転写方法、イメ—ジフィ—ルド決定方法及び縮小投影露光装置 - 特許庁

MULTILAYER FILM REFLECTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND REDUCTION PROJECTION EXPOSURE SYSTEM例文帳に追加

多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法及び縮小投影露光装置 - 特許庁

To suppress a variation of the line width of a resist pattern which is formed by a reduction projection exposure method.例文帳に追加

縮小投影露光方法で形成するレジストパターンの線幅の変動を小さくすること。 - 特許庁

The refraction to 193 nm and 157 nm and catadioptric reduction projection objective lens are proposed.例文帳に追加

１９３nm及び１５７nmに対応する屈折及びカタジオプトリック縮小投影対物レンズを提案する。 - 特許庁

The exposure heat status of a reduction projection lens is measured, and the rate (irradiation rate) of an irradiation time occupying a unit time is controlled at the highest speed within a range where the image formation characteristics of the reduction projection lens do not exceed an allowable value.例文帳に追加

縮小投影レンズの露光熱状態を計量し、縮小投影レンズの結像特性が許容値を越えない範囲で、単位時間に占める照射時間の割合（照射率）を最速に制御する。 - 特許庁

The exposure device performs the projection transfer of a pattern drawn on a reticle 6 via a reduction projection lens 3 at a wafer 4A.例文帳に追加

露光装置は、レチクル６上に描かれたパターンを縮小投影レンズ３を介してウエハ４Ａに投影転写する。 - 特許庁

The zoom adjusting mechanism 4 is composed of a first adjusting base 11 for adjusting the distance between the LCD panel and the reduction projection lens 13 and of a second adjusting base 12 for adjusting the distance between the reduction projection lens 13 and the sample.例文帳に追加

ズーム調整機構４は、ＬＣＤパネルと縮小投写レンズ１３間の距離を調整するための第１調整ベース１１と、縮小投写レンズ１３と試料間の距離を調整するための第２調整ベース１２とから構成されている。 - 特許庁

To provide a reticle to be used for reduction projection exposure of a wafer, wherein a pattern excellent in dimensional uniformity can be formed.例文帳に追加

縮小投影のウエハ露光に用いるレチクルに関し、寸法均一性の良いパターンを形成できるレチクルを提供する。 - 特許庁

X-RAY CATOPTRIC ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING IT AND X-RAY REDUCTION PROJECTION EXPOSURE SYSTEM WITH IT例文帳に追加

Ｘ線反射光学素子及びその製造方法、該Ｘ線反射光学素子を有するＸ線縮小投影露光装置 - 特許庁

To prevent a carbon film from depositing on a reflection mask, a lighting optical system for irradiating a soft X ray to the reflection mask, or a reduction projection optical system for forming the image of the pattern of the reflection mask in a soft X-ray reduction projection aligner using the soft X ray as the light source.例文帳に追加

軟Ｘ線を露光光源として用いる軟Ｘ線縮小投影露光装置において、反射型マスク、軟Ｘ線を反射型マスクに照射させる照明光学系、又は反射型マスクのパターンを結像させる縮小投影光学系にカーボン膜が堆積しないようにする。 - 特許庁

With such an arrangement, a mask can be made by patterning a large master mask at a stretch using a reduction projection aligner while fixing a pellicle during exposure.例文帳に追加

この構成によれば、露光中、ペリクル取り付けた状態で、大型マスターマスクを縮小投影光学系によって一度にパターン露光してマスクを作成できる。 - 特許庁

Each light emitted respectively from each pinhole is projected onto the focal position 135 of the objective lens 133 via a reduction projection lens 103 and a condenser lens 105.例文帳に追加

各ピンホールからそれぞれ射出された光は、縮小投影レンズ１０３およびコンデンサレンズ１０５を経由して対物レンズ１３３の焦点位置１３５に投影される。 - 特許庁

To provide an X-ray catoptric element which has high configuration precision, a method for manufacturing it and an X-ray reduction projection exposure system with it.例文帳に追加

形状精度の良好なＸ線反射光学素子及びその製造方法、該Ｘ線反射光学素子を有するＸ線縮小投影露光装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the capital investment of a photolithography step by simultaneously using a reduction projection aligner and a nano imprint device to reduce the cost price of a semiconductor device.例文帳に追加

縮小投影露光装置とナノインプリント装置の混合使用によりホトリソグラフィ工程の設備投資を抑制し、半導体装置の原価の低減を図ることが課題である。 - 特許庁

To provide a reduction projection exposure system and a method, where an alignment operation of high accuracy can be carried out to make a measurement difference between wafers smaller, and superposition accuracy can be kept high.例文帳に追加

アライメント精度が高くウェハ間の測定誤差を小さくすることができ、重ね合わせ精度が高い縮小投影露光装置及び縮小投影露光方法を提供する。 - 特許庁

The laser light 4 deformed into the long-sized profile is caused to impinge on a total reflecting mirror 5 which varies an angle of irradiation, and then transmitted through a reduction projection or enlargement projection lens 6.例文帳に追加

長尺形状にプロファイル変形したレーザー光４を照射角度を可変させるための全反射ミラー５に当て、縮小投影または拡大投影レンズ６を透過させる。 - 特許庁

To provide an apparatus for testing abnormal focus in reduction projection exposure without having to reduce the throughput, even if foreign matters attach to a semiconductor wafer.例文帳に追加

スループットを低下させることなく、かつ、異物が半導体ウェハに付着している場合であっても、縮小投影露光におけるフォーカス異常を検査することができる装置を提供する。 - 特許庁

The nano imprint device is also used to form a final protective film aperture and a bump electrode mask, thereby reducing the number of the reduction projection aligners so as to reduce the cost price of the semiconductor device.例文帳に追加

また最終保護膜開口やバンプ電極用マスク形成にもナノインプリント装置を使用し縮小投影露光装置の使用台数を減らし半導体装置の原価低減を図る。 - 特許庁

A reduction projection exposure system is equipped with a wafer stage 8 on which a wafer 11 with an alignment mark on its surface is placed and an alignment measuring device 10 which measures the position of the wafer 11.例文帳に追加

縮小投影露光装置には、表面にアライメントマーク２７が形成されたウェハ１１がウェハステージ８上に載置され、ウェハ８の位置を計測するアライメント計測装置１０が設けられている。 - 特許庁

Ultraviolet light L14 which has passed the holes of the pinhole plate 106 is split into a large number of thin beams, and projected as a large number of spots onto a substrate 109 by a reduction projection optics 108.例文帳に追加

ピンホール板１０６の穴を通過した紫外光Ｌ１４が多数の細い光線に分割され、縮小投影光学系１０８によって、基板１０９上に多数のスポットとして投影される。 - 特許庁

To transfer a circuit pattern having a size finer than a half of a wavelength of an exposure beam on a semiconductor wafer plane with excellent accuracy by means of a mask whereupon an integrated circuit pattern is formed and a reduction projection aligner.例文帳に追加

集積回路パターンを形成したマスクと縮小投影露光装置により、露光光の波長の半分より微細な寸法の回路パターンを精度よく半導体ウエハ面に転写する。 - 特許庁

The images on the exiting plane of the respective pinholes in the pinhole plate 106 are projected into a pattern as a collection of a large number of spots onto a mask substrate 109 by a reduction projection optical system 108 comprising lenses 107a, 107b.例文帳に追加

ピンホール板１０６の各ピンホールの出射面での光の像が、レンズ１０７ａ、１０７ｂとで構成される縮小投影光学系１０８によって、マスク基板１０９上に多数のスポットの集合体としてパターン投影される。 - 特許庁

A lower side surface of a convex lens 200 of a reduction projection optical system 3 becomes parallel to the wafer 4 and flat only at a central part (a width of about 10 mm) and its left and right become oblique surfaces when a cross section is taken in a predetermined direction.例文帳に追加

縮小投影光学系３の凸レンズ２００の下側の面は、所定の方向に断面した場合、中央の一部（約１０ｍｍの幅）のみがウエハ４に対して平行なフラット面で、その左右が斜面になっている。 - 特許庁

When a patterned part 10 is formed on a substrate having an insulation layer 21 coated with a resist layer 23, an EB reduction projection aligner performs exposure such that an exposed patterned part 10' has a width W' wider than a target width W of the patterned part 10.例文帳に追加

絶縁層２１上にレジスト層２３が塗布された基板にパターン部１０を形成する際、露光後のパターン部１０´の幅Ｗ´が、目標とするパターン部１０の幅Ｗより広くなるようにＥＢ縮小投影露光機で露光する。 - 特許庁

A mask drawing apparatus 100 having a digital mirror device (DMD) is used, in which UV light L13 reflected by the DMD 101 passes a reduction projection optical system 104 comprising lenses 103a, 103b to be projected onto a microlens array 105.例文帳に追加

本発明は、デジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）を有するマスク描画装置１００を使用し、ＤＭＤ１０１で反射した紫外光Ｌ１３は、レンズ１０３ａ、１０３ｂとで構成される縮小投影光学系１０４を通り、マイクロレンズアレイ１０５上に投影される。 - 特許庁

In an electron beam delineating system 1 at a low acceleration voltage, illumination conditions of electron beams EB on a second formation aperture 89 are adjusted so that diameters of crossovers 9a, 9b of the electron beams EB in a reduction projection optical system 120 is made larger than an aperture size.例文帳に追加

低加速電圧の電子ビーム描画システム１において、縮小投影光学系１２０内での電子ビームＥＢのクロスオーバ９ａ，９ｂの径がアパーチャサイズよりも大きくなるように、第２成形アパーチャ８９への電子ビームＥＢの照明条件を調整する。 - 特許庁

Pattern of a master mask 11 is reduction projected onto a mask substrate 13 using a reduction projection optical system 12, e.g. EUVL, and unmagnified exposure is performed by means of an electron beam or hard X-rays using an unmagnified mask 13' made of the mask substrate 13.例文帳に追加

ＥＵＶＬと同等の縮小投影光学系１２を用いて、マスターマスク１１のパターンをマスク基板１３上に縮小投影し、マスク基板１３から作成される等倍マスク１３’を用いて、電子ビームあるいは硬Ｘ線による等倍露光を行う。 - 特許庁

A space image mark 4, on which a plurality of space image marks 4a-4c are arranged on a reticle stage 2, is exposed and the image of the space image mark 4 is projected on a space image projection plate 6 located on a wafer stage 15 through a reduction projection lens 5.例文帳に追加

レチクルステージ２上に配置した複数の空間像マーク４ａ〜４ｃが配列された空間像マーク体４を露光し、ウエーハステージ１５上に配置した空間像投影板６に縮小投影レンズ５を介して空間像マーク体４の像を投影する。 - 特許庁

A reflection reduction projection optical system 100 is provided with a first catoptric system 10 forming the image of an object on a first surface 11 on a second surface 12 and a second catoptric system 20 forming the image on the second surface on a third surface 13, and the reduced image of the object on the first surface is formed on the third surface.例文帳に追加

反射縮小投影光学系１００は、第１面１１上の物体を第２面１２上に結像する第１反射光学系１０と、第２面上の像を第３面１３上に結像する第２反射光学系２０とを備え、第３面上に第１面上の物体の縮小像を形成する。 - 特許庁

An organic film 8 which is applied on a liquid crystal TFT substrate or CF substrate 9 and has a photoreactive group is irradiated with the reduced or enlarged laser light 7 having passed through the reduction projection or enlargement projection lens 6 to form the liquid crystal alignment film on the organic film 8 having the photoreactive group.例文帳に追加

縮小投影または拡大投影レンズ６を透過した縮小または拡大されたレーザー光７を液晶ＴＦＴ基板またはＣＦ基板９上に塗布された光反応性基を有する有機膜８に照射することにより、光反応性基を有する有機膜８上に液晶配向膜を形成することができる。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, exposure is performed to form a resist pattern differing from a pattern in a chip region in an exposure range that includes a non-effective reference chip region adjacent to an effective reference chip region and does not include any effective chip regions and effective reference chip regions in a reference exposure process using a reduction projection type aligner in a photolithography process.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、フォトリソグラフィの工程において、縮小投影型露光装置を用いた基準露光工程において、有効基準チップ領域に隣接する無効基準チップ領域を含み、かつ有効チップ領域および有効基準チップ領域を含まない露光範囲で、チップ領域のパターンとは異なるレジストパターンを形成するように露光を行う。 - 特許庁