例文 (151件) |
"connection layer"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 151件
To form a diffusion barrier for a mutual connection layer of a semicon ductor device, especially for a mutual connection layer of copper.例文帳に追加
半導体デバイスの相互接続層、特に銅の相互接続層のための拡散バリアを形成すること。 - 特許庁
The portion of the connection layer is at least 90 wt.% of the connection layer created from the solder layer.例文帳に追加
該接続層の一部は、上記はんだ層から生成された接続層の少なくとも90重量%である。 - 特許庁
The portion of the connection layer is at least 90% by weight of the connection layer created from the solder layer.例文帳に追加
該接続層の一部は、上記はんだ層から生成された接続層の少なくとも90重量%である。 - 特許庁
Drain - gate connection layers 41a and 41b are formed on a second-layer interlayer insulation layer 71, and each connects the drain - drain connection layer 31a and the gate-gate connection layer 21b, and the drain - drain connection layer 31b and the gate - gate connection layer 21a.例文帳に追加
ドレイン−ゲート接続層41a,41bは、第2層目の層間絶縁層71上に形成され、其々がドレイン−ドレイン接続層31aとゲート−ゲート接続層21b、ドレイン−ドレイン接続層31bとゲート−ゲート接続層21aを接続する。 - 特許庁
The connection layer 12 is a discontinuous layer of a granular structure.例文帳に追加
接続層12が粒状構造をもつ不連続層である。 - 特許庁
A connection layer 19 is formed simultaneously with a bit line 300.例文帳に追加
まず、接続層19を、ビット線300と同時に形成する。 - 特許庁
The couplers 51, 56, 57, and 58 in the lower connection layer 5 are attached to a base plate 2 by screws from above, and the couplers 41, 42, 43, and 44 in the upper connection layer 4 are attached to the couplers 51, 56, 57, and 58 in the lower connection layer 5 by screws from above.例文帳に追加
下接続層5の継手51,56,57,58が基板2に上方からのねじにより取り付けられ、上接続層4の継手41,42,43,44が下接続層5の継手51,56,57,58に上方からのねじにより取り付けられている。 - 特許庁
An upper connection layer 4 and a lower connection layer 5 are provided for achieving serial connection and parallel connection between fluid control devices.例文帳に追加
流体制御機器間の直列接続および並列接続を行う接続層が、上接続層4および下接続層5よりなる。 - 特許庁
An air gap 18 occurs in the fabrication process of a first vertical connection layer 15A of high aspect ratio, but since a second vertical connection layer 15B is formed on the first vertical connection layer 15A, occurrence of the air gap 18 does not have an effect on the surface of the second vertical connection layer 15B.例文帳に追加
アスペクト比の大きな第1縦接続層15Aでは、製造プロセス上、空隙18が発生するが、第1縦接続層15Aの上には第2縦接続層15Bが形成されているので、空隙18の影響は第2縦接続層15Bの表面までは及ばない。 - 特許庁
MUTUAL CONNECTION LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE LAYER例文帳に追加
相互接続層および同層を備えた半導体デバイスの製造方法 - 特許庁
Then, an electrode connection layer 11 covering the wiring layer 10 is formed.例文帳に追加
次に、配線層10を被覆する電極接続層11を形成する。 - 特許庁
A third repairing electric connection layer for a first source/drain electrode isolated from the first repairing electric connection layer by an insulation is provided, and a fourth repairing electric connection layer for a second source/drain electrode isolated from the second repairing electric connection layer is provided above the second laser repairing points is provided.例文帳に追加
第1レーザ修復点上方に絶縁層により第1修復用電気接続層から隔離される第1ソース/ドレイン電極の第3修復用電気接続層を、第2レーザ修復点上方に第2修復用電気接続層から隔離される第2ソース/ドレイン電極の第4修復用電気接続層を提供する。 - 特許庁
Further, a solder connection layer of silver is layered on the diffusion prevention layer 5 and the solder connection layer is connected with an electrode by solder to construct a superconductive current lead.例文帳に追加
さらに拡散防止層5の上に銀からなる半田接続層を積層し、半田接続層と電極を半田で接続して超電導電流リードを構成する。 - 特許庁
The maximum length of the conductive connection layer is so decided as to prevent occurrence of electromigration of a conductive material constituting the conductive connection layer by using a Blech constant.例文帳に追加
導体接続層の最大長さは、その導体接続層を構成している導体材料のエレクトロマイグレーションの発生を防止するようにBlech定数を使用して決定される。 - 特許庁
A connection layer 11, an insulating layer 12, and a cover-lay layer 13 are formed in the mounting area 6a.例文帳に追加
実装エリア6aに、接続層11、絶縁層12、カバーレイ層13を形成する。 - 特許庁
The base connection layer 4 and the anode layer 3 are formed by an identical process.例文帳に追加
そして、前記ベース接続層4と前記アノード層3とを同一工程で形成する。 - 特許庁
The node contact electrode NC is connected to a lower electrode 21 through a connection layer 23.例文帳に追加
ノードコンタクト電極NCは、接続層23を介して下部電極21に接続されている。 - 特許庁
The p-type contact layer 24 other than the connection layer 25 is grown using a hydrogen gas as a carrier gas, and the connection layer 25 is grown while changing only the carrier gas to a nitride gas as an inert gas.例文帳に追加
接続層25以外のp型コンタクト層24は、水素ガスをキャリアガスとして成長させ、接続層25は、キャリアガスのみを不活性ガスである窒素ガスに切り換えて成長させている。 - 特許庁
To prevent the stripping of a riser from a connection layer or cracking in a carbon layer when a commutator is composed using the carbon layer on which a brush slides, the connection layer formed on the surface of the carbon layer using iron, and the riser boded to the connection layer.例文帳に追加
コンミテータ5を、ブラシが摺接するカーボン層6と、該カーボン層6の表面に形成される鉄を用いた接続層7と、該接続層7に接合されライザ9とを用いて構成するにあたり、ライザ7が接続層から剥離したり、カーボン層6に割れが生じたりしないようにする - 特許庁
A metallic connection layer fixing super-abrasives is formed by a first metallic plated phase and a second metallic plated phase.例文帳に追加
超砥粒を固定する金属結合層は第一及び第二金属めっき相で形成する。 - 特許庁
An interlevel dielectric layer 21 is stacked on the gate electrode 17, a metallic mutual connection layer is stacked on the interlevel dielectric layer 21 and they are patterned.例文帳に追加
すなわち第1レベル間誘電体層を形成する前におこなうのがよい。 - 特許庁
On the contact semiconductor layer 6, an ohmic connection layer 11 of source or drain is formed.例文帳に追加
コンタクト半導体層6上に、ソースまたはドレインのオーミック接続層11が形成されている。 - 特許庁
The second layer 17B2 and the conductive connection layer 25 are formed of the same materials.例文帳に追加
第2の層17B2と導電性接続層25とは同一の材料により構成されている。 - 特許庁
A connection layer 34 connected to the lower power of the core 33 is formed on the lower clad layer 32, and the upper clad layer 35 has a contact hole formed to reach the connection layer 34.例文帳に追加
また、下部クラッド層32の上にはコア33の下部に接続した接続層34が形成されており、上部クラッド層35には接続層34に到達するコンタクトホールが形成されている。 - 特許庁
The device forms a connection layer 9 of the same contour as the common electrode 6 on the common electrode 6, and forms the partition wall 7 of a thickness narrower than the width of the common electrode 6 on the connection layer 9.例文帳に追加
共通電極6の上に共通電極6と同一輪郭の接続層9を形成して、接続層9の上に共通電極6の幅よりも狭い厚みの隔壁7を形成する。 - 特許庁
The scar treatment silicone dressing is used for attaching onto a wound of the skin and comprises a silicone layer, a surface layer, a connection layer, and a protection film.例文帳に追加
皮膚の傷口に貼って使用し、シリコン層と、表面層と、接合層と、保護膜と、からなる。 - 特許庁
The impurity concentration of the p-type connection layer 13B is smaller than that of the p-type embedded layer 13A.例文帳に追加
p−型接続層13Bの不純物濃度はp型埋め込み層13Aのそれより小さい。 - 特許庁
The connection layer 106 serves for reduction of the electric resistance between the air electrode 101 and the separator 105.例文帳に追加
接続層106により、空気極101とセパレータ105との間の電気抵抗の低減を図る。 - 特許庁
The injection of a shallow conductive reinforcement impurity and that of a deep one are made into the local connection layer.例文帳に追加
局所接続層内に導電性増強不純物の浅い注入と深い注入を行う。 - 特許庁
The socket-like structure parts 24 and 24A and a conductor layer C1 are stuck through an interlayer connection layer 54.例文帳に追加
ソケット様構造部24,24Aと導体層C1とは、層間接続層54を介して接着されている。 - 特許庁
Owing to the connection layer 106, reduction of electric resistance between the air electrode 101 and the separator 105 can be achieved.例文帳に追加
接続層106により、空気極101とセパレータ105との間の電気抵抗の低減を図る。 - 特許庁
The conductive reinforcement impurities are diffused from the local connection layer to the lower semiconductor substrate material.例文帳に追加
導電性増強不純物を局所接続層からその下の半導体基板材料内に拡散する。 - 特許庁
The connection layer has a portion of intermetallic copper-tin phases of at least 90% by weight.例文帳に追加
上記接続層は、少なくとも90重量%の金属間化合物銅錫相の一部を有する。 - 特許庁
Planarity on the front surface of the second vertical connection layer 15B and an insulating layer 12 is thereby assured.例文帳に追加
これにより第1縦接続層15Bおよび絶縁層12の表面の平坦性が確保される。 - 特許庁
A flip-flop is constituted of two gate-to-gate electrode layers situated in the first-layer conductive layer, a drain-to-drain connection layer situated in the second-layer conductive layer and a drain-to-gate connection layer situated in the third-layer conductive layer.例文帳に追加
フリップフロップは、第1層導電層に位置する二つのゲート-ゲート電極層、第2層導電層に位置するドレイン-ドレイン接続層、第3層導電層に位置するドレイン-ゲート接続層により構成される。 - 特許庁
The connection layer 13a further comprises a space 19a in which the insulation portion 18 and the conductive portion 20 are not formed.例文帳に追加
また、接続層13aは絶縁部18及び導電部20が非形成となる空間部19aを備える。 - 特許庁
The connection layer 13 is formed in the insulating layer 11 on the interface side for the p type well region 4.例文帳に追加
接続層13は、絶縁層11におけるp形ウェル領域4との界面側に形成されている。 - 特許庁
METHOD AND MATERIAL FOR CONNECTING ELECTRODE WITH INTER-CONNECTION LAYER IN SOLID OXIDE FUEL CELL STACK例文帳に追加
固体酸化物燃料電池スタック内において相互接続層に電極を結合するための方法及び材料 - 特許庁
In the target of an X-ray tube where a graphite base material and a Mo base material or a Mo alloy base material are jointed with each other via a connection layer, when a composition ratio of the connection layer by an EPMA is detected, the connection layer has a diffusion phase of MoTaTi, a TaTi alloy phase, a Ta-rich phase, and a ZrTa alloy phase.例文帳に追加
グラファイト基材と、Mo基材もしくはMo合金基材とを接合層を介して接合したX線管用ターゲットにおいて、前記接合層についてEPMAにより組成比を検出したとき、前記接合層はMoTaTiの拡散相、TaTi合金相、Taリッチ相、ZrTa合金相を具備することを特徴とする。 - 特許庁
The connection part has a first connection layer 51c1 and a second connection layer 51c2 where the insulating layers 103' and 104 are formed on both sides of a single conductor layer 101' respectively and which are separate from each other in a laminating direction.例文帳に追加
接続部は、それぞれ単一の導体層101′の両面に絶縁層103′,104が形成され、積層方向において互いに分離した第1の接続層51c1および第2の接続層51c2を有する。 - 特許庁
A connection layer for connecting the semiconductor element 1 and a base material 2c has a laminated structure of an air gap layer 13 and a bonding layer 7, and consequently, a gas can be dissipated efficiently d to the outside of the connection layer in a process of connection.例文帳に追加
半導体素子1を基材2に接続するための接続層が、空隙層13と、接合層7との積層構造となっていることにより、接続の過程でガスを効率よく接続層の外部に放散することができる。 - 特許庁
One part of the ceramic layer 12 and the top surface of the Ag connection layer 14 are covered with an Ag thin-film layer 15.例文帳に追加
セラミック層12の表面の一部と、Ag接続層14の上面は、Ag薄膜層15で覆われている。 - 特許庁
A first to a fourth connection layers 11a-11d of the connection layer 11 are formed along the four sides of an IC chip 9.例文帳に追加
接続層11の第1〜第4接続層11a〜11dを、ICチップ9の4側面に沿って形成する。 - 特許庁
A first insulating layer 5 and a first connection layer 6 are provided on the first surface 2a of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加
半導体基板2の第1の面2aには第1の絶縁層5と第1の配線層6とが設けられている。 - 特許庁
The surface layer is moisture permeable and water resistant to generate protection function, and one side thereof is equipped with the silicone layer through the connection layer.例文帳に追加
表面層は透湿防水性があり、保護作用を生成し、一面は、接合層によりシリコン層を設置する。 - 特許庁
The light emitting diode chip includes a plurality of light emitting diode units, a plurality of electrodes and at least one electric connection layer.例文帳に追加
発光ダイオードチップは、複数の発光ダイオードユニット、複数の電極及び少なくとも一つの電気接続層を含む。 - 特許庁
An arbitrary material suitable for the composition material of the storage layer 16 is selected as the second vertical connection layer 15B.例文帳に追加
第2縦接続層15Bとして、記憶層16の構成材料に適した任意の材料を選択することができる。 - 特許庁
In the short- circuit film 14, a diffusion preventing layer 14c may be laminated between the connection layer 14a and the upper layer 14b.例文帳に追加
また、短絡膜14は、接続層14aと上層14bとの間に拡散防止層14cを積層してもよい。 - 特許庁
In the multilayered resin molded product, a connection layer which is composed of the same material as a skin layer and welded to a base material, is provided on the gap between a foamed layer and the base material, and the skin layer, the foamed layer, and the connection layer are formed by sandwich molding.例文帳に追加
多層樹脂成形品を、発泡層と基材との間隙に表皮層と同一材料であり基材と溶着した連結層をもつものとし、表皮層,発泡層および連結層はサンドイッチ成形で形成されているものとする。 - 特許庁
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