「"deposition reaction"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To obtain high-purity TCS from a by-product produced in a deposition reaction of polycrystalline silicon.例文帳に追加

多結晶シリコンの析出反応に伴って生成した副生物から高純度のＴＣＳを得ることを可能とすること。 - 特許庁

To suppress dust generation due to pressure variation in a chamber in an etching room and to remove the dust generated by deposition (reaction product).例文帳に追加

エッチング処理室のチャンバー内の圧力変動による発塵を抑制し、デポ（反応生成物）により生ずるゴミをなくす。 - 特許庁

This device for producing polycrystalline silicon includes: a reaction tube in which a silicon deposition reaction occurs; a fluid gas-feeding part which feeds a fluid gas to silicon particles in the reaction tube; and a means which keeps the reaction temperature constant when the silicon deposition reaction occurs in the reaction tube.例文帳に追加

内部でシリコン析出反応が起きる反応管と、前記反応管内のシリコン粒子に流動ガスを供給する流動ガス供給部と、前記反応管の内部でシリコン析出反応時に反応温度を一定に維持させるための手段と、を含む。 - 特許庁

To obtain high-purity TCS, in particular, to obtain high-purity TCS from a by-product produced in a deposition reaction of polycrystalline silicon.例文帳に追加

高純度のＴＣＳを得ること、特に、多結晶シリコンの析出反応に伴って生成した副生物から高純度のＴＣＳを得ることを可能とすること。 - 特許庁

Consequently, deposition reaction of metal ions with soft acceptor property is accelerated to reduce temperature dependency of writing density of black.例文帳に追加

これにより、軟らかいアクセプター性を有する金属イオンの析出反応が促進され、黒の書き込み濃度の温度依存性を小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a film deposition method capable of reducing resistance of contact holes by depositing a titanium film thinner and excellent in coverage by causing a film deposition reaction in a reaction control region, even if the contact holes have large aspect ratios.例文帳に追加

反応律速領域で成膜反応を起こさせることによって，アスペクト比が大きなコンタクトホールであっても，より薄くてカバレッジの良好なチタン膜を成膜し，コンタクトホールの抵抗を低減する。 - 特許庁

During deposition, reaction gas flow rate is varied between 1/750 and 1/250 of spattering gas flow rate, and the pressure in deposition atmosphere is varied between 2.66×10^2 Pa and 1.33×10^2 Pa.例文帳に追加

また、成膜処理中に反応ガス流量をスパッタガス流量の１／７５０〜１／２５０の間で変化させ、成膜雰囲気の圧力を２．６６×１０^２Ｐａ〜１．３３×１０^２Ｐａの間で変化させる。 - 特許庁

A carbon deposition reaction column 36, a post combusting chamber 15, a gas cooler 16 and a bag filter 17 are arranged in a melting waste gas line 14 for introducing the melting waste gas 13 discharged from the reducing atmosphere melting furnace 11.例文帳に追加

還元雰囲気溶融炉１１から排出される溶融排ガス１３を導くための溶融排ガスライン１４に炭素析出反応塔３６、後燃焼室１５、ガス冷却器１６及びバグフィルタ１７を備える。 - 特許庁

A titanium nitride film 204 is formed, using a thermal chemical deposition reaction between ammonia (NH3) and titanium tetrachloride (TiCl4) at a temperature of less than about 600°C and NH3: TiCl4 flow ratio greater than about 5.例文帳に追加

アンモニア（ＮＨ_3）と４塩化チタン（ＴｉＣｌ_4）の間の熱的な化学気相堆積反応を使用して、摂氏約６００度未満の温度と、約５を超えるＮＨ_3対ＴｉＣｌ_4比において、窒化チタン膜２０４が形成される。 - 特許庁

As the etching reaction advances, the concentration of the fluorine radical decreases, and in due course, an atmosphere in the reaction vessel is replaced by the thin-film formation process gas, a deposition reaction is started, and a film grows on the thin-film formation surface of the substrate.例文帳に追加

エッチング反応の進行によりフッ素ラジカルの濃度は減少し、やがて、薄膜形成用プロセスガスに反応容器内の雰囲気が置換されて、堆積反応が開始し、基板の被形成面に膜が成長する。 - 特許庁

It is advantageous that remote plasma of oxygen (O2) as a reactive gas exposed to microwaves in a gas feed pipe (3) is used in the reactor (1) to generate free radicals of gas enough in amount to induce a deposition reaction.例文帳に追加

有利なこととして、蒸着反応を起こすのに十分なガスの自由基を発生させるために反応器（１）にガス供給管（３）内部でマイクロ波にさらされた反応ガスである酸素（Ｏ_2）の遠隔プラズマが用いられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing silicon capable of industrially advantageously treating tetrachlorosilane (STC) formed by a silicon deposition reaction in a method for manufacturing silicon by reacting trichlorosilane (TCS) with hydrogen.例文帳に追加

トリクロロシラン（ＴＣＳ）と水素との反応によるシリコンの製造方法において、シリコン析出反応によって生成するテトラクロロシラン（ＳＴＣ）の処理を工業的に極めて有利に行うことが可能なシリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inorganic particle synthesizing method capable of accurately controlling the size and shape of particles by limiting a reaction field, in which the deposition reaction upon the deposition of inorganic particles from raw material solution occurs, into an arbitrary size.例文帳に追加

原料溶液から無機粒子が析出する際の析出反応の生じる反応場を任意の大きさに制限することにより、粒子の粒径や形状を高精度で制御することが可能な無機粒子合成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor thin film pattern based on liquid phase deposition reaction by irradiating laser light to a solid-liquid boundary surface, differing from a known vapor phase deposition method, a semiconductor thin film pattern and a crystalline semiconductor thin film pattern.例文帳に追加

従来の気相成長法とは異なる、固液界面へのレーザー光照射による液相成長反応に基づく半導体薄膜パターンの製造方法、半導体薄膜パターンおよび結晶性半導体薄膜パターンを提供する。 - 特許庁

A CVD method is carried out by using Cu (hfac) tmvs as VCD material and setting a substrate temperature at a temperature in the vicinity of a boundary temperature, at which a governing mechanism of Cu layer deposition reaction on a substrate surface varies from a surface reaction governing type to a source material supply governing type, or a temperature higher therethan.例文帳に追加

Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓをＣＶＤ原料として使い、基板温度を基板表面におけるＣｕ層の堆積反応の律速機構が表面反応律速型から原料供給律速型に変化する境界温度近傍の温度、あるいはそれ以上の温度に設定してＣＶＤ法を実行する。 - 特許庁

By repeatedly performing the process for a plurality of times (S_9), CVD (Chemical Vapor Deposition) reaction occurs between the former gas adsorbed on the surface of the substrate and the other gas introduced later, thus a barrier film grows inside a contact hole in a conformal way, and the barrier film having a satisfactory step coverage can be obtained.例文帳に追加

この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ_9)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。 - 特許庁

To provide a silicon production method that even when a by-product hydrogen chloride gas is contained in a high concentration in the deposition reaction waste gas in depositing silicon from chlorosilane and hydrogen, performs the high efficiency removal and recovery of hydrogen chloride to enable equipment cost and space reduction.例文帳に追加

クロロシランと水素とからシリコンを析出させるに際して、副生する塩化水素ガスが、析出反応排ガス中に高濃度で含まれていても、塩化水素を効率よく除去・回収可能し、設備の省コスト、省スペース化を可能にするシリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus that can deposit a less-contaminated crystal film having high uniformities of film thickness and impurity concentration over the entire surface of a semiconductor substrate by quickly discharging a raw material gas after vapor deposition reaction from a chamber to the outside of the chamber, and to provide a vapor deposition method.例文帳に追加

チャンバ内において、気相成長反応後の原料ガスを速やかにチャンバ外へと排気し、半導体基板全面において膜厚及び不純物濃度の均一性が高く、汚染の少ない結晶膜を成長させられる高スループットの気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polycrystalline silicon manufacturing technique in which mounting of a silicon core wire into a core wire holder is easy, the time required to make the core wire holder hold the silicon core wire with satisfactory strength is shortened, falling is prevented, and it is made possible to shorten growth rate control time in the early stage of deposition reaction of polycrystalline silicon.例文帳に追加

シリコン芯線の芯線ホルダへの装着が容易であり、芯線ホルダにシリコン芯線を充分な強度で保持させるまでの時間を短くし、転倒を防止するとともに、多結晶シリコンの析出反応初期における成長速度抑制時間の短縮化を可能とする多結晶シリコン製造技術を提供すること。 - 特許庁

Regarding the method for forming a thin film, in a formation method of forming a tin oxide film on a substrate utilizing a chemical vapor deposition reaction, the substrate is heated during the formation, and simultaneously, the substrate is irradiated with ultraviolet rays having an ultraviolet irradiation intensity of 0.03 to 1 mW/cm^2.例文帳に追加

気相化学成長反応を利用して酸化錫膜を基体上に形成する形成方法において、形成中に基体を加熱すると同時に、紫外線の紫外線照射強度が０．０３ｍＷ／ｃｍ^２以上１ｍＷ／ｃｍ^２以下の紫外線を基体に照射することを特徴とする薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The CVD system is, e.g., composed of a reaction chamber 10 capable of atmospheric control, a raw material vaporization tank 7 arranged therein with a raw material for thermal deposition reaction stored therein, a susceptor 2 holding a substrate 6 as the object for treatment to the upper direction of the raw material vaporization tank 7 so as to be close thereto, and a heater 3 controlling the temperature of the substrate 6.例文帳に追加

本発明のＣＶＤ装置は、雰囲気調整が可能な反応室１０、その中に配置され熱分解反応の原料が収容される原料気化槽７、処理対象の基板６を原料気化槽７の上方にこれに近接させて保持するサセプタ２、基板６の温度を制御するヒータ３などから構成される。 - 特許庁