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「4t」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 4tに関連した英語例文

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4tを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 88



例文

An input circuit (3) makes a level shift transistor (4T) turn on.例文帳に追加

入力回路(3)がレベルシフトトランジスタ(4T)をオンさせる。 - 特許庁

Furthermore, the bipolar transistor circuit (7) is turned on and collector current compensates drain current of the level shift transistor (4T).例文帳に追加

更にバイポーラトランジスタ回路(7)がオンし、コレクタ電流がレベルシフトトランジスタ(4T)のドレイン電流を補う。 - 特許庁

Standard cells 4T-11, 4T-12,... are read out from a library and automatically arranged and wired to form a circuit.例文帳に追加

ライブラリからスタンダードセル4T−11,4T−12,…を読み出し、自動配置配線を行って回路を構成する。 - 特許庁

The recording signals are the CD signals, the second shortest signal recording pulse (4T pulse) length of the CD signals is turned to (4-X)*231.4 ns and recording is performed.例文帳に追加

記録信号がCD信号であり、CD信号の2 番目に短い信号記録パルス(4T パルス) 長を(4-X) *231.4ns として記録する。 - 特許庁

例文

At this time, the spacer or filler cells are used to fix the well potentials of the standard cells 4T-11, 4T-12,... in the cell columns.例文帳に追加

この際、スペーサセルまたはフィラーセルを用いて、セル列中のスタンダードセル4T−11,4T−12,…のウェル電位を固定する。 - 特許庁


例文

A capacitor 4t stores a result of the integration as a voltage V2b.例文帳に追加

その積分結果は、電圧値V2bとしてキャパシタ4tにストアされる。 - 特許庁

In this case, the distance L1 between end portions opposed each other by the folded portions 4t and 4t toward the inner diameter side is lessened rather than the diameter D of the ball 3.例文帳に追加

この場合、内径側曲折部4t4tとで対向する端部間の距離L1が、玉3の直径Dよりも小さくしてある。 - 特許庁

Then, base current flows a bipolar transistor circuit (7) and the drain potential of the level shift transistor (4T) is clamped near the potential of the floating power terminal (2F).例文帳に追加

そのときバイポーラトランジスタ回路(7)にベース電流が流れ、レベルシフトトランジスタ(4T)のドレイン電位がフローティング電源端子(2F)の電位付近にクランプされる。 - 特許庁

For example, the signal pattern is recorded only by marks 9T to 11T like 9T (a mark), 4T (a space), 10T (a mark), 4T (a space), 11T (a mark),....例文帳に追加

例えば、信号パターンを9T(マーク)、4T(スペース)、10T(マーク)、4T(スペース)、11T(マーク)、・・・のように9T〜11Tへのマークのみで記録する。 - 特許庁

例文

A pit which normally has a length 11T is divided into two pits P4 (4T) and P5 (4T) and a land L1 with a length 3T between them.例文帳に追加

通常、11Tの長さとされているピットを二つのピットP4(4T)、P5(4T)と、その間に位置する3Tの長さのランドL1へ分割する。 - 特許庁

例文

The side edge 10t is arranged inside of side edges 4t on the outer circumferential surface 4o.例文帳に追加

側縁10tは、外周面4oの側縁4tよりも内側に配される。 - 特許庁

Loop antennas 1T-4T are arranged with a spacing therebetween along a train traveling path 5.例文帳に追加

ループアンテナ1T〜4Tは、列車走行路5に沿って互いに間隔を隔てて配置される。 - 特許庁

An upper surface (4T) of the yoke (4) is slidably fitted along an inside of a peripheral surface (4S), and corners (4b, 4s and 4t) easy to bring about the leakage magnetic flux are finished in a rounded state.例文帳に追加

筒状ヨーク(4)の上面部(4T)を周面部(4S)の内側に沿って摺動可能に嵌め合わせると共に、漏洩磁束を生じやすい角部(4b、4s、4t)をアール仕上にした。 - 特許庁

A tape-running means 4 for allowing a tape material 4t to run from one side to the other side, a pallet 5 with the tape material 4t stuck onto the surface and a straight motion conveyance means 6 for conveying the pallet 5 to a prescribed position together with the tape material 4t are provided on the above side of the XY-axial table 3.例文帳に追加

XY軸テーブル3上方に、テープ材4tを一方側から他方側へ走行させるテープ走行手段4と、テープ材4tを表面に貼り付けてなるパレット5と、このパレット5をテープ材4tと共に、所定の位置に搬送するための直動搬送手段6とを設ける。 - 特許庁

Immediately after that, drain potential of the level shift transistor (4T) dives and becomes less value than that of potential of the floating power terminal (2F).例文帳に追加

その直後、そのドレイン電位が急降下し、フローティング電源端子(2F)の電位を下回る。 - 特許庁

The truck to be used should have a prime mover corresponding to a 4t truck class as ranging from 180 to 230 hp.例文帳に追加

又トラックの原動機の馬力は4t車クラスで180馬力から230馬力のトラックを使用します。 - 特許庁

The terminal housing 2 mounted to an end of a moving cable 4t is attached to one side of a support base 3.例文帳に追加

移動用ケーブル4tの端部へ装着した端末ハウジング2を支持台3の一方へ組み付ける。 - 特許庁

To provide an unloaded 4T SRAM cell and a method for operating the SRAM cell.例文帳に追加

無負荷4TSRAMセルおよびそのようなSRAMセルを動作させる方法を提供すること。 - 特許庁

Data lines with light shielding property 6a are buried in trenches 4t provided on a first interlayer insulation layer 4 flush.例文帳に追加

遮光性を有するデータ線(6a)は第1層間絶縁膜(4)に配設されたトレンチ(4t)に面一に埋込まれている。 - 特許庁

After supplying the boiler with water and pressurizing the interior of a steam drum 1, the valve V_8 is opened to vent air from the top 4t.例文帳に追加

ボイラに給水して蒸気ドラム1内を加圧状態とした後、バルブV_8を開き、トップ部4tからエアを抜く。 - 特許庁

An image signal of a second photography range 3t with a narrow angle θt of field through the same lens 2 is read out by a second AFE 4t.例文帳に追加

同じレンズ2による狭い画角θtによる第2撮像範囲3tの画像信号を第2AFE4tで読出す。 - 特許庁

Recessed and projecting parts 4T are provided in a range from one end to another end of the lower end part edge of the water drop forming plate 4.例文帳に追加

この水滴形成板4の下端部端縁に一方の端から他方の端にわたって凹凸部4T……を設ける。 - 特許庁

Moreover, at the terminal part for the storage battery, the anchor part 4T is set in protrusion (for instance, a U-shaped anchor part 4T is set in protrusion through a U-shaped coupling part 4G) at a site except at least the center part of the bottom 4F of the terminal 4.例文帳に追加

また、蓄電池用端子部において、端子4の底部4Fの少なくとも中央部を除いた箇所にアンカー部4Tが突設(例えば、U字状のアンカー部4TがU字状の連結部4Gを介して突設)されたことを特徴とする。 - 特許庁

The nonvolatile memory saves an error-correcting data for correcting conversion accuracy of said conversion circuit in a predetermined storage area (4T).例文帳に追加

前記不揮発性メモリは前記変換回路の変換精度を補正する誤差補正データを所定記憶領域(4T)に保有する。 - 特許庁

To achieve a small area of an SRAM cell in an E/R type 4T-SRAM consisting of a vertical transistor SGT.例文帳に追加

縦型トランジスタSGTで構成されたE/R型4T−SRAMにおいて、小さいSRAMセル面積を実現する。 - 特許庁

To provide a fiber having 4T-shaped cross section, capable of being into a woven fabric having specifically excellent in water absorption and quick drying.例文帳に追加

特に優れた吸水性と速乾性を有する織物を織成でき、4T型断面を有するファイバーを提供する。 - 特許庁

The ceiling surface 3T of the fitting part 3 and the upper surface 4T of the adjusting material 4 are embossed (profile work).例文帳に追加

また前記嵌合部3の天井面3Tと調節素材4の上部面4Tとには、凹凸加工(プロファイル加工)を施す。 - 特許庁

After draining water from the boiler, an air vent pipe 21 is inserted in a top 4t of the evaporation tube 4 by using a temporary manhole 20.例文帳に追加

ボイラから水を抜いた後、仮設マンホール20を利用してエア抜きパイプ21を蒸発管4のトップ部4tに差し込む。 - 特許庁

The end surface connection terminal pin 3E is adapted to abut on and is connected with the end surface electrode 6 of the circuit board end surface 4T at its tip end surface.例文帳に追加

端面接続用の端子ピン3Eは、その先端面が回路基板端面4Tの端面電極6に当接接続する。 - 特許庁

The liquid crystal 40 is driven by a lateral electric field, and the transmissive display section 4t and the reflective display section 4r are driven with positive and negative inversion.例文帳に追加

液晶40は横電界によって駆動され、透過表示部4tと反射表示部4rとはポジネガ反転駆動される。 - 特許庁

The track widths of the data tracks are stepwise set small as they approach to servo tracks (4T-1 to 5 or the like).例文帳に追加

データトラックのトラック幅を、磁気テープの幅方向で、サーボトラック(4T−1〜5等)に近いものほど段階的に小さくなるように設定する。 - 特許庁

One embodiment includes a 4-transistor type SRAM (called "4T-2C NV SRAM") 10 which includes at least one of ferroelectric capacitors 20 and 21.例文帳に追加

本発明の実施形態は、少なくとも1つの強誘電体コンデンサ20と21を含む4トランジスタ式SRAM10である。 - 特許庁

Since the integration ∫(|Q-I'|-|I-Q'|)dt in synchronous timing tG as output of the gate circuit 400 shows monotone decrease, when an frequency offsetf is ≥-1/4T and ≤1/4T (T is effective symbol length), it can be made a detecting means for frequency offset.例文帳に追加

ゲート回路400の出力である同期タイミングt_Gにおける積分∫(|Q−I'|−|I−Q'|)dtは、周波数オフセットΔfが−1/4T以上1/4T(Tは有効シンボル長)以下では単調減少であるので、周波数オフセットの検出手段とすることができる。 - 特許庁

On a bead heel 4h side of a bead bottom face 4s extending between a bead toe 4t and a bead heel 4h of each bead part 4, a sealing rib 13 extending continuously in a tire circumferential direction by projecting inward in the tire radial direction relative to a virtual line connecting the bead toe 4t to the bead heel 4h is formed.例文帳に追加

ビード部4のビードトウ4tとビードヒール4hとの間をのびるビード底面4sのビードヒール4h側には、ビードトウ4tとビードヒール4hとを結ぶ仮想直線よりもタイヤ半径方向内方に突出してタイヤ周方向に連続してのびるシーリングリブ13が形成される。 - 特許庁

The ventilating duct 5 is constituted into partitions of inside spacing strips 4T inserted between thin plates by arrangement facing both side surfaces of a stator coil 7, and the thin sheets 2 arranged and separated by the inside spacing strips 4T and is divided into an upstream-side duct 5a and a downstream-side duct 5b.例文帳に追加

通風ダクト5は、固定子コイル7の両側面に対向する配置で薄板間に挿入された内側間隔片4Tと、内側間隔片4Tによって離間配置される薄板2とによって画成され、上流側ダクト5aと、下流側ダクト5bとに区分される。 - 特許庁

The package element 1 disposes a terminal pin protrusion forming surface 2P of the package case 2 of the package element while making the forming surface face the end surface 4T of a circuit board 4.例文帳に追加

パッケージ素子1は、そのパッケージケース2の端子ピン突出形成面2Pを、回路基板4の端面4Tに向き合わせて配置する。 - 特許庁

A display electrode 4 (a transparent electrode 4t and a bus electrode 4b) is formed in the direction crossing to the tube axis direction of the gas discharge tube 1.例文帳に追加

ガス放電管1の管軸方向と交差する方向に表示電極4(透明電極4t及びバス電極4b)が形成してある。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 101, an insulating film 14b, a semiconductor element EL, and a trench type built-in gate resistance 4t.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板101と、絶縁膜14bと、半導体素子ELと、トレンチ型内蔵ゲート抵抗4tとを有している。 - 特許庁

A mask device is provided with a filter 3 for covering a nose and a mouth and a mask main body 2 mounting this filter 3 on an inner surface and connecting end parts 4T around a neck.例文帳に追加

鼻と口を覆うフィルター3と、このフィルター3が内面に取付けられ端部4T4Tを首の回りで連結するマスク本体2とを備える。 - 特許庁

Components of the gate insulating films 3 and 5 of memory cell transistors 4T and 6T differ, and different information is imparted by making transistor characteristics differ.例文帳に追加

メモリセルトランジスタ4Tと6Tのゲート絶縁膜3、5の構成成分が異なりトランジスタ特性を異ならせることで、異なる情報を持たせる。 - 特許庁

The 2nd signer creates a 2nd message and creates 2nd signature information from the 1st message, the 2nd message, and the 1st signature information, and transmits 4t to the 1st signer.例文帳に追加

第2メッセージを生成し、第1メッセージと第2メッセージと第1署名情報から第2署名情報を作成し、第1署名者に送信する。 - 特許庁

The mask device is provided with a filter 3 for covering the nose and the mouth and a mask body 2 to the inside of which the filter 3 is fitted and whose ends 4T are coupled to each other around the neck.例文帳に追加

鼻と口を覆うフィルター3と、このフィルター3が内面に取付けられ端部4T4Tを首の回りで連結するマスク本体2とを備える。 - 特許庁

The protector member 4 has an optical path hole 4B opened like a circle, and the lens holding cylinder is slid on a taper surface 4T in an inner peripheral part of the optical path hole 4B.例文帳に追加

プロテクタ部材4が円形状に開口した光路孔4Bを有し、その光路孔4Bの内周部のテーパー面4Tで摺動が行われる。 - 特許庁

When the saturation magnetic flux density Bs of the lower magnetic pole tip layer 16 is about 2. 2T, it is desirable that the saturation magnetic flux density Bs of the projecting part 26 is around 2. 4T.例文帳に追加

下部磁極先端層16の飽和磁束密度Bsが約2.2Tの場合、突起部26の飽和磁束密度Bsは2.4T程度にするのが望ましい。 - 特許庁

On a first surface 4s, a plurality of first grooves 41 are linearly formed and on a second surface 4t, a plurality of second grooves 42 are linearly formed.例文帳に追加

第1の面4sには、複数の第1溝41が線状に形成されており、第2の面4tには、複数の第2溝42が線状に形成されている。 - 特許庁

These base stations A1 and A2 in this base station system P are provided with the master station mode of 1C3T and the slave station mode of 4T, and are switchable between the respective modes.例文帳に追加

基地局システムPにおける基地局A1、A2は、1C3Tのマスター局モードと4Tのスレーブ局モードとを有し、各モード間で切換え可能とする。 - 特許庁

The dust-repellent cover 12 covering the spline coupling sections (4T, 5G) are arranged between the rotation side facing the fixed plate 7 side and the brake disc 5.例文帳に追加

本発明は、固定プレート7側に対向する回転側と制動ディスク5との間にスプライン結合部(4T,5G)を覆う防塵カバー12を設けたのである。 - 特許庁

Accordingly, light L1 from light source bulbs 4T, 4S is reflected with an number color and a red color at a reflection surface when the light source bulbs 4T, 4S are lit, and reflection light L2T, L2S that are colored with umber color and red color are irradiated with a prescribed light distribution pattern to the outside through a lens 2.例文帳に追加

この結果、光源バルブ4T、4Sを点灯すると、光源バルブ4T、4Sからの光L1が反射面11T、11Sでアンバー色、赤色に着色されて反射され、アンバー色、赤色に着色された反射光L2T、L2Sがレンズ2を経て外部に所定の配光パターンで照射される。 - 特許庁

In the case of 3T space/4T mark, the 1st correction amount 4Tdtp is determined by test writing, and the 2nd correction amount T1d_3s4m is calculated by Tld_3s4m=(3Tdtp-4Tdtp) x 4/7.例文帳に追加

3Tスペース/4Tマークの場合、第1補正量4Tdtpは試し書きにより決定され、第2補正量Tld_3s4mは、Tld_3s4m=(3Tdtp−4Tdtp)×4/7により算出される。 - 特許庁

例文

The memory element accordingly has a SRAM 4 transistor (4T) 2 load (2R) architecture wherein the resistance associated with two magnetic tunnel junctions provides the two load resistances.例文帳に追加

従って、本メモリ要素は、SRAM4トランジスタ(4T)2負荷(2R)アーキテクチャを有しており、該2個の磁気トンネル接合と関連する抵抗が2個の負荷抵抗を与える。 - 特許庁




  
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