「Na P」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

With Nb=0 satisfied, if the variable Na is an odd number (S410), the pixel p is found inside a polygon (S411), and if the variable Na is an even number, the pixel p is found outside the polygon (S412).例文帳に追加

Ｎｂ＝０の場合で，変数Ｎａが奇数である場合（Ｓ４１０）、ｐは多角形内にあり（Ｓ４１１）、変数Ｎａが偶数である場合、ｐは多角形外にあると判断する（Ｓ４１２）。 - 特許庁

In a mask layout having aperture patterns continuously and discretely disposed, a device pattern having a chevron pattern selectively having a large aperture part can be formed with high controlling property by specifying the pattern pitch P to satisfy 0.69λ/NA≤P≤0.85λ/NA, wherein λ is the exposure light wavelength and NA is the numerical aperture of a projection lens.例文帳に追加

開口パターンを連続的に離散配置したマスクレイアウトにおいて、パターンピッチＰを０．６９λ／ＮＡ≦Ｐ≦０．８５λ／ＮＡ（ここで、λは露光光波長、ＮＡは投影レンズの開口数）とすることで、選択的に大開口部を有するシェブロンパターンを有するデバイスパターンを制御性よく形成することができる。 - 特許庁

Further, a switch SW composed of a P channel transistor connected between the anode (node NA) and cathode (node NC) of the boost capacitor is provided as a potential control means which holds the anode (node NA) at the potential of the cathode (node NA) when the boosting circuit is in operation.例文帳に追加

更に、この昇圧回路の動作時に前記ブースト容量のアノード（ノードＮＡ）の電位をカソード（ノードＮＣ）の電位と一致させる電位制御手段として、アノード（ノードＮＡ）とカソード（ノードＮＣ）との間に接続されたＰチャネルトランジスタからなるスイッチＳＷが設けられている。 - 特許庁

The p-type thermoelectric material includes the Mg_2Si to which Na and Ag are added, and the substitution of Na atom is conducted at Mg site of the Mg_2Si and the substitution of Ag atom is conducted at Si site of Mg_2Si.例文帳に追加

ｐ型熱電材料は、Ｎａ及びＡｇが添加されたＭｇ_２Ｓｉから成り、Ｎａ原子の置換がＭｇ_２ＳｉのＭｇサイトで行われており、Ａｇ原子の置換がＭｇ_２ＳｉのＳｉサイトで行われている。 - 特許庁

Then gas (air) is supplied from a positive-pressure pump P+ according as the mask holding part MH is moved, and discharged through a nozzle hole NA of a nozzle N.例文帳に追加

そこで、マスク保持部ＭＨの移動に応じて正圧ポンプＰ＋から気体（空気）を供給し、ノズルＮのノズル孔ＮＡを介して吐出させる。 - 特許庁

The reticle is provided with marks having repetitive patterns of a period P satisfying 2λ/(NAβ)<P<16λ/(NAβ) when the numerical aperture of the projection optical system is defined as NA, a projection magnification as β and an exposure wavelength as λ.例文帳に追加

投影光学系の開口数をＮＡ、投影倍率をβ、露光波長をλとした時、周期Ｐが２λ／（ＮＡβ）＜Ｐ＜１６λ／（ＮＡβ）を満たす繰り返しパターンを有するマークをレチクルに設ける。 - 特許庁

The surface of steel wire used for a solid wire for gas shielded arc welding is coated with surface treating oil (oil) which contains metal salt consisting of sodium (Na), potassium (K), calcium (Ca), and zinc (Zn), non-metal phosphorus (P) and a hydrocarbon compound having two or more of active groups selected from ester group, carboxylic acid group, and alkane group.例文帳に追加

ガスシールドアーク溶接用ソリッドワイヤとして使用される鋼ワイヤの表面に，ナトリウム(Na)，カリウム(K)，カルシウム(Ca)及び亜鉛(Zn)からなる金属塩と非金属リン(P)，そして，エステル基，カルボン酸基，アルカン基の中から選ばれた２種以上の作用基を有する炭化水素化合物を含有する表面処理油(oil)を付着させる。 - 特許庁

Next, the block unit interleaver performs interleave B being processing for input of data with respect to (NC-ND)×NB×NA bits being a parity part of an inner code indicated as P in the product code in the order of the column direction as one direction by NB bit, and for reading the data in an order of a row direction as another direction.例文帳に追加

次に、ブロック単位インタリーバは、積符号のうち、Ｐに示される内符号のパリティ部分である（NC-ND）×NB×NAビットに対して、データを、NBビット毎に、一方の方向としての列方向の順に入力し、他方の方向としての行方向の順に読み出す処理であるインタリーブＢを行う。 - 特許庁

To effectively recover valuable metals by removing impurities such as P, S, Zn and Na incorporated in raw material composed of oxide and hydroxide containing the valuable metals such as Ni and Co.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｏといった有価金属を含む酸化物、水酸化物から構成される原料に含まれるＰ、Ｓ、Ｚｎ、Ｎａ等の不純物を除去し、効果的に有価金属を回収する。 - 特許庁

To provide a transition metal phosphate containing Na, P and a transition metal element which can be suitably used as a positive electrode active material for a high capacity and inexpensive sodium secondary battery.例文帳に追加

高容量かつ安価なナトリウム二次電池の正極活物質として好適に使用できるＮａ、Ｐおよび遷移金属元素を含有する遷移金属リン酸塩を提供する。 - 特許庁

The element M is at least one kind of element selected from the group consisting of B, Na, Mg, Al, Si, S, P, K, Ca, Mo, W, Cr, Mn, Co, Ni, and Fe.例文帳に追加

０＜ M/Ti ≦０．５ (I) １≦ Nb/Ti ≦５ (II) 前記元素Ｍは、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅから成る群から選択される少なくとも１つである。 - 特許庁

The transition metal phosphate containing Na, P and the transition metal element and having a BET specific surface area of 1 m^2/g or more and 50 m^2/g or less is provided.例文帳に追加

Ｎａ、Ｐおよび遷移金属元素を含有する遷移金属リン酸塩であって、該遷移金属リン酸塩のＢＥＴ比表面積が１ｍ^2／ｇ以上５０ｍ^2／ｇ以下である遷移金属リン酸塩。 - 特許庁

The first and second insertion layers include: at least one of Ge containing P, Ge containing B, Pd, Co, and Rh; or one of Li, Na, and Ca; or one of their compounds.例文帳に追加

第１及び第２挿入層は、Ｐを含むＧｅ、Ｂを含むＧｅ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＲｈの少なくともいずれかを含む、または、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃａのいずれか、または、それらのいずれかの化合物を含む。 - 特許庁

It is preferred to add one or more types of Li, B, Na, Al, Si, P, S, K, Ti, V, Zn, Rb, Bi, Pb, Au, Pt, Pd, Re, Mo and Ta as auxiliary additives.例文帳に追加

Ｌｉ、Ｂ、Ｎａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｎ、Ｒｂ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｔａの１種または、２種以上とを補助添加物として添加することが好ましい。 - 特許庁

The NMOS transistors N1 and N3 whose one electrode is connected to the Na are formed, separated to P well areas PW0 and PW1, and the NMOS transistors N2 and N4 whose one electrode is connected to the Nb are formed, separated to P well areas PW1 and PW0.例文帳に追加

記憶端子Ｎａに一方電極が接続されるＮＭＯＳトランジスタＮ１及びＮ３はＰウエル領域ＰＷ０及びＰＷ１に分けて形成されるともに、記憶端子Ｎｂに一方電極が接続されるＮＭＯＳトランジスタＮ２及びＮ４はＰウエル領域ＰＷ１及びＰＷ０に分けて形成される。 - 特許庁

When voltages of input signals IN1, IN2 are elevated a little in such a state, voltages of the nodes NA, NB are also elevated in accordance with the voltage elevation, the p-type MOS transistor Qp1 is turned off, and the n-type MOS transistor Qn1 is turned on.例文帳に追加

この状態で入力信号ＩＮ１，Ｉ２の電圧が僅かに上昇すると、これに応じてノードＮＡ，ＮＢの電圧も上昇し、ｐ型ＭＯＳトランジスタＱｐ１がオフ、ｎ型ＭＯＳトランジスタＱｎ１がオンする。 - 特許庁

The material CuFe_1-xNi_xO_2 is stable under the temperature up to 1,060°C within the inert gas and may be expected as a high-temperature p-type thermoelectric material in place of Na_xCoO_2 which has a concern for vaporization of Na under the temperature exceeding 850°C thereof.例文帳に追加

ＣｕＦｅ_１−ｘＮｉ_ｘＯ_２は不活性ガス中で１０６０℃まで安定であり、８５０℃を超える温度でのＮaの蒸発が懸念されるＮａ_ｘＣｏＯ_２に代わる高温型ｐ型熱電材料として期待される。 - 特許庁

Preferably, the composition ratio of Ca/P in hydroxyapatite is 1.66-1.67, the total content of impurities Na and K is ≤0.5 wt.%, and the apparent density of the sintered compact is ≤1.9.例文帳に追加

この場合、ハイドロキシアパタイトのＣａ／Ｐの組成比を１．６６〜１．６７の範囲にし、不純物であるＮａとＫの合計含有率を０．５ｗｔ％以下とすることが好ましく、焼結体の見掛密度を１．９以下とすることが好ましい。 - 特許庁

When the P-wave is selected, the parallel luminous flux passes through a hologram element 12 and passes through a cover layer of the optical disk 6 by an objective lens 5 through an aperture diaphragm, and it is set so that the NA when converging light on a recording surface is 0.85.例文帳に追加

Ｐ波を選択した場合、平行光束はホログラム素子１２を通過させ、開口絞りを介して対物レンズ５によって光ディスク６のカバー層を通過させて記録面に集光させる際のＮＡが０．８５になるよう設定する。 - 特許庁

Thereafter, a path P on the structure 100, which passes the detected similar node Ne, is searched from a start node Na of the structure 100 to generate a scenario for verifying the occurrence of a fault in the similar node Ne.例文帳に追加

そして、本手法では、構造体１００の開始ノードＮａから、検出された類似ノードＮｅを経由する構造体１００上の経路Ｐを探索することにより、類似ノードＮｅでの障害発生を検証するためのシナリオを作成する。 - 特許庁

In the level shift circuit, nodes NA and NB are set to voltages ('VDD-Vthp', 'VSS+Vthn') at ON and OFF switching points of a p-type MOS transistor Qp1 and an n-type MOS transistor Qn1 and then turned into floating state.例文帳に追加

ノードＮＡおよびＮＢは、ｐ型ＭＯＳトランジスタＱｐ１およびｎ型ＭＯＳトランジスタＱｎ１のオンとオフとの切り換わり点の電圧（‘ＶＤＤ−Ｖｔｈｐ’，‘ＶＳＳ＋Ｖｔｈｎ’）にそれぞれ設定された後、フローティング状態にされる。 - 特許庁

When composting, a nutrient containing three major elements (N, P and K) of fertilizer and an activating agent containing micronutrients such as Fe, Ca, Mg, K, Na, S, Mn, Cu, I, Ce, Zn, other minerals (inorganic salts), amino acids, seaweed extracts, vitamins and the like are added properly.例文帳に追加

堆肥化に際して、肥料三要素（Ｎ、Ｐ、Ｋ）を含有する栄養剤や、Ｆｅ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｎａ、Ｓ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｉ、Ｃｅ、Ｃｅ、Ｚｎ、その他ミネラル(無機塩)、アミノ酸、海藻エキス、ビタミン等の微量要素を含有する活性化剤を適宜添加する。 - 特許庁

The soft magnetic sintered alloy includes 0.01 to 1 mass% higher P, by average concentration, in the surface layer which has a region of 1 μm to 2 mm deep from the surface than a P concentration in the inner part; and includes 0.01 to 1 mass% K and/or Na, by average concentration, in the surface layer.例文帳に追加

表面から１μｍ〜２ｍｍの範囲内の厚さを有する軟磁性焼結合金表層部の平均Ｐ濃度が軟磁性焼結合金内部に含まれるＰ濃度より０．０１〜１質量％高く、かつ軟磁性焼結合金表層部にはＫおよび／またはＮａが平均濃度で０．０１〜１質量％含有していることを特徴とする。 - 特許庁

When the ratio of an area H occupied by a high current region H1 where the current level at each measuring point is 50 nA or higher to the area W of the whole measurement region is 40% or higher, the positive electrode plate P is determined acceptable.例文帳に追加

測定領域全体の面積Ｗに対して，各測定点における電流値が５０ｎＡ以上である高電流領域Ｈ１の面積Ｈが占める割合が，４０％以上である場合に，その正極板Ｐを良品であると判断する。 - 特許庁

Depending on the regulation of the potential VDDH or VDDL and potential selection by the switch 1c-nc, reverse bias or forward bias is applied to the P-ch transistor 1a-na, thus attaining a large delay time or controlling the delay time finely.例文帳に追加

電位ＶＤＤＨまたは電位ＶＤＤＬの電位調整、およびスイッチ１ｃ〜ｎｃによる電位選択に応じて、Ｐ−ｃｈトランジスタ１ａ〜ｎａに逆バイアスまたは順バイアスをかけ、大きな遅延時間を得ることができると共に、遅延時間をきめ細かく制御することができる。 - 特許庁

A processing method of molten slag generated when desulfurizing hot metal by a lime type desulfurizing agent including no Na content and P content, and discharges the molten slag into the slag pot after previously laying bare metal selected from the slag generated in an iron mill on a floor in the slag pot.例文帳に追加

溶銑をＮａ分やＰ分を含まない石灰系脱硫剤で脱硫した際に発生する溶融スラグの処理方法において、製鉄所内で発生するスラグから選別された地金を、予め溶さい鍋内に床敷きした後、溶融スラグを溶さい鍋に排さいする。 - 特許庁

The silicon carbide material for the monolithic refractory excellent in driability and corrosion resistance is the one wherein the surfaces of the silicon carbide material are coated with an oxide film mainly consisting of at least one oxide of Si, Ti, Al, Mg, Ca, Pb, Zr, B, P, Na, K, or Li.例文帳に追加

炭化けい素原料の粒子の表面がＳｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｂ、Ｐ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉの酸化物の１種又は２種以上を主成分とする酸化物で被覆されていることを特徴とする乾燥性と耐食性に優れた不定形耐火物用炭化けい素原料。 - 特許庁

In the formula (III), Ar denotes substituted or non-substituted allyl group, or substituted or non-substituted heterocyclic group, T denotes single bonding or bivalent connection group, (p) denotes an integer of 1 to 10, J denotes -COOM or -SO_3M and M denotes H, Li, Na or K.例文帳に追加

式（III）中、Ａｒは置換もしくは無置換のアリール基又は置換もしくは無置換の複素環基を表し、Ｔは単結合又は２価の連結基を表わし、ｐは１〜１０の整数を表し、Ｊは−ＣＯＯＭ又は−ＳＯ_3Ｍを表し、ＭはＨ、Ｌｉ、Ｎａ又はＫを表す。 - 特許庁

The control circuit 12 adopts a configuration of an operational amplifier circuit, a voltage Vref at nodes NA, NB is given to a negative (-) input terminal, and the feedback configuration controls a voltage at a connecting point (point C) between the P-channel transistor TP2 and the N-channel transistor TN2 to be equal to the voltage Vref.例文帳に追加

制御回路１２は、演算増幅回路の構成であり、−入力端子にノードＮＡ，ＮＢの電圧であるＶｒｅｆが入力され、フィードバック構成によりＰチャネルトランジスタＴＰ２とＮチャネルトランジスタＴＮ２の接続点（Ｃ点）の電圧がＶｒｅｆと等しくなるように制御される。 - 特許庁

To provide a semiconductor ceramic composition having low ambient temperature resistivity of ≤50 Ω cm and having excellent jump characteristics, in the semiconductor ceramic composition in which a part of Ba of BaTiO_3 is substituted by Bi-Na and which has a P-type semiconductor in the grain boundary.例文帳に追加

ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換され、結晶粒界にＰ型半導体を有する半導体磁器組成物に関して、室温抵抗率が5０Ω・ｃｍ以下と低く、且つジャンプ特性に優れた半導体磁器組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for producing a fluoropolymer includes polymerizing a fluoromonomer in an aqueous medium in the presence of a compound (I) represented by the general formula (1): Rf^1O(Rf^2O)P(O)OM, wherein Rf^1 and Rf^2 are different from each other and each a 3-4C fluoroalkyl group, and M represents H, Na or NH_4.例文帳に追加

水性媒体中で、一般式（１）Ｒｆ^１Ｏ（Ｒｆ^２Ｏ）Ｐ（Ｏ）ＯＭ （１）（Ｒｆ^１及びＲｆ^２は、互いに異なって、それぞれ炭素数が３〜４のフルオロアルキル基であり、Ｍは、Ｈ、Ｎａ又はＮＨ_４を表す。）で表される化合物（Ｉ）の存在下でフルオロモノマーを重合することを特徴とするフルオロポリマーの製造方法。 - 特許庁

The concentrated color developing composition for a silver halide photographic sensitive material containing a p-phenylenediamine color developing agent is a single-part concentrated color developing composition containing a water-soluble organic solvent and having an Na ion to K ion molar ratio of ≥3 and a sulfate ion to carbonate ion molar ratio of ≥0.25.例文帳に追加

パラフェニレンジアミン系発色現像剤を含有するハロゲン化銀写真感光材料用発色現像濃縮組成物において、シングルパート構成であり、水溶性有機溶媒を含有し、Ｎａイオン／Ｋイオンのモル比が３以上であり、硫酸イオン／炭酸イオンのモル比が０．２５以上であることを特徴とするシングルパート発色現像濃縮組成物である。 - 特許庁

This method for purifying crude bis-β-hydroxyethyl terephthalate comprises distilling or evaporating under reduced pressures the crude bis-β- hydroxyethyl terephthalate ≤50 ppm in the total content of (i) cations including Na, Mg, Ca, Fe, Co, Zn, Ti Sn, Sb, Ge and P and (ii) anions including halogens, NO2, NO3, PO4 and SO4.例文帳に追加

（ｉ）Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、ＧｅおよびＰよりなるカチオンおよび（ｉｉ）ハロゲン、ＮＯ_2、ＮＯ_3、ＰＯ__4およびＳＯ_4よりなるアニオンの合計含有量が５０ｐｐｍ以下である粗ビス−β−ヒドロキシエチルテレフタレートを減圧下蒸発または蒸留することを特徴とする、ビス−β−ヒドロキシエチルテレフタレート精製方法。 - 特許庁

In the partially or fully semi-insulated or p-doped ZnO substrate, when the substrate is, in particular, in the form of a thin layer or film, or a nanowire and is simultaneously doped with an element selected from Na, Li, K and Rb, together with N and O, ZnO or GaN can epitaxially grow on the substrate.例文帳に追加

部分的に又は完全に半絶縁性又はｐ型ドーピングされたＺｎＯ基板であって、基板が、特に薄層、薄膜の形態またはナノワイヤーの形態であり、基板が、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ及びＲｂから選択される元素、Ｎ及びＯが同時にドーピングされ、それは、さらにＺｎＯまたはＧａＮにおいてこの基板上におけるエピタキシャル成長を可能にし得る。 - 特許庁

(1), wherein M includes at least one selected from the group consisting of Mg, Sr, Ba, Zn, Na, Al, Ga, Ge, P, As and Fe, and N includes at least one selected from the group consisting of Eu^2+, Mn^2+, Tb^3+, Yb^2+ and Tm^3+.例文帳に追加

（化１） Ｃａ_２−ｘ−ｙ−ｚＭｘＳｉＯ_４：ｙＣｅ^３＋，ｚＮ（０≦ｘ＜０.５、０＜ｙ≦０.１、０≦ｚ＜０.１５）…（１）化学式（１）で、Ｍは、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｎａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｓ及びＦｅからなるグループから選択された少なくとも１つを含み、ＮはＥｕ^２＋、Ｍｎ^２＋、Ｔｂ^３＋、Ｙｂ^２＋及びＴｍ^３＋からなるグループから選択された少なくとも１つを含む。 - 特許庁

This drinking water for pet is obtained by adding a proper amount of a natural mineral active wave motion water containing P, Se, Mo, Sb, Zn, Ni, Co, Sn, B, Mn, Fe, Cr, Mg, Si, V, Be, Cu, Ti, Zr, Al, Sr, Ca, Ba, Na, K, Li and Rb extracted from a soil precursor, to natural water.例文帳に追加

天然水に土壌前駆物質より抽出したリン（Ｐ），セレン（Ｓｅ），モリブデン（Ｍｏ），アンチモン（Ｓｂ），亜鉛（Ｚｎ），ニッケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ），スズ（Ｓｎ），ホウソ（Ｂ），マンガン（Ｍｎ），鉄（Ｆｅ），クロム（Ｃｒ），マグネシウム（Ｍｇ），ケイ素（Ｓｉ），バナジウム（Ｖ），ベリウム（Ｂｅ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），アルミニウム（Ａｌ），ストロンチウム（Ｓｒ），カルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ），ナトリウム（Ｎａ），カリウム（Ｋ），リチウム（Ｌｉ），リビシウム（Ｒｂ）を含む自然ミネラル活性波動水を適量混合したことを特徴とする。 - 特許庁