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Pr1/Pr2を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
The floating gate 3 is sandwiched in between the first and second projecting sections PR1, PR2, and at least has a part positioned at the side of the semiconductor substrate 1, as compared with both projecting sections PR1, PR2.例文帳に追加
フローティングゲート3は、第1突出部PR1と第2突出部PR2に挟まれており、それらより半導体基板1側に位置する部分を少なくとも有する。 - 特許庁
Consequently, the pulse widths of the precharge signals PR1, PR2 can be set to optimum values by performing the read operation in a manner of changing the pulse widths of the precharge signals PR1, PR2.例文帳に追加
したがって、プリチャージ信号PR1,PR2のパルス幅を変えて読出動作を行なうことにより、プリチャージ信号PR1,PR2のパルス幅を最適値に設定できる。 - 特許庁
These are "a1,a2,...,aN" (for alpha releases,where functionality and API may change), "b1,b2,...,bN" (for beta releases, which only fix bugs) and "pr1,pr2,...,prN" (for finalpre-release release testing).例文帳に追加
これは "a1,a2,...,aN" (アルファリリースの場合で、機能や API が変更されているとき)、 "b1,b2,...,bN" (ベータリリースの場合で、バグフィクスのみのとき) 、そして "pr1,pr2,...,prN" (プレリリースの最終段階で、リリーステストのとき) になります。 - Python
The hologram is irradiated with light as reproducing illumination beams Pr1, Pr2 from the light sources 21, 22.例文帳に追加
光源21,22からの光がホログラムに対して再生照明光Pr1,Pr2として照射される。 - 特許庁
In this flash memory 1, a precharge circuit 30 includes transistors 19, 20 to be controlled respectively by precharge signals PR1, PR2, and pulse widths of the precharge signals PR1, PR2 are separately adjustable.例文帳に追加
このフラッシュメモリ1では、プリチャージ回路30はそれぞれプリチャージ信号PR1,PR2によって制御されるトランジスタ19,20を含み、プリチャージ信号PR1,PR2のパルス幅は別々に調整可能になっている。 - 特許庁
The beams Pr1, Pr2 are made incident on the hologram at an incident angle θref symmetric with respect to the normal line in the plane of incidence.例文帳に追加
Pr1,Pr2は、入射面内で、法線に対して対称の入射角θrefでホログラムに対して入射される。 - 特許庁
Print-out is securely performed by the printers Pr1, Pr2, etc., corresponding to the utilization form or the combined device MFU.例文帳に追加
したがって、確実にかつ利用形態に応じたプリンタPr1、Pr2、・・・または複合装置MFUでプリント出力することができる。 - 特許庁
In this invention, a trench T is formed by using photoresist patterns PR1 and PR2 having a via hole V while forming wiring in a dual damascene process, thereby allowing metal wiring 82 to be easily formed without forming another photoresist pattern for forming the trench T.例文帳に追加
本発明ではデュアルダマシンで配線を形成しながらビアホールVを形成した感光膜パターンPR1,PR2を利用してトレンチTを形成することによって、トレンチTを形成するための感光膜パターンを別途に形成せずに金属配線82を容易に形成することができる。 - 特許庁
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