例文 (999件) |
Protection filmの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2576件
To provide a manufacturing method for a metal magnetic thin film type magnetic recording medium which can be formed with sufficient adhesiveness by applying a lubricating layer on a protection layer comprising a hard film, which consists primarily of carbon, and is excellent in drive durability.例文帳に追加
炭素を主成分とする硬質膜からなる保護層上に潤滑層を塗布により密着性良く形成することができ、走行耐久性に優れる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体を製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a compact and thin self-reset type protection element, by the use of a film formed of resin or the like for a substrate or a cover carrying a burden of synthesization of an element body and a film for bonding these.例文帳に追加
本発明は、素子本体の合成を担う基板やカバー、これらを接着するフィルムなどに樹脂などから形成されるフィルムを用いることで、小型で薄型の自己復帰型保護素子を提供することを目的とする。 - 特許庁
The magnetic convergence plate 12 is arranged on the Hall elements 14a and 14b on a second metallic film 16b through a first metallic film 16a arranged on the protection layer 15.例文帳に追加
磁気収束板12は、保護層15上に設けられた第1の金属膜16aを介して、さらにその上に設けられた第2の金属膜16b上で、かつホール素子14a,14bの上方に配置されるように設けられている。 - 特許庁
To obtain a surface protection film good in adhesion properties to an adherend in an initial stage without causing a lifting by a shrinkage after the lapse of time or a difference of a coated steel panel to the film and scarcely causing adhesive aggravation.例文帳に追加
被着体に対する貼付初期段階での密着性が良好で、かつ経時後収縮による浮きや、塗装鋼板の塗膜に対する段差を発生せず、接着昂進が起こりにくい表面保護フィルムを提供する。 - 特許庁
The thin film device 1 comprises a substrate 2, an insulating layer 3 laminated in order on this substrate 2, a plurality of lower conductor layers, a dielectric film 5, an insulating layer 6, a plurality of upper conductor layers and protection films 8, and 4 terminal electrodes.例文帳に追加
薄膜デバイス1は、基板2と、この基板2の上に順に積層された絶縁層3、複数の下部導体層、誘電体膜5、絶縁層6、複数の上部導体層および保護膜8と、4つの端子電極を備えている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a flip chip mounting structure, wherein a protection of a bonding part between a protruding electrode formed in a semiconductor chip and an electrode pad formed in a wiring substrate coexists with a protection of a member such as a Low-k film and the like constituting the semiconductor chip.例文帳に追加
フリップチップ実装構造を有する半導体装置において、半導体チップに設けられた突起電極と配線基板に設けられた電極パッドとの間の接合部の保護と半導体チップを構成するLow-k膜などの部材の保護を両立させる。 - 特許庁
The film bulk acoustic resonator includes a substrate, a protection layer vapor-deposited on the substrate, a membrane vapor-deposited on the protection layer and at a predetermined distance from an upper side of the substrate, and a laminated resonance part vapor-deposited on the membrane.例文帳に追加
本発明に係る薄膜バルク音響共振器は、基板と、基板上に蒸着された保護層と、基板上部の表面と一定の距離隔てるように保護層に蒸着されたメンブレイン層と、前記メンブレイン層の上部に配する積層共振部とを含む。 - 特許庁
To provide a corrosion protection-covered steel material having durability over a long period by efficiently forming a dense film having sacrificial corrosion protection properties to the steel material, having excellent corrosion resistance and hardly having defects on a steel material, and to provide its production method.例文帳に追加
鋼材に対して犠牲防食性を有し、耐食性に優れた欠陥のほとんどない緻密な被膜を効率的に鋼材表面に形成させることで、長期に渡る耐久性を有する防食被覆鋼材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the radiation image transducer panel comprising a phosphor layer comprising at least the stimulable phosphor on a substrate and a protection layer laminated on the phosphor layer, the protection layer is made of a hydrocarbon synthetic rubber film.例文帳に追加
支持体上に少なくとも輝尽性蛍光体からなる蛍光体層と、該蛍光体層上に積層された保護層とを備えてなる放射線画像変換パネルにおいて、該保護層が炭化水素系合成ゴムの膜であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁
A protection sheet 6 to be laminated on the reverse surface of the solar cell module 1 is formed using a ceramic film having performances of resistance to climatic conditions and resistance to hydrolysis, a gas barrier property, and thermal resistance needed for the reverse-surface protection sheet 6 for the solar cell module.例文帳に追加
太陽電池モジュール1の裏面に積層される保護シート6であって、太陽電池モジュール用裏面保護シート6として必要な耐候性、耐加水分解性、ガスバリア性、耐熱性の性能を兼ね備えたセラミックスフィルムを材料として作られている。 - 特許庁
To provide a photocurable adhesive providing a polarizing plate which has a sufficiently low viscosity to allow coating at room temperature in sticking a protection film to a polarizer, hardly causes cracking on the polarizer when being subjected to severe temperature history by showing a sufficient storage elastic modulus after curing, and has improved adhesive force between the polarizer and the protection film.例文帳に追加
偏光子に保護膜を貼合するにあたり、室温での塗工が可能な十分に低い粘度を有し、硬化後は十分な貯蔵弾性率を発現して、激しい温度履歴を受けたときでも偏光子に割れを生じにくく、しかも偏光子/保護膜間の接着力も向上した偏光板を与える光硬化性接着剤を提供する。 - 特許庁
This separator for the fuel cell is manufactured by stacking the resin layer to which conductive fillers are mixed on at least one side of the metal substrate, and covering the outermost layer with a protection film, and forming many projections and recesses for forming gas passages by press working and then removing the protection film.例文帳に追加
金属基板の少なくとも片面に導電性フィラーを混合した樹脂層を積層し、さらに最外層に保護フィルムを被覆してなる燃料電池用セパレータ及び、プレス加工によってガス流路を形成するための多数の突起部、溝部等を形成した後、その保護フィルムを剥離することを特徴とする燃料電池用セパレータの製造方法。 - 特許庁
If an electrostatic protection line 41 for data line, an electrostatic protection thin film transistor 42 for data line, and first and second thin film transistors 43 and 44 for connection, are provided in a driver mounted region 14 for data line driving, the need for an arrangement region exclusive for arrangement for them is eliminated, so that the frame area is made small accordingly.例文帳に追加
また、データライン駆動用ドライバ搭載領域14内に、データライン用静電気保護ライン41、データライン用静電気保護用薄膜トランジスタ42および第1、第2の接続用薄膜トランジスタ43、44を設けると、これらを配置するためのそれ専用の配置領域が不要となり、それに応じて額縁面積を小さくすることができる。 - 特許庁
Since a through-hole 33 into which a COF substrate 210 is inserted is blocked by a lid 34 before a protection film 16 is formed by a CVC method, the lid 31 prevents a raw material gas used for the CVC method by the lid 34 from entering the through-hole 33, so the protection film 16 is not formed on the lead electrode 90 drawn by the through-hole 33.例文帳に追加
CVD法により保護膜16を形成する前に、COF基板210が挿入される貫通孔33が蓋部34で塞がれているので、蓋部34によって貫通孔33内にCVD法で用いる原料ガスが侵入できず、貫通孔33に引き出されたリード電極90に保護膜16が形成されない。 - 特許庁
A thermal head comprising a heat generating resistor 3 on an insulated substrate 1, with the heat generating resistor 3 covered with a protection film 5 containing a carbon and a silicon, wherein the carbon content ratio in the protection film 5 is set to be 65-90 atm %, and 95.0% or more of the bonds between the carbons is a covalent bond of an sp2 hybrid orbit, is provided.例文帳に追加
絶縁基板1上に発熱抵抗体3を設けるとともに該発熱抵抗体3を炭素及び珪素を含む保護膜5で被覆してなるサーマルヘッドであって、前記保護膜5中の炭素含有比率を65〜90atm%に設定し、かつこれら炭素同士の結合の95.0%以上をsp^2混成軌道に係る共有結合とする。 - 特許庁
To solve the problem of a semiconductor device constituted to include a plurality of wiring layers covering the highest wiring layer with a protection film that when a cavity is formed among wires to reduce wiring capacitance, junction interface is formed within the protection film at the upper part of the cavity, and the wiring is corroded with water invaded through the junction interface.例文帳に追加
複数の配線層を有し、最上の配線層を保護膜で覆って構成される半導体装置において、配線容量低減のために配線間に空洞を形成した場合、空洞上方の保護膜中に接合界面が形成され、その接合界面を通して浸入した水分によりはいせんが腐食する問題を解決する。 - 特許庁
A circuit module reduces a peeling failure of a filling resin by making a thermal expansion coefficient of a filling resin in the vicinity of a wiring board similar to a thermal expansion coefficient of the wiring board and making a thermal expansion coefficient of filling resin in the vicinity of a bare chip IC protection film similar to a thermal expansion coefficient of the bare chip IC protection film.例文帳に追加
本発明に係る回路モジュールは、配線基板近傍の充填樹脂の熱膨張係数を配線基板の熱膨張係数に近い状態とし、ベアチップIC保護膜近傍の充填樹脂の熱膨張係数をベアチップIC保護膜の熱膨張係数に近い状態とすることで、充填樹脂の剥離不良を削減する。 - 特許庁
In a plant carrying out process of the panel, a protection film engraving a cutting space line for indicating a position mounting attachments such as a mirror, a faucet metal fitting or the like is stuck on the surface of the decorative steel wall panel, the built-up work is carried out while removing the protection film along the cutting space line.例文帳に追加
上記課題を解決するため、本願発明は、パネルを加工する工場において、化粧鋼板壁パネルの表面に、鏡・水栓金具等付属部品を取り付ける位置を示す切断用切り込み線を刻設した保護フィルムを貼付し、切断用切り込み線に沿って保護フィルムを取り除きなが組み立て作業を行うものである。 - 特許庁
The thin film transistor includes: a gate electrode formed on a substrate; an active layer insulated from the gate electrode by a gate insulating film and composed of a compound semiconductor containing oxygen; a protection layer formed on the active layer; and a source electrode and a drain electrode which are brought into contact with the active layer: wherein the protection layer is composed of an oxide containing inorganics having bonding strength with oxygen.例文帳に追加
基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜によりゲート電極から絶縁され、酸素を含む化合物半導体からなる活性層と、活性層上に形成された保護層と、活性層と接触するソース電極及びドレイン電極とを備え、保護層が、酸素との結合力を有する無機物を含む酸化物からなる。 - 特許庁
To provide a protection film of a semiconductor wafer which has a favorable adhesive property and tackiness to a semiconductor wafer, is excellent in chemical resistance, heat resistance and low moisture permeability, and easily strippable from the wafer surface without leaving a residue after use, and a method for protecting the semiconductor wafer surface and a method for processing the semiconductor wafer using the protection film.例文帳に追加
半導体ウエハへの良好な密着性、粘着性を有し、耐薬品性、耐熱性、低透湿性に優れ、かつ、使用後は半導体ウエハ表面に残存せずに容易に剥離できる半導体ウエハの保護膜、ならびに該保護膜を利用する半導体ウエハ表面の保護方法および半導体ウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁
Since the main component of a protection film 14 formed on a PDP 100 contains SrO and MgO and the concentration of MgO in the protection film is made 30 mol% or more and 70 mol% or less, a PDP 100 having a low discharge voltage and a high sputtering resistance and capable of shortening an aging time can be obtained.例文帳に追加
PDP100に形成される保護膜14が主成分にSrO及びMgOを含有し、前記保護膜中の前記MgOの濃度が30mol%以上70mol%以下であることとしたので、放電電圧を低電圧とし、高い耐スパッタ性を有し、かつ、エージング時間も短縮することが可能なPDP100を得ることができる。 - 特許庁
The image forming member includes an optional supporting substrate, a charge generating layer, and at least one charge transport layer comprised of at least one charge transport component, and a protection film layer which is contiguously in contact with the charge transport layer, wherein the protection film layer contains an acrylic polyol, a polyalkylene glycol, a crosslinking agent, a hydroxy functionalized siloxane and a charge transport component.例文帳に追加
随意の支持基材と、電荷生成層と、少なくとも1つの電荷輸送成分を含む少なくとも1つの電荷輸送層と、前記電荷輸送層に連続的に接触する保護膜層とを含み、前記保護膜は、アクリル酸ポリオール、ポリアルキレングリコール、架橋剤、ヒドロキシ官能基化シロキサン及び電荷輸送成分を含有する、画像形成部材。 - 特許庁
On one of two surfaces of an observation surface protection plate 12 disposed on the observation side of a display element for displaying an image, a sensor film 13 is provided for detecting damage of the protection plate, which comprises a transparent conductive film stuck to the one plate surface and is formed in a continuous line and has terminals 14a and 14b at both ends.例文帳に追加
画像を表示する表示素子の観察側に配置された観察面保護板12の2つの板面のうちのいずれか一方の板面上に、前記板面上に被着された透明導電膜からなり、連続した線状に形成され、且つ一端と他端にそれぞれ端子14a,14bが設けられた保護板損傷検知用センサ膜13を設けた。 - 特許庁
A work processing device 10 for processing works 60: 20, 36 includes a means for peeling off a surface protection film 50 which peels off a surface protection film 110 attached on a surface 21 of a work employing a peeling tape 4, a bar-cord attaching means 11 for attaching a bar cord 65 corresponding to a work onto the work, and a movable supporting table 72 for supporting the work.例文帳に追加
ワーク(60;20、36)を処理するワーク処理装置(10)が、ワークの表面(21)に貼付けられた表面保護フィルム(110)を剥離テープ(4)を用いて剥離する表面保護フィルム剥離手段(50)と、ワークに対応するバーコード(65)をワークに貼付けるバーコード貼付手段(11)と、ワークを支持する移動可能な支持テーブル(72)とを含む。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a substrate 100 on which a circuit is formed, a multilayer wiring layers formed on the substrate 100 with a protection insulation film 300 formed on a surface, and an electrode pad 200 disposed on a top layer of the multilayer wiring layers and connected to the circuit with a surface lying substantially in the same plane with the protection insulation film 300.例文帳に追加
この半導体装置は、回路が形成された基板100と、この基板100上に形成され、表面に保護絶縁膜300が形成された多層配線層と、この多層配線層の最上層の配線層に位置し、上記回路に接続し、かつ、表面が保護絶縁膜と略同一面となっている電極パッド200と、を備える。 - 特許庁
If an electrostatic protection line 31 for scan line 31, first and second electrostatic protection thin film transistors 32 and 33 for scan line, and a thin film transistor 34 for connection are provided in a driver mounted region 11 for scan line driving, the need for an arrangement region exclusive for arrangement for them is eliminated, so that the frame area is made small accordingly.例文帳に追加
走査ライン駆動用ドライバ搭載領域11内に、走査ライン用静電気保護ライン31、第1、第2の走査ライン用静電気保護用薄膜トランジスタ32、33および接続用薄膜トランジスタ34を設けると、これらを配置するためのそれ専用の配置領域が不要となり、それに応じて額縁面積を小さくすることができる。 - 特許庁
The method of manufacturing a polarizing plate including the polarizer and at least one polarizing plate protection film adjacent to the polarizer includes: a step of producing a laminate by laminating a polymer for forming the polarizer and a polymer for forming the polarizing plate protection film; and a step of stretching the laminate.例文帳に追加
偏光子と該偏光子に隣接する少なくとも1枚の偏光板保護フィルムを有する偏光板の製造方法おいて、偏光子を形成するためのポリマーと偏光板保護フィルムを形成するためのポリマーを積層して積層体を作製する工程、該積層体を延伸する工程を有することを特徴とする偏光板の製造方法。 - 特許庁
The method for manufacturing a semiconductor epitaxial wafer is such that a protection film for dopant vaporization prevention is formed on at least of a back surface of the semiconductor wafer; a first polysilicon film is formed so as to cover the protection film for dopant vaporization prevention then the semiconductor wafer is placed in a reactor; and gas for epitaxial growth is introduced to the reactor to form the epitaxial film on the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体エピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、半導体ウエーハの裏面側にドーパント揮散防止用保護膜を形成し、その後該ドーパント揮散防止用保護膜全体を覆うように第1ポリシリコン膜を形成した後、前記半導体ウエーハを反応炉内に配置し、該反応炉内にエピタキシャル成長用ガスを導入することによって前記半導体ウエーハの表面側にエピタキシャル膜を形成することを特徴とする半導体エピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁
A boundary 16 between a circuit protection region 14 of a second electronic component 12 and a terminal region 15 is located on a single layer region 23 of an anisotropic conductive film 20, and thermo-compression bonding is applied to the anisotropic conductive film 20 after temporarily installing the anisotropic conductive film 20 so as to make the terminal region 15 of the second electronic component 12 located on a two-layered region 24 of the anisotropic conductive film 20.例文帳に追加
異方性導電フィルム20の単層領域23上に第2の電子部品12の回路保護領域14と端子領域15との境界16が位置し、異方性導電フィルム20の2層領域24上に第2の電子部品12の端子領域15が位置するように異方性導電フィルム20を仮設置して熱圧着する。 - 特許庁
To provide a protective film for an optical pickup photodetector by which an adhesive is not left on a substrate and a photodetector of an optical pickup device, when the protection film is peeled after a solder reflow process is performed, in a state such that the surfaces of the substrate and the photodetector are protected by the protective film comprising a heat resistant film with an adhesive layer.例文帳に追加
本発明は、光ピックアップ装置の基板や受光素子の表面を粘着剤層付き耐熱性フィルムからなる保護フィルムで保護した状態で半田リフロー処理を行った後、前記保護フィルムを剥離すると基板や受光素子に糊残りを生じることがない光ピックアップ受光素子用保護フィルムを提供することを目的とする。 - 特許庁
A polymer resin film containing alicyclic structure in which a die line in a surface formed in the longitudinal direction of one surface of the polarizer is extremely fine is used, a hard coat layer and an anti-reflection layer are laminated, the resin film is laminated as protection film of the polarizer and the polymer resin film containing alicyclic structure having retardation is laminated on the other surface of the polarizer.例文帳に追加
偏向子の片面に長手方向に形成される面内のダイラインが極めて微細である脂環式構造含有重合体樹脂フィルムを用い、ハードコート層、反射防止層を積層し、樹脂フィルムを偏向子の保護膜として積層させ偏向子の他の一面にレラーデーションを有する脂環式構造含有重合体樹脂フィルムを積層する。 - 特許庁
This resistance variation type infrared sensor has a membrane structure 2 provided on a silicon semiconductor substrate 1 and a gap 3 formed below the membrane structure 2, which is formed by stacking and forming a base film 4, a resistance film 5, a protection film 6, and an infrared-ray absorption film 7 in order; and the infrared-ray absorption film is formed of alloy consisting principally of nickel and zinc.例文帳に追加
シリコン半導体基板1上に設けられたメンブレン構造2と該メンブレン構造2の下に形成された空隙3を備え、前記メンブレン構造2は支持膜4,抵抗膜5,保護膜6,赤外線吸収膜7が順次積層・形成された抵抗変化型赤外線センサにおいて、前記赤外線吸収膜がニッケルと亜鉛を主成分とする合金からなる抵抗変化型赤外線センサ。 - 特許庁
The surface of the contact face of the protection film 6 with sealing resin 7 is roughened by providing electric insulating particles in the protection layer 6, forming irregularities on the contact face and roughening the contact face by hitting the ceramic particles on the contact face.例文帳に追加
保護層6の封止用樹脂7との接触面は、保護層6中に電気絶縁性の粒子を介在させて当該接触面に凹凸を形成したり、当該接触面にセラミック粒子をぶつけることにより当該接触面を粗化したりすることにより、表面粗化処理がなされている。 - 特許庁
The foamed wallpaper has at least a foamed resin layer, a film layer and a surface-protection layer laminated on a substrate in order, wherein the resin layer comprises a foamed resin layer and a non-foamed resin layer, and the surface-protection layer is formed by crosslinking and hardening an ionizing radiation-curable resin composition.例文帳に追加
基材上に少なくとも樹脂層、フィルム層、及び表面保護層が順に積層される壁紙であって、該樹脂層が発泡樹脂層及び非発泡樹脂層からなり、該表面保護層が電離放射線硬化性樹脂組成物を架橋硬化してなる発泡壁紙である。 - 特許庁
To provide a non-halogen and inflammable admixture of protection ink which has sufficient inflammability and used for an insulating protection layer of a printed circuit board or the like such as membrane switch, in which a bonding force is high for a substrate film and the sliding property and insulation property are never lowered.例文帳に追加
メンブレンスイッチなどのプリント配線板等の絶縁保護層に用いられる保護インク混和物において、基材フィルムに対して接着力が高く、耐摺動性や絶縁性の低下がなく、ノンハロゲンで、十分な難燃性を有する難燃性の保護インク混和物を得ることにある。 - 特許庁
The method for manufacturing the thin film magnetic head forms a first magnetic layer 29 as a part of the upper shield layer on a protection layer 28, and the upper surface of the protection layer 28 under the first magnetic layer 29 is not affected by ion milling when the ion milling is applied on each of tunnel magnetoresistive elements 34 and 35.例文帳に追加
保護層28の上に、上部シールド層の一部となる第1磁性層29を形成し、各トンネル型磁気抵抗効果素子34,35へのイオンミリング時に、前記第1磁性層29を設けたことで、その下の保護層28の上面が前記イオンミリングの影響を受けるのを抑制できる。 - 特許庁
In the method of manufacturing a top contact type field effect transistor 10 of this embodiment, after a protection layer 22 is formed on an active layer 18 formed in a semiconductor layer formation step, a photoresist film is formed on the protection layer 22 and it is exposed to a pattern shape in an exposure step.例文帳に追加
本実施の形態のトップコンタクト型の電界効果型トランジスタ10の製造方法によれば、半導体層形成工程で形成した活性層18上に、防護層22を形成した後に、該防護層22上にフォトレジスト膜を形成して露光工程においてパターン状に露光する。 - 特許庁
When a reverse-side polished surface is etched or polished to remove a cutting flaw, neither an etchant nor abrasive slurry penetrates the protection tape to the interface between the device wafer and protection tape since a dicer cut grid groove of the device circuit is filled with the water- soluble resin film.例文帳に追加
裏面研削された研削面をエッチイング処理または研磨処理して研削傷を取除く際、水溶性樹脂膜によりデバイス回路のダイサ−切り込み格子溝が埋められているのでエッチング液や研磨剤スラリ−がデバイスウエハと保護テ−プ間の界面に浸透してくることがない。 - 特許庁
In addition, antistatic contact hole 5 is formed, an electrification protection groove 6 is formed on the interlayer insulation film on the electrification protection contact hole 5, and a cell plate electrode 7 is formed so as to cover the whole face of the memory cell part area and the antistatic capacitor part.例文帳に追加
また、帯電保護用コンタクト孔5が形成され、帯電保護用コンタクト孔5上であって層間絶縁膜に帯電保護用溝6が形成され、セルプレート電極7が上記メモリセル部領域の全面および帯電保護キャパシタ部を被覆するように形成されている。 - 特許庁
In a radiation image conversion panel having a phosphoric layer consisting of stimulable phosphor and a protection layer, the protection film contains particles of 0.1 μm to 1 μm on the average and Mohs' hardness of 9 and contains particles of 50 to 200 wt.% to the resin.例文帳に追加
輝尽性蛍光体からなる蛍光体層と保護膜とを有する放射線像変換パネルにおいて、保護膜を樹脂とモース硬度9以上で平均粒径が0.1μmから1μmの粒子とを含み、粒子を樹脂に対して50重量%から200重量%含むものとする。 - 特許庁
The joint material for the transportation is provided with a silicone adhesive 10 of fixed shape adhered to a tooled joint 3 of a floor 2 of a railway vehicle 1, i.e., the transportation; and a protection layer of band shape superposed/covered on a peripheral wall of the silicone adhesive 10, and the protection layer is made to a thin mold-release film having flexibility.例文帳に追加
輸送機関である鉄道車両1の床2の化粧目地3に接着される定形のシリコーン接着剤10と、このシリコーン接着剤10の周壁に積層被覆される帯形の保護層とを備え、この保護層を可撓性を有する薄い離型フィルムとする。 - 特許庁
To provide a surface protection sheet/sealing material laminate for a solar cell, having high moisture-proof properties by combination of a surface protection sheet containing a film layer with moisture-proof properties and a sealing material excellent in moisture proof performance and sealing aptitude, uniform sealability during vacuum lamination, and high quality.例文帳に追加
防湿性を有するフィルム層を含む表面保護シートと、防湿性能と封止適性に優れた封止材との組み合わせにより高い防湿性と真空ラミネート時の均一な封止性を有する高品質な太陽電池用表面保護シート・封止材積層体を提供する。 - 特許庁
The adhesive polarization plate includes the transparent protection film (E) provided on only one surface of the polarizer (P) through an adhesive layer (G) and includes the adhesive layer (B) provided on the other surface of the polarizer (P) through a protection layer (H) having a modulus of elasticity in tension of ≥100 MPa.例文帳に追加
偏光子(P)の片面にのみ透明保護フィルム(E)が接着剤層(G)を介して設けられており、前記偏光子(P)の他の片面には、引張弾性率100MPa以上の保護層(H)を介して粘着剤層(B)が設けられていることを特徴とする粘着型偏光板。 - 特許庁
In the following developing step, an alkaline developing solution is used to develop the photoresist film 30 processed in the exposure step to from a resist pattern 30B', and an area 22A exposing over the resist pattern 30B' in the protection layer 22 is removed, so that the protection layer 22 is etched.例文帳に追加
そして、次の現像工程において、アルカリ性現像液を用いて、上記露光工程を経たフォトレジスト膜30を現像してレジストパターン30B’を形成すると共に、防護層22における該レジストパターン30B’から露出している領域22Aを除去して防護層22のエッチングを行なう。 - 特許庁
To supply a laminated film which is useful for the surface protection of a print, has a first layer to be a surface protection layer on a heat-resistant substrate and a second layer to be an adhesive layer formed on the first layer, and is good in blocking resistance when wound up.例文帳に追加
印画物の表面保護に有用である、耐熱性基材上に表面保護層となる第1層と該第1層上に設けられた接着層となる第2層とを有すラミネートフィルムにおいて、巻物としたときの耐ブロッキング性が良好なラミネートフィルムを供給すること。 - 特許庁
To prevent a display image from deteriorating in quality owing to the presence of a protection film while prolong the life of an electrooptic device such as a liquid crystal device by protecting an electronic element such as a transistor formed on a substrate by the protective film.例文帳に追加
液晶装置等の電気光学装置において、基板上に作り込まれたトランジスタ等の電子素子を保護膜で保護することにより装置寿命を延ばしつつ当該保護膜の存在による表示画像の品位低下を防止する。 - 特許庁
Of the spots 511 to 516, those to be actually repaired are radiated with laser to cut a surface protection film, an electrode layer forming signal transfer line 508, an N+ type a-Si layer, an a-Si layer, and an a-SiNx film to become an insulation layer.例文帳に追加
511〜516の箇所の中で、実際にリペアする箇所についてレーザー照射し、表面の保護膜、信号転送線508を形成する電極層、N+型a−Si層、a−Si層や絶縁層となるa−SiNx膜を切断する。 - 特許庁
A thermoplastic resin film having a ratio (B)/(A)≥0.6 when assuming that tensile strength based on JIS K 7127 before and after a constant load tensile test defined as follows is (A) and (B), respectively, and having a haze value ≤5% is used as the polarizer protection film.例文帳に追加
下記の定義による定荷重引張試験の前後におけるJIS K 7127に基づく引張強さをそれぞれ(A),(B)としたとき、比(B)/(A)が0.6以上であり、かつ、ヘイズ値が5%以下の熱可塑性樹脂フィルムを偏光子保護フィルムとして用いる。 - 特許庁
To efficiently form a high-quality metal film (protection film), especially on the surface of wiring etc. without deteriorating the electric property of the wiring by subjecting a substrate to an activation treatment such as catalyst-imparting treatment using an optimized processing liquid.例文帳に追加
下地に最適化された処理液で触媒付与処理等の活性化処理を行うことで、特に、配線等の表面に、該配線の電気特性を劣化させることなく、高品質の金属膜(保護膜)を効率よく形成できるようにする。 - 特許庁
The material of the substrate 1 or the protection film layer 3 is preferably quartz, and the material of the metal film layer 2 is preferably one or more kinds selected from the group of W, Mo, Ta, Pt and Ni.例文帳に追加
前記耐熱性基板1、又は、保護膜層3の材質が、石英であることが好ましく、また、前記金属膜層2の材質が、W、Mo、Ta、Pt、Niの中から選択された1種または2種以上のものであることが好ましい。 - 特許庁
例文 (999件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|