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「Selection bias」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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Selection biasの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 67



例文

Has this massive selection bias例文帳に追加

選択バイアスが多くあります - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

That there was some kind of a selection bias happening例文帳に追加

人選に偏りがあったかもしれません - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

So there may be some selection bias there.例文帳に追加

だから選択の偏りはあるかもしれません - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

A bias voltage selection part 32c selects a bias voltage on the basis of the voltage monitor signals and the light quantity monitor signals and applies the selected bias voltage to the excitation circuit 31.例文帳に追加

バイアス電圧選択部32cは、電圧モニタ信号と光量モニタ信号にもとづいて、バイアス電圧を選択し、選択したバイアス電圧を励振回路31に印加する。 - 特許庁

例文

To provide a differential gear device allowing relatively free selection of a torque-bias ratio.例文帳に追加

トルクバイアス比を比較的自由に選定することができる差動歯車装置を提供する。 - 特許庁


例文

An electrification bias selection process is previously performed, and a process for applying voltage between the maximum applicable alternating current peaks is performed thereafter for the electrification bias voltage in the previous rotation, and positive polarity bias of transfer is applied after completing the electrification bias selection process.例文帳に追加

前回転中の帯電バイアス電圧は、帯電バイアス選択工程を先に、印加可能な最大の交流ピーク間電圧を印加する工程を後に行い、かつ、転写の正極性バイアスは、帯電バイアス選択工程が終了した後に印加されること。 - 特許庁

MRAM DEVICE USING MAGNETIC FIELD BIAS FOR SUPPRESSING UNINTENDED SWITCHING OF SEMI-SELECTION MEMORY CELL例文帳に追加

半選択メモリ・セルの意図しない切換を抑制するために磁界バイアスを使用するMRAM装置 - 特許庁

Corresponding to the non-selection or selection of the memory cells, the bias voltage Vbs having a first and second levels is supplied through the bias supply line L2 to the gate terminal of the added second FET (P1).例文帳に追加

メモリセルの非選択及び選択に夫々対応して第1及び第2のレベルを有するバイアス電位Vbsを、バイアス供給線L2を介して第2の追加FET・P1のゲート端子に供給する。 - 特許庁

Reverse bias is applied between the gate and the cathode of the electron emission element connected to a scanning line of a non-selection state or the scanning line of the non-selection state is brought into a high impedance state.例文帳に追加

非選択状態の走査線に結線された電子放出素子のゲート−陰極間に逆バイアスが印加されるようにする。 - 特許庁

例文

If a determination result 32 is "still", an initial bias vector selection circuit 42 selects an initial bias vector, improving a priority order of a zero vector, from among a plurality of vectors.例文帳に追加

判定結果32が「静止」となる場合、初期偏位ベクトル選択回路42は、複数のベクトルのうち、ゼロベクトルの優先順位を高めて、初期偏位ベクトルを選択する。 - 特許庁

例文

To prevent shortness of previous rotation time, electrification inferiority, and transfer inferiority in an image forming apparatus for applying electrification bias selection and foreign matter removal bias during image formation in previous rotation by using voltage selection control between electrification alternating current peaks.例文帳に追加

帯電交流ピーク間電圧選択制御を用い、前回転中に画像形成時帯電バイアス選択と異物除去バイアスを印加する画像形成装置において、前回転時間の短縮と帯電不良、転写不良を防止する。 - 特許庁

In addition, a selection circuit 34 outputs a bias current Ib to the light emitting element facing the light guiding path 12 through which an optical signal is transmitted based on a selection control signal C.例文帳に追加

また、選択回路34は、選択制御信号Cに基づいて、光信号を伝送する導光路に対向する発光素子にバイアス電流Ibを出力する。 - 特許庁

The device has an operation circuit 9 for injecting electron injection and a non-selection word line bias circuit 9A as a function of a peripheral circuit.例文帳に追加

周辺回路の機能として、電荷注入の動作回路9と非選択ワード線バイアス回路9Aを有する。 - 特許庁

By means of the high-frequency electric power, a bias voltage is applied to a wafer W to obtain a high Si/SiO_2 selection ratio.例文帳に追加

この高周波電力によってウエハWへバイアス電圧が印加され、高いSi/SiO_2選択比が得られる。 - 特許庁

The resistance of the NMOS TR 15 depends on a bias circuit 16 that supplies a bias voltage VB corresponding to selection control signals SC1-SCn to the gate of the NMOS TR 15.例文帳に追加

NMOSトランジスタ15の抵抗値は、選択制御信号SC1〜SCnに応じたバイアス電位VBをNMOSトランジスタ15のゲートに供給するバイアス回路16により定まる。 - 特許庁

To improve a sensitivity by preventing a bias defect or shading occurrence caused by a voltage drop in a row selection line.例文帳に追加

行選択線の電圧降下に起因するバイアス不良やシェーディング発生を防止することができ、感度の向上をはかる。 - 特許庁

PN junction 12a exists in the selection transistor 12, as reverse bias is performed, a junction leak current i_L is made to flow.例文帳に追加

選択トランジスタ12にはPN接合12aが存在し、逆バイアスされていることから接合リーク電流i_Lが流れる。 - 特許庁

When erasing the data, the electrons are pulled away from the floating gate 5 into an eraser gate 9 by applying the eraser gate 9 with positive bias and the selection gate 8 with 0V or a negative bias and opening the other terminals.例文帳に追加

消去は消去ゲート9に正バイアス、選択ゲート8に0V又は負バイアスを印加し、他の端子を開放とし、浮遊ゲート5の電子を消去ゲート9に引き抜くことによって行う。 - 特許庁

To provide a memory in which reverse bias retention can be prevented in which data is varied being caused by continuing of a reverse bias state at disturbance phenomenon in which data of a non-selection cell is disappeared and when on standby.例文帳に追加

非選択セルのデータが消えるディスターブ現象やスタンバイ時(待機時)に逆バイアス状態が続くことに起因してデータが変化する逆バイアスリテンションを防止することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

A bias current setting circuit 25 decodes the VCO selection data, the VSB data and a digital conversion value VTD of a control voltage and outputs a predetermined bias setting value to a variable current source I1.例文帳に追加

バイアス電流設定回路25は、VCO選択データとVSBデータと制御電圧のデジタル変換値VTDをデコードして、予め定めたバイアス設定値を可変電流源I1に出力する。 - 特許庁

The driving electronics receive the low voltage potential, the ground potential, selection signals and digital pixel voltages and generate bias signals and pixel voltages.例文帳に追加

駆動する電子部品は、低電位、接地電位、選択信号、デジタルピクセル電圧を受け取り、バイアス信号およびピクセル電圧を作り出す。 - 特許庁

A scanning electrode voltage correction circuit 1 outputs the selection voltage to put the scanning electrodes S1, S2, S3 into a selection state, a non-selection voltage to put these electrodes into a non-selection state and the inversion voltage for applying a reverse bias voltage to electron emission elements 2011 to 2016 in synchronization with the operation of the switching group of a scanning electrode selection circuit 5.例文帳に追加

走査電極電圧補正回路1は、走査電極S1,S2,S3を選択状態とする選択電圧と、非選択状態とする非選択電圧と、電子放出素子2011〜2016に逆バイアス電圧を印加するための反転電圧を、走査電極選択回路5のスイッチ群の動作に同期して出力する。 - 特許庁

Driving electronics receive the low voltage signal, the ground signal, the selection signals and the digital pixel voltages, and generates bias signals and pixel voltages.例文帳に追加

駆動している電子部品は、低電圧信号、接地信号、選択信号、デジタルピクセル電圧を受信し、バイアス信号、ピクセル電圧を生成する。 - 特許庁

Thus, when reading and verifying data, the precision of the output (boosting voltage) of the reading boosting circuit 22 supplied to a wordline bias circuit 20 and a selection gate bias circuit 21 is improved.例文帳に追加

これにより、データの読み出し時およびベリファイ読み出し時に、ワード線バイアス回路20および選択ゲートバイアス回路21に供給される読み出し昇圧回路22の出力(昇圧電圧)の精度の向上を図る。 - 特許庁

To eliminate communication bias by simple processing while keeping an advantage that packets of an identical communication flow have an identical transfer destination in selection of a multi-pass transfer destination.例文帳に追加

マルチパスの転送先の選択において、同じ通信フローのパケットは転送先が同じになる利点を残しつつ、簡易な処理で通信の偏りをなくす。 - 特許庁

During data reading, a bias magnetic field of a level that will not destroy stored data is applied to a selection memory cell.例文帳に追加

データ読出時において、ライトディジット線WDLを流れる電流によって、選択メモリセルには、記憶データを破壊しないレベルのバイアス磁界が印加される。 - 特許庁

Thus, the white noise signal 11a, having satisfactory frequency change in the high frequency band, can be obtained with a simple means with the selection of the Zener diode 11 and the selection of the reverse bias voltage Vb(G).例文帳に追加

ツェナーダイオード11の選別と逆バイアス電圧Vb(G)の選定とによる簡便な手段で高い周波数帯域での良好な周波数変化をもつ白色雑音信号11aを得ることができる。 - 特許庁

When the element characteristics of an element to be selected (selection element DUTx) are measured, an off-leak current flowing through an element not to be selected (non-selection element DUTy) is reduced utilizing the substrate bias effect.例文帳に追加

選択対象の素子(選択素子DUTx)の素子特性を測定する際には、基板バイアス効果を利用して、非選択対象の素子(非選択素子DUTy)に流れるオフリーク電流を小さくする。 - 特許庁

Further, a selection circuit 72 outputs a bias current Ib (Iba to Obn) to the light emitting element of the light emitting element group opposed to the light guide path for transmitting the optical signal by each electric signal on the basis of a selection control signal C.例文帳に追加

また、選択回路72は、選択制御信号Cに基づいて、電気信号ごとに、光信号を伝送する導光路に対向する発光素子群の発光素子にバイアス電流Ib(Iba〜Ibn)を出力する。 - 特許庁

A frequency control means changes the frequency of AC bias electric field applied to a developing sleeve based on the setting by the selection receiving means, that is, the processing speed.例文帳に追加

また、周波数制御手段は、選択受付手段の設定、即ちプロセス速度に基づいて、現像スリーブに印加するACバイアス電界の周波数を変更する。 - 特許庁

With the application of the bias magnetic field, a data-line voltage difference between before and after the change of electric resistance of the selection memory cell by polarity according to a stored data level is amplified by a sense amplifier, and thus data reading is performed by only accessing the selection memory cell.例文帳に追加

バイアス磁界の印加によって、選択メモリセルの電気抵抗が記憶データレベルに応じた極性で変化する前後のデータ線電圧差をセンスアンプで増幅することによって、選択メモリセルへのアクセスのみでデータ読出が実行される。 - 特許庁

Each of the column decoders 13 supplies a negative voltage signal generated from the negative voltage bias supplied from the power source line 15 in banks to the column of the corresponding sectors 11 in response to the selection/non-selection of the column of the corresponding sectors 11.例文帳に追加

列デコーダ13のそれぞれは,それぞれが対応するセクタ11の列の選択/非選択に応答して,バンク内電源ライン15から供給される負電圧バイアスから生成された負電圧信号を,対応するセクタ11の列に供給する。 - 特許庁

To provide a communication system of channel selection information that can more correctly collect viewing and listening information, minimizing useless facility arrangement, even if there is a bias or the like of a viewing listening channel.例文帳に追加

設備配置の無駄を抑えながら、視聴チャンネルの偏りなどがあっても、視聴情報の収集をより正確に実行できるチャンネル選択情報通信装置を提供する。 - 特許庁

The bit line BL is connected to a column selection gate 3b through a clamp circuit 20 consisting of NMOS transistors QN2 a gate of which is driven by bias voltage VB being lower than a power source.例文帳に追加

ビット線BLは、ゲートが電源より低いバイアス電圧VBにより駆動されるNMOSトランジスタQN2からなるクランプ回路20を介してカラム選択ゲート3bに接続される。 - 特許庁

The lever position detector 5 is provided with bias magnets 6, 7 and magnetic resistance sensors 9, 10 forming a set therewith, in a detector main body, and is provided with a counter magnet 8 in the selection lever.例文帳に追加

このレバー位置検出装置5の構成としては、装置本体にバイアスマグネット6,7とそれと組を成す磁気抵抗センサ9,10とを設け、セレクトレバーにカウンタマグネット8を設ける。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus 1 includes: a light receiving section 11; a first hold section 21; a second hold section 22; an output selection section 31; an AD conversion section 40; a bias section 50; and a control section 61.例文帳に追加

固体撮像装置1は、受光部11、第1ホールド部21、第2ホールド部22、出力選択部31、AD変換部40、バイアス部50および制御部61を備える。 - 特許庁

When writing data in a memory 15, a selection gate 8, a drain diffused layer 2, and a source diffusion layer 13 are applied with positive bias, a source diffused layer 3 is grounded, and an erasing gate 9 is opened.例文帳に追加

メモリ15へのデータの書込みは、選択ゲート8、ドレイン拡散層2及びソース拡散層13に正バイアスを印加し、ソース拡散層3を接地、消去ゲート9を開放として行う。 - 特許庁

A gate selection control circuit 60, based on the temperature data received from thermistors 31, 32 to 3n, detects a FET of low temperature, and allows a gate bias voltage of the FET to be controlled so that more power source current flows the FET through a gate selection circuit 50.例文帳に追加

ゲート選択制御回路60は、サーミスタ31,32,〜,3nから受け取った温度データに基づき、温度の低いFETを検出し、ゲート選択回路50を介してそのFETにより多くの電源電流が流れるように、そのFETのゲートバイアス電圧を調節させる。 - 特許庁

Depending on the regulation of the potential VDDH or VDDL and potential selection by the switch 1c-nc, reverse bias or forward bias is applied to the P-ch transistor 1a-na, thus attaining a large delay time or controlling the delay time finely.例文帳に追加

電位VDDHまたは電位VDDLの電位調整、およびスイッチ1c〜ncによる電位選択に応じて、P−chトランジスタ1a〜naに逆バイアスまたは順バイアスをかけ、大きな遅延時間を得ることができると共に、遅延時間をきめ細かく制御することができる。 - 特許庁

The electric power saving means includes: an electric power saving mode selection switch 6 for switching to the electric power saving mode and to the normal mode; and bias current control switching parts 9a, 9b for controlling the bias current supplied to LSI chips 11a, 11b for controlling communication.例文帳に追加

省電力手段は、省電力モードへの切り替え、及び通常モードへの切り替えを行う省電力モード選択スイッチ6と、通信制御用のLSIチップ11a,11bへ供給するバイアス電流を制御するバイアス電流制御切替部9a,9bとを有している。 - 特許庁

The non-selection word line bias circuit 9A applies the prescribed voltage to a non-selection memory transistor whose drain region is connected electrically to a drain region of the selected memory transistor through a nonvolatile word line in the direction where voltage between a drain and a gate is relaxed in injecting electron charges.例文帳に追加

非選択ワード線バイアス回路9Aは、電荷注入時に、そのドレイン領域が、選択されたメモリトランジスタのドレイン領域と電気的に接続されている非選択のメモリトランジスタに対し、ドレインとゲート間の電圧を緩和する向きに、所定の電圧を非選択のワード線を介して印加する。 - 特許庁

Memory cells are constituted of: the ferroelectric capacitors 30 storing data by bias of polarization of the ferroelectric films; and selection transistors 20 connected in parallel to the ferroelectric capacitors 30.例文帳に追加

強誘電体膜の分極の偏位によってデータを記憶する強誘電体キャパシタ30と、該強誘電体キャパシタ30に並列に接続された選択トランジスタ20とによってメモリセルが構成されている。 - 特許庁

The source line driver drives the source line by a potential between the substrate bias potential of the cell transistor and the selection gate transistor and a ground potential during a writing operation.例文帳に追加

上記ソース線ドライバは、書き込み動作時に、上記ソース線を上記セルトランジスタと上記選択ゲートトランジスタの基板バイアス電位と接地電位との間の電位で駆動するように構成されている。 - 特許庁

As input-related terminals experience switching related voltages, the bias selectors select alternate terminals to continue selection of the highest voltage available and provide correct reverse biasing conditions.例文帳に追加

入力に関連する端子が関連する電圧を切り換えられると、バイアスセレクタは、別の端子を選択し、引き続き利用可能な最高電圧を選択して正しい逆バイアス条件を提供する。 - 特許庁

To achieve selection processing which hardly causes extreme bias in the content of a variation pattern to be actually selected among many variation patterns while preparing many variation patterns corresponding to diversification of game content and performances.例文帳に追加

遊技内容や演出の多様化に対応して多くの変動パターンを用意しつつ、その中で実際に選択される変動パターンの内容に極端な偏りが生じにくい選択処理を実現する。 - 特許庁

This semiconductor memory is provided with a memory cell array in which memory strings including selection transistors and plural memory cells which are coupled with the transistors and have electric charge catching circuits in gate insulating films respectively are arranged in a matrix shape and a bias circuit 12 which supplies a prescribed potential to gates of memory cells to be coupled with nonselected selection transistors when selection transistors are nonselected.例文帳に追加

選択トランジスタ、およびこの選択トランジスタに結合され、それぞれがゲート絶縁膜中に電荷捕獲回路を有する複数のメモリセルとを含むメモリセルストリングがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、選択トランジスタが非選択のときに、この非選択な選択トランジスタに結合されるメモリセルのゲートに、所定の電位を供給するバイアス回路12とを具備することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal driving method and the like capable of suppressing deterioration of image quality even when there is variation of a bias potential in a case where a liquid crystal panel is driven by n-line inversion driving by means of a multi-line selection driving method.例文帳に追加

同時選択駆動法でnライン反転駆動により液晶パネルを駆動する場合に、バイアス電位のずれがあっても画質の劣化を抑えることができる液晶駆動方法等を提供する。 - 特許庁

The charging part includes a potential generating part that generates a bias potential, a plurality of charging rollers each having a different roller diameter from each other, and selection means for selecting a charging roller used for applying a bias potential to the image carrier from among the plurality of charging rollers based on print quality required for an image formed from the toner image.例文帳に追加

帯電部は、バイアス電位を発生する電位発生部と、互いに異なるローラ径を有する複数の帯電ローラと、トナー像により形成される画像についての要求される印字品質に基づいて、複数の帯電ローラから、バイアス電位を像担持体に印加するために用いる帯電ローラを選択する選択手段とを含む。 - 特許庁

Then, isotropic etching is made by reducing bias output applied to a wafer without containing N_2 or O_2, or etching under the conditions of a high mask selection ratio containing N_2 or O_2 for machining the grooves or holes slightly thinner than the pattern dimensions and isotropic etching while reducing bias output applied to the wafer without containing N_2 or O_2 are made periodically.例文帳に追加

その後N_2またはO_2を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN_2またはO_2を含む高マスク選択比条件と、N_2またはO_2を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。 - 特許庁

例文

To provide a liquid crystal driving method and the like suppressing deterioration of image quality even when there is variation of a bias potential in a case where a liquid crystal panel is driven by n-line inversion driving by means of a multi-line selection driving method that simultaneously selects a plurality of lines.例文帳に追加

複数ラインを同時選択する同時選択駆動法でnライン反転駆動により液晶パネルを駆動する場合にバイアス電位のずれがあっても画質の劣化を抑える液晶駆動方法等を提供する。 - 特許庁




  
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