「Sgd」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A drain side select-gate line SGD is set to VSG1 (>VDD) which can sufficiently transfer VDD (time t1).例文帳に追加

ドレイン側セレクトゲート線ＳＧＤが、ＶＤＤを十分に転送できるＶＳＧ１（＞ＶＤＤ）に設定される（時刻ｔ１）。 - 特許庁

An SOG film is formed as a sacrifice layer so that an upper surface is positioned above an upper surface of a polycrystalline silicon layer 4 and below an upper surface of gate electrodes MG, SGS, SGD between gate electrodes MG-MG, MG-SGS, and MG-SGD.例文帳に追加

ゲート電極ＭＧ−ＭＧ間、ＭＧ−ＳＧＳ間、ＭＧ−ＳＧＤ間に多結晶シリコン層４の上面よりも上方で且つゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上面よりも下方に上面が位置するように犠牲層としてＳＯＧ膜を形成する。 - 特許庁

After that, the drain side select-gate line SGD is set to VSG3, 0 V is transferred to only a channel of a selection memory cell (time t4).例文帳に追加

この後、ドレイン側セレクトゲート線ＳＧＤが、ＶＳＧ３に設定され、選択メモリセルのチャネルのみに０Ｖが転送される（時刻ｔ４）。 - 特許庁

At least three conductive layers having the same structure as that of the at least three conductive layers in the first and second blocks are disposed on the driver 33, and first select gate lines SGD<5> in the first and second blocks are connected to the driver 33 through the at least three conductive layers on the driver 33.例文帳に追加

ドライバ33上には、第一及び第二ブロック内の３以上の導電層と同じ構造を持つ３以上の導電層が配置され、第一及び第二ブロック内の第一セレクトゲート線SGD<5>は、ドライバ33上の３以上の導電層を介してドライバ33に接続される。 - 特許庁

After that, the drain side select-gate line SGD is set to VSG2, and a write-in potential Vpgm is applied to a selection word line (time t2-t3).例文帳に追加

この後、ドレイン側セレクトゲート線ＳＧＤが、ＶＳＧ２に設定され、書き込み電位Ｖｐｇｍが選択ワード線に印加される（時刻ｔ２〜ｔ３）。 - 特許庁

Further, a drain side selection gate line SGD and a source side selection gate line SGS are charged to the second voltage Vs by the voltage generation circuit 10.例文帳に追加

さらに、電圧発生回路１０により、ドレイン側選択ゲート線ＳＧＤおよびソース側選択ゲート線ＳＧＳを、第２の電圧Ｖｓに充電する。 - 特許庁

The device is provided with a memory cell array 11, selection gate transistors SGD, SGS, a control gate driving circuit 12, a selection gate driving circuit 13, and a source line driving circuit 14.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１、選択ゲートトランジスタＳＧＤ、ＳＧＳ、制御ゲート駆動回路１２、選択ゲート駆動回路１３、ソース線駆動回路１４を備える。 - 特許庁

The selection transistor SGS is connected between the other end of the memory cell group and a source line SL, and has a gate length shorter than that of the selection transistor SGD.例文帳に追加

選択トランジスタＳＧＳはメモリセル群の他端とソース線ＳＬ間に接続され、選択トランジスタＳＧＤのゲート長より短いゲート長を有する。 - 特許庁

The control gate driving circuit 12 drives the control gate of the memory cell group, and the selection gate driving circuit 13 drives the gates of the selection transistors SGD and SGS.例文帳に追加

制御ゲート駆動回路１２はメモリセル群の制御ゲートを駆動し、選択ゲート駆動回路１３は選択トランジスタＳＧＤ、ＳＧＳのゲートを駆動する。 - 特許庁

Then, a silicon oxide film 9 having etching selectivity with the SOG film is formed so that the silicon oxide film 9 is along an upper side face of the gate electrodes MG, SGS, SGD and an upper surface of the SOG film.例文帳に追加

次に、ゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上部側面およびＳＯＧ膜の上面に沿うようにＳＯＧ膜との間でエッチング選択性を有するシリコン酸化膜９を形成する。 - 特許庁

For example, when "1" is written in a memory cell MC, to precharge the channel, the select gate transistor SGD-Tr of a drain side is turned ON by a potential Vsg from a row control circuit.例文帳に追加

たとえば、メモリセルＭＣ０に対する“１”書き込み時には、まず、チャネルをプリチャージするために、ロウ制御回路からのＶｓｇ電位により、ドレイン側のセレクトゲートトランジスタＳＧＤ−Ｔｒをオンさせる。 - 特許庁

In the NAND-type flash memory 100, a drain side selecting gate line SGD, source side selection gate line SGS, and a (p) type semiconductor substrate Psub of a block made as non-selection by a row decoder are made to be a ground potential.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００は、ロウデコーダ２により非選択とされたブロックのドレイン側選択ゲート線ＳＧＤ、ソース側選択ゲート線ＳＧＳおよびＰ型半導体基板Ｐｓｕｂを接地電位にする。 - 特許庁

The non memory part comprises a dummy conductive film 65 having a part in the same layer as at least one of a plurality of electrode films; a dummy select gate electrode SGd in the same layer as the select gate electrode; a contact electrode connected to the dummy conductive film; and a contact electrode connected to the dummy select gate electrode.例文帳に追加

非メモリ部は、複数の電極膜の少なくとも１つと同層の部分を含むダミー導電膜６５と、選択ゲート電極と同層のダミー選択ゲート電極ＳＧｄと、ダミー導電膜に接続されたコンタクト電極と、ダミー選択ゲート電極に接続されたコンタクト電極と、を含む。 - 特許庁

Two selection gate lines SGD1, SGD2 of bit line side selection transistors, and two selection gate lines SGS1, SGS2 of source line side selection transistors are separately short-circuited every 64 lines of the bit lines to form bit line side selection gate lines SGD and source line side selection gate lines SGS.例文帳に追加

ビット線側選択トランジスタの２本の選択ゲート線ＳＧＤ１、ＳＧＤ２、ソース線側選択トランジスタの２本の選択ゲート線ＳＧＳ１、ＳＧＳ２は、それぞれビット線６４本おきに短絡され、ビット線側選択ゲート線ＳＧＤ、ソース線側選択ゲート線ＳＧＳとなっている。 - 特許庁

The memory strings 100 have a columnar semiconductor CLmn extending perpedicularly to a substrate, a plurality of charge storage layers formed around the columnar semiconductor CLmn through an insulating film, and a drain side selection gate wire SGD which consists a transistor contacting the columnar semiconductor CLmn.例文帳に追加

メモリストリングス１００は、基板に対して垂直方向に延びる柱状半導体ＣＬｍｎと、柱状半導体ＣＬｍｎの周りに絶縁膜を介して形成された複数の電荷蓄積層と、柱状半導体ＣＬｍｎと接してトランジスタを構成するドレイン側選択ゲート線ＳＧＤを有する。 - 特許庁

An interval between the source side selection gate transistors SGS is smaller than an interval between the drain side selection gate transistors SGD, and a distance from the top face of the semiconductor substrate 11 to a top face of the silicon nitride film 17 is greater than a distance from the top face of the semiconductor substrate 11 to a top face of the silicon nitride film 14.例文帳に追加

ソース側選択トランジスタＳＧＳ間の間隔は、ドレイン側選択トランジスタＳＧＤ間の間隔より狭く、半導体基板１１の上面からシリコン窒化膜１７の上面までの距離は、半導体基板１１の上面からシリコン窒化膜１４の上面までの距離より大きい。 - 特許庁

While the silicon oxide film 9 is allowed to reside as a spacer along an upper side face of the gate electrodes MG, SGS, SGD, an upper opening 11a leading to an upper surface of the SOG film is formed by anisotropic etching treatment, and the SOG film is removed through the upper opening 11a.例文帳に追加

シリコン酸化膜９をゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上部側面に沿ってスペーサとして残留させながらＳＯＧ膜の上面に通ずる上開口部１１ａを異方性エッチング処理によって形成し、当該上開口部１１ａを通じてＳＯＧ膜を除去する。 - 特許庁

The drain side selection gate wire SGD includes a drain side lower selection gate wire SGDd layer arranged by providing the gaps of a predetermined pitch, and a drain side upper selection gate wire SGDu arranged on the gaps of the drain side lower selection gate wire SGDd, being an upper layer than the drain side lower selection gate wire SGDd.例文帳に追加

ドレイン側選択ゲート線ＳＧＤは、所定ピッチの間隙を設けて配置されたドレイン側下部選択ゲート線ＳＧＤｄ層と、ドレイン側下部選択ゲート線ＳＧＤｄより上層であり且つドレイン側下部選択ゲート線ＳＧＤｄの間隙上に配置されたドレイン側上部選択ゲート線ＳＧＤｕとを備える。 - 特許庁