「Si-Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MI means a first element such as Si, Sn, Ge and Pb.例文帳に追加

ＭＩはＳｉ，Ｓｎ，Ｇｅ，Ｐｂなどの第１の元素を表す。 - 特許庁

In the method, two Si lumps of a first solid Si lump 10 and a second solid Si lump 12 are brought into contact via a Ge material 14 which is brazing filler metal and are joined by brazing and soldering using pulsed laser.例文帳に追加

固体状態の第1のSi塊10及び第2のSi塊12の2つのSi塊を、鑞材であるGe材14を介して接触させて、パルスレーザによる鑞接によって接着する方法である。 - 特許庁

HIGH-PURITY Si-Ge ALLOY TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SPUTTERED HIGH-PURITY Si-Ge FILM例文帳に追加

高純度Ｓｉ−Ｇｅ系合金ターゲット及びその製造方法並びに高純度Ｓｉ−Ｇｅ系スパッタ膜 - 特許庁

As the semimetals, C, B, P, Si, As, Te, Ge, Sb, or the like, are exemplified.例文帳に追加

半金属としてはＣ，Ｂ，Ｐ，Ｓｉ，Ａｓ，Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ等が例示される。 - 特許庁

The materials may be Si and SiGe, Si and Ge, or Si and amorphous Se, for example.例文帳に追加

材料は、例えば、Ｓｉ及びＳｉＧｅ、Ｓｉ及びＧｅ、又は、Ｓｉ及びアモルファスＳｅであり得る。 - 特許庁

NEW CMOS CIRCUIT OF GaAs/Ge ON SI SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上のＧａＡｓ／Ｇｅの新規なＣＭＯＳ回路 - 特許庁

As the conductive sealing material, an Ag-Si-Ge alloy composed mainly of Ag and containing Si and Ge is used.例文帳に追加

導電性シール材料として、Ａｇを主成分としＳｉ及びＧｅを含有するＡｇ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金を用いる。 - 特許庁

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN Ge-Si FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

For example, the intermediate layer 20 includes at least one kind selected from among Si-Sb, Si-Te, and Si-Ge, when the phase change material includes Ge, Sb, and Te.例文帳に追加

例えば相変化材料がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを含む場合、中間層２０は、Ｓｉ−Ｓｂ、Ｓｉ−Ｔｅ、Ｓｉ−Ｇｅの少なくとも一種を含む。 - 特許庁

A Ge thin film is formed on an Si (100) substrate 1 and heat treated to form a solid phase mixed layer 12 including Si and Ge.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にＧｅ薄膜を形成し、熱処理を施して、ＳｉとＧｅとを含有する固相混合層１２を形成する。 - 特許庁

The phosphor comprises an adjacent film containing the constitutional element of at least one element selected from Si and Ge and being in contact with a portion composed of the fluorescent material.例文帳に追加

蛍光材料から構成される部位に接して、Si,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む隣接膜を有する。 - 特許庁

TRANSISTOR WHERE INDIUM IS INJECTED INTO Si-Ge ALLOY AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ合金にインジウムを注入したトランジスタ及び製造方法 - 特許庁

An Si hydride or an Si chloride, a Ge hydride and an organometallic compound not containing Si are fed on a substrate in a crystal growth device as raw materials to chemically vapor-grow a ternary mixed crystal containing Si, Ge and C.例文帳に追加

原料としてＳｉの水素化物または塩化物及びＧｅの水素化物及びＳｉを含まない有機金属化合物を供給してＳｉ及びＧｅ及びＣを含む三元混晶を化学気相成長させる。 - 特許庁

The composite material is formed of an element of one or more kinds selected from Cu, Si, and Ge as an additive and a remainder using a silver alloy formed of Ag and an impurity as a metal matrix.例文帳に追加

Cu,Si,及びGeから選択される1種類以上の元素を添加元素とし、残部がAg及び不純物からなる銀合金を金属マトリクスとする複合材料である。 - 特許庁

A film 31 comprised of a fluorescent material and a film 33 containing, as the constitutional element, at least one element selected from Si and Ge are laminated on a substrate 34.例文帳に追加

蛍光材料からなる膜３１及びSi,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む膜３３が、基板３４上に積層して配されてなる。 - 特許庁

The amorphous phase is made by an amorphous metal manufacturing method or by removing Li from lithium compound of Si and/or Ge by discharge or the like.例文帳に追加

上記非結晶質相は、アモルファスメタルの製造法に従って形成するか、Siおよび／またはGeのLi化物からLiを放電等により抜くことにより形成することができる。 - 特許庁

The impurity as the acceptor is any one of C, Si, Ge, and Sn.例文帳に追加

そのアクセプタとしての不純物としては、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかを用いる。 - 特許庁

The color conversion layer containing a rare-earth element, Si or Ge is formed by a dry process.例文帳に追加

希土類元素、ＳｉまたはＧｅを含む色変換層をドライプロセスで形成する。 - 特許庁

An impurity as an acceptor is any one of C, Si, Ge, and Sn.例文帳に追加

そのアクセプタとしての不純物としては、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかを用いる。 - 特許庁

SI-GE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF THE SAME, AND THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ半導体素子およびその製造方法ならびに熱電変換モジュール - 特許庁

In the formula, A is Si, Ge, Ti, Zr, Al or Ga; and (x) is 1 to 6.例文帳に追加

式中、ＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＡｌまたはＧａであり、ｘは１〜６である。 - 特許庁

On the film, if necessary, a Ge atom is substituted for a part of the Si atom.例文帳に追加

この膜では、必要ならＳｉ原子の一部をＧｅ原子で置換することもできる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF Nb3(Al, Ge) OR Nb3(Al, Si) COMPOUND SYSTEM SUPERCONDUCTING MULTI-CONDUCTORS例文帳に追加

Ｎｂ３（Ａｌ，Ｇｅ）又はＮｂ３（Ａｌ，Ｓｉ）化合物系超伝導多芯線の製造法 - 特許庁

The coating elements are one or more elements selected from Mg, Al, Co, K, Na, Ca, Si, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, As and Zr.例文帳に追加

コーティング元素は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｋ，Ｎａ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｂ，Ａｓ，Ｚｒから選択される一つ以上の元素である。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Nb3 (Al, Ge) OR Nb3 (Al, Si) VERY THIN MULTIPLE CORE SUPERCONDUCTIVE WIRE例文帳に追加

Ｎｂ３（Ａｌ，Ｇｅ）またはＮｂ３（Ａｌ，Ｓｉ）極細多芯超伝導線の製造方法 - 特許庁

A Ge film is epitaxially grown on the main surface of an Si substrate 10 by a CVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の主面上にＧｅの膜をＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Concretely, a hardened layer mainly made up of an Au-Pd-Si alloy, an Au-Pt-Si alloy, an Au-Pd-Pt-Si alloy, an Au-Pd-Ge alloy, an Au-Pt-Ge alloy or an Au-Pd-Pt-Ge alloy is formed.例文帳に追加

具体的にはＡｕ−Ｐｄ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｇｅ合金またはＡｕ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｇｅ合金を主体とする硬化層を形成させる。 - 特許庁

In a method for manufacturing an Si substrate for forming a MOS transistor, an SiGe film is formed as lattice-matching it to an Si substrate surface, an Si film is formed as lattice-matching it on the SiGe film, Ge ions and hydrogen ions are injected to an area where an NMOS transistor is formed, and heat treatment is performed to reduce distortion of only the SiGe film in the area.例文帳に追加

MOSトランジスタを形成するためのSi基板の製造方法において、SiGe膜をSi基板表面に格子整合させながら形成し、Si膜をSiGe膜上に格子整合させながら形成し、nMOSトランジスタを形成する領域にGeイオンと水素イオンを注入し、熱処理を施して、前記領域のSiGe膜のみの歪みを緩和する。 - 特許庁

The energy size of one output pulse of the pulsed laser beam is set to a value necessary to reach the minimum temperature for forming alloy as a result of melting the first and second Si lumps with the Ge material.例文帳に追加

パルスレーザ光の出力パルス一つ分のエネルギーの大きさは、第1のSi塊及び第2のSi塊とGe材が融解して合金が形成されるための最小の温度に到達するために必要な値に設定されている。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

A method of manufacturing a Ge island 2 comprise in sequence: a semiconductor layer growing step of growing a Ge semiconductor layer 2 on an Si substrate 1; and a Ge semiconductor layer etching step of etching the Ge semiconductor layer 2 until reaching the Si substrate 1 to form the Ge island 2 spreading in the direction of the Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板１上にＧｅ半導体層２を成長させるＧｅ半導体層成長工程と、Ｇｅ半導体層２をＳｉ基板１に達するまでエッチングし、Ｓｉ基板１方向に対して裾広がりとなるＧｅアイランド２を形成するＧｅ半導体層エッチング工程と、を順に備えることを特徴とするＧｅアイランド２の製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the gallium oxide nanostructure comprises the steps of: using a sintered compact comprising gallium oxide powder and the powder of at least one element selected from Si, Ge and Sn or the oxide powder of the selected element as a base stock; and heating the sintered compact in a substantially oxygenless atmosphere to mix at least one element selected from Si, Ge and Sn in the gallium oxide crystal.例文帳に追加

酸化ガリウム粉末とSi、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素の粉末又はその酸化物粉末とからなる焼結体を素材とし、この焼結体を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱することにより、酸化ガリウム結晶中に、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素を混入させた酸化ガリウムナノ構造体を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge island, which grows a Ge island on an Si substrate and has excellent manufacturing efficiency.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板上にＧｅアイランドを成長させる、製造効率の良いＧｅアイランドの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After Ge thin film is deposited by epitaxial growth on an Si substrate, a Ti film is deposited on the Ge thin film.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にＧｅ薄膜をエピタキシャル成長させることによって堆積させた後、このＧｅ薄膜上にＴｉ膜を堆積させる。 - 特許庁

In the tandem solar cell including an InGaP/(In)GaAs/Si 3-junction structure solar cell, an (In)GaAs solar cell layer and an Si solar cell layer are bonded together across a Ge interposing layer formed at part of the (In)GaAs solar cell layer.例文帳に追加

InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。 - 特許庁

To provide a phosphor comprising an Si element and/or a Ge element and exhibiting high luminance.例文帳に追加

Ｓｉ元素および／またはＧｅ元素を含有する高い輝度を示す蛍光体を提供する。 - 特許庁

Chemical precursors of the formula (F3C)4-m-nMXmRn are preferred, wherein M is Si or Ge, X is halogen, R is H or D, m is 0, 1, 2 or 3, and n is 0, 1, 2 or 3, with the provision that (m+n)≤3.例文帳に追加

化学式(F_3C)_4-m-nMX_mR_nの化学前駆体が好適であり、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有する。 - 特許庁

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

This method limits the amount of Si available for interdiffusion, thereby allowing the Ge layer to be annealed without causing substantial dilution of the Ge layer by the underlying Si.例文帳に追加

この方法は、相互拡散に利用可能なＳｉの量を制限し、それによって、下のＳｉによるＧｅ層の実質的な希釈を起こすことなく、Ｇｅ層をアニールすることができるようになる。 - 特許庁

The anode active material for a lithium ion secondary battery contains a mixture of Mg_2A or LaA_2 (A denotes Si or Ge) and an element A (A denotes Si or Ge).例文帳に追加

本発明のリチウムイオン二次電池用負極活物質は、Ｍｇ_2Ａ又はＬａＡ_2（ＡはＳｉ又はＧｅを表す）と、元素Ａ（ＡはＳｉ又はＧｅを表す）との混合物を含むことを特徴とする。 - 特許庁

By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.例文帳に追加

このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁

An Si active area 2 and a Ge active area 3 are formed in an Si substrate, and a gate is formed, and then an HDD, an LDD, and halos are formed.例文帳に追加

Ｓｉ基板1中に、Ｓｉ活性領域２とＧｅ活性領域３が形成され、ゲート形成後、ＨＤＤ、ＬＤＤ、ハロを形成する。 - 特許庁

To produce a Bi_12MO_20 powder (wherein M is Si or Ge) having small particle diameters by a liquid phase method.例文帳に追加

液相法により、粒子径の小さなＢｉ_12ＭＯ_20粉体（ただし、ＭはＳｉまたはＧｅである。）を製造する。 - 特許庁