「Sio」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SiO例文帳に追加

ＳｉＯの製造方法及び製造装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SiO例文帳に追加

ＳｉＯの製造方法及び製造装置 - 特許庁

Your device should now be found as an sio device. 5.20. 例文帳に追加

あなたのデバイスは FreeBSD3.x の時と同じように sioとして見つかるようになっているはずです。 - FreeBSD

METHOD OF PURIFYING SiO AND METHOD OF MANUFACTURING HIGH PURITY SILICON USING THE OBTAINED SiO例文帳に追加

ＳｉＯの精製方法及び得られたＳｉＯを用いる高純度シリコンの製造方法 - 特許庁

To provide a method which selectively perform low-temperature wet etching of an SiN film to an SiO film and Si.例文帳に追加

SiO膜、Si対してSiN膜を選択的に低温ウェットエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

APPARATUS FOR REFINING SiO, METHOD OF REFINING SiO USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING HIGH PURITY SILICON USING THE OBTAINED SiO例文帳に追加

ＳｉＯの精製装置、かかる精製装置を用いるＳｉＯの精製方法及び得られたＳｉＯを用いる高純度シリコンの製造方法 - 特許庁

As for the anchor coat, SiO is preferable.例文帳に追加

このアンカコートとしてはＳｉＯが好適である。 - 特許庁

CVD DEPOSITION OF M-SiO GATE DIELECTRIC例文帳に追加

Ｍ−ＳｉＯＮゲート誘電体のＣＶＤデポジション - 特許庁

MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR SIO POWDER例文帳に追加

ＳｉＯ粉体の製造方法及び製造装置 - 特許庁

The SiO film is removed thereafter with hydrofluoric acid etc.例文帳に追加

その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 - 特許庁

PURIFYING APPARATUS OF SiO, PURIFYING METHOD OF SiO USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD OF HIGH PURIFIED SILICON例文帳に追加

ＳｉＯの精製装置、かかる装置を用いるＳｉＯの精製方法及び高純度シリコンの製造方法 - 特許庁

Furthermore, the SiO film 32 has a low water vapor barrier property.例文帳に追加

また、ＳｉＯ膜３２は、低い水蒸気バリア性を有する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING HIGH PURITY SiO SOLID例文帳に追加

高純度ＳｉＯ固体の製造方法及び製造装置 - 特許庁

If you have connected a terminal to the first serial port (COM1 in MS-DOS), then you will use /dev/ttyd0 to refer to the terminal. 例文帳に追加

詳しくは、sio(4)のマニュアルをご覧ください。 - FreeBSD

To provide a method for producing SiO_2, by which high purity SiO_2 is produced at a low cost using solid SiO or gaseous SiO.例文帳に追加

ＳｉＯ固体またはＳｉＯ気体を用いて安価でかつ高純度のＳｉＯ_2を製造する方法を提供する。 - 特許庁

For example, two layers of SiO films are laminated, an SiO film is laminated on an SiN film or an SiO film is laminated on a metal thin film to constitute the layer 2.例文帳に追加

例えば、ＳｉＯ膜を２層積層したり、ＳｉＮ膜上にＳｉＯ膜を積層したり、金属薄膜上にＳｉＯ膜を積層して不純物拡散阻止層を構成する。 - 特許庁

In the method for producing SiO_x (x<1), a raw material generating an SiO gas is vaporized by plasma heating to be formed into SiO gas, then the SiO gas is deposited as a silicon oxide.例文帳に追加

ＳｉＯガスが発生する原料をプラズマ加熱により気化させてＳｉＯガスとした後、珪素酸化物として析出させることを特徴とするＳｉＯ_x（ｘ＜１）の製造方法である。 - 特許庁

4.5 Keyboards and Mice 4.5.1. 例文帳に追加

カード設定の詳細な情報は、sio(4) のマニュアルページを参照してください。 - FreeBSD

This information (Vendor ID or chip value) needs adding to the file /usr/src/sys/dev/sio/sio_isa.c. 例文帳に追加

この情報はファイル /usr/src/sys/isa/sio.c に追加する必要があります。 - FreeBSD

If you have a multiport serial card, check the manual page for sio(4) for more information on the proper values to add to your /boot/device. 例文帳に追加

もしマルチポートシリアルカードを持っていてこれらの設定の正しい数値に関する情報がほしい場合はマニュアルページ sio(4) を参照して下さい。 - FreeBSD

The deposition of the SiO gas is preferably performed in a cooled state by using a deposition base or mixing a non-oxidizing gas into the SiO gas.例文帳に追加

ＳｉＯガスを析出する際は、析出基体を用いる、またはＳｉＯガスに非酸化性ガスを混合することにより、冷却して行うのが好ましい。 - 特許庁

Check the sio(4) manual page to get more information on configuring such cards. 例文帳に追加

前の質問に対する答えと、 モバイルコンピューティングのページをご覧ください。 - FreeBSD

For a multiport serial card, place an sio(4) line for each serial port on the card in the device. hints(5) file. 例文帳に追加

マルチポートシリアルカードを使用するためには、カーネルの設定ファイルに、カードの持つそれぞれのシリアルポートに対応する sio(4) の行を記述する必要があります。 - FreeBSD

To provide a single crystal pulling device preventing SiO gas from depositing on a radiation shield and effectively discharging SiO gas while keeping rectification.例文帳に追加

輻射シールドへのＳｉＯガスの付着を防ぎ、整流を保ちつつＳｉＯガスを効果的に排出することができる単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁

The TFT 108 further includes a polycrystalline semiconductor film 14 that is formed and patterned on the SiO film 13 in contact with the SiO film 13 in such a way that all pattern ends are located in close proximity to pattern ends of the SiO film 13.例文帳に追加

さらに、ＴＦＴ１０８は、ＳｉＯ膜１３上においてＳｉＯ膜１３に接し、全てのパターン端がＳｉＯ膜１３のパターン端近傍に配置されるようにパターニング形成された多結晶半導体膜１４を有する。 - 特許庁

The sputtering method and the PLD method are used to deposit the fluorescent film fabricating a target of such as a sputtering process using a substance in which a fluorescent material is mixed with SiO2 or SiO.例文帳に追加

スパッタリング法やPLD法はSiO2またはSiOに蛍光体が混ざり合った物質を使用してスパッタリング工程などのターゲットを作って蛍光膜を蒸着するのに使用する。 - 特許庁

Due to a bug (feature?) in the sio(4) driver it will touch this port even if you do not have the fourth serial port, and even if you disable sio3 (the fourth port) which normally uses this address. 例文帳に追加

sio(4) ドライバのバグ (仕様? ) のため、 4番目のシリアルポートがなくても、 通常このアドレスを使う sio3 (4 番目のポートにあたります)を無効にしても、ドライバはこのアドレスをさわります。 - FreeBSD

A first SiO film having a refractive index substantially equal to the refractive index of an acrylic resin substrate is formed to a thickness of about 200 nm on the substrate, and a second SiO film having a refractive index assuming a value falling within the range from 1.48 to 1.62 is formed to a thickness of about 200 nm on the first SiO film.例文帳に追加

アクリルの基材上に、該アクリルと同程度の屈折率を有するＳｉＯ膜を約２００ｎｍの膜厚だけ形成し、その上に、１．４８〜１．６２の範囲内の値の屈折率を有するＳｉＯ膜を約２００ｎｍの膜厚だけ形成する。 - 特許庁

Or, the high purity SiO_2 is obtained from purified gaseous SiO by using an oxidizing gas.例文帳に追加

または、純化したＳｉＯ気体から、酸化性気体により高純度のＳｉＯ_2を得る。 - 特許庁

For example, a silane-based plasma SiN or either of SiO, SiON and SiOF is stacked at 100 nm.例文帳に追加

例えばシラン系プラズマＳｉＮもしくはＳｉＯ，ＳｉＯＮ，ＳｉＯＦのいずれかを１００ｎｍ堆積する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid crystal panel with less variation in alignment direction when manufacturing the liquid crystal panel using an inorganic vapor-deposited film represented by an SiO obliquely vapor-deposited film as an alignment film.例文帳に追加

SiO斜方蒸着膜に代表される無機蒸着膜を配向膜として用いる液晶パネルを生産する際、配向方向のバラツキが少ないパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

Charge retainers 130 and 140 consisting of SiO films 131 and 141, SiN films 132 and 142, and SiO films 133 and 143 are provided on both sides at the lower part of a gate 160.例文帳に追加

ゲート部１６０の下部の両側には、ＳｉＯ膜１３１，１４１、ＳｉＮ膜１３２，１４２およびＳｉＯ膜１３３，１４３からなる電荷保持部１３０，１４０が設けられる。 - 特許庁

An adhesive layer 4, constituted of, for example, a P-SiO film, a P-SiON film or PE-SiO film, is formed between the fluorinated silicate glass film 3 and the silicon nitride film 5.例文帳に追加

そして、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜３とシリコン窒化膜５との間に、例えばＰ−ＳｉＯ膜、Ｐ−ＳｉＯＮ膜、またはＰＥ−ＳｉＯ膜からなる接着層４が形成される。 - 特許庁

To improve external resistance including wear resistance more highly than that of a substrate on which an SiO film has been deposited.例文帳に追加

ＳｉＯ膜を形成した基板よりも耐摩耗性を含む外的耐性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a high purity SiO solid at a high production rate.例文帳に追加

高純度で生産速度の高いＳｉＯ固体の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To realize a method of manufacturing on SIO wafer to improve uniformity of thickness of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の厚さの均一度を向上させるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

When a user presses a power switch, the power-saving electronic device enables the south bridge chip and SIO chip to be powered on by a standby power supplied thereto and enables the computer motherboard to remain capable of resuming from the S3 state.例文帳に追加

使用者が電源スイッチを押すと、節電電子装置は、スタンバイ電力をサウスブリッジチップとSIOチップに供給し、同時にコンピューターマザーボードは、依然としてＳ3状態からの復帰能力を備える。 - 特許庁

If the lamp is turned on, oxygen dissociates from powdered SiO_2, which has been filled up in a crevice between an internal electrode 3 and an electrode wearing hole 7, to become SiO gas, and as a result the partial pressure of SiO gas in a light emitting space 5 increases.例文帳に追加

ランプを点灯すると、内部電極３と電極装着孔７との隙間に充填した粉末状のＳiＯ2から酸素が分離してＳiＯガスとなり、発光空間５内のＳｉＯガスの分圧が高まる。 - 特許庁

To provide a gas barrier film using SiO as a vapor deposition material, which has excellent gas barrier properties while having high transparency without exhibiting yellow even if a reaction gas is not introduced therein, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

SiOを蒸着材料としたガスバリア性フィルムにおいて、反応ガスを導入しなくても、黄色を呈さず高い透明性を備えながら、優れたガスバリア性を有するガスバリア性フィルムおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

Since the SiO films 14, 16 formed thus do not substantially contain nitrogen; the SiO films 14, 16 suppress transmissions of ammonia gas, nitrogen gas or the like, when an antireflection film 18 of a silicon nitride film or the like is formed, and the SiO films 14, 16 suppress the occlusion of an alkali originating from nitrogen to the first interlayer insulating film 13 and the second interlayer insulating film 15.例文帳に追加

このようにして形成されたＳｉＯ膜１４，１６は、実質的に窒素を含まないため、シリコン窒化膜等の反射防止膜１８を形成する際にアンモニアガスや窒素ガス等の透過を抑制し、第１層間絶縁層１３および第２層間絶縁層１５に窒素に由来する塩基性物質の吸蔵を抑制する。 - 特許庁

When the computer mother board is in a "Suspend to memory" state such as an S3 state of ACPI (Advanced Configuration and Power Interface), the power-saving electronic device enables compulsory interruption of power supply to the south bridge chip and the SIO (Super Input Output) chip of the computer motherboard, so as to save power.例文帳に追加

コンピューターマザーボードがACPI(Advanced Configuration and Power Interface)のS3状態などのメモリサスペンド(Suspend to memory)状態にある時、節電電子装置は、コンピューターマザーボードのサウスブリッジチップとSIO(Super Input Output)チップの電源を強制的に切断させ、こうして電力を節減する。 - 特許庁

A permanent magnet formed by binding magnetic powder by an SiO based material is provided to the surface of the rotor.例文帳に追加

ＳｉＯ系の材料によって磁性粉体を結着して成形した永久磁石を回転子の表面に設けた。 - 特許庁

The coat is reactively formed on the surface of the diamond abrasive grain by vaporizing silicon monoxide (SiO) powder in the vacuum.例文帳に追加

この被膜は、一酸化ケイ素（ＳｉＯ）粉末を真空中にて気化させ、ダイヤモンド砥粒の表面に反応被覆させる。 - 特許庁

The film forming material includes a SiN film 1 formed on a SiC substrate and a SiO film 2 formed on the SiN film 1 and both SiN film 1 and SiO film 2 are formed of single crystal materials formed by epitaxial growth.例文帳に追加

本発明の成膜体は、ＳｉＣ基板上にＳｉＮ膜１が形成され、ＳｉＮ膜１上にＳｉＯ膜２が形成されている成膜体であり、ＳｉＮ膜１とＳｉＯ膜２はいずれもエピタキシャル成長により形成された単結晶である。 - 特許庁

The SiO films 14, 16 are formed by heating a wafer at 350°C to 500°C, by using SiH_4 gas and CO_2 gas by a CVD method.例文帳に追加

ＳｉＯ膜１４，１６は、ＣＶＤ法によりＳｉＨ_4ガスとＣＯ_2ガスを用いて、ウェハを３５０℃〜５００℃に加熱して形成する。 - 特許庁