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「Sico」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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Sicoを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 16



例文

The insulating film may be SiCO or SiCN.例文帳に追加

前記絶縁膜は、SiCOまたはSiCNとすればよい。 - 特許庁

A SiCO film is formed so as to cover the SiCN film.例文帳に追加

SiCN膜を覆うように、SiCO膜が形成される。 - 特許庁

A SiCN film 3a, a SiCO film 3b, and a SiOC film 4a are provided, in this order, on the Cu film 2b, and the SiCO film 4a is an insulating film having a dielectric constant lower than those of the SiCN film 3a and the SiCO film 3b.例文帳に追加

Cu膜2bの上にはSiCN膜3a、SiCO膜3bおよびSiOC膜4aが順に設けられており、SiOC膜4aはSiCN膜3aおよびSiCO膜3bよりも低誘電率な絶縁膜である。 - 特許庁

A high-density film 3c, to which a high densification treatment is applied, is formed on the upper surface of the SiCO film 3b.例文帳に追加

SiCO膜3bの上面には、高密度化処理が施されて高密度膜3cが形成されている。 - 特許庁

例文

SICO-LI BASED COMPOSITE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AS WELL AS NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY例文帳に追加

SiCO−Li系複合体及びその製造方法並びに非水電解質二次電池用負極材 - 特許庁


例文

It is restrained for species of oxygen upon forming the SiCO film to enter deeply by the CFN film obtained by a nitriding processing.例文帳に追加

窒化処理により得られるCFN膜により、SiCO成膜時の酸素の活性種が奥深く侵入することが抑えられる。 - 特許庁

The process of forming SiCN film, the process of annealing, and the process of forming the SiCO film are carried out continuously.例文帳に追加

SiCN膜を形成する工程、アニールを施す工程およびSiCO膜を形成する工程は連続して行なわれる。 - 特許庁

When the SiCO film is deposited, a reaction of active species of oxygen with carbon in the CF film is suppressed and thus, the degassed amount of the CF film is reduced.例文帳に追加

SiCO膜の成膜時に、酸素の活性種がCF膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってCF膜の脱ガス量が低減する。 - 特許庁

The porous silicon carbide-based formed body whose pores are controlled is manufactured by forming a layer comprising SiCO on the surface of the silicon carbide-based porous formed body.例文帳に追加

炭化珪素系多孔質成形体の表面にSiCOからなる層を形成することにより、細孔を制御した炭化珪素系多孔質成形体を製造する。 - 特許庁

例文

When the SiCO film is used as the hard mask, a method includes: exposing the CF film for about 5-10 seconds in a plasma atmosphere activated with an organic compound of silicon, for example, trimethyl silane gas; next, adding nitrogen plasma to this plasma and depositing the SiCN film on the fluorine-added carbon film; and thereafter, depositing the SiCO film by the plasma activating trimethyl silane gas and oxygen gas.例文帳に追加

SiCO膜をハードマスクとして使用する場合に、CF膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば5〜10秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にSiCN膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりSiCO膜を成膜する。 - 特許庁

例文

The organic-containing ammonium salt has a concentration that accelerates TEOS removal and decreases removal of at least one coating selected from a group consisting of SiC, SiCN, Si_3N_4 and SiCO.例文帳に追加

上記有機含有アンモニウム塩は、TEOS除去を促進し、かつSiC、SiCN、Si_3N_4及びSiCOからなる群から選択される少なくとも1つのコーティングの除去を低減する濃度を有する。 - 特許庁

To provide large adhesion between a thin film being an SiCO film or an SiCN film for a hard mask and a fluorine-added carbon film when the thin film is deposited on the fluorine-added carbon film (CF film).例文帳に追加

フッ素添加カーボン膜(CF膜)上にハードマスク用の薄膜であるSiCO膜あるいはSiCN膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。 - 特許庁

It is thereby possible to absorb infrared rays on the short-wavelength side in an SiCO film, which have not been used efficiently by conventional thermal infrared detection elements, and to efficiently use infrared rays in the entire wavelength bands, and improve the sensitivity of the thermal infrared detection element.例文帳に追加

これにより、従来の熱型赤外線検出素子では有効に利用することができなかった短波長側の赤外線をSiCO膜で吸収して上記波長帯全般の赤外線を有効に利用し、熱型赤外線検出素子の感度を向上させることができる。 - 特許庁

The SiCO film for example is formed on a fluorine-added carbon film by subjecting a surface of the fluorine-added carbon film on a semiconductor wafer to a nitriding processing, by exposing the same to a plasma atmosphere obtained by making nitrogen gas plasma and then exposing the semiconductor wafer to plasma obtained by making triethylsilane gas and oxygen gas for example plasma.例文帳に追加

半導体ウエハ上のフッ素添加カーボン膜の表面部を、窒素ガスをプラズマ化して得られるプラズマ雰囲気に曝すことにより窒化処理し、次いで半導体ウエハを例えばトリメチルシランガス及び酸素ガスをプラズマ化して得られるプラズマに曝すことによりフッ素添加カーボン膜の上に例えばSiCO膜を成膜する。 - 特許庁

A barrier insulator film consists of an SiCN film SCN1 (4MS_) formed by lowering the flow rate of tetramethyl silane gas below normal conditions, an SiCN film SCN2 formed on the SiCN film SCN1 (4MS_) at a normal flow rate of tetramethyl silane gas, and an SiCO film SCO formed on the SiCN film SCN2.例文帳に追加

テトラメチルシランガスの流量を通常条件よりも下げて形成したSiCN膜SCN1(4MS↓)と、このSiCN膜SCN1(4MS↓)上に形成され、通常のテトラメチルシランガスの流量で形成したSiCN膜SCN2と、このSiCN膜SCN2上に形成されたSiCO膜SCOからバリア絶縁膜を構成する。 - 特許庁

例文

The semiconductor device includes a fluorine added carbon film 20 formed on a substrate 1; the hard mask layer formed on the fluorine added carbon film 20 and containing an SiCO film 23 and an SiO_2 film 24; and a barrier layer formed by laminating an SiN film 21 and an SiCN film 22, in this order, starting from beneath between the fluorine added carbon film 20 and the hard mask layer.例文帳に追加

基板1上に形成されたフッ素添加カーボン膜20と、このフッ素添加カーボン膜20の上に形成され、SiCO膜23とSiO_2膜24とを含むハードマスク層と、前記フッ素添加カーボン膜20とハードマスク層との間に、SiN膜21とSiCN膜22とを下からこの順序で積層して形成されたバリア層と、を備える。 - 特許庁




  
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