Tr.を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2190件
The base voltage of the bipolar TR 110 is applied from a base bias circuit 120.例文帳に追加
バイポーラトランジスタ110のベース電圧は、ベースバイアス回路120から印加される。 - 特許庁
A transistor Tr is formed in the surface region of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加
トランジスタTrは半導体基板11の表面領域に形成されている。 - 特許庁
OTC derivative contracts should be reported to trade repositories (TRs). 例文帳に追加
店頭デリバティブ契約は,取引情報蓄積機関(TR)に報告されるべきである。 - 財務省
The ROM cell transistor Tr is provided in a region on the surface of a substrate.例文帳に追加
ROMセルトランジスタTrは、基板表面の領域に設けられている。 - 特許庁
The semiconductor device includes a bottom gate and bottom contact type organic thin film transistor Tr.例文帳に追加
ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタTrを有するものである。 - 特許庁
To provide a high-frequency oscillation circuit of a differential form with a configuration, where positive feedback is respectively applied between a collector terminal of one transistor(TR) and a base terminal of the other TR and between the collector terminal of the other TR and a base terminal of the one TR in the differential pair TR configuration, that can reduce intermodulation distorting components between harmonics, without losing oscillation performance.例文帳に追加
本発明は、差動対を構成する、一方のトランジスタのコレクタ端子と他方のトランジスタのベース端子との間、および、他方のトランジスタのコレクタ端子と一方のトランジスタのベース端子との間にそれぞれ正帰還をかける構成の差動形の高周波発振回路において、発振性能を損うことなく、高調波成分どうしの相互変調歪み成分を低減できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁
An output stage power amplification transistor(TR) 1-8 receives a signal to which distortion is given in the amplitude of an input signal by using a TR manufactured by the same semiconductor process as that for at least the power amplification TR.例文帳に追加
少なくとも一つの電力増幅用トランジスタと同じ半導体プロセスにて形成されたトランジスタを用いて入力信号の振幅に歪みを与えた信号を、出力段の電力増幅用トランジスタに入力するように構成される。 - 特許庁
In this case, a sense MOS TR 18 is subjected to OFF control at the same time, a level of a drain of the sense MOS TR 18 is pulled up, an output of a 2-input NAND circuit 11 goes to an 'L' level to apply ON control to an output MOS TR 5.例文帳に追加
このときセンスMOSトランジスタ18も同時にOFF制御され、センスMOSトランジスタ18のドレインの電位はプルアップされ、2入力NAND回路11の出力は“L”レベルになり、出力MOSトランジスタ5はON制御される。 - 特許庁
In this case, a sense MOS TR 16 is subjected to OFF control at the same time, a level of a drain of the sense MOS TR 16 is pulled down, an output of a 2-input NOR circuit 12 goes to an 'H' level to apply ON control to an output MOS TR 6.例文帳に追加
このときセンスMOSトランジスタ16も同時にOFF制御され、センスMOSトランジスタ16のドレインの電位はプルダウンされ、2入力NOR回路12の出力は“H”レベルになり、出力MOSトランジスタ6はON制御される。 - 特許庁
Accordingly, the fire alarm for notifying in conjunction with all the fire alarm devices TR can be alternatively selected, whether it is stopped in all of the fire alarm devices TR including the fire source or is stopped in all of the other fire alarm devices TR, except for the fire source.例文帳に追加
故に、全ての火災警報器TRが連動して報知する火災警報を、火元を含む全ての火災警報器TRで停止するか、火元を除く他の全ての火災警報器TRで停止するかを択一的に選択することができる。 - 特許庁
Accordingly, the fire alarm to be notified, in conjunction with all fire alarm devices TR can be alternatively selected, whether it is stopped by all the fire alarm devices TR including the fire source or it is stopped by all of the other fire alarm devices TR, except for the fire source.例文帳に追加
故に、全ての火災警報器TRが連動して報知する火災警報を、火元を含む全ての火災警報器TRで停止するか、火元を除く他の全ての火災警報器TRで停止するかを択一的に選択することができる。 - 特許庁
A power transistor(TR) T11 amplifies a voltage drop produced by flowing of a current through the TR T11 to generate a 1st voltage V15, and dividing a voltage at a power supply connection terminal of the power TR T11 generates a 2nd voltage V14.例文帳に追加
パワートランジスタT11に電流が流れることにより発生する電圧降下量を増幅して第1の電圧V15を生成し、パワートランジスタT11の電源側の接続端子の電圧を分圧して、第2の電圧V14を生成する。 - 特許庁
A transistor(TR) 31 amplifies an electric signal produced in a sensor section 11a when a user wears the headphone 10 and the TR 31, a resistor 32 and a capacitor 33 or the like are used to convert the signal into a signal with a DC level to drive a TR 35.例文帳に追加
ヘッドホン10が装着されたときにセンサ部11aに生じた電気信号をトランジスタ31で増幅すると共に、トランジスタ31、抵抗器32、コンデンサ33等によって直流レベルの信号に変換してトランジスタ35を駆動する。 - 特許庁
To manufacture a memory cell and a transistor(Tr) of the peripheral circuit of the memory cell in parallel without forming an MOS structure on the surface opposed to an element separation region 107 in the element region of the Tr, with no increase in the pattern area of the Tr.例文帳に追加
メモリセルの周辺回路のトランジスタ(Tr)のパターン面積を増大させずに、このTrの素子領域の素子分離領域107と対向する面にMOS構造を形成させること無く、メモリセルとこのTrを並行して製造する。 - 特許庁
Each pixel Px has a transmissive region Tr to display in a transmissive mode.例文帳に追加
各絵素Pxは透過モードで表示を行う透過領域Trを有している。 - 特許庁
As the temperature rises, the base-emitter voltage of the TR Qp31 drops.例文帳に追加
温度が上昇すると、トランジスタQp31のベース−エミッタ間電圧が低下する。 - 特許庁
Then the connection switch TR 23 is turned off at a head of a reset level at reading to be capable of initializing the reset level capacitor 31 to a channel potential of an amplifier TR 12.例文帳に追加
すなわち、リセットレベルの読み出し時の先頭で接続スイッチTr23をオフすることにより、リセットレベル用キャパシタ31を増幅Tr12のチャネルポテンシャルに初期化できる。 - 特許庁
In addition, the light shielding film is used as the gate electrode of an amplifier TR 212 by extending the film and the potential fluctuation of the FD 216 is transmitted to the gate of the amplifier Tr 212.例文帳に追加
また、この遮光膜を延長して増幅Tr212のゲート電極として用い、FD216の電位変動を増幅Tr212のゲートに伝える。 - 特許庁
The switch SW1 supplies the charging energy of the capacitor C1 for charging to the base terminal B of the transistor TR at the time of the conducting of the transistor TR by the control circuit 3.例文帳に追加
スイッチSW1は制御回路3によるトランジスタTrの導通時に充電用コンデンサC1の充電エネルギをトランジスタTrのベース端子Bに供給する。 - 特許庁
The complementary digital filter 44 has a complementary characteristic (1-TR (f)) to a filter characteristic TR (f) to suppress an undesired frequency component included in a digital output SO.例文帳に追加
相補デジタルフィルタ44はデジタル出力SOに含まれる不要な周波数成分を抑圧するためのフィルタ特性TR(f)と相補的な特性(1−TR(f))を有する。 - 特許庁
Each of personal computers TR other than the personal computer TR1 transfers transmitted or transferred data DTK for checking to the other neighboring personal computer TR.例文帳に追加
パーソナルコンピュータTR1以外の各パーソナルコンピュータTRは、送信されまたは転送されてきた検査用データDTKを、隣の他のパーソナルコンピュータTRへ転送する。 - 特許庁
Thus image display is made possible in a pixel 75f by the transmission light Tr.例文帳に追加
したがって、画素75fでは、透過光Trによって画像表示が可能となる。 - 特許庁
Further, a transistor(TR) 4 has its drain and gate connected to the resistance 3.例文帳に追加
また、抵抗3にドレイン及びゲートが接続されたトランジスタ4が設けられている。 - 特許庁
A main current path of a 3rd TR 213 of the same conductivity type and whose gate is connected to the 1st signal line 301 is connected to a gate of the 1st TR 211.例文帳に追加
第1のトランジスタ211のゲートには、同じ導電型でゲートが第1の信号ライン301に接続された第3のトランジスタ213の主電流路を接続する。 - 特許庁
The output TR section 10 consists of PMOS 11, 13 and NMOS 12, 14.例文帳に追加
出力トランジスタ部10は、PMOS11,13と、NMOS12,14とで構成する。 - 特許庁
After the MOS TR T5 is turned off, and once a voltage of a connection node (a) is reset, a pulse signal ϕV is given to a MOS TR T4, from which an output is obtained.例文帳に追加
そして、MOSトランジスタT5をOFFにした後、接続ノードaの電圧を一旦リセットした後、パルス信号φVをMOSトランジスタT4に与えて出力を得る。 - 特許庁
One type of a MOS transistor is formed within the region of a thin film Tr, and the other type of the MOS transistor is formed within the region of a thick film Tr.例文帳に追加
一方の種類のMOSトランジスタは、薄膜Tr領域内に形成され、他方の種類のMOSトランジスタは、厚膜Tr領域内に形成される。 - 特許庁
To reduce an area of a switching transistor(TR) occupied in a modulation circuit by using the switching TR with a small rated current so as to realize a large current load for an antenna coil.例文帳に追加
定格電流の小さいスイッチングトランジスタで、アンテナコイルに対して大きな電流負荷を実現し、該スイッチングトランジスタの変調回路に占める面積を小さくする。 - 特許庁
A control signal /S(0,0) is applied to a gate of the PMOS TR T13 and an inverse of the control signal /S(0,0) is applied to a gate of the NMOS TR T14.例文帳に追加
PMOSトランジスタT13のゲートには制御信号/S(0,0)が、NMOSトランジスタT14のゲートには制御信号/S(0,0)の反転信号が接続される。 - 特許庁
The amplifier circuit 5 amplifies further the signal V1 and the amplified signal as the signal with a higher amplitude is outputted from a connecting point between the 2nd load TR MP2 and the 2nd input TR MN2.例文帳に追加
信号V1は、増幅回路5で更に増幅され、高振幅信号として第2負荷トランジスタMP2と第2入力トランジスタMN2との接続点から出力される。 - 特許庁
The circumferential groove 30 includes a recess 130 recessed inwardly in a tire radial direction tr and a protrusion 230 protruding outwardly of the recess 130 in the tire radial direction tr.例文帳に追加
周方向溝部30は、タイヤ径方向tr内側に凹んだ凹部130と、凹部130よりもタイヤ径方向tr外側に隆起した凸部230とを有する。 - 特許庁
The oscillation circuit 2 is provided with a transistor(TR) Q1, an inductor L3 and capacitors C4-C7.例文帳に追加
発振回路2は、トランジスタQ1、インダクタL3及びコンデンサC4〜C7を備える。 - 特許庁
Further, the connection switch TR 23 is turned off at a head of a signal level at reading to be capable of initializing the signal level capacitor 32 to a channel potential of the amplifier TR 12.例文帳に追加
また、信号レベルの読み出し時の先頭で接続スイッチTr23をオフすることにより、信号レベル用キャパシタ32を増幅Tr12のチャネルポテンシャルに初期化できる。 - 特許庁
A searching value Ts of motor torque Tr is set in accordance with the opening of an accelerator Ac.例文帳に追加
アクセル開度Acに応じてモータトルクTrの検索値Tsを設定する。 - 特許庁
To provide a magnetic resonance imaging apparatus that obtains a plurality of images of the same subject within a short time; the images include various different parameters such as TR and TE.例文帳に追加
同一の被検体についてTRやTE等のパラメータ値が異なる複数の画像をより短時間で取得することが可能な磁気共鳴イメージング装置を提供することである。 - 特許庁
Thus, a transistor TR is turned on and a light emitting diode LED1 is lit on.例文帳に追加
これによりトランジスタTRがオンフになり、発光ダイオードLED1が点灯する。 - 特許庁
The integrated circuit 10 is provided with a circuit part C, a heat transmission sheet TR arranged on the circuit part C and a heat radiation plate RD arranged on the heat transmission sheet TR.例文帳に追加
集積回路10は、回路部Cと、回路部C上に配置された熱伝シートTRと、熱伝シートTR上に配置された放熱板RDと、を有している。 - 特許庁
TRs Q3, Q4 configure a current mirror, an emitter of the TR Q3 is connected to the node ND1, and an emitter of the TR Q4 is connected to ground via a resistive reception R3.例文帳に追加
トランジスタQ3とQ4によりカレントミラーを構成し、トランジスタQ3のエミッタはノードND1に接続し、トランジスタQ4のエミッタは抵抗素子R3を介して接地する。 - 特許庁
The mirror TR 32 reflects the bias current IBIAS to limit pull-up drive of the mirror TR 32 in the case of pulling up the output signal (CLPBDATA).例文帳に追加
出力(CLPBDATA)をプル・アップする際にミラー・トランジスタ32のプル・アップ駆動を制限するために、バイアス電流I_BIASはミラー・トランジスタ32によって鏡映される。 - 特許庁
Then, the transistor Tr is turned off to break the power to the Hall element 14.例文帳に追加
そして、トランジスタTrもオフとなってホール素子14への電源が遮断される。 - 特許庁
Further, the current driving force of the P-channel MOS TR 6 is set about 1/10 time as large as that of an N-channel MOS TR 10 for discharging the node N6.例文帳に追加
また、PチャネルMOSトランジスタ6の電流駆動力をノードN6を放電するためのNチャネルMOSトランジスタ10の電流駆動力の1/10程度にする。 - 特許庁
A control terminal 2 inputting an address signal for ON/OFF control over the switching TR 6 is connected to the gate of the switching TR 6.例文帳に追加
そして、スイッチ用トランジスタ6のゲートには、スイッチ用トランジスタ6の導通/遮断の制御を行うためのアドレス信号が入力される制御端子2が接続されている。 - 特許庁
In the case that the operation contents are the drive control of a motor-driven blower 21, the control means 22 phase-controls a triac Tr and performs the drive control by the commercial AC power E.例文帳に追加
操作内容が電動送風機21の駆動制御の場合、本体制御手段22はトライアックTrを位相制御し商用交流電源Eで駆動制御する。 - 特許庁
When the terminal resistor TR is required for the CAN communication line, a holder 60 which holds the terminal resistor TR is installed in the joint connectors JCH, JCL.例文帳に追加
CAN通信ラインに終端抵抗TRが必要な場合には、これらジョイントコネクタJCH、JCLに、終端抵抗TRを保持したホルダ60を装着する。 - 特許庁
The light emitting drive circuit DC includes a double-gate type transistor Tr 11 being a selecting transistor, a thin film transistor Tr 12 being a driving transistor, and a capacitor Cs.例文帳に追加
発光駆動回路DCは、選択トランジスタであるダブルゲート型のトランジスタTr11と、駆動トランジスタである薄膜トランジスタTr12と、キャパシタCsと、を備えている。 - 特許庁
When the voltage of the Vin exceeds the Vb, the 2nd MOS TR M2 is turned off, the 5th TR M5 turns on, and the 1st and 6th TRs M1 and M6 are still kept on.例文帳に追加
Vinの電圧がVbを超える場合、第2のトランジスタM2はオフし、第5のトランジスタM5はオンし、第1と第6のトランジスタM1とM6はオンのままである。 - 特許庁
Then TRs P101 (or P102) and P105 (or P106) connected in series are interposed in parallel with the TR P101 (or P102) between the power terminal and the drain of the TR N101 (N102).例文帳に追加
そして、トランジスタP101(またはP102)と並列に、直列に接続したトランジスタP103(またはP104)及びP105(またはP106)が電源端子とトランジスタN101(またはN102)のドレインとの間に介挿されている。 - 特許庁
The peripheral NMOS Tr 52 region and the peripheral PMOS Tr 53 region are provided via a gate oxide film 3 on the semiconductor substrate 1 of this peripheral region, and these are coated with a first interlayer insulating film 11.例文帳に追加
この周辺領域の半導体基板1上には、ゲート酸化膜3を介して周辺NMOSTr52と周辺PMOSTr53とが設けられ、これらは第1の層間絶縁膜11で覆われている。 - 特許庁
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