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「Tr.」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索
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Tr.を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2190



例文

In comparison with a standard release time tr, t4<tr is achieved, so as to reach tolerance limit temperature Tx before the standard release time.例文帳に追加

標準復旧時間trと比較するとt4<trであるから、標準復旧時間以前に許容限界温度Txに達してしまうことになる。 - 特許庁

Through the reduction in the threshold voltage of the TR, a transition speed of the TR Q1 reaching an inactive state is increased in response to the input control signal.例文帳に追加

トランジスタの閾値電圧の低減によって、入力制御信号に応答して第1のトランジスタQ1が非活動状態になる遷移速度が増加する。 - 特許庁

A drain of a transistor TR 5 is connected to the gate of the transistor TR 1, a source is connected to the low level Vss, and a gate is connected to the input node C.例文帳に追加

トランジスタTr5は、ドレインがトランジスタTr1のゲートに接続し、ソースが低電位Vssに接続し、ゲートが入力ノードCに接続している。 - 特許庁

A film thickness (tR) of the red phosphorescent light emitting layer 4 and a film thickness (tG) of the green phosphorescent light emitting layer 5 satisfy a relation of 5×(tR)≤(tG).例文帳に追加

前記赤色リン光発光層4の膜厚(tR)と前記緑色リン光発光層5の膜厚(tG)とが5×(tR)≦(tG)の関係にある。 - 特許庁

例文

A PMOS transistor (TR) T11 and an NMOS TR T12 of a buffer section of a selection switch section SW 11 are connected and led to an output terminal N100.例文帳に追加

選択スイッチ部SW11のバッファ部は、PMOSトランジスタT11とNMOSトランジスタT12とを接続して出力端子N100とする。 - 特許庁


例文

Thus, the current flowing to the TR Q4 depends on the hfe and similarly, the current flowing to the TR Q3 has dependence on its hfe.例文帳に追加

従って、トランジスタQ4に流れる電流はhfeに依存し、同様にして、トランジスタQ3に流れる電流もhfe依存性を有することになる。 - 特許庁

The back gate of the TR P4 is connected to a back gate voltage control circuit 31.例文帳に追加

P4のバックゲートはバックゲート電圧制御回路31に接続されている。 - 特許庁

To provide an oscillator that can reduce the number of electronic components on a current path of an oscillation transistor(TR) and a buffer amplifier TR through which a current flows.例文帳に追加

発振用トランジスタおよび緩衝増幅用トランジスタを流れる電流経路上の電子部品素子の数を減らすことができる発振器を提供する。 - 特許庁

A MOS transistor(TR) 3 has its gate connected to the output terminal of the inverter 1 and a MOS TR 4 has its gate connected to the output terminal of the inverter 2.例文帳に追加

MOSトランジスタ3はゲートがインバータ1の出力端子と接続されMOSトランジスタ4はゲートがインバータ2の出力端子と接続されている。 - 特許庁

例文

To improve power efficiency of the power amplifier circuit in a wireless communication device which has a mode where an output transistor (TR) operates being saturated and a mode where the output TR makes linear operation.例文帳に追加

出力トランジスタが飽和動作するモードと線形動作するモードを備えた無線通信機用の電力増幅回路の電力効率を向上させる。 - 特許庁

例文

A correction current generating means 11 generates a correction current ic, to correct a current (i) drawn to a base B of a transistor(TR) Q, when the TR Q is conductive.例文帳に追加

補正電流生成手段11は、トランジスタQのオン時に、トランジスタQのベースBに引き込まれる電流iを補正する補正電流icを生成する。 - 特許庁

A TR M11 whose gate electrode level is fixed discharges the charge stored in the capacitor C1.例文帳に追加

容量C1の放電はゲート電極を固定したM11で行う。 - 特許庁

First and second inductive steering circuits are respectively inserted between the first logic gate and the first TR switch and between the second logic gate and the second TR switch.例文帳に追加

第1と第2の誘導性操作回路は、第1の論理ゲートと第1のトランジスタスイッチ間及び第2の論理ゲートと第2のトランジスタスイッチ間に挿入される。 - 特許庁

Thereby, the secondary side of the transformer Tr is opened and a voltage is generated across primary-side terminals of the transformer Tr in a direction for negating remaining magnetic flux.例文帳に追加

これにより、トランスTrの2次側が開放され、トランスTrの1次側の端子には、残っている磁束を打ち消す方向に電圧が発生する。 - 特許庁

To surely prevent a through-current at application of power by adding a P-channel transistor(TR) in series to an output TR circuit.例文帳に追加

出力トランジスタ回路に直列にPチャネルトランジスタを追加することで、電源投入時の貫通電流を確実に防止することができるようにする。 - 特許庁

To more properly prevent an output transistor(TR) from being destroyed, resulting from an excess current which flows into the TR on the occurrence of abnormity such as an in-tube discharge of a cathode-ray tube.例文帳に追加

ブラウン管の管内放電等の異常動作時において、出力トランジスタ2に過大な電流が流れ、破壊されるのをより好適に防止すること。 - 特許庁

A common use of tr is to convert lowercase characters to uppercase. 例文帳に追加

の良くある使い方としては、英小文字の大文字への変換があげられる。 - JM

Then, torque (reaction force reduction torque) Td for reducing the reaction force torque Tr by the reaction force reduction actuator 2 is calculated based on the reaction force torque Tr.例文帳に追加

そして、反力トルクTrに基づき、反力低減アクチュエータ2により反力トルクTrを低減させるトルク(反力低減トルク)Tdを算出する。 - 特許庁

Even when TR is varied due to the fluctuation of heartbeats in electrocardiogram synchronization photographing, signal variation between images is detected precisely and is imaged (107).例文帳に追加

心電同期撮影において心拍のゆらぎによりTRが変動した場合にも、高精度で画像間の信号変化を検出し、画像化することができる。 - 特許庁

Accordingly, the rise in the source potential reduces a gate-source voltage Vgs of the transistor Tr to turn off the transistor Tr and reduce the drain current.例文帳に追加

従って、ソース電位が上昇すると、トランジスタTrのゲート−ソース間電圧Vgsが低下し、トランジスタTrはオフして、ドレイン電流が減少する。 - 特許庁

The drain of the mirror TR 32 receives an input signal (BDATA) and the source of the mirror TR 32 provides an output signal (CLPBDATA).例文帳に追加

入力信号(BDATA)がミラー・トランジスタ32のドレインにおいて受取られ、ミラー・トランジスタ32のソースで出力信号(CLPBDATA)が生ずる。 - 特許庁

A reset voltage is written in each pixel electrode during a reset period Tr.例文帳に追加

リセット期間Trにあっては、各画素電極にリセット電圧を書き込む。 - 特許庁

Namely, a gate insulating film of the second transistor Tr 2 is reverse biased.例文帳に追加

すなわち、第2トランジスタTr2のゲート絶縁膜には逆バイアスがかかる。 - 特許庁

A current limit TR 26 is connected in series to the emitter terminal of the bias supply TR 22 to bypass a current in response to the control input voltage.例文帳に追加

バイアス供給用トランジスタ22のエミッタ端子に電流制限用トランジスタ26を直列に接続し、制御入力電圧に応じた電流をバイパスさせる。 - 特許庁

In case of TrTf, floor heating is put in an OFF state (step S105), and in case of Tr<Tf, floor heating is put in an ON state (step S104).例文帳に追加

Tr≧Tfのときは床暖房はOFF状態となり(ステップS105)、Tr<Tfのときは床暖房はON状態となる(ステップS104)。 - 特許庁

In this case, when a voltage of an audio input B is higher than Vcc/2, a TR Q1 of the amplifier 3 is operated and a current in response to the voltage flows through a power supply Vcc, the TR Q1, a speaker 4, a TR Q4 and ground.例文帳に追加

この場合にオーディオ入力Bの電圧がVCC/2より大きければ増巾器3のトランジスタQ1が動作し、この電圧に応じた電流が電源VCC、トランジスタQ1、スピーカ4、トランジスタQ4、グランドへと流れる。 - 特許庁

In order to apply offset voltage to an N channel type switching TR, an input signal of low amplitude is directly inputted to the gate of the switching TR and an output from the source-follower circuit is inputted to the source of the switching TR.例文帳に追加

ここでNチャネル型スイッチングトランジスタにオフセット電圧を付加するために、低振幅入力信号を直接スイッチングトランジスタのゲ−トに入力し、ソ−スフォロワ回路の出力をスイッチングトランジスタのソ−スに入力する。 - 特許庁

Therefore, when the preparation of the schedule within the reference time TR fails, the reference time TR is gradually extended, and when the preparation of the schedule is completed in a short time, processing is started after the short reference time TR.例文帳に追加

したがって、基準時間T_R内におけるスケジュールに失敗する場合には基準時間T_Rが徐々に延長される一方、短時間でスケジュールが完了した場合には短い基準時間T_R後に処理が開始される。 - 特許庁

When a vehicle is powering (YES at S100), a transistor TR (0) is sustained in a nonconducting state and switching between conducting state and nonconducting state of transistors TR (1) and TR (2) is performed in the same phase (S200).例文帳に追加

車両が力行している場合(S100にてYES)、トランジスタTR(0)を非通電状態に維持し、トランジスタTR(1)およびトランジスタTR(2)の通電状態と非通電状態との切換を同位相で行なう(S200)。 - 特許庁

When a differential transistor(TR) Q11 is conductive, the voltage at a point A being the base of a differential TR Q12 reaches a voltage of V1-R11*I12, and when a differential TR Q11 is conductive, the voltage at the point A reaches a voltage of V1-R11*(I11+I12).例文帳に追加

差動トランジスタQ11がオンの際に、差動トランジスタQ12のベースであるA点電圧は、V1−R11*I12となり、差動トランジスタQ11がオンのときA点電圧は、V1−R11*(I11+I12)になる。 - 特許庁

In the case of allowing each pixel to execute reset operation, the signal ϕVPS to be applied to the MOS TR T1 is set up as 2nd voltage, the MOS TR T3 is turned on and a constant current is allowed to flow from a constant current source 9 into the MOS TR T1.例文帳に追加

各画素がリセット動作を行う際、MOSトランジスタT1に与える信号φVPSを第2電圧にするとともにMOSトランジスタT3をONにしてMOSトランジスタT1に定電流源9から定電流を流す。 - 特許庁

To make a time until a pull-down side NMOS transistor(TR) starts its conduction nearly equal to a time until the pull-down side NMOS TR stops its conduction by activating an output stage TR in immediate response to a change in the potential level of a node of a drive signal source.例文帳に追加

駆動信号源ノードの電位の変化に即応して出力段トランジスタを動作させ、プルダウン側のNMOSトランジスタがオンし始めるまでの時間とプルダウン側のNMOSトランジスタがオフし始めるまでの時間をほぼ等しくする。 - 特許庁

The control TR 21a is connected in parallel with an emitter bias resistor 9 and when the level of the oscillated signal is increased, the collector current of the oscillation TR 1 is decreased to decrease a current amplification factor of the oscillation TR 1.例文帳に追加

制御トランジスタ21aは、エミッタバイアス抵抗9と並列に接続されており、発振信号のレベルが大きくなったときには、発振トランジスタ1のコレクタ電流を減少させ、発振トランジスタ1の電流増幅率を減少させる。 - 特許庁

The drain electrode of a transistor(TR) MP1 is connected to the gate electrode and drain electrode of an MN2, the source electrode and gate electrode of the TR MP1 are connected to a source voltage VDD, and the source electrode of the TR MN2 is grounded.例文帳に追加

トランジスタMP1のドレイン電極とMN2のゲート電極及びドレイン電極を接続し、トランジスタMP1のソース電極及びゲート電極を電源電圧V_DDに接続し、トランジスタMN2のソース電極を接地電位に接続している。 - 特許庁

Then collector current Ic of the input TR is decreased by decreasing a base voltage of the output TR 33 in response to a gain control signal to reduce the gain of the amplifier and to operate the shunt TR 70 like a shunt.例文帳に追加

出力トランジスタ33のベース電圧をゲイン制御信号に応じて下げることにより、入力トランジスタのコレクタ電流Icを減じて、アンプのゲインを低下せしめると同時に、シャント用トランジスタ70をシャント動作させる。 - 特許庁

Also, a current level conversion circuit 40 is composed of a second driver TR Trd and a current supply second TR Trc having a gain factor greater by a factor of k than the gain factor of the second driver TR Trd.例文帳に追加

また、第2駆動用トランジスタTrdと、前記第2駆動用トランジスタTrdの利得係数よりk倍大きい利得係数を有する第2電流供給用トランジスタTrcとで電流レベル変換回路40を構成した。 - 特許庁

Glitches caused by a parasitic capacitance of a transistor(TR) included in a selection means used to select a current source among current sources cancels effectively a glitch caused by that of the TR of the same conduction type as that of a TR.例文帳に追加

複数の電流源から電流源を選択する選択手段に含まれるトランジスタの寄生容量から生じるグリッチを、該トランジスタと同じ導電型のトランジスタの寄生容量から生じるグリッチで効果的に打ち消す。 - 特許庁

Furthermore, a collector of a 2nd NPN TR Q2 and the other terminal of the 1st resistor R1 are connected to a power supply terminal 1, and an emitter of the 2nd NPN TR Q2 is connected to a drain of a 3rd N-channel TR Q3.例文帳に追加

また、第2のNPN型トランジスタQ2のコレクタと第1の抵抗R1の他端を電源端子1に接続し、第2のNPN型トランジスタQ2のエミッタと第3のNch型トランジスタQ3のドレインを接続する。 - 特許庁

Measuring lines 8-1, 8-2...8-n on which sample contacts tr-1, tr-2...tr-n operated in association with the relay contacts r-1, r-2...r-n in the contact input signal processing circuits 7-1, 7-2...7-n are provided are connected in parallel to a measuring power line 10.例文帳に追加

接点入力信号処理回路7_1 ,7_2 …7_n のリレー接点r_1 ,r_2 …r_n と連動して動作する供試接点tr_1 ,tr_2 …tr_n を設けた測定用ライン8_1 ,8_2 …8_n を、測定用電源ライン10に並列接続する。 - 特許庁

In the case of allowing each pixel to execute image pickup operation, a signal ϕVPS to be applied to the source of a MOS transistor(TR) T1 is set up as 1st voltage, a MOS TR T3 is turned off and the MOS TR T1 is driven in a subthreshold area.例文帳に追加

各画素が撮像動作を行う際、MOSトランジスタT1のソースに与える信号φVPSを第1電圧にするとともにMOSトランジスタT3をOFFにして、MOSトランジスタT1をサブスレッショルド領域で動作させる。 - 特許庁

A current level final conversion circuit 30 is composed of a first driver transistor (TR) Qd and a first current supply TR Qc having a gain factor greater by a factor of k than the gain factor of the first driver TR Qdg.例文帳に追加

第1駆動用トランジスタQdと、前記第1駆動用トランジスタQdの利得係数よりk倍大きい利得係数を有する第1電流供給用トランジスタQcとで電流レベル最終変換回路30を構成した。 - 特許庁

An overvoltage detection protective circuit 6 serving, as the protective circuit of the output transistor Tr turns off the output transistor Tr for an overvoltage applied to a drain D while monitoring the drain voltage V_D of the output transistor Tr.例文帳に追加

出力トランジスタTrの保護回路として、出力トランジスタTrのドレイン電圧V_Dを監視し、ドレインDに過電圧が印加されたときに出力トランジスタTrをOFFにする過電圧検出保護回路6を用いる。 - 特許庁

A MOS transistor(TR), M101 and a MOS TR M102 configure a current mirror circuit and the drain-source resistance of the MOS TR M102 is changed so that the current i101 is equal to the current i102.例文帳に追加

MOS型トランジスタM101およびMOS型トランジスタM102はカレントミラー回路を構成しており、電流i101と電流i102が等しくなるようにMOS型トランジスタM102のドレイン−ソース抵抗が変化する。 - 特許庁

This invention also includes a 1st active element T3 that is placed between a bias terminal of the 1st TR T1 and a transmission terminal of the 2nd TR T2 and a 2nd active element T4 that is placed between a bias terminal of the 2nd TR T2 and a transmission terminal of the 1st TR T1.例文帳に追加

本発明によれば、このような回路はさらに、第一のトランジスタT1及び第二のトランジスタT2のそれぞれのバイアス及び伝達端子間に配置された第一の能動素子T3と、第二のトランジスタT2及び第一のトランジスタT1のそれぞれのバイアス及び伝達端子間に配置された第二の能動素子T4とを含む。 - 特許庁

In the case that the current drive capability of a TR 11 is small, since a low level of an output section 5 is increased to increase a low level given to a gate of a TR 19, the TR 19 is conductive more strongly and TRs 19, 20 correct the deficiency of the current flowing through the TR 11.例文帳に追加

トランジスタ11の電流駆動能力が小さい場合には、出力部5のローレベルが上がってしまうことによって、トランジスタ19のゲートに入力されるローレベルも上がり、トランジスタ19がより強くONし、トランジスタ19,20によってトランジスタ11を介して流れる電流の不足分を補正する。 - 特許庁

A TR turned ON/OFF by an output of an inverter 14 is a TR T14 remoter from the ground terminal 6 in TRs 14, 15 connected in series between an output terminal 2 and the ground terminal 6 and a TR whose gate is connected to a reference voltage input terminal 4 is the TR 15 connected to the ground terminal 6.例文帳に追加

出力端子2と接地端子6との間に直列接続されるトランジスタT14とT15の内、インバータI4の出力によりオン/オフするトランジスタを接地端子6から遠い側のT14とし、基準電圧入力端子4がゲートに接続されるトランジスタを接地端子6の側のT15とする。 - 特許庁

When a trailing part of a pulse signal T is given to a base of the 2nd TR 4, the 2nd TR 4 is nonconductive and a voltage having been charged in the capacitor 14 is discharged in a direction from a base of the 3rd TR 11 to its emitter, a 2nd resistor 3 and the capacitor 14, and the 3rd TR 11 is conductive.例文帳に追加

第2のトランジスタ4のベースにパルス信号Tの立ち下がりが入力すると、第2のトランジスタ4がOFFし、コンデンサ14に充電されていた電圧は、第3のトランジスタ11のベースからエミッタ、第2の抵抗3、コンデンサ14の方向に放電を行い、第3のトランジスタ11がONする。 - 特許庁

The body voltage control means 102 includes a 1st transistor(TR) Q1 with a terminal 1-8 for electric coupling with a logic circuit and the TR Q1 has a body connecting point 112 connected electrically to the input control signal SL1 to reduce a threshold voltage of the TR Q1 when the TR Q1 is active.例文帳に追加

ボディ電圧制御段は、論理回路に電気的に結合するための端子108を備えた第1のトランジスタQ1を含み、トランジスタQ1は、トランジスタQ1が活動状態になるときにトランジスタQ1の閾値電圧が低減されるように入力制御信号SL1に電気的に結合されるボディ接点112を有する。 - 特許庁

An embedded conductive film BC is so formed as to fill the groove TR.例文帳に追加

TR内を埋め込むように埋め込み導電膜BCが形成される。 - 特許庁

例文

When the external trigger TR is inputted, the variable b/(aQc) begins to vary.例文帳に追加

外部トリガTRが入力されると変数b/(aQc)の変化が開始される。 - 特許庁




  
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