「The ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

An ion generating section 10 releasing the ion is attached to a dial surface 2, a dial back-surface 5, and the buckle 6.例文帳に追加

イオンが放出されるイオン発生部１０は、文字盤表面２、文字盤裏面５およびバックル６に取り付けられている。 - 特許庁

A specimen was milled by the focused ion beam method. 例文帳に追加

試料は集束イオンビーム法によって平削り(ミリング)された。 - 科学技術論文動詞集

To provide an electrode group for lithium ion capacitor capable of preventing short-circuit between a positive electrode plate and a negative electrode plate, and to provide a manufacturing method of the electrode group for lithium ion capacitor, and the lithium ion capacitor.例文帳に追加

正極板と負極板との間の短絡を防止できるリチウムイオンキャパシタ用電極群、その製造方法並びにリチウムイオンキャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide a negative ion spray capable of easily coating a desired part with a negative ion generating substance and preventing a skin from being stained even when the skin is brought into contact with a coated surface with the negative ion generating substance.例文帳に追加

所望の個所にマイナスイオン発生物質を簡単に塗着できるようにし、しかも、肌がこのマイナスイオン発生物質の塗着面に触れても汚れないようにする。 - 特許庁

To provide an ion selective separator capable of efficiently obtaining separated solutions each having an ion composition different from the other(s), from an ion mixture solution at a low cost with low energy consumption and also to provide a fluid separation process using the separator.例文帳に追加

イオン混合溶液から、少ないエネルギーかつ安価に効率的にイオン組成の異なる溶液を得ることができる装置および分離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative electrode plate for a lithium ion secondary battery excellent in discharge rate characteristics, the lithium ion secondary battery, a battery pack, and a method of manufacturing the lithium ion secondary battery.例文帳に追加

放電レート特性に優れたリチウムイオン二次電池用負極板、リチウムイオン二次電池、及び電池パック、並びにリチウムイオン二次電池の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, mechanical vibration of the refrigerator propagated to the gas field ionization ion source is reduced, and an ion source brightness is enhanced compatibly as well as to enhance ion beam convergence performance.例文帳に追加

本発明により、ガス電界電離イオン源に伝播する冷凍機の機械振動を低減でき、イオン源輝度の向上と、イオンビームの集束性能向上と、を両立できる。 - 特許庁

To provide an ion implantation method which blocks ion implantation in a state without satisfying a required condition for other parts of a semiconductor substrate in the ion implantation into the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板へイオン注入するにあたり半導体基板の他の部分には条件を満足しない状態でのイオン注入を阻止するイオン注入法の提供。 - 特許庁

To provide an ion beam processing method and an ion beam processing apparatus capable of reducing deformation on the surface of a material to be exposed in irradiating the material to be exposed with an ion beam.例文帳に追加

被露光材にイオンビームを照射する際の被露光材の表面変形を低減させることができるイオンビーム加工方法およびイオンビーム加工装置を提供する。 - 特許庁

By this, not only an ion incident along an axis C but also obliquely incident ions is decelerated effectively, and the ion can be retained in the ion trap space 1 for a long time.例文帳に追加

これにより、軸Ｃに沿って入射するイオンのみならず斜めに入射するイオンをも効果的に減速し、イオンを長い時間イオントラップ空間１に留めることができる。 - 特許庁

The ion generator 1 is provided with an ion generating device 10 generating ion by creating bubbles in water, and making atmospheric pressure discharge generated in the bubbles.例文帳に追加

イオン発生装置１は、水中に気泡を作り出し、この気泡内で大気圧放電を起こさせることによりイオンを生成するイオン発生デバイス１０を備える。 - 特許庁

To obtain an ion implanter having uniform directivity in an ion implantation beam incident angle direction, and capable of continuously varying the directivity of the ion implantation beam.例文帳に追加

イオンビーム入射角方向に均一な指向性を持たせ、かつイオン注入ビ−ムの指向性を連続的に変化させることが可能なイオン注入装置を得る。 - 特許庁

The ion generator includes the ion generation element 10 which is mounted at a position covered with a body casing and a front panel 2, and in which only an ion generation electrode part is exposed to a blast passage 1c side.例文帳に追加

本体ケーシングかつフロントパネル２に覆われた位置に取り付けられ、送風経路１c側にイオン発生電極部のみが露出したイオン発生素子１０とを備える。 - 特許庁

To provide an FET base sensor for ion material detection having high sensitivity, a detection device of the ion material equipped therewith, and a detection method of the ion material utilizing it.例文帳に追加

高感度のイオン物質検出用のＦＥＴ基盤のセンサー、それを備えるイオン物質の検出装置及びそれを利用したイオン物質の検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a microwave ion source capable of changing kinds and the number of charges of the ion as well as operating modes without changing a plasma generating room or an ion source as a whole.例文帳に追加

プラズマ生成室又はイオン源全体を交換せずとも、イオンの種類及び荷数、並びに操作モードを変化させることが可能なマイクロ波イオン源の提供。 - 特許庁

To provide an ion generating element capable of emitting ion effectively and well-balanced with disappearance of the generated ion suppressed, and to provide an electric apparatus equipped with the same.例文帳に追加

発生したイオンの消滅を抑えて効率的でバランスの良いイオン放出を行うことが可能なイオン発生素子、及びこれを備えた電気機器を提供する。 - 特許庁

To provide an ion generation device that can grasp a situation of the generation of ions generated by a flat-electrode type ion generation element, and a neutralization apparatus equipped with the ion generation device.例文帳に追加

平面電極型のイオン発生素子により発生したイオンの発生状況が把握できるイオン発生装置及びこれを備えた除電装置を提供する。 - 特許庁

To provide an upflow regeneration type ion exchange apparatus in which fluidization of an ion exchange resin is restrained without increasing the flow rate of pressing water when the ion exchange apparatus is in regeneration operation.例文帳に追加

上向流再生式のイオン交換装置において、再生作動時の押さえ水の流量を増加させることなく、イオン交換樹脂の流動を抑制する。 - 特許庁

The cationic ion deposition source is introduced for a time sufficient for depositing a cationic ion-oxide or a cationic-ion nitride film simultaneously on the plurality of wafer substrates.例文帳に追加

カチオン性イオン堆積源は、複数のウェーハ基板上にカチオン性イオン酸化膜又はカチオン性イオン窒化膜を同時堆積させるのに十分な時間にわたって導入される。 - 特許庁

In the ion generating device of the ion beam processing device, operation of injecting a gas into an ion source 1 in a flash state in a short time for a plurality of times.例文帳に追加

イオンビーム加工装置のイオン発生装置において、イオン源１へガスを注入する操作をフラッシュ状に短時間で複数回行なうように構成される。 - 特許庁

In the device for processing a sample 2 by generating an ion beam 1, this plate for detecting an irradiation point of the ion beam 1 by irradiating it with the ion beam 1 is composed by using a material allowing the irradiation point of the ion beam 1 to be discriminated from its circumferential part without emitting gas by the ion beam irradiation.例文帳に追加

イオンビーム１を発生させて試料２を加工する装置において、イオンビーム１を照射してイオンビーム１の照射点を検出するための板であって、イオンビーム１の照射点と周囲の部位との区別がつくような材料であって、且つイオンビーム照射によりガス放出がない材料を用いて構成される。 - 特許庁

This ion beam processing apparatus comprises an ion source 1 having a pulling-out electrode 20 for generating a plasma 50 and pulling out an ion beam from the plasma 50, and a processing room 7 for applying an ion beam process to the substrate 40 by irradiating the ion beam pulled out by the pulling-out electrode 20 to the substrate 40 sustaining the substrate 40.例文帳に追加

イオンビーム処理装置は、プラズマ５０を生成して、プラズマ５０からイオンビームを引出す引出し電極２０を有するイオン源１と、基板４０を保持し、引出し電極２０によって引出されたイオンビームを基板４０に照射して、基板４０に対してイオンビーム処理を行う処理室７とを備えている。 - 特許庁

An ion conducting liquid 4 is delivered from an ion conducting liquid storage part 3 to a sponge roller (ion conducting liquid holding means) 2, and an electric bias is applied to the sponge roller 2, then, the ion is transferred to a photoreceptor 1 through the ion conducting liquid held by the sponge roller 2, accordingly, the surface of the photoreceptor 1 is uniformly charged.例文帳に追加

イオン伝導液貯蔵部３からスポンジローラ（イオン伝導液保持手段）２にイオン伝導液４を受け渡し、そのスポンジローラ２に電気バイアスを印加することにより、スポンジローラ２で保持されたイオン伝導液を介して感光体１にイオンが移送されるため、その感光体１の表面を均一に帯電できる。 - 特許庁

The air accelerated by the second air blower means 15 includes the ion released from an ion generator 30, and the air flow A1 of the conditioned air of low ion concentration and the air flow A2 of the conditioned air of high ion concentration are circulated in the room in parallel at different speeds.例文帳に追加

第２送風手段１５によって加速された空気にはイオン発生装置３０から放出されたイオンが含まれ、イオン濃度の低い調和空気の空気流Ａ１とイオン濃度の高い調和空気の空気流Ａ２が異なる速度で並行して室内を流通する。 - 特許庁

This storage is constituted so that the negative ion generator 9 may be movable so as to unify the negative ion concentration in the storage 2, and a guide composed of a hardly charged material may be installed at a supply opening of the negative ion generator 9 so that the air containing the negative ion may blow against the container 10 in the storage 2.例文帳に追加

負イオン発生器を移動可能とし、保存庫内の負イオン濃度が均一になるようにし、また、負イオン発生器の吹き出し口に帯電しにくい素材で構成されたガイドを設け、負イオンを含んだ空気が庫内のコンテナに均一に当たるようにした。 - 特許庁

The ion beam device includes an electron source to irradiate ions to an emitter to emit the ions, and when the ion current becomes destabilized by impurities adhered to the emitter of the ion source, senses fluctuations of the ion current and irradiates the electrons to the emitter tip.例文帳に追加

本発明におけるイオンビーム装置では、イオンを放出するエミッタに電子を照射する電子源を備え、イオン源のエミッタへ付着する不純物によりイオン電流が不安定となった際には、そのイオン電流の変動を感知してエミッタ先端に電子を照射する。 - 特許庁

The static eliminator 1 includes an ion generating element 11 arranged adjacent thereto along the carrying direction and having an ion generating surface for generating negative ions, and an ion generating element 12 having an ion generating surface for generating positive ions.例文帳に追加

除電装置１は、搬送方向に沿って近接配置された負イオンを発生するイオン発生面を有するイオン発生素子１１と正イオンを発生するイオン発生面を有するイオン発生素子１２とを有している。 - 特許庁

The ion liquid composition contains an ion liquid (A), an anion part of which is a nonafluorobutyl sulfonate anion, wherein a cation part of the ion liquid (A) contains two or more different ion liquids.例文帳に追加

アニオン部がノナフルオロブチルスルホネートアニオンであるイオン液体（Ａ）を含むイオン液体組成物であって、イオン液体（Ａ）のカチオン部が異なるイオン液体を２種以上含有してなることを特徴とするイオン液体組成物。 - 特許庁

To provide an ion implantation method, an ion implantation device, and a beam transport pipe for the ion implantation device capable of controlling an ion implantation angle without complicating the structure of a stage for holding a processed substrate.例文帳に追加

被処理基板を保持するステージの構成を複雑化することなくイオンの注入角度を制御できるイオン注入方法、イオン注入装置及びイオン注入装置用ビーム輸送管を提供すること。 - 特許庁

The ion sorbent material includes an ion-sorbing portion comprising an ion-sorbing polymer having a three-dimensional network structure, and a substrate for fixing and supporting the ion-sorbing portion through chemical bonding.例文帳に追加

本発明のイオン収着材は、イオン収着性の３次元網目構造を有する高分子からなるイオン収着部と、このイオン収着部を化学的結合によって固定支持する基体部とを備える、ことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a metal ion elimination filter, in which an ion exchange resin is heated without using a heater to increase the reaction rate of ion exchange, and metal ions are eliminated by directly passing a fuel in the ion exchange resin.例文帳に追加

ヒータを用いることなくイオン交換樹脂を加熱してイオン交換の反応速度を上げ、該イオン交換樹脂に燃料を直接通して金属イオンを除去し得るようにした金属イオン除去フィルタを提供する。 - 特許庁

The ion guide has eight sheets of metal plates as an electrode 11A which extend in the ion optical axis C direction and of which end face is arranged so as to surround the ion optical axis C, and the end edge on the ion optical axis C side of the electrode 11A is made to be circular or hyperbolic convex toward the optical axis C in the surface orthogonal to the ion optical axis C.例文帳に追加

イオン光軸Ｃ方向に延伸し、その端面がイオン光軸Ｃを取り囲むように配置された８枚の金属板を電極１１Ａとするとともに、イオン光軸Ｃに直交する面内で、電極１１Ａのイオン光軸Ｃ側端縁が光軸に向けて凸の円弧状又は双曲線状であるようにする。 - 特許庁

The solid high-polymer fuel cell has an oxygen pole, where the ion exchange capacity of an ion exchanging resin in a catalyst in the close area where oxygen is supplied is lower than the ion exchange capacity of the ion exchange resin in the close area where oxygen is exhausted.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池において、酸素極内で酸素が供給される近傍における触媒中のイオン交換樹脂のイオン交換容量を、酸素が排出される近傍におけるイオン交換樹脂のイオン交換容量より低くする。 - 特許庁

The solid high-polymer fuel cell has an oxygen pole, where the ion exchange capacity of an ion exchanging resin in a catalyst in the close area where oxygen is supplied is lower than the ion exchange capacity of the ion exchanging resin in the close area where oxygen is exhausted.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池において、酸素極内で酸素が供給される近傍における触媒中のイオン交換樹脂のイオン交換容量を、酸素が排出される近傍におけるイオン交換樹脂のイオン交換容量より高くする。 - 特許庁

When the distribution in the depth direction of the group V element in the group IV semiconductor is measured by an SIMS (secondary ion mass spectrometry) method, a primary ion species, a primary ion acceleration energy, and a primary ion incident angle are limited in the range for reducing profile shift and sensitivity dependency in the depth direction.例文帳に追加

ＳＩＭＳ法によりＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布を測定する際に、一次イオン種、一次イオン加速エネルギー、及び、一次イオン入射角度をプロファイルシフト及び深さ方向の感度依存性を少なくする範囲に限定する。 - 特許庁

Ions emitted from the ion generation source at each time instant decrease with time in accordance with a decrement characteristic inherent to the ion, and the ion amount to be inputted into the fluid analysis means is assumed as an ion amount existing in the room after the predetermined time.例文帳に追加

流体解析手段に入力する上記イオン量を、各時刻においてイオン発生源から放出されたイオンがイオンに固有の減少特性にしたがって時間と共に減少して上記所定時間後に室内に存在するイオン量とする。 - 特許庁

The ion generation device includes: a dielectric material; ion generation elements 11, 12 composed of an ion generation electrode and an induction electrode formed on their surfaces via the dielectric material; and current detecting electrodes 27a, 27b that are disposed along the ion generation electrode in the vicinity of the ion generation elements 11, 12 and detect a discharge current by absorbing the ions generated from the ion generation electrode.例文帳に追加

誘電体と、誘電体を介しそれぞれの面に形成されたイオン発生電極及び誘導電極とからなるイオン発生素子１１、１２と、イオン発生素子１１、１２の近傍でイオン発生電極に沿って配置され、イオン発生電極から発生するイオンを吸引して放電電流を検出する電流検出電極２７ａ、２７ｂと、を備える。 - 特許庁

To provide an evaluation method of an ion-conductive membrane for evaluating a simple ion conductivity value, and to provide an ion-conductive film having a high proton conductivity value and a manufacturing method of the ion-conductive membrane.例文帳に追加

簡便なイオン伝導度の値が評価できるイオン伝導性膜の評価方法を提供すること及びプロトン伝導度の値が高いイオン伝導性膜及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the electrolyte 10 is a sodium ion conductor, the ion source is a sodium compound, whereas when it is a lithium ion conductor, the ion source is a lithium compound.例文帳に追加

尚、固体電解質10がナトリウムイオン導電体である場合、前記イオン供給源物質はナトリウム化合物とし、または固体電解質10がリチウムイオン導電体である場合、前記イオン供給源物質はリチウム化合物としている。 - 特許庁

This ion source includes a plasma forming part 2 for forming plasma 4 and an electrode system 10 for drawing an ion beam 6 from the plasma 4 inside the plasma forming part 2 to draw the ion beam 6 including indium ions of divalent ion.例文帳に追加

このイオン源は、プラズマ４を生成するプラズマ生成部２と、このプラズマ生成部２内のプラズマ４からイオンビーム６を引き出す引出し電極系１０とを備えていて、２価のインジウムイオンを含むイオンビーム６を引き出すものである。 - 特許庁

A first beam current meter 11 and a second beam current meter 12 are provided at a predetermined interval in a path of an accelerated ion beam 2, and ion energy is found by measuring the moving time of the ion beam 2 to control the ion energy.例文帳に追加

加速されたイオンビーム２の径路内に、所定の間隔で第１ビーム電流計測計１１と第２ビーム電流計測計１２とを設け、イオンビーム２の移動時間を測定することによりイオンエネルギーを求め、イオンエネルギーを管理する。 - 特許庁

This ion implantation apparatus has an ion implantation chamber in which a substrate support 22 for supporting nonionic implantation plate W is provided, and leads an ion beam into the ion implantation chamber and implants ions into the substrate supported by the substrate support.例文帳に追加

本イオン注入装置は、被イオン注入基板Ｗを保持する基板保持部２２を内部に備えたイオン注入室を有し、イオン注入室にイオンビームを導いて、基板保持部に保持された基板にイオンを注入する装置である。 - 特許庁

To provide an ion source of an ion adhesion mass spectroscope which can perform analysis with a high accuracy by suppressing the occurrence of variation in the potential difference between an ion emitter and a reference- voltage impression part and stabilizing the amount of ion emissions.例文帳に追加

イオン放出体と基準電圧印加部の間の電位差の変動の発生を抑制し、イオン放出量を安定化させ、精度の高い質量分析を行えるイオン付着質量分析装置のイオン源を提供する。 - 特許庁

To provide a measuring method of current density distribution of ion beam in which the ion injection quantity can be nearly uniformed throughout the whole face of a semiconductor board when carrying out ion injection on the semiconductor board, and an ion injection method using this measuring method, and an ion injection device.例文帳に追加

半導体基板にイオン注入を行なう場合に、イオン注入量を半導体基板全面にわたって略均一化できるイオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

In this ion implantation method, ions emitted from an ion source are made to pass through a mask 2 having an opening figure similar to a desired ion implantation region to form a pattern ion beam 4, and the ion beam is projected to the desired region of a wafer 7 with no resist applied, to introduce the ions.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスク２に通過させてパターンイオンビーム４を形成し、このイオンビームをレジストが塗布されてないウェハ７の所望の領域に投射して、イオンを導入するイオン注入方法。 - 特許庁