「VG」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An elevation speed of the gate voltage Vg increases because the gate is charged via no inductor 22, and a time required the fluctuation of the gate voltage Vg is shortened to reduce the switching loss generated when the gate voltage Vg is fluctuated.例文帳に追加

インダクタ２２を介さずにゲートが充電されるため、ゲート電圧Vgの上昇速度が増大し、ゲート電圧Vgの変動に要する時間が短縮され、ゲート電圧Vgの変動時に生じるスイッチング損失を低減することができる。 - 特許庁

A gate is charged via an inductor 22, and the gate voltage Vg is elevated moderately.例文帳に追加

インダクタ２２を介してゲートが充電され、ゲート電圧Vgが緩やかに上昇する。 - 特許庁

The prescribed voltage Vg, Vd are applied to a gate and a drain respectively, in a state in which a source and a substrate are kept at a ground potential, the prescribed voltage Vd or Vg is applied to a terminal of either of the gate or the drain, and the voltage Vd or Vg is applied to the other end varying by two stages or more.例文帳に追加

ゲート及びドレインに所定の電圧(Vg、Vd)を印加し、ソース及び基板を接地電位に維持させた状態で、ゲートまたはドレインのいずれか一方の端子に所定の電圧(VgまたはVd)を印加し、他方の端子に電圧(VdまたはVg)を２段階以上に変化させて印加する。 - 特許庁

The first switching element S11 is turned on at first when switching the gate voltage Vg of the transistor S0.例文帳に追加

トランジスタＳ０のゲート電圧Vgを切換える際に、最初に第１スイッチング素子Ｓ１１をオンする。 - 特許庁

To provide a voltage-controlled oscillator which does not vary in sensitivity of f-VG characteristic with temperature.例文帳に追加

ｆ−VG特性の感度が温度により変化しない電圧制御型発振器を提供する。 - 特許庁

The size of the root partition need not be large if you will keep/opt /usr /home /var and /tmp in an LVM2 Volume Group(vg). 例文帳に追加

LVM2ボリュームグループ(vg)に/opt/usr/home/var/tmpを含めるなら、ルートパーティションのサイズは大きい必要はありません。 - Gentoo Linux

The capacitance increased between both electrodes drops voltage Vg between both electrodes, and since the relation of Vd=Vg+Vd (eff) is valid, effective voltage Vd (eff) between the third focusing electrode G5-1 and a forth focusing electrode G5-2 is increased.例文帳に追加

両電極間の増大されたキャパシタンスは両電極間の電圧Vgを立下げ、Vd=Vg+Vd(eff)なので第３フォーカス電極G5-1と第４フォーカス電極G5-2間の有効電圧Vd(eff）が増大される。 - 特許庁

Constant voltage VG (Nth≤VG≤Vdd) is applied to the gates of the N type transistors N1 and N2.例文帳に追加

Ｎ型トランジスタＮ１およびＮ２のゲートには、一定電圧ＶＧ（Ｖｔｈ≦ＶＧ≦Ｖｄｄ）を印加する。 - 特許庁

Still more preferably, the value (Vg) of the impulsive voltage, with respect to the highest gradation of the luminance, is set lower than the impulsive critical voltage.例文帳に追加

さらに好ましくは、輝度の最高階調に対するインパルシブ電圧の値（Vg）をインパルシブ臨界電圧以下に設定する。 - 特許庁

To universally evaluate a degree of hump for an Id-Vg characteristic.例文帳に追加

Ｉd-Ｖg 特性のハンプの度合いを普遍的に評価する。 - 特許庁

The third switching element S13 is turned on at first when turning off the gate voltage Vg, and the fourth switching element S14 is turned on followed thereto.例文帳に追加

ゲート電圧Vgをオフする場合、最初に第３スイッチング素子Ｓ１３をオンし、ついで第４スイッチング素子Ｓ１４をオンさせる。 - 特許庁

The auxiliary capacitor voltage VSC which inverts after rising of a gate voltage VG is impressed to the auxiliary capacitor lines disposed at every gate line.例文帳に追加

ゲートライン毎に設けられた補助容量ラインに、ゲート電圧VGの立ち下がりの後に、反転する補助容量電圧VSCを印加する。 - 特許庁

The switch means 2 becomes conductive when Vg is higher than Vref and non-conductive when Vg is lower than Vref.例文帳に追加

スイッチ手段２は、ＶｇがＶｒｅｆよりも高いときに導通状態となり、ＶｇがＶｒｅｆよりも低いときに非導通状態となる。 - 特許庁

Bias voltage Vg is outputted from a bias voltage output part 14 in accordance with the calculated power level and the bias of a power amplification part 10 is set with bias voltage.例文帳に追加

同算出した電力レベルに応じ、バイアス電圧出力部14よりバイアス電圧Vgを出力し、同電圧で電力増幅部10のバイアス設定をする。 - 特許庁

The gate voltage VG (-3V) is a negative voltage, the absolute value of which is smaller than the absolute value of a gate voltage VG (-10. 5V) to be applied during data erasing.例文帳に追加

このゲート電圧ＶＧ（−３Ｖ）は、データ消去時に印加されるゲート電圧ＶＧ（−１０．５Ｖ）の絶対値よりもその絶対値が小さな負電圧にされる。 - 特許庁

A clamping circuit 30 clamps the gate voltage Vg of the output transistor 12.例文帳に追加

クランプ回路３０は、出力トランジスタ１２のゲート電圧Ｖｇをクランプする。 - 特許庁

The gates of MN1 and MN2 are connected to the same gate terminal VG.例文帳に追加

ＭＮ１及びＭＮ２のゲートは、同一のゲート端子ＶＧに接続される。 - 特許庁

A voltage VG with a fixed voltage value generated by a VG generator is used as a gate drive voltage VGa with respect to an Lo-side transistor Q11.例文帳に追加

ＬｏサイドのトランジスタＱ１１に対するゲート駆動電圧ＶＧａは、ＶＧ生成部により電圧値が固定的に生成された電圧ＶＧを用いる。 - 特許庁

Since a Vg redundant wiring Y is formed simultaneously with an Sig line, no additional manufacturing process is required for forming the Vg redundant wiring Y.例文帳に追加

Ｖｇ冗長配線ＹはＳｉｇ線と同時に形成されるため、Ｖｇ冗長配線Ｙを形成するために製造プロセスを増やす必要はない。 - 特許庁

The gate voltage Vg (Tr2) is set to a voltage lower than a first voltage V_H.例文帳に追加

ゲート電圧Ｖｇ（Ｔｒ２）は、第１電圧Ｖ_Ｈ未満に設定されている。 - 特許庁

A current I corresponding to the output voltage Vg flows in a load circuit 20.例文帳に追加

負荷回路２０では、出力電圧Ｖｇに対応した電流Ｉが流れる。 - 特許庁

A VG generating circuit 10 outputs a voltage VG which gradually increases similar to an exponential function, when rising and becomes stable at a gate drive voltage of transistors Q10 and Q11.例文帳に追加

ＶＧ生成回路１０は、立ち上がり時に電圧が指数関数的に漸増し、トランジスタＱ１０及びＱ１１のゲート駆動電圧で安定する電圧ＶＧを出力する。 - 特許庁

A drive transistor TDR generates a driving current IDR, according to the potential VG of the gate.例文帳に追加

駆動トランジスタＴDRは、ゲートの電位ＶGに応じた駆動電流ＩDRを生成する。 - 特許庁

A driving transistor TDR generates a driving current IDR corresponding to the potential VG at the gate.例文帳に追加

駆動トランジスタＴDRは、ゲートの電位ＶGに応じた駆動電流ＩDRを生成する。 - 特許庁

When the error amplifier 5 has a slight decrease in gate voltage Vg, the value of the gate voltage Vg after the decrease is higher than the operating threshold voltage Vth of an inverter circuit 21.例文帳に追加

誤差増幅器５がゲート電圧Ｖｇをわずかに低下させた場合、低下後のゲート電圧Ｖｇの値は、インバータ回路２１の動作しきい値電圧Ｖｔｈよりも高い。 - 特許庁

The signals sequentially applied to the scanning line include voltages GND, Vg 1 and -Vg 2 and the organic EL element 31 is driven by the AC voltages of these three levels.例文帳に追加

走査線に順に印加される信号はＧＮＤ，Ｖｇ１および−Ｖｇ２の電圧を含み、これら３レベルの電圧により有機ＥＬ素子３１が交流駆動される。 - 特許庁

The first glass substrate 4 is partially notched so as to form a V-shaped groove VG.例文帳に追加

そして第１のガラス基板４の一部をノッチングして、Ｖ字型の溝ＶＧを形成する。 - 特許庁

Firstly, a first metal is film-formed and a lower-part electrode 22 of the Vg line is patterned.例文帳に追加

まず、第１の金属を成膜し、Ｖｇ ｌｉｎｅの下部電極２２をパターニングする。 - 特許庁

Then, one portion of the first glass substrate 4 is notched for forming a V-shaped groove VG.例文帳に追加

そして第１のガラス基板４の一部をノッチングして、Ｖ字型の溝ＶＧを形成する。 - 特許庁

Output voltage Vg is produced based on the electromotive force Vf of a chemical battery 31.例文帳に追加

化学電池３１の起電力Ｖｆを基にして出力電圧Ｖｇが生成される。 - 特許庁

Voltages VG, VD1 are lowered when, for example, a terminal T2 (or a terminal CP) is grounded.例文帳に追加

たとえば端子Ｔ２（あるいは端子ＣＰ）の地絡時に電圧ＶＧ，ＶＤ１は低下する。 - 特許庁

DC gate bias voltage and AC signal voltage are applied to the gate terminal VG.例文帳に追加

ゲート端子ＶＧには、直流ゲートバイアス電圧と交流信号電圧が印加される。 - 特許庁

The random number generating circuit 11 and the comparator 13 have a low threshold value Vg which is the same as that of a microcomputer which is not shown in a figure, and the memory 12 has a little higher threshold value Vm than the threshold value Vg.例文帳に追加

乱数発生回路１１及びコンパレータ１３は図示されないマイクロコンピュータと同一の低い閾値Ｖｇを持ち、メモリ１２はＶｇより若干高い閾値Ｖｍを持っている。 - 特許庁

Specifically, the length of the carbon nano-tube is so controlled as to be set shorter than d-Vg/ Eb, where Eb is the withstand voltage of the insulation layer 4, (d) is the film thickness thereof, and Vg is an application voltage.例文帳に追加

具体的には、絶縁層４が、絶縁耐圧Ｅｂ，膜厚ｄとし、印加電圧をＶｇとするとき、カーボンナノチューブの長さは、ｄ−Ｖｇ／Ｅｂより短く制御する。 - 特許庁

The drive transistor TDR includes a gate D having a potential VG set in accordance with a data signal D[j] and a back gate B for controlling a channel formed in accordance with the potential VG of the gate G.例文帳に追加

駆動トランジスタＴDRは、データ信号Ｄ[j]に応じて電位ＶGが設定されるゲートＧと、当該ゲートＧの電位ＶGに応じて形成されるチャネルを制御するバックゲートＢとを含む。 - 特許庁

Eight feature lines L1 to L8 smaller than the number of horizontal scanning lines (256 lines) of template image data VG are set in the template image data VG stored in a template image recording memory 24.例文帳に追加

テンプレート画像記録用メモリ２４に記憶されたテンプレート画像データＶG に対しその水平走査ライン数（２５６本）より少数の８本の特徴ラインＬ１〜Ｌ８を設定する。 - 特許庁

Control voltage VG is supplied to the gate of the MOS-FET (Q11) and voltage obtained by reversing polarity of the control voltage VG is supplied to the drain through a resistance element R12.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｑ11）のゲートに制御電圧ＶGが供給されるとともに、この制御電圧ＶGの極性を反転した電圧が抵抗素子Ｒ12を通じてドレインに供給される。 - 特許庁

The forward voltage (gate voltage VG) across the gate-source of the JFET 2 is limited to a voltage value (Vo) lower than a built-in voltage between the gate and source, and therefore a gate current is also restrained.例文帳に追加

ＪＦＥＴ２のゲート−ソース間の順方向電圧（ゲート電圧VG）は、ゲート−ソース間のビルトイン電圧よりも低い値（Vo）に抑制され、ゲート電流IGも抑制されることになる。 - 特許庁

If VA>VG, the forward-direction current (VA-VF-VG)/R1 flows in the diode D2 so that the output voltage of the voltage amplifier 5 which is a guard buffer is kept at VS=VO.例文帳に追加

また、ＶＡ＞ＶＧの時は、ダイオードＤ２には（ＶＡ−ＶＦ−ＶＧ）／Ｒ１の順方向電流が流れ、ガードバッファである電圧増幅器５の出力電圧はＶＳ＝ＶＯに維持される。 - 特許庁

In the concrete, mineral oil having kinematic viscosity at 40°C equivalent to VG220 in ISO viscosity grade, mineral oil equivalent to VG 32-68, and mineral oil equivalent to VG 10 are contained.例文帳に追加

具体的には、４０℃での動粘度がＩＳＯ粘度グレードでＶＧ２２０相当である鉱油と、同じくＶＧ３２〜６８相当である鉱油と、同じくＶＧ１０相当である鉱油とを含む。 - 特許庁

Following relation is set among cell well voltage Vsub, gate voltage Vg, source voltage Vs, and drain voltage Vd; Vsub≥Vg>Vs>Vd, so that Vg-Vd becomes larger than a potential difference generated by the tunnel current between bands, and Vsub-Vd becomes equal to or larger than the barrier potential of a tunnel insulating film.例文帳に追加

セルウェル電圧Ｖｓｕｂ、ゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓ、ドレイン電圧Ｖｄの関係をＶｓｕｂ≧Ｖｇ＞Ｖｓ＞Ｖｄとし、Ｖｇ−Ｖｄがバント間トンネル電流の発生電位差以上となり、且つ、Ｖｓｕｂ−Ｖｄがトンネル絶縁膜の障壁電位と比べてほぼ同等以上となるようにする。 - 特許庁

The IGBTs 27, 28 are driven at a common gate voltage Vg by a driving circuit 47.例文帳に追加

ＩＧＢＴ２７と２８は駆動回路４７により共通のゲート電圧Ｖｇで駆動される。 - 特許庁

A gate charging current IC flows to the N channel transistor M3 and a gate voltage VG is increased.例文帳に追加

ＮチャネルトランジスタＭ３には、ゲート充電電流ＩＣが流れゲート電圧ＶＧが上昇する。 - 特許庁

When the voltage -Vg 2 is applied to the scanning line, the organic EL element is reverse biased.例文帳に追加

電圧−Ｖｇ２が走査線に印加されると有機ＥＬ素子が逆方向にバイアスされる。 - 特許庁

Drive operation is performed under a relation of voltage Va of the anode 5 > voltage Vf of the focusing electrode 15 > voltage Vg of the gate electrode 14.例文帳に追加

アノード電圧Ｖ_a ＞収束電極15の電圧Ｖ_f ＞ゲート電極14の電圧Ｖ_g で駆動する。 - 特許庁