「Vce」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Related to a semiconductor device, a power chip 110, a VCE- voltage detecting diode chip 120 which detects a VCE voltage of the power chip 110, and a drive circuit 210 comprising an excessive current detecting circuit are built in the same vessel.例文帳に追加

半導体装置は、パワーチップ１１０、パワーチップ１１０のＶＣＥ電圧を検出するＶＣＥ電圧検出用ダイオードチップ１２０、及び過電流検出回路を備えた駆動回路２１０とが、同一の容器に内蔵されている。 - 特許庁

A master controller 270 of a hybrid vehicle judges whether the voltage VCE of the auxiliary machine battery 198 is deteriorated or not by supervising the voltage VCE of the auxiliary machine battery 198 in the state that an ignition IG is turned on, and performs the diagnostic function of the auxiliary machine, such as a resolver 144, etc.例文帳に追加

ハイブリッド車両のマスタ制御部２７０は、イグニッションＩＧがオンされた状態において、補機バッテリ１９８の電圧ＶＣＥを監視して劣化しているか否かを判定するとともに、レゾルバ１４４等の補機のダイアグを実行する。 - 特許庁

In the gate timing control circuit 3 which adjusts the timing of a gate signal being output to a plurality of semiconductor switches A and B connected in series, comparators 4 and 4 compare the pieces of Vce detection (A) and (B) of respective semiconductor switches A and B with a preset threshold to output Vce signals (A) and (B)indicating the timing of rising in the Vce detection.例文帳に追加

直列接続された複数の半導体スイッチＡ，Ｂに出力されるゲート信号のタイミングを調整するゲートタイミング制御回路３において、コンパレータ４，４により、各半導体スイッチＡ，ＢのＶｃｅ検出（Ａ），（Ｂ）と、予め設定されたしきい値とを比較してＶｃｅ検出における立ち上がりのタイミングを示すＶｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）を出力する。 - 特許庁

When a collector-emitter voltage VCE of the 1st TR 28 reaches the electromotive force V1 of the power supply 32, since a succeeding change in the voltage signal outputted from the waveform generator 24 is limited, the collector-emitter voltage VCE is kept to the voltage V1.例文帳に追加

第１トランジスタ２８のコレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＥが電源３２の起電力Ｖ１になると、波形発生器２４から出力される電圧信号はその後の変化が制限されるから、コレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＥは電圧Ｖ１に保持される。 - 特許庁

A remaining reservation slot register 20 stores the result of subtraction of the reservation slot number of the VCE 3 and ACE 4 from the slot assignment period.例文帳に追加

残余予約スロットレジスタ２０は、スロット割付周期から、ＶＣＥ３及びＡＣＥ４の予約スロット数を差し引いた結果を記憶する。 - 特許庁

A cathode electrode of the VCE-voltage detecting diode chip 120 is connected to the collector electrode of the power chip 110 on the same conductor surface, while an anode electrode is connected to a VCE-voltage detecting terminal DVCE of the drive circuit 210 comprising the excessive current detecting circuit, while being led out with an aluminum wire or the like.例文帳に追加

また、ＶＣＥ電圧検出用ダイオードチップ１２０のカソード電極は、パワーチップ１１０のコレクタ電極と同一導体面上で接続し、アノード電極は、アルミワイヤなどで引き出して過電流検出回路を備えた駆動回路２１０のＶＣＥ電圧検出端子ＤＶＣＥに接続する。 - 特許庁

To shorten masking time, when a voltage VCE between a collector and an emitter is not detected, when a switch element constituting a power converting device is turned on/off.例文帳に追加

電力変換装置を構成するスイッチ素子のターンオン時において、コレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEを検出しないマスク時間の短縮化を図る。 - 特許庁

In the initial stage of depositing the fine glass particles, 0.5≤Vcb/Vsb≤3.0 is obeyed, and in the final stage, 0.2≤Vce/Vse≤1.0 is obeyed.例文帳に追加

ガラス微粒子を堆積する初期段階において０．５≦Ｖｃｂ／Ｖｓｂ≦３．０、終了段階において０．２≦Ｖｃｅ／Ｖｓｅ≦１．０とする。 - 特許庁

The one terminal of the capacitive element 22 is connected to a connecting point between the switch element 21 and the buffer amplifier 23, and the other terminal is connected to an intermediate potential Vce.例文帳に追加

コンデンサ素子２２は、一端がスイッチ素子２１とバッファアンプ２３との接続点に接続されており、他端が中間電位Ｖｃｅに接続される。 - 特許庁

The sample-hold circuit 20 includes: a switch element 21 for sampling an input signal Vin; the capacitive element 22 for holding the sampled input signal with a charging voltage of Vc=Vin-Vce; and a buffer amplifier 23 for applying impedance conversion to the input signal Vin=Vc+Vce held in the capacitive element 22 and providing an output.例文帳に追加

サンプル・ホールド回路２０は、入力信号Ｖｉｎをサンプリングするスイッチ素子２１と、サンプリングされた入力信号ＶｉｎをＶｃ＝Ｖｉｎ−Ｖｃｅの充電電圧でホールドするコンデンサ素子２２と、コンデンサ素子２２にホールドされた入力信号Ｖｉｎ＝Ｖｃ＋Ｖｃｅをインピーダンス変換して出力するバッファアンプ２３とを有している。 - 特許庁

The withstanding voltage of the capacitive element 22 is lower than a difference between a high potential Vdd and a low potential Vss and is equal to a difference between the high potential Vdd and the intermediate potential Vce or over.例文帳に追加

コンデンサ素子２２の耐圧は、高電位Ｖｄｄと低電位Ｖｓｓとの電位差より低く、高電位Ｖｄｄと中間電位Ｖｃｅとの電位差以上あればよい。 - 特許庁

A high-concentration region 15 for reducing the saturation voltage VCE (sat) between the collector and emitter is formed so that a base region 13 of an NPN transistor 10 is surrounded.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタ１０のベース領域１３を囲むようにして、コレクタ−エミッタ間飽和電圧ＶCE（ｓａｔ）を低減させるための高濃度領域１５を形成した。 - 特許庁

Thus, the collector electrode of the power chip 110 is connected to the cathode electrode of the VCE-voltage detecting diode chip 120 by a very short distance on the same conductor surface.例文帳に追加

これにより、パワーチップ１１０のコレクタ電極と、ＶＣＥ電圧検出用ダイオードチップ１２０のカソード電極とは、同一導体上の極めて短い距離で接続される。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit which realizes low-loss turn-on by controlling the current increase rate (dIc/dt) and Vce tail independently, without sharply increasing the drive current.例文帳に追加

駆動電流を大幅に増加させることなく、電流増加率（ｄＩｃ／ｄｔ）とＶｃｅテールを独立に制御して低損失なターンオンを実現するゲート駆動回路を提供する。 - 特許庁

Thereby, the difference between a base-to-emitter voltage Vbe and a base-to-collector voltage Vbc, ΔV is reduced, and thus a collector-to-emitter saturation voltage Vce in a low current region can be reduced.例文帳に追加

これにより、ベースエミッタ間電圧Ｖｂｅとベースコレクタ間電圧Ｖｂｃの差ΔＶが小さくなり、低電流域におけるコレクタエミッタ間飽和電圧Ｖｃｅを小さくすることができる。 - 特許庁

Independently of a main gate current to an IGBT 1 applied through a gate resistance A by a gate drive circuit 2, a voltage-compensated gate control circuit 3-6 injects a voltage-compensated gate current via a gate resistance B when a collector-emitter voltage Vce of the IGBT 1 exceeds a threshold value, and stops injecting the voltage-compensated gate current when the voltage Vce falls below the threshold value.例文帳に追加

ゲートドライブ回路２によるゲート抵抗Ａを通したＩＧＢＴ１の主ゲート電流とは独立して、電圧補償ゲート制御回路３〜６はＩＧＢＴ１のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｃｅがしきい値を超えたときにゲート抵抗Ｂを通して電圧補償ゲート電流を注入し、電圧Ｖｃｅがしきい値を下回ったときに電圧補償ゲート電流の注入をオフする。 - 特許庁

The discharge-control unit 3 comprises a switch-hold circuit M that keeps an output of the discharge-stop signal Dout for a designated time, regardless of the cell voltage Vce, after the discharge-stop signal Dout is output.例文帳に追加

放電制御部３には、放電停止信号Ｄoutを出力した後は、セル電圧Ｖceに関わらず、放電停止信号Ｄoutの出力を所定時間維持するスイッチ保持回路Ｍを備えた。 - 特許庁

A time difference control unit 8 outputs gate outputs (A) and (B), generated so as to match the timing of change of the Vce signals (A) and (B), to a gate driver 2.例文帳に追加

そして、時間差制御部８において、ゲート信号に基づいて、前記各Ｖｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）の変化のタイミングが整合するように生成されたゲート出力（Ａ），（Ｂ）をゲートドライバ２に出力する。 - 特許庁

The microcomputer 1 has a means for setting a threshold corresponding to the voltage level of the load 20 in failure, and a means for detecting a failure of the load 20 based on comparison of the voltage level Vce and the threshold.例文帳に追加

マイコン１は、負荷２０の異常時の電圧レベルに対応した閾値を設定する閾値設定手段と、電圧レベルＶｃｅと閾値との比較に基づいて負荷２０の異常を検出する異常検出手段とを有する。 - 特許庁

To improve temperature characteristics by dispensing with an adjustment process in a manufacturing process of a VCE (collector-emitter voltage) detection circuit, in an induction heating rice cooker heating a pot by controlling a current flowing in a heating coil by a switching means.例文帳に追加

加熱コイルに流れる電流をスイッチング手段により制御し鍋を加熱する誘導加熱式炊飯器において、ＶＣＥ検知回路の製造過程での調整工程なくし温度特性を改善する。 - 特許庁

A DC input power supply voltage Vcc is outputted to a load side via a PNP transistor Q having a small Vce, a base thereof is driven by a base current, in which noises are removed by a power supply noise removing circuit 33.例文帳に追加

直流入力電源電圧ＶｃｃをＶｃｅが小さいＰＮＰトランジスタＱを介して負荷側へ出力し、そのベースを電源ノイズ除去回路３３でノイズ除去されたベース電流で駆動する。 - 特許庁

As a consequence, at before and after turning off the transistor M2, a movement of the electric charge to the transistor Tr1 is suppressed, so that the sudden fluctuations of a voltage Vce between the collector terminal and emitter terminal of the transistor Tr1 are prevented.例文帳に追加

この結果、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＭ２のターンオフ前後で、パワートランジスタＴｒ１に対する電荷の移動が抑えられ、パワートランジスタＴｒ１のコレクタ−エミッタ端子間電圧Ｖceが急激に変化することがない。 - 特許庁

With the transistor Q1 set on, a control transistor Q5 turns on to result in a voltage drop VCE.例文帳に追加

入力トランジスタＱ１がオンすると、調整トランジスタＱ５のオン時電圧降下ＶＣＥ入力トランジスタＱ１のＶＢＥを加算した電圧より入力信号の電圧が低くなったときに入力トランジスタＱ１がオフする。 - 特許庁

Electric-potential difference VBC at two middle points B and C of the bridge circuit is compared to electric- potential differences VCE and VBE between the electric potential at the middle points B and C and a reference electric-potential of the reference electric- potential generating circuit 2, for judging the disorder of the bridge circuit.例文帳に追加

ブリッジ回路の２つの中点Ｂ、Ｃにおける電位差Ｖ_BCと、中点Ｂ、Ｃにおける電位と基準電位発生回路２の基準電位との電位差Ｖ_CE、Ｖ_BEとを比較することにより、ブリッジ回路の故障判定をする。 - 特許庁

If the collector voltage Vce is increased, since a depletion layer 21 reaches the trench bottom 5a and the two areas are insulated, and since only the capacity of the gate insulating film 6a at the other area side is measured, the capacity value is considerably decreased.例文帳に追加

そして、コレクタ電圧Ｖ_ＣＥを大きくした場合、空乏層２１がトレンチ底部５ａに到達し、２つの領域が絶縁されるため、一方の領域側のゲート絶縁膜６ａの容量のみが測定されるため、容量値が大きく低下する。 - 特許庁

Based on the Vce immediately after switching from the thermal stress impressing state to the measuring state, the pellet temperature of the test piece TP immediately after the switching is obtained and from the pellet temperature and the case temperature immediately after the switching, the thermal resistance between the pellet cases is calculated.例文帳に追加

熱ストレス印加状態から測定状態への切換直後のＶｃｅに基づいて切換直前のテストピースＴＰのペレット温度を求め、このペレット温度と切換直前のケース温度とからペレット・ケース間の熱抵抗を算出する。 - 特許庁

Since the transistors Q2, Q5, and Q8 are connected via diodes, their Vce are constant, so that the dimensions of the adjust currents I1, I2, and I3 are not affected by on resistance, and a stable adjust current can be obtained.例文帳に追加

ここで、トランジスタＱ２、Ｑ５、Ｑ８はダイオード接続されているため、これらのＶｃｅは一定値となっており、これらのオン抵抗が調整電流Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３の大きさに影響することがなく、安定した調整電流を得ることができる。 - 特許庁

An inverter circuit 3 including a resonant capacitor 4 and a switching element 5 is actuated by a drive circuit 9 to heat a pot 8 in which cooked objects are put by the heating coil 7, and detect a collector-emitter voltage of the switching element 5 by the VCE detection circuit 30.例文帳に追加

共振コンデンサ４とスイッチング素子５を含むインバータ回路３を駆動回路９により駆動して、被調理物を入れる鍋８を加熱コイル７により加熱し、スイッチング素子５のコレクタエミッタ間電圧をＶＣＥ検知回路３０により検知する。 - 特許庁

When the N-side IGBT device 2 is short-circuited while the P-side IGBT device 1 is in an ON-state, if the main circuit inductance 70 is increased, a voltage Ldi/dt is generated by the main circuit inductance 70 and the voltage VCE of the N-side IGBT device 2 is gradually lowered.例文帳に追加

Ｐ側ＩＧＢＴ素子１がオンの時、Ｎ側ＩＧＢＴ素子２が短絡した場合、主回路インダクタンス７０を大きくしていると、この主回路インダクタンス７０によりLdi/dtの電圧が発生し、Ｎ側ＩＧＢＴ素子２のＶ_CEは次第に下がっていく。 - 特許庁

The load failure detecting circuit comprises a transistor 3 having a collector C connected with a load 20, a microcomputer 1 for driving the load 20 by giving a drive signal D to the base B, and a voltage detection circuit 4 for detecting the voltage level Vce between a collector and an emitter and inputting it to the microcomputer 1.例文帳に追加

負荷２０にコレクタＣが接続されたトランジスタ３と、ベースＢに駆動信号Ｄを与えて負荷２０を駆動するマイコン１と、コレクタ−エミッタ間の電圧レベルＶｃｅを検出してマイコン１に入力する電圧検出回路４とを備えている。 - 特許庁

During a period in which a tail current flows after closing an IGBT 401 for switching the current of the coil, loss due to the tail current is reduced by increasing the capacity of the resonance capacitor C200 of a switching element SW402 to suppress an increase of a voltage Vce of the IGBT 401 for a fixed period.例文帳に追加

コイルの電流をスイッチングするＩＧＢＴ４０１の閉成後にテール電流が流れる期間、スイッチング素子ＳＷ４０２の共振コンデンサＣ２００の容量を増加させてＩＧＢＴ４０１の電圧Ｖｃｅの上昇を一定期間抑制することでテール電流による損失を軽減する。 - 特許庁

A surge voltage target setting unit 103 acquires the main circuit supply voltage of the semiconductor power converter based on the terminal-to-terminal voltage Vce of a semiconductor switching element 100, detected by a voltage detection unit 102, and sets a control target Vm of surge voltage according to the acquired main circuit supply voltage.例文帳に追加

サージ電圧目標設定部１０３は、電圧検出部１０２により検出された半導体スイッチング素子１００の端子間電圧Ｖｃｅに基づき、半導体電力変換装置の主回路電源電圧を取得して、取得した主回路電源電圧に応じてサージ電圧の制御目標Ｖｍを設定する。 - 特許庁