「WF」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The Si ring 131 acts so as to virtually spread an area of the wafer WF at the occurrence of plasma and can stabilize plasma, apt to fluctuate, in the outer circumferential part of the wafer.例文帳に追加

Ｓｉリング１３１は、プラズマ発生にあたり仮想的にウェハＷＦの面積を広げるよう作用し、変動し易いウェハ外周部のプラズマの安定化を図る。 - 特許庁

The containing cassette 12 is generally provided, at the side part thereof, with grooves 121 for supporting the circumferential edge part of the wafers WF and, at the bottom part thereof, with an opening region 122.例文帳に追加

一般に収容カセット１２は、その側部にウェハＷＦの周縁部分を支持する溝１２１が設けられ、底部は抜けた開口領域１２２を伴なう。 - 特許庁

A perform WF having a disc part WFb that constitutes a connecting part of the first and second drum parts and having a ring part WFc at an outer periphery of the disc is manufactured.例文帳に追加

第１と第２の両ドラム部の合わせ部となる円板部ＷＦｂと、円板部の外周の円環部ＷＦｃとを有するプリフォームＷＦを製造する。 - 特許庁

A wafer stage 18 on which a mask stage 14, a projection optical system 17, and a semiconductor wafer WF are placed is provided in a chamber 12 to which a lighting system 11 is provided.例文帳に追加

照明系１１が併設されたチャンバー１２内に、マスクステージ１４、投影光学系１７、半導体ウェハＷＦを載置するウェハステージ１８が配備されている。 - 特許庁

About the basic cells 11 arranged in the first direction on the semiconductor wafer WF, a basic cell (second basic cell) 11 adjacent to an arbitrary basic cell (first basic cell) 11 is arranged in such a manner that it rotates 180° around its center as an axis of rotation with respect to the arbitrary basic cell (first basic cell) 11.例文帳に追加

半導体ウェハWF上で第１方向に配列された各基本セル１１にて、任意の基本セル（第１基本セル）１１に隣合う基本セル（第２基本セル）１１は、当該任意の基本セル（第１基本セル）１１に対して、当該隣合う基本セル（第２基本セル）１１の中心を回転軸として１８０゜回転した状態で配置されている。 - 特許庁

This forklift is constituted of a frame 2 rotatably journaling front wheels Wf and rear wheels Wr and provided with a seat S, a lift mechanism 3 of a fork 33 provided with a winch 34 with brake, a steering mechanism 4 of the rear wheels Wr provided with a steering wheel 43, and a speed reduction mechanism 5 of the front wheels Wf provided with a pair of crank arms with pedals.例文帳に追加

前輪Ｗｆおよび後輪Ｗｒを回転自在に軸支するとともに、座席Ｓを設けたフレーム２と、ブレーキ付きウインチ３４を備えたフォーク３３のリフト機構３と、ハンドル４３を備えた後輪Ｗｒの操舵機構４と、一対のペダル付きクランクアームを備えた前輪Ｗｆの減速機構５と、から構成される。 - 特許庁

Since DIW (deionized water) fed to the surface Wf and back surface Wb of a substrate W for forming liquid films 11f, 11b on the surface wf and the back surface Wb of the substrate W is cooled to a temperature lower than ordinary temperature by a heat exchanger 623A, the time required for forming frozen films 13f, 13b can be reduced.例文帳に追加

基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに液膜１１ｆ、１１ｂを形成するために基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに供給するＤＩＷを熱交換器６２３Ａにより常温より低い温度に冷却しているため、凍結膜１３ｆ、１３ｂを生成するのに要する時間を短縮することができる。 - 特許庁

The wafer WF is subjected to heat treatment in such a manner that the first region is subjected to heat treatment in the first intensity, while the second region is subjected to heat treatment in the second intensity higher than the first intensity.例文帳に追加

第１の領域が第１の強度で熱処理され、かつ第２の領域が第１の強度よりも大きい第２の強度で熱処理されるように、ウエハＷＦが熱処理される。 - 特許庁

Then, in each period, a mean arc voltage Vav, a pulse voltage Vp, a base voltage Vb, a pulse width Tp, a wire feed rate WF and a certain time T as the length of the period are decided.例文帳に追加

そして、各期間において平均アーク電圧Ｖａｖ、パルス電圧Ｖｐ、ベース電圧Ｖｂ、パルス幅Ｔｐ、ワイヤ送給速度ＷＦおよび期間の長さである時間Ｔを定める。 - 特許庁

Lateral- directional forces (cornering forces) acting on the the respective rollers 1F, 1R under the condition where the respective wheels WF, WR are rotated at a prescribed speed are detected by respective detectors 3.例文帳に追加

各車輪ＷＦ，ＷＲを所定速度で回転させた状態で各ローラ１Ｆ，１Ｒに作用する左右方向の力（コーナリングフォース）を各検出器３により検出する。 - 特許庁

Opposite members 12A, 12B are disposed so as to be spaced while approximating to front and rear surfaces Wf and Wb of a substrate W held in an upright posture by holding rollers 11.例文帳に追加

保持ローラ１１により直立姿勢に立てた状態で保持された基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂにそれぞれ、対向部材１２Ａ，１２Ｂが近接しながら離間配置される。 - 特許庁

Thus, the current detecting unit 17 momentarily detects the occurrence of the insulation breakdown even when the insulation breakdown of the lower electrode 12 takes place during the processing of a semiconductor substrate WF wherein plasma is generated.例文帳に追加

これにより、プラズマの生成される半導体基板ＷＦの処理中において、下部電極１２の絶縁破壊が起こったとしても、瞬時に電流検知器１７が検知する。 - 特許庁

(SiO2)h= WSiO2, (CaF2)h=(WF-WLi2O×1.27-WNa2O×0.613-WK2O×0.403)×2.05, and (fluoride of alkali metal)h=WLi2O×1.74+WNa2O×1.35+WK2O×1.23.例文帳に追加

ここで、（ＣａＯ）_h＝（Ｗ_CaO−（ＣａＦ_2）_h×0.718）、（ＳｉＯ_2）_h＝Ｗ_SiO2、（ＣａＦ_2）_h＝（Ｗ_F−Ｗ_Li2O×1.27−Ｗ_Na2O×0.613−Ｗ_K2O×0.403）×2.05、（アルカリ金属の弗化物）_h ＝Ｗ_Li2O×1.74＋Ｗ_Na2O×1.35＋Ｗ_K2O ×1.23 - 特許庁

A table producing means 43 creates a table 53 showing the mutual relation of the design dimension Wd, the finish dimension Wf and the correction dimension δ based on the selection result 52.例文帳に追加

テーブル作成手段４３は、選択結果５２に基づいて、設計寸法Ｗｄ、仕上り寸法Ｗｆおよび補正寸法δが相互に関連付けられたテーブル５３を作成する。 - 特許庁

When the eccentric weight 24 is rotated in one direction by the power of the steering motor 19, front wheels Wf move in one direction in the widthwise direction of the vehicle to cause yaw rotation of the chassis 12.例文帳に追加

操舵モータ１９の動力によって偏心ウェイト２４が一方に回転すると、前輪Ｗｆが車幅方向の一方に動き、それによってシャーシ１２にヨー回転が生じる。 - 特許庁

In a state where a shield member 50 is arranged closely opposite a surface Wf of the substrate W, a gas is discharged from a gas discharge port 502 to the substrate W at a predetermined angle.例文帳に追加

基板Ｗの表面Ｗｆに遮断部材５０を近接して対向配置された状態で、ガス吐出口５０２から所定の角度で基板Ｗにガスを吐出する。 - 特許庁

The outer circumferential ring 13, consisting of a Si ring 131 with an auxiliary to positioning in placing the wafer WF and the underlying Al ring 132, is provided around the lower electrode part 11.例文帳に追加

下部電極部１１の周囲には、ウェハＷＦの載置に関する位置決め補助を伴うＳｉリング１３１、その下のＡｌリング１３２でなる外周リング１３が設けられる。 - 特許庁

One semiconductor wafer WF is housed, so as to expose the integrated circuit area CA of the main surface and to wrap all the peripheral edge part EG with a groove 13.例文帳に追加

１枚の半導体ウェハＷＦについて、その主表面の集積回路領域ＣＡを露出させると共にその周縁部ＥＧ全てが溝１３に包まれるように納められる。 - 特許庁

The HFE maintains its liquid state, the liquid to be frozen is frozen and the surface Wf of the substrate is frozen except the inside of the pattern gap and the neighbor region.例文帳に追加

その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結する。 - 特許庁

A liquid film formed on a surface Wf of a substrate W held by a spin base 23 is frozen by cooling gas of a lower temperature than a solidification point of liquid constituting the liquid film.例文帳に追加

スピンベース２３に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに形成される液膜を、該液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスにより凍結させる。 - 特許庁

A component data arranging means 9 arranges the figure PF of plate material components P shown by the real plate material component data PD on the figure WF of the raw plate materials according to a setting standard 9a.例文帳に追加

部品データ配置手段９は、実板材部品データＰＤで示される板材部品Ｐの図ＰＦを、素材板材の図ＷＦ上に設定基準９ａに従って配置する。 - 特許庁

In a building where at least one layer of the group of window frames where a plurality of the window frames consisting of a quadrangle are provided in a horizontal direction at specific intervals is provided in a vertical direction, a viscoelasticity damper DI for absorbing vibration energy in a direction being essentially in parallel with the group of the window frames is diagonally fixed between window frames WF and WF of the group of window frames.例文帳に追加

四辺形から成る窓枠が水平方向に所定間隔で複数設けられた窓枠群を、垂直方向に少なくとも１層以上設けた建築物において、窓枠群の窓枠ＷＦ、ＷＦ間には、当該窓枠群に対して実質的に平行となる方向の振動エネルギを吸収する粘弾性ダンパＤ1が対角線状に固定されている。 - 特許庁

The cup 14 is made narrower in width (d1<d2) on at least the side nearer to the exhaust port 142 than the side further from the port 142 with respect to the separating area between a scattering preventing wall 141 and the peripheral edge of the semiconductor wafer WF.例文帳に追加

カップ１４は、飛散防止壁１４１と半導体ウェハＷＦ周縁との離間領域に関し、少なくとも排気口１４２に近い方を遠い方より狭くしている（ｄ１＜ｄ２）。 - 特許庁

Initial stage of a process for exposing a specified mask pattern such that a plurality of integrated circuit chip regions 12 are formed on a semiconductor wafer WF while being spaced apart by a scribe line region 13 is shown.例文帳に追加

半導体ウェハＷＦ上に複数の集積回路チップ領域１２がスクライブライン領域１３を隔てて形成されるよう所定のマスクパターンを露光するプロセスの初期段階を示している。 - 特許庁

The cross-section CS1 of the circulation space S1 in the surface direction in the plane of the substrate surface Wf has an area larger than that of the channel cross-section CS2 of the gas introduction piping 33.例文帳に追加

基板表面Ｗｆの面内での表面方向における流通空間Ｓ１の断面ＣＳ１の面積はガス導入配管３３の流路断面ＣＳ２の面積よりも大きくなっている。 - 特許庁

Treatment liquids (chemical liquid and rinse liquid) are supplied to gap spaces S11, S12 until they are filled up, and the front and rear surfaces Wf and Wb of the substrate W are uniformly treated with the treatment liquids.例文帳に追加

間隙空間Ｓ１１，Ｓ１２に処理液（薬液およびリンス液）が液密に満たされた状態に供給され、基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂが処理液により均一に処理される。 - 特許庁

Consequently, the main stand 30 is forcibly revolved in accompany with rearward motion by the driving force of the driving motor 14 and gets into an erected state, and independently stands in a state in which a front wheel WF separates from the road surface.例文帳に追加

これにより、駆動モータ１４の駆動力による後進に伴ってメインスタンド３０が従動的に回動されて起立状態となり、前輪ＷＦが路面から離隔した状態で自立する。 - 特許庁

A diaphragm 13 is driven and atomizes or vaporizes the generated water WL through-holes, which is generated by a fuel cell 11 that is an electrical device, and removes the generated water WF, WG outside a gap.例文帳に追加

振動板１３は、駆動時には、電気機器である燃料電池１１により生成される生成水ＷＬを孔を介して霧化あるいは気化し、間隙外に生成水ＷＦ、ＷＧを除去する。 - 特許庁

After rinse processing, a bottom surface 43 as a substrate facing surface of a facing member 4 formed of a porous material is disposed with a space while facing a rinse solution adhering on a substrate surface Wf.例文帳に追加

リンス処理後に多孔質材料で形成された対向部材４の底面４３を基板対向面として基板表面Ｗｆに付着するリンス液に対向しながら離間配置させる。 - 特許庁

The peripheral edge protective form of housing the semiconductor wafer so as to warp the entire wafer peripheral edge part is provided for each semiconductor wafer, and the semiconductor wafer WF is carried, while being kept housed in the wafer protective case 10.例文帳に追加

半導体ウェハ１枚毎にウェハ周縁部全てを包むように納められる周縁保護形態が提供され、半導体ウェハＷＦは、ウェハ保護ケース１０に納められたまま搬送できる。 - 特許庁

Then, a DIW of an ambient temperature is supplied to entirely melt the lower frozen film 13f and the upper frozen film 14f, and the frozen films are eliminated together with particles from the surface Wf of the substrate W.例文帳に追加

そして、常温のＤＩＷを供給して下層凍結膜１３ｆおよび上層凍結膜１４ｆの全体を融解して、基板Ｗの表面Ｗｆからパーティクルとともに除去している。 - 特許庁

A liquid film LF1 of a HFE solution (a first treatment solution) is formed on a substrate surface Wf and further a liquid film LF2 of a DIW (a second treatment solution) is formed on the liquid film LF1 of the HFE solution.例文帳に追加

基板表面Ｗｆ上にＨＦＥ液（第１処理液）の液膜ＬＦ１が形成され、さらにＨＦＥ液の液膜ＬＦ１上にＤＩＷ（第２処理液）の液膜ＬＦ２が形成される。 - 特許庁

A cleaning liquid is supplied into a gap K from the nozzles 220, 230, while ultrasonic wave vibration is applied to the cleaning liquid by a vibration surface VF provided in the surface WF.例文帳に追加

ノズル２２０、２３０より間隙空間Ｋに洗浄液を供給するとともに、この洗浄液に対して、基板対向面ＷＦ内に設けられた振動面ＶＦが超音波振動を付与する。 - 特許庁

An upper surface bevel part of a substrate W is supplied with a first process liquid, in such condition that a shielding members 5 are arranged, facing each other, close to a surface Wf of the substrate W for executing bevel cleaning.例文帳に追加

遮断部材５が基板Ｗの表面Ｗｆに近接して対向配置された状態で基板Ｗの上面ベベル部に第１処理液が供給されてベベル洗浄が実行される。 - 特許庁

The developing-solution-discharging time and the expansion of the predetermined volume of the developing solution 16 over the wafer WF to be processed after the elapse of the developing-solution-filling time are completed without preferably biasing the thickness.例文帳に追加

そして、現像液盛り時間と現像液盛り時間経過後に及ぶ所定量の現像液１６の被処理ウェハＷＦ上への拡張を、なるべく厚みを片寄らせずに達成させる。 - 特許庁

The link component data PL includes link data PLa for specifying the real plate material component data PD and coordinate data PLb for arranging the figure PF of the plate material components on the figure WF of the raw plate materials.例文帳に追加

リンク部品データＰＬは、実板材部品データＰＤを特定するリンクデータＰＬａと、上記素材板材の図ＷＦ上に板材部品の図ＰＦを配置する座標データＰＬｂとを含む。 - 特許庁

Then the cleaning fluid is supplied to the gap space SP sandwiched between the substrate top surface Wf and reverse surface 211, and ultrasonic vibrations are imparted to the cleaning fluid through the near member 21.例文帳に追加

そして、基板表面Ｗｆと下面２１１とで挟まれた間隙空間ＳＰに洗浄液が供給されるとともに、近接部材２１を介して洗浄液に超音波振動が付与される。 - 特許庁

The film satisfies specific conditions of an oligomer amount (OL), a nitrogen content (N), a weight per unit area (Wf), a retardation value (Re) of the biaxially oriented polyester film and a total ray transmittance TL).例文帳に追加

上記離型フィルムは、オリゴマー量（ＯＬ）、窒素含有量（Ｎ）、単位面積当たりの重量（Ｗｆ）、二軸延伸ポリエステルフィルムのレターデーション値（Ｒｅ）、全光線透過率（ＴＬ）が特定の条件を満たす。 - 特許庁

The ink supply port 4B, which is located between a first ejection port array La-1 and a second ejection port array La-2, includes a portion wc of a large dimension hc and a portion Wf of a small dimension hf.例文帳に追加

吐出口列Ｌａ−１と吐出口列Ｌａ−２との間に位置するインクの供給口４Ｂは、大きい寸法ｈｃの部分ｗｃと、小さい寸法ｈｆの部分Ｗｆと、を含む。 - 特許庁

Weighted function wf(t), wp(t) concerning the pattern of prediction attenuation and the pattern of present attenuation factor are found based on the dazzling light generating time obtained by prediction part of the future brightness.例文帳に追加

また、将来明度予測部２１によって得られた眩光発生時刻に基づいて、予測減衰率パターンと現行減衰率パターンにかかる重み付関数ｗｆ(ｔ)，ｗｐ(ｔ)で求める。 - 特許庁

The pay-out material 38 is accommodated at the rim of the window WF, paid out therefrom when a pretensioner is actuated, and located in the position on the outside of the cabin 0 of the air bag 51 at the completion of the development and inflation.例文帳に追加

繰り出し材３８は、窓ＷＦの周縁に収納されて、プリテンショナーの作動時、窓ＷＦの周縁から繰り出されて、展開膨張完了時のエアバッグ５１の車外側Ｏの位置に配置される。 - 特許庁

By operating a motor 12A, a group of rollers RG arranged in a processing head 11A are abutted on the peripheral end face of a wafer W, and processing liquid nozzles 113, 114 face the peripheral edge of a wafer surface Wf.例文帳に追加

モータ１２Ａの作動により、処理ヘッド１１Ａに配設されたローラ群ＲＧが基板Ｗの周端面に当接するとともに処理液ノズル１１３，１１４が基板表面Ｗｆの周縁部と対向する。 - 特許庁

While a substrate W is rotated at a first rotational speed (for example, 1,000 r.p.m.), hydrofluoric acid is supplied from a chemical discharge nozzle 4 to a substrate surface Wf at a first flow rate of, for example, 2 (L/min).例文帳に追加

基板Ｗを第１回転速度（例えば１０００ｒｐｍ）で回転させる一方、薬液吐出ノズル４から基板表面Ｗfにフッ酸を第１流量、例えば２（Ｌ／ｍｉｎ）で基板表面Ｗfに供給する。 - 特許庁

Since the surface Wf of a substrate W is cleaned after the pattern is reinforced and damage is prevented, cost is reduced and the time required for processing can be shortened when compared with a case where a separate freezing means is provided.例文帳に追加

これにより、パターンを補強してダメージを防止した上で基板表面Ｗｆの洗浄を行い、別途凍結の手段を設ける場合に比べてコストを低減し、処理に要する時間を短縮する。 - 特許庁

The coining is conducted to a degree improving a surface roughness of the end face Wf, alleviating a tensile residual stress of an edge part We, imparting a compression residual stress, further, increasing a plate thickness from t1 to t2.例文帳に追加

このコイニングは、その端面Ｗfの面粗度を向上させると共に、エッジ部Ｗeの引張残留応力を緩和しまたは圧縮残留応力を付与し、さらに、板厚をt1からt２に増加させる程度に行う。 - 特許庁