「WF」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A resist supply section 14 for dropping resist is arranged on the main surface of the wafer WF at the upper section of the support stand 11.例文帳に追加

支持台１１の上方には、ウェハＷＦ主表面にレジストを滴下するレジスト供給部１４が配備されている。 - 特許庁

The wheel speed sensor 32 is mounted on a mounting boss 17 provided on the lower part of the front fork 5 for journaling front wheels WF.例文帳に追加

前輪ＷＦを軸支するフロントフォーク５の下部に設けられた取付けボス１７に、車輪速センサ３２が取付けられる。 - 特許庁

In this case, when the cooling nozzle 3 is faced to a substrate surface Wf, the cooling temperature (discharge cooling medium temperature) is sharply reduced.例文帳に追加

このとき、冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上に対向すると冷媒温度（吐出冷媒温度）が急激に低下する。 - 特許庁

Thus, the rotational speed is reduced to form a liquid swell 28 having a thickness T2 (>T1) on the substrate surface Wf.例文帳に追加

このように回転速度を減速することにより、基板表面Ｗf上に厚さＴ2（＞Ｔ1）の液盛り２８が形成される。 - 特許庁

A metallic drain cup 13 is provided along the wafer chuck part of the support rest 11 and the outer periphery of the wafer WF.例文帳に追加

支持台１１のウェハチャック部分及びウェハＷＦの外周に沿うように金属製のドレーンカップ１３が配設されている。 - 特許庁

In a chamber 10, a lower electrode part 11 on which a semiconductor wafer WF is placed and an upper electrode part 12 are arranged in the inside.例文帳に追加

チャンバー１０は、内部に半導体ウェハＷＦを載置する下部電極１１及び上部電極が配備されている。 - 特許庁

Then, O3 water (ozone water) is supplied to a wafer WF rear face from the O3 water supply nozzle for back rinse 15.例文帳に追加

このバックリンス用Ｏ_3 水供給ノズル１５からウェハＷＦ裏面部分にＯ_3 水（オゾン水）が供給されるようになっている。 - 特許庁

Thereafter, cooling gas is discharged to the front surface Wf of the substrate W from a cooling gas discharge nozzle 3, and the liquid membrane is frozen.例文帳に追加

その後、冷却ガス吐出ノズル３から基板Ｗの表面Ｗｆに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。 - 特許庁

This hybrid vehicle 1 consists of the internal combustion engine 11, a front motor generator 12 and a transmission 13 which are direct-coupled to front wheels Wf, Wf in series, and a rear motor generator 14 connected to rear wheels Wr, Wr though a rear differential DR.例文帳に追加

前輪Ｗｆ，Ｗｆに直列に直結した内燃機関１１及びフロントモータジェネレータ１２及びトランスミッション１３と、後輪Ｗｒ，ＷｒにリアデファレンシャルＤＲを介して接続したリアモータジェネレータ１４とを備えてハイブリッド車両１を構成した。 - 特許庁

The making needle 22 puts a distinguishable mark on the specific region SA of the chip region CHIP according to the test results when the probe touches the semiconductor wafer WF and only when the circuit board 12 (probe card 124) is brought near to the wafer WF (chip region CHIP).例文帳に追加

このマーキング針２２は、探針２１の接触時その試験結果に応じてさらに回路基材１２（プローブカード１２４）とウェハＷＦ（チップ領域ＣＨＩＰ）を接近させた時にのみチップ領域ＣＨＩＰの特定領域ＳＡに識別可能な傷跡を付ける。 - 特許庁

The shielding member 38 has a diagonal side part 39 intersecting the opening WF diagonally, and has a shape capable of shielding a lower area of the diagonal side part 39 out of the areas divided into two by the diagonal side part 39 at the opening WF when the delivery is completed.例文帳に追加

遮蔽材３８は、開口ＷＦを斜めに横断する斜辺部３９を備えて、繰り出し完了時、開口ＷＦにおける斜辺部３９によって二分された領域で、かつ、斜辺部３９の下方側の領域、を遮蔽可能な形状とする。 - 特許庁

A dissolved oxygen concentration in the mixed liquid can thus be prevented from rising when the rinse liquid attaching to the substrate surface Wf is replaced with the mixed liquid, thereby surely preventing an oxide film from forming on the substrate surface Wf or the watermark from occurring.例文帳に追加

このため、基板表面Ｗｆに付着するリンス液が混合液に置換される際に、混合液の溶存酸素濃度が上昇するのを抑制することができ、基板表面Ｗｆに酸化膜が形成されたり、ウォーターマークが発生するのを確実に防止できる。 - 特許庁

When the quantity of the hot water filled to the receptacle container is judged to have reached the point of time A that is smaller than the predetermined hot water quantity Wt by a prescribed quantity Wf, the operating condition of the electric pump is changed so as to lower the hot water quantity (flow rate of hot water) per unit hour.例文帳に追加

受け容器に注がれる給湯量が、設定湯量Wtよりも所定の量Wfだけ少ない時点Ａに達したことが判別されると、単位時間当たりの給湯量（出湯流量）が低下するように電動ポンプの動作状態を変更する。 - 特許庁

The air bag 20F is accommodated at the upper rim UW of the vehicle window WF and developed and inflated in such a way as covering the cabin interior side I of the window WF so as to restrain the head MH of the occupant MF when the inflating gas flows in from the inflator at the time of actuation.例文帳に追加

そして、エアバッグ２０Ｆは、車両の窓ＷＦの上縁側ＵＷに収納されて、作動時のインフレ−タからの膨張用ガスの流入時に、窓ＷＦの車内側Ｉを覆って乗員ＭＦの頭部ＭＨを拘束可能に、展開膨張する。 - 特許庁

Finally, a melting liquid is discharged to the front surface Wf of the substrate W from a melting liquid discharge nozzle 6, and the frozen membrane is melted and removed.例文帳に追加

その後、融解液吐出ノズル６から基板Ｗの表面Ｗｆに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 - 特許庁

In the tire 1F for the front wheel, the groove width Wf of the steeply inclined part 3a is larger than the groove width Wr of the tire for the rear wheel.例文帳に追加

前輪用タイヤ１Ｆは、急傾斜部３ａの溝巾Ｗｆを後輪用タイヤ１Ｒの溝巾Ｗｒよりも大とする。 - 特許庁

Further, the impact waves passing the boundary face BF are dampened during the time of reaching the substrate surface Wf through the liquid film LF1.例文帳に追加

また、界面ＢＦを通過してきた衝撃波は液膜ＬＦ１を通過して基板表面Ｗｆに達するまでの間に減衰される。 - 特許庁

A pair of right and left covers 26 individually covering the both front wheels WF from the front are mounted on the front portion of a vehicle body 10.例文帳に追加

両前輪ＷＦをその前方からそれぞれ個別に覆う左右一対のカバー２６が、車体１０の前部に取付けられる。 - 特許庁

Thereafter, the burn-in tests are conducted, by bringing the facing areas of a circuit substrate for burn-in test and the wafer WF closer to each other.例文帳に追加

その後、バーンイン試験用の回路基材とこの半導体ウェハＷＦの対向領域を接近させ、バーンイン試験がなされる。 - 特許庁

Cooling gas is locally discharged from a cooling gas discharge nozzle 3 toward a substrate surface Wf where a liquid film 11f is formed.例文帳に追加

冷却ガス吐出ノズル３から冷却ガスを液膜１１ｆが形成された基板表面Ｗｆに向けて局部的に吐出する。 - 特許庁

Electric energy U required for obtaining actual filtration flow rate during one cycle comprising a filtration process and a back washing process is represented by ∫Wf+∫Wb.例文帳に追加

ろ過工程と逆洗工程からなる１サイクルの実ろ過流量を得るのに必要な電力量Uは∫Ｗｆ＋∫Ｗｂとなる。 - 特許庁

The liquid LQ from a nozzle 13 is applied to and spread on the semiconductor wafer WF by the centrifugal force generated when the supporting base 11 rotates.例文帳に追加

ノズル１３からの液体ＬＱは、支持台１１の回転による遠心力で半導体ウェハＷＦ上に塗り広げられる。 - 特許庁

A thin film is deposited by immersing a work WF in a treatment liquid L stored in a treatment tank 52 having an opening part K.例文帳に追加

開口部Ｋを有する処理槽５２内に貯留された処理液Ｌに処理対象物ＷＦを浸漬して、薄膜を形成する。 - 特許庁

The substrate is heated continuously until the HFE liquid is all removed from the substrate surface Wf through drying processing (removal processing).例文帳に追加

この基板加熱は、乾燥処理（除去処理）によってＨＦＥ液が基板表面Ｗｆから全部除去されるまで継続される。 - 特許庁

If a waveform WF to be measured exceeds a threshold value V_th, a stop pulse SP is outputted from a comparator 21, and the signal S1 becomes 'L' level.例文帳に追加

被測定波形ＷＦが閾値Ｖ_thを越えた場合にはコンパレータ２１からストップパルスＳＰが出力され、信号Ｓ１は“Ｌ”レベルとなる。 - 特許庁

The substrate W carried into a processing chamber 1 is held in a spin chuck 2 in a state where its substrate front surface Wf faces upward.例文帳に追加

処理チャンバー１内に搬入された基板Ｗは、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態でスピンチャック２に保持される。 - 特許庁

The semiconductor wafer WF is diced through a dicing step to include dicing dirt (cut chip or the like) and has need of cleaning.例文帳に追加

半導体ウェハＷＦはダイシング工程を経たダイシング済みのものでダイシング汚れ（切削屑等）を含んでおり洗浄の必要性がある。 - 特許庁

The pitch Pc of the plurality of cylindrical lenses, the width Wf of the flat section, and the height Hc of the cylindrical lens satisfy expression (1) and expression (2).例文帳に追加

複数のシリンドリカルレンズのピッチＰｃと、平坦部の幅Ｗｆと、シリンドリカルレンズの高さＨｃとは、式（１）及び式（２）を満たす。 - 特許庁

The wafer-mounting plate 11 is provided with a fitting recess part 111 of a depth larger than the thickness for one semiconductor wafer WF.例文帳に追加

ウェハ載置板１１は、１枚の半導体ウェハＷＦに関しその厚みより大きい深さの嵌め込み用リセス部１１１を有する。 - 特許庁

The shading body 5 arranged so as to float on the water surface Wf of a lake 1 is mounted with the solar cell 6, equipped with the power source 7 driven by utilizing the electromotive force provided in the solar cell 6, and moved by a propulsion means 8 provided thereon.例文帳に追加

湖沼１の水面Wfに浮かせて配置された遮光体５に太陽電池６を搭載し、該太陽電池６に得られる起電力を利用して駆動される動力源７を備えて前記遮光体５に設けた推進手段８によってその遮光体５を移動させること。 - 特許庁

The calculation means 15 calculates a filtration flow rate per unit time with respect to a pressure difference Pf between membranes during filtration by using Ruth's model targeting maximum full flow filtration to find filtration power Wf consumed by a booster pump, and power consumption Wb of a back wash pump during back washing.例文帳に追加

算出手段１５では全流量ろ過を対象としたルースのモデルを用い、ろ過時の膜間差圧Ｐｆに対する単位時間あたりのろ過流量を計算し、これより加圧ポンプで消費されるろ過電力Wfを求め、また逆洗時の逆洗ポンプの消費電力Wbを求める。 - 特許庁

Also, because the sheet member 231 with the process liquid attached thereto is moved in a direction along the surface of the substrate Wf as a process proceeds, a substrate processing device enables a clean surface of the sheet member 231 to face opposite to the substrate and thereby preventing the surface of the substrate Wf from being tainted with liquid which drops from the sheet member 231.例文帳に追加

また、処理液等が付着したシート部材２３１は、処理に応じて基板表面Ｗｆに沿った方向に移動され、清浄な面を基板対向面とすることができるため、シート部材２３１から液体等が落下して基板表面Ｗｆを汚染することがない。 - 特許庁

The wafer conveying method which conveys a plurality of wafers Wf stacked in liquid, heats a liquid Lq by a heater 41, and picks up at least the uppermost-located wafer among the plurality of wafers Wf from the heated liquid Lq by a suction conveyor 2.例文帳に追加

液体中に積み上げられた複数枚のウエハＷｆを搬送するウエハ搬送方法であって、液体Ｌｑをヒータ４１により加熱するとともに、加熱された液体Ｌｑから複数枚のウエハＷｆのうち最上位にあるものを吸着コンベア２により取り上げる。 - 特許庁

In addition, the water vapor component generated by the sublimation is removed from the substrate surface Wf together with the flow of the nitrogen gas for freeze dry, whereby the water vapor component can securely be prevented from returning to the liquid phase and the solid phase and reattaching to the substrate surface Wf.例文帳に追加

また、昇華により発生した水蒸気成分は凍結乾燥用窒素ガスの気流に乗って基板表面Ｗｆから取り除かれるため、水蒸気成分が液相や固相に戻り基板表面Ｗｆに再付着するのを確実に防止することができる。 - 特許庁

On the other hand, a push plate 60 is located in a space S formed between a case 30 and the catch plate 50, and moved upward along the parts catch surface 51 of the catch plate 50 to lift up one or more bearings WF, WF from the plurality of parts arrays L1, L2 by crossing.例文帳に追加

他方、押出板６０は、ケース３０と受止板５０との間に形成される隙間Ｓに位置し、受止板５０の部品受止面５１に沿いかつ上方に移動して複数の部品配列Ｌ１，Ｌ２から各列１個以上のベアリングＷＦ，ＷＦを横断的に持ち上げる。 - 特許庁

In a semiconductor wafer WF, respective cells CLa, CLc are formed adjacent in the X-axis direction of the stage-moving shaft, a plot pattern forming region 15 and an inspection pattern 16 are formed in the cell CLa, and a plotting pattern forming area 15 and an inspection pattern 17 are formed in the cell CLc.例文帳に追加

半導体ウェハWFにおいて、各セルCLａ，CLｃはステージ移動軸のＸ軸方向に隣接し、セルCLａには描画パターン形成領域１５および検査用パターン１６が形成され、セルCLｃには描画パターン形成領域１５および検査用パターン１７が形成されている。 - 特許庁

That means, the recycled IPA is supplied to the substrate W subjected to rinsing processing to substitute a rinse liquid (DIW) adhering on a substrate surface Wf with the recycled IPA, and then, the unused IPA is supplied to the substrate surface Wf to form a surface state suitable to drying processing.例文帳に追加

つまり、リンス処理を受けた基板Ｗに対して再利用ＩＰＡを供給して基板表面Ｗfに付着しているリンス液（ＤＩＷ）を再利用ＩＰＡに置換した後に未使用のＩＰＡを基板表面Ｗfに供給して乾燥処理に適した表面状態を形成している。 - 特許庁

Thus, the rinse liquid on the substrate surface Wf is replaced with IPA liquid, and a guide section positioned at the side of the substrate W is switched from a second guide section 72a to a third guide section 73a in such a timing that all rinse liquid is completely eliminated from the substrate surface Wf during replacement processing.例文帳に追加

これによって、基板表面Ｗｆ上のリンス液がＩＰＡ液に置換されるが、置換処理中に基板表面Ｗｆから全てのリンス液が完全に排除されるタイミングで基板Ｗの側方に位置する案内部を第２案内部７２ａから第３案内部７３ａに切り替える。 - 特許庁

Further, the pre-drying processing is not immediately executed for the substrate W subjected to rinsing processing, but executed after a low-concentration IPA is supplied to the substrate surface Wf to substitute the ringing liquid (DIW) adhering on the substrate surface Wf with IPA.例文帳に追加

しかも、この実施形態では、リンス処理を受けた基板Ｗに対して乾燥前処理を直ちに行うのではなく、低濃度ＩＰＡを基板表面Ｗfに供給して基板表面Ｗfに付着しているリンス液（ＤＩＷ）をＩＰＡに置換した上で乾燥前処理を行っている。 - 特許庁

Accordingly, the breakage of the substrate W is prevented by preventing the substrate W and shielding plate 5 from coming into contact with each other while the surface Wf of the substrate W is surely shielded from the external atmosphere by arranging the surface Wf and shielding plate 5 sufficiently closely to each other.例文帳に追加

したがって、基板表面Ｗｆと遮断板５とを十分に近接させて対向配置することで基板表面Ｗｆを外部雰囲気から確実に遮断しつつ、基板Ｗと遮断板５とが接触して基板Ｗが破損するのを防止することができる。 - 特許庁

When the developing solution 16 is filled during the developing-solution-filling time, the wafer WF to be processed is rotated at the predetermined number of revolutions SP1.例文帳に追加

現像液盛り時間において現像液１６が盛られている際、被処理ウェハＷＦは所定の回転数ＳＰ１で回転している。 - 特許庁

The surface Wf of the substrate can be dried without damaging the pattern by removing the frozen film in the removing step.例文帳に追加

この除去工程によって凍結膜が除去されることでパターンへのダメージを生ずることなく基板表面Ｗｆを乾燥することができる。 - 特許庁

Next, with the use of corrected DP', Ec' and Rp', the optimum conditions of laser power PL, a beam radius Wf and a scanning speed V are calculated (S204).例文帳に追加

次に、補正したＤP’、Ｅc’及びＲp’を用いて、レーザパワーＰL、ビーム半径Ｗf、スキャン速度Ｖの最適条件の算出を行う（Ｓ２０４）。 - 特許庁

Furthermore, a section 14 for driving the roller 13 to turn respective wafers WF in the containing cassette 12 is provided.例文帳に追加

さらに、このローラー１３を駆動制御し、収容カセット１２内のウェハＷＦそれぞれを回転させるローラー駆動部１４が配備されている。 - 特許庁

Accordingly, there is possibility of fluctuation of the position of the surface of water WF in the evaporation unit 9 by the fluctuation of the load of a cell stack 20.例文帳に追加

従って、セルスタック２０の負荷が変動することによって、蒸発部９内の水面ＷＦの位置が変動する可能性がある。 - 特許庁