WFを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 356件
A quartz chamber 10 has a wafer introducing part 101 and contains a wafer WF, indicated a broken line, together with a support part, such as a susceptor 102.例文帳に追加
石英製のチャンバ10は、ウェハ導入部101を有し、破線で示すウェハWFをサセプタ102等の支持部を伴ない収容する。 - 特許庁
An anode electrode plate 17 consisting of an Sn plate is adapted to be disposed in the position where the plate faces the wafer WF fixed to the plating tool 15.例文帳に追加
Sn板でなるアノード電極板17は、めっき治具15に固定されたウェハWFと対向する位置に配されるようになっている。 - 特許庁
The device estimates a gross weight of the vehicle W by adding the estimated front wheel axle load Wf and the estimated rear wheel axle load Wr.例文帳に追加
この装置は、推定された前輪軸重Wfと後輪軸重Wrとを加えることにより、車両総重量Wを推定する。 - 特許庁
The wafer WF that is placed on a placement rest that is not shown in a figure is irradiated with an excimer UV (an ultraviolet ray) using a xenon lamp or the like as a light source L.例文帳に追加
図示しない載置台に載置されたウェハWFは、光源Lとして例えばキセノンランプを用いたエキシマUV(紫外線)が照射される。 - 特許庁
The groove DT is formed in the prescribed region of the semiconductor wafer WF by dry-etching technology using the patterned resist film as a mask.例文帳に追加
そして、パターニングしたレジスト膜をマスクにしたドライエッチング技術により、半導体ウェハWFの所定領域に溝DTを形成する。 - 特許庁
In the semiconductor wafer WF that is irradiated with the excimer UV (the ultraviolet ray), surface reforming that is the same as the conventional resist application pretreatment is achieved.例文帳に追加
エキシマUV(紫外線)が照射された半導体ウェハWFは、従来のレジスト塗布前処理と同等の表面改質が達成される。 - 特許庁
To provide a wire feeding device WF which can select two electrode arc welding or single electrode arc welding corresponding to each welding portion.例文帳に追加
溶接箇所ごとに2電極アーク溶接又は単電極アーク溶接を選択することができるワイヤ送給装置WFを提供する。 - 特許庁
A boat base 104 introduces a boat 105 which is formed of quartz and on which a plurality of wafers WF are mounted to the inside and the outside of the inner tube 101b (load/unload).例文帳に追加
ボートベース104は、複数のウェハWFが載置される石英製のボート105をインナーチューブ101bの内外に導く(ロード/アンロード)。 - 特許庁
By the inclination, the gravity direction (G1) acting on the center of gravity (G) of the whole concrete mixer truck is moved forward to prevent the floating of the front wheels (Wf).例文帳に追加
傾斜させることにより、ミキサ車全体の重心(G)に作用する重力の方向(G1)を前方へ移動させ、前輪(Wf)の浮き上がりを防ぐ。 - 特許庁
A brush arm 15 where a disk-type brush 14 which is brought into contact with the surface of the wafer WF is arranged at a tip is disposed above the support stand 11.例文帳に追加
支持台11の上方には、ウェハWF表面に接触させるディスク型ブラシ14を先端に配備するブラシアーム15が設けられている。 - 特許庁
Arriving at an application end position, the nozzle N stops discharging of the application liquid and retreats in a direction away from the substrate surface Wf.例文帳に追加
塗布終了位置に到達するとノズルNからの塗布液の吐出を停止するとともにノズルNを基板表面Wfから離間する方向に退避させる。 - 特許庁
Consequently, a hydrofluoric acid film 27 having a thickness T1 is formed on the entire substrate surface Wf, which becomes well wet with hydrofluoric acid.例文帳に追加
これにより、厚みT1のフッ酸液膜27が基板表面Wf全体に形成され、基板表面Wf全体がフッ酸と馴染んだ状態となる。 - 特許庁
In this manner, a rinse liquid attached on the substrate surface Wf can successfully be removed in an atmosphere at an atmospheric pressure for drying the substrate W.例文帳に追加
このように大気圧雰囲気で基板表面Wfに付着したリンス液を良好に除去して基板Wを乾燥させることができる。 - 特許庁
This occupant restraint device S1 is constituted by delivering a shield material from the peripheral edge of a window WF capable of shielding it when a roll over of a vehicle is detected.例文帳に追加
車両のロールオーバ検知時に、窓WFを遮蔽可能に窓WFの周縁から遮蔽材が繰り出される構成の乗員拘束装置S1。 - 特許庁
A carbon protective film 6 is formed on the entire surface of a silicon carbide wafer WF by chemical vapor deposition while using carbon monoxide as the source gas.例文帳に追加
ソースガスとして一酸化炭素を使用し、化学気相成長法によって炭化珪素ウエハWFの全表面にカーボン保護膜6を形成する。 - 特許庁
Subsequently, a process liquid is supplied to the front surface Wf of the substrate W from a process liquid discharge nozzle 97, and a liquid membrane of process liquid is formed.例文帳に追加
その後、処理液吐出ノズル97から基板Wの表面Wfに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。 - 特許庁
A roller 13 is disposed at the bottom of a treatment bath 11 to touch the circumferential edge part of each wafer WF exposed from a containing cassette 12.例文帳に追加
処理槽11の底部にローラー13が設けられ、収容カセット12から露出するウェハWFそれぞれの周縁部分に接触するようになっている。 - 特許庁
In addition, at the upper section of the support stand 11, an O3 wafer supply nozzle 15 for edge rinsing where a supply opening is directed to the peripheral section of the wafer WF is arranged.例文帳に追加
加えて支持台11の上方には、ウェハWFの周縁部に供給口が向いているエッジリンス用O_3 水供給ノズル15が配設されている。 - 特許庁
The inclined region 162 of the ring 16 has an angle of inclination of at least part of the regions adjusted depending on the tendency in the treatment within the wafer WF surface.例文帳に追加
このリング16の傾斜領域162は、ウェハWF面内の処理傾向に応じて少なくとも一部の領域の傾斜角度が調節されている。 - 特許庁
Thus, the wafer WF is pressed onto the placing stand 131 which transmits a temperature, speedy heat exchange occurs, and wafer temperature control is quickly completed.例文帳に追加
これにより、基板WFは温度を伝達する載置台131に押し付けられ、速やかな熱交換が起こり、早く基板の温度制御が完了する。 - 特許庁
Consequently, the energy of the impact waves generated in the liquid film LF2 and applied to the substrate surface Wf by ultrasonic vibration is efficiently lowered.例文帳に追加
したがって、超音波振動より液膜LF2中で発生して基板表面Wfに与えられる衝撃波のエネルギーが効果的に低減される。 - 特許庁
The handle is foldable so as to extend along the side of the front wheel WF and pedals 13 are also foldable so as to extend along the side of the rear frame 23.例文帳に追加
ハンドルが前輪WF側面に沿うように折り畳み可能にし、かつ、ペダル13が後フレーム23側面に沿うように折り畳み可能である。 - 特許庁
The Si rings 161 and 162 constitute a useful Si ring 16 to expand plasma around a silicon semiconductor wafer WF.例文帳に追加
これらSiリング161,162は、シリコン半導体ウェハWFのウェハの周囲にプラズマを拡張させる一つの有用なSiリング16を構成している。 - 特許庁
A polishing mechanism 16 has rotary grinding stones 161, 162 and polishes the edge of the blade while the blade 13 cuts the semiconductor wafer WF.例文帳に追加
研磨機構16は、回転砥石161,162を有し、ブレード13で半導体ウェハWFを切断している最中にブレードの刃先を研磨する。 - 特許庁
The front surface Wf of the substrate W is then subjected to hydrophobing by supplying a hydrophobic agent thereto from a hydrophobic agent discharge nozzle 5.例文帳に追加
その後、疎水化剤吐出ノズル5から基板Wの表面Wfに疎水化剤が供給されて、基板Wの表面Wfが疎水化される。 - 特許庁
Also, since the etching grooves XX may have a width smaller than a dicing width, the number of semiconductor chips to be formed on the semiconductor wafer WF can be increased.例文帳に追加
また、ダイシング幅に比べてエッチング溝XXの幅は狭くてもよいため、半導体ウエハWF上に形成する半導体チップの数を増加できる。 - 特許庁
Then, the cooling nozzle 3 faced to the substrate surface Wf of the rotatively driven substrate W is moved toward an end edge position Pe of the substrate W.例文帳に追加
そして、回転駆動されている基板Wの表面Wfに向けて冷却ノズル3を基板Wの端縁位置Peに向けて移動させていく。 - 特許庁
In a hybrid vehicle 1 where a transmission 14 is connected through a first clutch 13 to an internal combustion engine 11 and a first motor 12 serially connected to front wheels Wf and Wf, a second motor 16 configuring a three-phase brushless DC motor is connected through a second clutch 15 to the transmission 14.例文帳に追加
前輪Wf,Wfに直列に直結した内燃機関11及び第1モータ12に第1クラッチ13を介してトランスミッション14を接続してなるハイブリッド車両1において、3相のブラシレスDCモータをなす第2モータ16を第2クラッチ15を介してトランスミッション14に接続した。 - 特許庁
The wafer fixture 10 for plating has fixture units 101 to 103 in which each semiconductor wafer WF is held between a wafer mounting board 11 retaining electro insulating relation with the wafer WF each other and an upper cover member 12 tightly adhering in the vicinity of the peripheral part of the wafer while exposing the main surface region thereof.例文帳に追加
めっき用ウェハ治具10は、半導体ウェハWFと互いに電気的に絶縁関係を保つウェハ載置板11とウェハ周縁部近傍に密着する上蓋部材12とで、ウェハWFに関しその主表面領域を露出させながら狭持するそれぞれの治具ユニット101〜103を有する。 - 特許庁
The film-forming method for forming the metallic film on a substrate Wf to be treated comprises a first step of supplying the gas of a metal carbonyl compound onto the substrate Wf, and a second step of supplying the gas of an organic compound for forming a coordination compound on the substrate.例文帳に追加
被処理基板Wf上に金属膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板Wf上に金属カルボニル化合物ガスを供給する第1の工程と、前記被処理基板上に配位化合物を形成する有機化合物ガスを供給する第2の工程とを含むことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁
Further, the liquid is supplied toward the substrate surface Wf on the upstream side interface 231a of the liquid-tight layer 23 or on the downstream side (-X) in the moving direction from the upstream side interface 231a and displaced by fresh liquid to which a rinse liquid (a liquid) coming into contact with the substrate surface Wf is additionally supplied.例文帳に追加
さらに、液密層23の上流側界面231aまたは該上流側界面231aよりも移動方向の下流側(−X)において液体を基板表面Wfに向けて供給し、基板表面Wfと接液するリンス液(液体)を追加供給されたフレッシュな液体に置換している。 - 特許庁
The upper surface of the push plate 60 is formed as a push-out surface 61 for the plurality of part arrays L1, L2 disposed in cross direction, which passes through the space S formed between the case 30 and the catch plate 50 from the lower standby position to raise upward one or more bearings WF, WF.例文帳に追加
この押出板60の上面は、横方向に複数配置された部品配列L1,L2に対して、下位の待機位置からケース30と受止板50との間に形成される隙間Sを通り各列1個以上のベアリングWF,WFを横断的に上方に持ち上げる押出面61に形成されている。 - 特許庁
The occupant restrain system S comprises the door frame 11 disposed on the periphery of a window WF, an upper trim 31 which covers the cabin side I of the door frame 11 of a peripheral edge on the window lower edge side and bends an upper end to the exterior side O of a vehicle, and a sheet-like shielding material 38 which can shield the window WF when it is delivered.例文帳に追加
乗員拘束装置Sは、窓WFの周縁に配置されるドアフレーム11と、窓下縁側周縁のドアフレーム11の車内側Iを覆い、上端を車外側Oに屈曲させたアッパトリム31と、繰り出し時に窓WFを遮蔽可能なシート状の遮蔽材38と、を備える。 - 特許庁
The manufacturing method has steps (S101, S102) of forming etching grooves XX on boundary lines between semiconductor chips CP from the main surface of a semiconductor wafer WF, for example in a former process, and a back-grinding step (S1042) as a subsequent process of grinding the whole rear surface of the semiconductor wafer WF to the etching grooves XX.例文帳に追加
例えば、前工程プロセスにおいて、半導体ウエハWFの主面から各半導体チップCP間の境界ラインにエッチング溝XXを形成し(S101,S102)、次いで後工程となるバックグラインド工程において、半導体ウエハWFの裏面全体をエッチング溝XXに到達するまで研削する(S1042)。 - 特許庁
By freezing a liquid film 11f formed on a surface Wf of a substrate W, DIW within gaps of a pattern PT is solidified together with DIW deposited on the surface Wf of the substrate and is formed as a part of a frozen film 13f, so that the pattern PT is structurally reinforced by the frozen film 13f.例文帳に追加
基板Wの表面Wfに形成された液膜11fを凍結させることによって、パターンPTの間隙内部に入り込んだDIWが基板表面Wfに付着するDIWと一緒に凝固して凍結膜13fの一部となり、凍結膜13fによってパターンPTが構造的に補強される。 - 特許庁
Since rotation axes 21La and 21Ra of vertical cutters 21L and 21R are directed approximately perpendicularly to a surface Wa of a work material W, even if a knot exists on the surface Wa of the work material W, there is no fear that the knot WF is partly missing and the whole of the knot WF separates from the work material W.例文帳に追加
バーチカルカッタ21L,21Rは、回転軸21La,21Raを加工材Wの表面Waと略直角に向けているので、加工材Wの表面Waに節WFが存在していても、節WFが部分的に欠けたり節WF全体が加工材Wから離脱したりする虞はない。 - 特許庁
This air cleaner 1 is provided with a wet type filter part WF for removing dust by rotating dampened filter sheets 6 in the upstream side of a dry type filter part DF.例文帳に追加
空気清浄機1は、乾式フィルタ部DFの上流側に、湿潤させたフィルタシート6を回転させることで除塵を行う湿式フィルタ部WFを備えている。 - 特許庁
A robbery preventing wire 71 is inserted into a hole 72 provided on the lower end part of the seat post 3 protruded and is turned to a front wheel WF and locked with a key 73.例文帳に追加
そして、この突出されたシートポスト3の下端部に設けた孔72に盗難防止ワイヤ71を通して前輪WFに掛け渡し、錠73で施錠する。 - 特許庁
A work W is placed on the placing surface 3f of a placing stand 3 and the surface Wf to be inspected of the work W is irradiated with light by an illuminator 1 and photographed by a camera 2.例文帳に追加
載置台3の載置面3fにワークWを載置し、ワークWの被検査面Wfは、照明1により光が照射され、カメラ2により撮影される。 - 特許庁
Thereby, the liquid mixture in the surface layer portion is removed from the substrate surface Wf in a state with the liquid mixture entered inside the gap of the patterns FP substantially remaining.例文帳に追加
これにより、パターンFPの間隙内部に入り込んでいる混合液をほぼ残した状態で表層部分の混合液が基板表面Wfから除去される。 - 特許庁
With regard to a wafer WF placed on a placing stand 131, pressures are unbalanced on front and rear surfaces of the wafer by switching from the high-vacuum state to the state of high atmospheric pressure.例文帳に追加
載置台131に乗った基板WFに関し、高真空状態から気圧の高い状態の切り替えで、基板表裏で不平衡圧力を生じさせる。 - 特許庁
A DIW is supplied to a surface Wf of a substrate W to form a lower layer liquid film 11f, and the formed film is frozen to form a lower frozen film 13f.例文帳に追加
基板Wの表面Wfに向けてDIWを供給して下層液膜11fを形成し、これを凍結して下層凍結膜13fを形成する。 - 特許庁
It is determined whether line data LD of RGB data RD after scanning are each a white line, and a white line flag WF as a result of determination is stored in a buffer.例文帳に追加
スキャン後のRGBデータRDの各ラインデータLDが白ラインであるか否かを判定して、その判定結果である白ラインフラグWFをバッファーに格納する。 - 特許庁
A substituting liquid that is not easily mixed with a liquid and has a lower solidifying point than the liquid is supplied to a liquid film 11 on the surface Wf of the substrate.例文帳に追加
基板表面Wf上の液体膜11に対し、液体と互いに混合し難く、かつ液体の凝固点よりも凝固点が低い置換液を供給する。 - 特許庁
In a urinal, the flow speed decreases at a downstream overflow part TPe and therefore, washing water Wf flows into a drain horizontal branch pipe in a state where the instantaneous flow is relatively low.例文帳に追加
小便器は、下流あふれ部TPeで速度が減少するため、瞬間流量の比較的低い状態で、洗浄水Wfが排水横枝管に流れ込む。 - 特許庁
Between the two wires Wm and Wf, only two members, i.e., the electrodes 10M and 10F, and used to constitute a current leading path, which allows decreasing the number of component parts.例文帳に追加
2本の電線Wm,Wfの間において導通経路を構成するための部材が、2つの電極10M,10Fだけで済むので、部品数が少なくて済む。 - 特許庁
The principal surface BS including a first region and a second region with a processing distortion deeper than the first region is formed by grinding a wafer WF.例文帳に追加
ウエハWFを研削することにより、第1の領域と、第1の領域よりも深い加工歪を有する第2の領域とを含む主面BSが形成される。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|