「ARGON」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

In the hydrogen engine 10, hydrogen, oxygen and argon as a working medium are supplied in a combustion chamber 21, and the hydrogen is burned.例文帳に追加

水素エンジン１０は、燃焼室２１に、水素、酸素、及び、作動ガスとしてのアルゴンガス、を供給して水素を燃焼させる。 - 特許庁

Accordingly, charges are released from the wafer W by bringing the plasma by exciting the argon gas and the wafer W under a charged state into contact.例文帳に追加

これにより、アルゴンガスの励起によるプラズマと帯電状態のウエハＷを接触させてウエハＷから電荷を逃がす。 - 特許庁

The cooling is so performed that inert gas such as argon gas is pressurized and cooled with a vortex tube and is sprayed to the parts to be cooled.例文帳に追加

冷却は、アルゴンガスなどの不活性ガスに圧力を加え、ボルテックスチューブで冷却した後、冷却部位に吹き付ける。 - 特許庁

By the argon implantation process, the polysilicon film PF1 in the n-channel type MISFET formation region NTR is amorphized.例文帳に追加

このアルゴン注入工程により、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１はアモルファス化する。 - 特許庁

Addition of argon to the total pressure of greater than 1 Torr promotes wafer cooling, when the wafer is placed on a water-cooled pedestal.例文帳に追加

１トールを超える全圧にアルゴンを添加すると、ウエハが水冷却ペデスタル上に載置された場合にウエハ冷却が促進される。 - 特許庁

To provide a purification apparatus for generating argon-free high concentration oxygen, which can generate high concentration oxygen having concentration higher than that of oxygen obtained by a conventional apparatus.例文帳に追加

従来の装置より高濃度の酸素を発生することができるノンアルゴン高濃度酸素精製装置を提供すること。 - 特許庁

A transparent substrate 1 is introduced in a cover 26, and mixed gas with oxygen contained in argon is introduced into the cover 26.例文帳に追加

カバー２６内部に透明基板１を導入し、アルゴン中に酸素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。 - 特許庁

2. Lighting systems which use argon arcs which are designed so that they are capable of being used at depths exceeding 1,000 meters 例文帳に追加

（二）　アルゴンのアークを用いたものであって、一、〇〇〇メートルを超える水深で使用することができるように設計したもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The lamp contains a filler composed of either selenium or sulfur and a small amount of a rare gas (e.g. argon or xenon).例文帳に追加

本ランプは、セレン又は硫黄のいずれかと、少量の稀ガス（例えば、アルゴン又はキセノン）からなる充填物を収容している。 - 特許庁

The ratio between argon and oxygen is obtd. from the ratio of the peak values of respective wavelength positions of measured spectra by a device 142 for spectroscopic analysis.例文帳に追加

「アルゴン：酸素」の比率は、分光分析装置１４２による観測スペクトルの各波長位置のピーク値の比により求まる。 - 特許庁

A method of forming silicon nitride in a plasma process chamber includes a step of mixing argon(Ar), nitrogen(N2) and silane(SiH4) in a plasma.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバ内で窒化珪素を形成する方法は、アルゴン（Ar）、窒素（N_2）、およびシラン（SiH_4）をプラズマ中で混合するステップを含む。 - 特許庁

A silicon wafer is thermally treated in such thermal treatment condition as migration occurs with the silicon in a wafer surface layer in the atmosphere of argon gas.例文帳に追加

アルゴンガスの雰囲気下、ウェーハ表層のシリコンにマイグレーションが発生する熱処理条件でシリコンウェーハを熱処理する。 - 特許庁

A fraction (72) from the upper region of the crudeargon tower (70) or a condensed fraction thereof is partly taken out as a crude-argon product.例文帳に追加

粗アルゴン塔（７０）の上部領域からの留分（７２）又はその凝縮留分の一部を粗アルゴン製品として取り出す。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus suitable for obtaining high purity argon with a high recovery rate while reducing energy which gas purification takes.例文帳に追加

ガス精製に要するエネルギーを低減しつつ高純度アルゴンを高回収率で得るのに適した方法と装置を提供する。 - 特許庁

Argon ions are implanted from a direction vertical to the surface orientation (111) inside the trench 14, and then formation of an oxide film is carried out.例文帳に追加

トレンチ１４の内部の面方位（１１１）に垂直方向より、アルゴンをイオン注入し、その後、酸化膜形成をおこなう。 - 特許庁

The inert gas is defined as argon gas, and components of a vacuum apparatus such as a vacuum container are exemplified as the member of glass, ceramic, metal, etc.例文帳に追加

不活性ガスをアルゴンガスとし、ガラス、セラミックス、金属等の部材には真空容器などの真空装置用部品が適用される。 - 特許庁

To provide an improved crystalline zeolite utilized for efficiently separating argon from oxygen.例文帳に追加

本発明は酸素からアルゴンを効率的に分離するのに用いられる、改良された結晶性ゼオライトを提供することを目的とする。 - 特許庁

Thus, when flashing the getter after completing the exhaust process, the argon gas quantity discharged from the getter can be reduced.例文帳に追加

これにより、排気工程完了後、ゲッターをフラッシュする際に、ゲッターから放出されるアルゴンガス量を低減することができる。 - 特許庁

This gas storage type inflator 1 is formed so that a high-pressure gas such as helium, argon, or nitrogen is filled in a gas storage chamber 1a in a pressure vessel.例文帳に追加

ストアーガスインフレータ１は、耐圧容器内のガス所蔵室１ａにヘリウム、アルゴン、窒素などの高圧ガスが充填されている。 - 特許庁

A silicon dioxide film contains argon by 1 to 10 for 100 of silicon in terms of the ratio of the number of atoms.例文帳に追加

さらに、二酸化珪素膜の上に、高屈折率の膜を積層すると、反射率が高くなってしまうという問題も生じた - 特許庁

First, the helium gas is led into the reaction tube, and a high-frequency power supply 50 is turned on to start the generation of plasma, and then, after the generation is stabilized, the introduction of an argon gas is stopped and oxygen is led.例文帳に追加

アルゴンガスによるプラズマが安定したならば、ヘリウムガスの導入を停止し、それから、酸素ガスを導入する。 - 特許庁

To provide a cold cathode type electrode, in which consumption of argon is restrained and a discharge lamp, and to provide an illumination device, using the same.例文帳に追加

アルゴンの消耗を抑制した冷陰極形電極、これを用いた放電ランプおよび照明装置を提供する。 - 特許庁

This film-forming method includes the steps of: introducing an inert gas such as argon gas from an inlet 11 for a sputtering gas into a chamber 20; producing sputtered particles by electric discharge generated between an anode 13 and a cathode 15; transporting the sputtered particles to a substrate 16 by a forced flow of the inert gas such as argon; and depositing them on the substrate 16.例文帳に追加

スパッタガス導入口１１からチャンバー２０内にアルゴン等の希ガス等を導入し、アノード１３とカソード１５との間の放電で発生したスパッタ粒子をアルゴン等の希ガス等の強制流により基材１６まで輸送し堆積させる。 - 特許庁

Argon ions in plasma generated through ionization of argon gas by an ECR are accelerated in the sputter cathode direction by the electric field by the target voltage, and made incident in the sputter cathode 5 to emit sputter particles consisting of aluminum from the sputter cathode 5 in the direction of a substrate 6.例文帳に追加

ＥＣＲによってアルゴンガスがイオン化されて生成したプラズマ中のアルゴンイオンがターゲット電圧による電界によってスパッタカソード方向に加速され、スパッタカソード５に入射すると、アルミから成るスパッタ粒子がスパッタカソード５から基板６方向へと放出される。 - 特許庁

To provide a laser welding method and an apparatus therefor in which argon gas or nitrogen gas or the like is supplied into a hermetically sealed welding space and spatters and fume gas are rationally removed after welding, and the argon gas, the nitrogen gas or the like is recovered and reused.例文帳に追加

アルゴンガス又は窒素ガス等を密閉された溶接部空間内に供給するとともに、溶接後は合理的にスパッタ・ヒュームガスを除去してアルゴンガス又は窒素ガス等を回収して再利用するようにしたレーザ溶接方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

Based on a mixing system by blowing the existing argon, the alloying powder is pressurized by using the argon as carrier gas and passed through the spraying system and fed to the aerated brick 1 at the bottom part of the molten steel vessel 2 and further, introduced into the molten steel vessel 2 to apply the alloying fine adjustment.例文帳に追加

既存のアルゴン吹込み・混合システムをベースにして、アルゴンをキャリアとして使用し合金粉体を加圧して噴霧システムを通過させて溶鋼容器２の底部にある通気性レンガ１に送込み、さらに溶鋼容器２に導入して合金化微調整を行う。 - 特許庁

A micro crystalline thin film whose Argon(Ar) gas pressure is 5 mTorr and whose mean particle diameter is about 10 nm is accumulated by 300 nm so that an accumulated semiconductor thin film 33 can be obtained.例文帳に追加

アルゴン（Ａｒ）ガス圧を5 mTorrとし、平均粒径約10 nmの微結晶体薄膜を300 nm堆積し、堆積半導体薄膜３３とした。 - 特許庁

In the case of a low- pressure mercury lamp, the discharge gas 1 is adjusted so that an argon gas adjusts a mercury partial pressure to be several Pa to several tens Pa.例文帳に追加

放電ガス１は、低圧水銀ランプの場合、アルゴンガスが水銀の分圧が数Ｐａから数十Ｐａになるように調整する。 - 特許庁

In the case of a low- pressure mercury lamp, the discharge gas 1 is adjusted so that an argon gas adjusts a mercury partial pressure to be several Pa to several tens Pa.例文帳に追加

放電ガス１は、低圧水銀ランプの場合、アルゴンガスが水銀の分圧が数Ｐａから数十Ｐａになるよう調整する。 - 特許庁

Then the substrate 11 is stuck to another SiC substrate 13 and the stuck substrates 11 and 13 are disposed in an annealing furnace and heated in an argon atmosphere.例文帳に追加

次いで、ＳｉＣ基板１１とＳｉＣ基板１３とを張り合わせた状態でアニール炉内に設置し、アルゴン雰囲気中で加熱する。 - 特許庁

The surface-active layer 22 is constituted of oxygen, argon mixed oxygen, krypton mixed oxygen, xenon mixed oxygen, neon mixed oxygen, etc.例文帳に追加

界面活性層２２は、酸素、アルゴン混合酸素、クリプトン混合酸素、キセノン混合酸素、およびネオン混合酸素等により構成される。 - 特許庁

The inert gas preferably comprises argon, helium or nitrogen and preferably raises the chamber pressure to about 500 Torr during chamber bake-out.例文帳に追加

不活性ガスは、アルゴン、ヘリウム、または窒素であることが好ましく、チャンバベークアウト中に約500トルのチャンバ圧まで上昇させることが好ましい。 - 特許庁

The mixed gas contains one or more kinds among argon, helium, neon, krypton and xenon of 5,000 ppm or less in total.例文帳に追加

又、前記混合ガス中に、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンの一種以上を合計で５０００ｐｐｍ以下含有させてなるものも用いる。 - 特許庁

In the middle stage (step S22) of the growth of the silicon carbide single crystal, the argon gas is introduced in the reaction system at the standard flow rate A.例文帳に追加

工程Ｓ２２では、炭化ケイ素単結晶の成長中期において、基準流量Ａのアルゴンガスが反応系内に導入される。 - 特許庁

The inside of chamber is irradiated with white light L from a light emitting device 141, and emission of a prescribed wavelength is obtd. from gaseous oxygen and argon at the inside.例文帳に追加

光照射装置４１から白色光Ｌを内部に照射し、内部の酸素およびアルゴンガスから所定波長の発光を得る。 - 特許庁

Here, gas used for the gas replacement is argon gas, and the RF power source is intermittently turned on and off at an interval of ≥3 and ≤10 min.例文帳に追加

ガス置換ガスはアルゴンガスであり、ＲＦ電源の間欠的なＯＮ−ＯＦＦの間隔は、３分間以上、１０分間以内である。 - 特許庁

It is preferable for the suppressing gas to include at least one kind of gas selected from argon and helium, thereby a wiring board excellent in electric connection property is provided.例文帳に追加

硬化抑制ガスは、窒素、アルゴンおよびヘリウムからなる群から選ばれる少なくとも１種のガスを含んでいることが好ましい。 - 特許庁

The process may be conducted under an inert gas such as argon to avoid oxidation of the ferromagnetic particles during toner preparation.例文帳に追加

さらに、このプロセスは、トナー調製中に強磁性粒子が酸化するのを防ぐために、アルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行われる。 - 特許庁

Impure oxygen comprising 70-98% of oxygen and <2% of argon is supplied to a unit 3 for producing a synthetic gas.例文帳に追加

７０ないし９８％酸素および２％未満のアルゴンを含有する不純酸素を合成ガス生産ユニット（３）に供給する。 - 特許庁

Then, the produced cerium(III) hydroxide nanotubes are heated at a temperature of 200-500°C for 1.5-2 h in a mixed gas stream composed of argon gas and ammonia gas.例文帳に追加

次に、生成した水酸化セリウム（III）ナノチューブをアルゴンガスとアンモニアガスの混合気流中で、２００〜５００℃に１．５〜２時間加熱する。 - 特許庁

To allow the utilization of compressor in normal specifications by reducing temperature after boosting when boosting argon gas having high adiabatic exponent.例文帳に追加

断熱指数の高いアルゴンガスを昇圧するについて、昇圧後の温度を下げることで、通常仕様のコンプレッサが使用できるようにする。 - 特許庁

The method in which an argon/hydrogen reactive-ion etching is used for removing the tantalum/fluorine byproduct is provided.例文帳に追加

本発明はタンタル/フッ素副生成物を除去するためアルゴン/水素反応性イオンエッチングを使用する方法を提供するものである。 - 特許庁

Molecular ions and clusters generated from any one of argon, water, carbon, nitrogen, sulfur in carrier gas can be employed.例文帳に追加

また、前記分子イオンおよびクラスターは、キャリアガス中のアルゴン、水、炭素、窒素、硫黄のいずれか１つから発生するものを用いることができる。 - 特許庁

The oxidation preventing film is formed as the silicide film through heat treatment under the atmosphere not including oxygen or through radiation of argon ion.例文帳に追加

酸化防止膜は、酸素を含まない雰囲気中で熱処理を施すことにより、あるいはアルゴンイオン照射によりシリサイド化する。 - 特許庁

The oxygen and vapor which contribute to the oxidation reaction are controlled in the spread of upper and lower sides of gas in comparison with that under the condition that helium and argon are not used.例文帳に追加

酸化反応に寄与する酸素と水蒸気はヘリウムやアルゴンが無いときに比べてガスの上下への拡散が抑えられる。 - 特許庁