「CCB」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide combinations including high dose(s) of a CCB (calcium channel blocker) and/or an ACEI (angiotensin converting enzyme inhibitor) exhibiting not only an excellent blood pressure regulation but also an excellent, unexpected and a more advantageous effect than that of low doses combination of amlodipine and benazepril.例文帳に追加

より素晴らしい血圧調節を示すのみならず、アムロジピンとベナゼプリルの低用量併用物よりも優れた予想外且つ更なる有利な効果を示す、高量のCCB及び/又はACEIを含んで成る併用物の提供。 - 特許庁

Additionally, a vehicle wire harness is fixed on the CCB part 1 as the light part like the connection duct parts 3a, 3b.例文帳に追加

また、繋ぎダクト部３ａ、３ｂと同様に、軽量部品として車両ワイヤーハーネスもＣＣＢ部１に固定される。 - 特許庁

The method for staining and destaining the gel is preferably used especially for staining and destaining CCB in the gel after the electrophoresis that processes proteins.例文帳に追加

本発明のゲルの染脱色方法は、とりわけ、タンパク質の電気泳動後のゲルにおけるＣＢＢ染脱色に用いることが好ましい。 - 特許庁

In this method, a therapeutically effective amount of pharmaceutical composition containing (i) renin inhibitor, (ii) calcium channel blocker (CCB), and (iii) emulgent is administered.例文帳に追加

（ｉ）レニンインヒビター、（ｉｉ）カルシウムチャネルブロッカー（ＣＣＢ）、および（ｉｉｉ）利尿薬を含む治療上有効な量の医薬組成物を投与する。 - 特許庁

The connection duct parts 3a, 3b are fixed on the CCB part 1 by inserting a clamp 40 into the clamp mounting holes 1d, 3d by devising the clamp mounting hole 3d provided on the connection duct parts 3a, 3b and the clamp mounting hole 1d provided on the CCB part 1 to be communicated to each other.例文帳に追加

そして、繋ぎダクト部３ａ、３ｂに設けられたクランプ取り付け穴３ｄとＣＣＢ部１に設けられたクランプ取り付け穴１ｄとが連通するようにしてクランプ４０をクランプ取り付け穴１ｄ、３ｄに差し込み、上記繋ぎダクト部３ａ、３ｂをＣＣＢ部１に固定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in a simple constitution which can realize easily a capacitance (Ccb) between a collector and a base which is set by the required specifications.例文帳に追加

静電容量（Ｃｃｂ）を要求仕様に合わせたものとすることが、簡単な構成により容易に実現することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pixel structure capable of rapidly changing liquid crystal molecules in an optical compensation birefringence liquid crystal display (CCB-LCD) from a splay state to a bend state, and a liquid crystal display panel.例文帳に追加

光学補償複屈折液晶ディスプレイ（OCB-LCD）での液晶分子をスプレイ状態からベンド状態へ速く変換することができる画素構造および液晶ディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

The number of signal lines transmitted from the center circuit band CCB#2 to the center cross circuit band CCCB#2 can be reduced, wiring congestion is released, and the DRAM core whose memory capacity is easily changed can be realized.例文帳に追加

センター回路帯ＣＣＢ♯２からセンタークロス回路帯ＣＣＣＢ♯２に伝達される信号線の数を減らすことができ、配線の混雑が緩和され、メモリ容量の変更が容易なＤＲＡＭコアを実現することができる。 - 特許庁

Collector/base capacitance Ccb is increased by forming parasitic capacitance between a capacitance regulating wire 11 connected with a base pad 7 and an N^+ collector substrate through an insulating film 3 and an N collector substrate.例文帳に追加

ベースパッド７に接続された容量調整用配線１１が、絶縁膜３およびＮコレクタ基板を挟んで、Ｎ^＋コレクタ基板との間に寄生容量を形成することで、コレクタ−ベース間容量Ｃｃｂを増加させる。 - 特許庁

Wherein, %CCB is a blending ratio of the bulky material 5 including the carbonaceous material defined with (charged mass of the bulky material 5)/{(charged mass of the bulky material 5) + (charged mass of the raw material 6 for blast furnace)} × 100%.例文帳に追加

ここに、％ＣＣＢは、（炭材内装塊成化物５の装入質量）／｛（炭材内装塊成化物５の装入質量）＋（高炉原料６の装入質量）｝×１００％で定義される炭材内装塊成化物５の配合率である。 - 特許庁

Wherein, %CCB is a blending ratio of the bulky material 5 defined by the equation of (charged mass of the bulky material 5)/{(charged mass of the bulky material 5) + (charged mass of the raw material 6)} × 100%.例文帳に追加

ここに、％ＣＣＢは、（炭材内装塊成化物５の装入質量）／｛（炭材内装塊成化物５の装入質量）＋（高炉原料６の装入質量）｝×１００％で定義される炭材内装塊成化物５の配合率である。 - 特許庁

The base metal BLM of a CCB bump 5 is formed on a surface protection film 10 where an inorganic insulating film 10a and a PIQ film 10b are stacked, and the fuse 8 which constitutes part of the redundancy circuit is formed only on the inorganic insulating film 10a.例文帳に追加

ＣＣＢバンプ５の下地金属ＢＬＭは、無機絶縁膜１０ａおよびＰＩＱ膜１０ｂが積層された表面保護膜１０の上層に形成し、冗長回路の一部を構成するヒューズ８は、無機絶縁膜１０ａ上のみに形成する。 - 特許庁

After a metallic layer 8a, which constitutes a part of a foundation metal BLM for a CCB bump, is processed by using a resist pattern 13 as a mask, a hydrophobic fluoride layer 12 is formed by plasma processing using fluorine gas in a surface of a PIQ film 9b while leaving the resist pattern 13.例文帳に追加

ＣＣＢバンプ用の下地金属ＢＬＭの一部を構成する金属層８ａをレジストパターン１３をマスクとして加工した後、レジストパターン１３を残したままＰＩＱ膜９ｂの表面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理によって、疎水性のフッ化物層１２を形成する。 - 特許庁