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「Cross Gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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Cross Gateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 186



例文

CROSS GATE例文帳に追加

クロスゲート - 特許庁

the cross bar over a sacred arch or a gate 例文帳に追加

鳥居や門の上にわたす横木 - EDR日英対訳辞書

CROSS LATTICE BUILDING-UP METHOD FOR GATE DOOR OR FENCE例文帳に追加

門扉又はフェンスのクロス格子の組立て方法 - 特許庁

To provide a cross gate and a method for mounting the cross gate, that can reduce the clearance between a post and a gate body, while coping with an inclined ground.例文帳に追加

傾斜地に対応しつつも、支柱とゲート本体との間の間隙を小さくすることができるクロスゲート及びクロスゲートの取付方法を提供する。 - 特許庁

例文

Also, a covering gate and the mask ROM gate cross over the resistive active region and the channel active region, and the memory gate and a select gate cross over the cell active region.例文帳に追加

又、抵抗体活性領域、チャンネル接合領域及びセル活性領域の上部にはカバーリングゲート、マスクROMゲート及びメモリゲートと選択ゲートが横切って配置される。 - 特許庁


例文

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CROSS GATE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

交差ゲート構造を持つ半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

A runner gate 2 having a predetermined cross-sectional area is provided so as to continue to the film gate 1.例文帳に追加

このようなフィルムゲート1に連続して所定の横断面積を有するランナゲート2を設ける。 - 特許庁

The base station 10 registers the telephone number received from the gate 30 in cross reference with the gate 30.例文帳に追加

基地局10は、ゲート30から受信した当該電話番号をゲート30と関連付けて登録する。 - 特許庁

An output means stops the gate signal at the detection of a zero-cross point.例文帳に追加

出力手段はゼロクロス点が検出されてゲート信号が停止する。 - 特許庁

例文

The injection molding mold is constituted so that an injection gate 66 having the substantially same flow channel cross-sectional area as an opening area of a gate port 72 and a runner 64 having a flow channel cross-sectional area larger than the flow channel cross-sectional area of the injection gate 66 are arranged to cross each other at a right angle.例文帳に追加

ゲート口72の開口面積と実質的に同一の流路断面積を有する注入ゲート66と、該注入ゲート66の流路断面積よりも大きな流路断面積を有するランナー64とを、互いに直交して配置されるように形成して、構成した。 - 特許庁

例文

With this configuration, the region width (effective gate width) where the boundary line between the N-type region 14 and the P-type region 16 and the gate electrode 24 cross each other is made larger than the gate width of the gate electrode 24.例文帳に追加

これにより、N型領域14とP型領域16の境界線とゲート電極24が交差する領域幅(実効ゲート幅)が、ゲート電極24のゲート幅よりも大きくなる。 - 特許庁

Gate oxide films 4 and a gate electrode 5 of the MOS transistor are formed at prescribed pitches so that they cross the layers.例文帳に追加

その上を交差するように、MOSトランジスタのゲート酸化膜4とゲート電極5が所定のピッチで形成されている。 - 特許庁

To reduce a gate leakage current of a field effect transistor comprising a gate electrode whose cross-section shape is T-like.例文帳に追加

断面形状がT字型であるゲート電極を有する電界効果トランジスタにおいて、ゲートリーク電流を低減する。 - 特許庁

To reduce parasitic resistance of wiring for cross coupling of a gate and a drain of differential configurations.例文帳に追加

差動構成のゲートとドレインとのクロスカップリングのための配線の寄生抵抗を低減する。 - 特許庁

It is preferred that the gate electrode has a Γ-, T-, or Y-shaped cross section.例文帳に追加

ここで、ゲート電極の断面形状をΓ型、T型又はY型とするのが好ましい。 - 特許庁

To suppress a variation in a cross point without performing a delay adjustment to a gate voltage.例文帳に追加

ゲート電圧に対する遅延調整を行わずに、クロスポイントの変動を抑えること。 - 特許庁

The gate setting part 30 sets a gate period by using a zero cross point of a sine curve showing frequency changes of transmitting signals as a reference.例文帳に追加

ゲート設定部30は、送信信号の周波数変化を示す正弦曲線のゼロクロス点を基準としてゲート期間を設定する。 - 特許庁

Further, the cross sectional area Sg in the product gate part corresponding to the product gate in the thick molding is set to ≥0.1 times the cross sectional area Sp near the part of the product gate 17 in the product part corresponding to the cavity 13.例文帳に追加

また、厚肉成形品において製品ゲート17に対応する製品ゲート部の断面積Sgを、キャビティ13に対応する製品部における製品ゲート17の近傍部の断面積Spに対して0.1倍以上に設定する。 - 特許庁

The digital synchronization system is provided with a gate circuit that outputs the zero cross signal, by using a gate signal and controlling the gate phase of the gate signal with an integrated value of the gate outputs, can generate a synchronizing signal by minimizing the integrated value.例文帳に追加

この零クロス信号をゲート信号でゲート出力するゲート回路を設け、このゲート出力の積算値で前記ゲート信号のゲート位相を制御して積算値が極小値になるようにして同期信号を生成するようにしたものである。 - 特許庁

Since the cross section of the gate electrode layer 17D is L-shaped, easy manufacturing is obtained.例文帳に追加

ゲート電極層17Dの断面形状をL字状としたので、製造容易性が向上する。 - 特許庁

Each pixel region is defined by gate lines and data lines formed so as to cross each other on the lower substrate.例文帳に追加

下部基板には、相互交差するゲートラインとデータラインによって各画素領域が規定される。 - 特許庁

The cross sectional area of the first gate 24a is made to larger than the area of each of the second and the third gates 24b, 24c.例文帳に追加

第1のゲート24aの断面積は第2、第3のゲート24b,24cより大きい。 - 特許庁

The gate electrode 15 whose cross-section is T-like is formed to contact to one of the gaps.例文帳に追加

その1つの間隙に接するように断面形状Tのゲート電極15が形成されている。 - 特許庁

A range gate is set, based on the cross range coordinate of the scattering point, and range gating processing is carried out, by using the range gate relative to the cross range coordinates of the target scattering point and the reflection intensity.例文帳に追加

上記散乱点のクロスレンジ座標をもとにレンジゲートを設定し、上記目標の散乱点のクロスレンジ座標と反射強度に対し、上記レンジゲートを用いてレンジゲーティング処理を行う。 - 特許庁

The thin film transistor includes a substrate, a gate electrode formed on the substrate, a gate insulating film formed on the gate electrode, a semiconductor layer formed via the gate insulating film above the gate electrode, a source electrode formed so as to cross the semiconductor layer, and a drain electrode formed so as to cross the semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタは、基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極の上方に形成された半導体層と、半導体層と交差するように形成されたソース電極と、半導体層と交差するように形成されたドレイン電極とを備える。 - 特許庁

In a T-shaped cross-sectional gate electrode on which gate resistance is reduced, an insulating film 13, which is formed between a gate electrode 11 and a semiconductor substrate 10 for the purpose of retaining the gate electrode 11, is partially removed in the width direction (longitudinal direction).例文帳に追加

ゲート抵抗を低減する断面T字型ゲート電極において、ゲート電極と半導体基板の間にゲート電極を保持するため形成する絶縁膜をゲート電極の幅(長手方向)において部分的に除去する。 - 特許庁

Further, the gate and well are connected in a cross coupled sense amplifier using a FD-SOI MOST.例文帳に追加

また、FD−SOI MOSTを利用したクロスカップル型のセンスアンプにおいてのゲートとウェルを接続する。 - 特許庁

A selecting device 1 forming this shift device is provided with a cross shift gate 2a mounted on a panel 2, and a shift lever 3 operated along the shift gate 2a.例文帳に追加

シフト装置を構成するセレクト装置1はパネル2に十字状のシフトゲート2aを備え、シフトゲート2aに沿って操作されるシフトレバー3を備えている。 - 特許庁

If a disconnection occurs at the gate line Vg4, by having the cross part G irradiated with laser, to electrically connect the gate line Vg4 with the Vg redundant wiring Y.例文帳に追加

ゲート線Vg4に断線が生じた場合、クロス部Gをレーザー照射することによりゲート線Vg4とVg冗長配線Yが電気的に接続される。 - 特許庁

When the decoding signal sequentially has the first cross-correlation component, the autocorrelation component, and the second cross-correlation component temporally, the first gate processor eliminates the first cross-correlation component of the decoding signal to generate the primary gated signal, and the second gate processor eliminates the second cross-correlation component remaining in the primary gate signal to generate the secondary gated signal.例文帳に追加

復号化信号が、第1相互相関成分、自己相関成分及び第2相互相関成分を時間的に順に備えているとき、1次ゲート処理器は復号化信号の第1相互相関成分を除去して1次ゲート後信号を生成し、2次ゲート処理器は1次ゲート後信号に残存している第2相互相関成分を除去して2次ゲート後信号を生成する。 - 特許庁

A gate oxide film 9 is formed on the surface of the element forming region 8, and a gate electrode 10 is formed so as to cross over an upper part of the element separating insulation film 7 on a gate oxide film 9.例文帳に追加

素子形成領域8の表面にはゲート酸化膜9が形成され、ゲート酸化膜9上には素子分離用絶縁膜7の上部にかけて跨るようにゲート電極10が形成されている。 - 特許庁

To suppress generation of cross talk caused by coupling by the parasitic capacitance between a signal line and the gate of a driving transistor.例文帳に追加

信号線と駆動トランジスタのゲート間の寄生容量によるカップリングに起因するクロストークの発生を抑える。 - 特許庁

Through these two etching steps, the gate electrode having the tapered shape in its cross section is formed.例文帳に追加

以上の2段階のエッチング工程により、高い精度でゲート電極5のテーパー形状を制御することができる。 - 特許庁

Sidewalls 16 having an L shape cross sectional shape are formed on the side surfaces of the gate electrode 14.例文帳に追加

ゲート電極14の側面上には、L字状の断面形状を有するサイドウォール16が形成されている。 - 特許庁

The remaining conductor layer and the remaining polysilicon layer constitute a gate having a cross section in the shape of inverted T.例文帳に追加

残留する導体層および残留するポリシリコン層は逆T字形の断面を有するゲートを構成する。 - 特許庁

A stroke 8 and the gate 9 of a mold 4 are connected through a molten metal flow passage 19 surrounded by a heat insulating material 17, and the cross-sectional area of the molten metal flow passage 19 is made larger than the cross-sectional area of the gate 9 of the mold 4.例文帳に追加

ストーク8と金型4の湯口9とを断熱材17で囲まれた溶融金属流路19により連絡し、この溶融金属流路19の断面積を金型4の湯口9の断面積より大きくする。 - 特許庁

To provide a steel roof gate applicable to a channel having an inverted trapezoidal cross section by solving a technical problem that a cross section of a channel possible to be provided with a steel roof gate is limited to rectangle.例文帳に追加

この発明は鋼製起伏ゲートの設置可能な水路の断面形状が長方形に限られるという技術上の問題を解決し、断面形状が逆台形の水路においても使用可能な鋼製起伏ゲートを提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device in which the cross-over capacitance of wiring for supplying a gate signal is made unchangeable before and after repairing when a defective register constituting a gate driver is replaced in the liquid crystal display device integrated with gate driver.例文帳に追加

ゲートドライバ一体型の液晶表示装置においてゲートドライバを構成するレジスタの不良をリペアする場合に、ゲート信号が供給される配線の交差容量がリペア前後で変わらないようにする。 - 特許庁

A floating gate electrode 9 constituting a memory cell M comprising one transistor type cell is provided with a simple cross-section shape I of a single electrode material, and in order to increase the capacity with a control gate electrode 11, the control gate electrode 11 is provided with such cross-section shape II as to cover the side surface of the floating gate electrode 9.例文帳に追加

1トランジスタ型のセルで構成されたメモリセルMを構成する浮遊ゲート電極9を単一電極材料で構成された単純な断面I形状とし、制御ゲート電極11との容量の増大を図るべく、制御ゲート電極11をその浮遊ゲート電極9の側面をも覆うように断面Π形状とした。 - 特許庁

A charge pump circuit 8 receives a burst gate pulse signal for driving color burst, in cross-reference with a video signal.例文帳に追加

チャージポンプ回路8には、映像信号に対応させてカラーバーストを駆動するためのバーストゲートパルス信号が入力される。 - 特許庁

This partitioning frame has a frame body 50 having a gate-shaped cross-section and made of a synthetic resin, and closed at its rear opening by an internal plate 41.例文帳に追加

門型断面の合成樹脂製の枠本体50を備え、その後面開口が内装板41で閉鎖される。 - 特許庁

The slit gates 29 are disposed correspondingly to the intermediate frame parts 3, and the cross-section of the gate 29 is formed approximately linearly.例文帳に追加

スリットゲート29を中間枠部3に対応して配置すると共に、該スリットゲート29の断面を略線状に形成する。 - 特許庁

A first shift gate 40 and an advancing position (D) 52 which are arranged in series in vehicle cross direction are connected at a neutral position (N) 46 arranged at an intermediate position of a first shift gate 40 by a gate extending in a width direction.例文帳に追加

車両前後方向に直列に配置された第1のシフトゲート40と前進ポジション(D)52とが、第1のシフトゲート40の中間位置に配置された中立ポジション(N)46の位置で、幅方向に延びるゲートで連結されている。 - 特許庁

A cross flow pump P using a cross flow impeller 1 constituted so that displacement is proportional to the blade width and water passes twice through the blade 3 is built-in in the gate in such a way that the rotating axis of the cross flow impeller 1 perpendicularly crosses in the thickness direction (that is, the flow direction of cannels 22a, 22b) of the gate G.例文帳に追加

排水量が羽根幅に比例し、水が羽根3内を2度通過するように構成された貫流羽根車1を用いてなる貫流ポンプPを、貫流羽根車1の回転軸がゲートGの厚み方向(すなわち水路22a,22bの流れ方向)と直交するような態様で、ゲートG内に内蔵する。 - 特許庁

To provide a vehicle traffic crossing gate capable of smoothly performing a release movement when a vehicle contacts a cross bar and preventing a damage on a cross bar and the vehicle.例文帳に追加

車両が阻止棒に接触した際のリリース動作をスムーズに行うことができ、阻止棒や車両の損傷を防止することが可能な車両通行遮断機を提供する。 - 特許庁

Also, the cross section of the embedded gate electrode 3 is formed into a rectangular shape or reverse taper shape, so that the crystallinity of polysilicon at a gate edge part can be smoothly changed, and that transistor characteristics can be improved.例文帳に追加

また、埋め込みゲート電極3を断面矩形又は逆テーパー形状としてゲートエッジ部でのポリシリコン結晶性を緩やかに変化させてトランジスタ特性の向上を図る。 - 特許庁

A floating gate electrode 105 is formed in a letter U in cross section, along the sidewalls of two neighboring device isolating insulating films 103 and the surface of a gate insulating film 104.例文帳に追加

フローティングゲート電極105は、隣合う2つの素子分離絶縁膜103の側壁およびゲート絶縁膜104の表面に沿ったU字型断面形状に形成されている。 - 特許庁

The first gate electrode 133 and the second gate electrode 134 include a first conductive layer 155 having a concave cross-section and a second conductive layer 156 formed on the first conductive layer 155.例文帳に追加

第1ゲート電極133及び第2ゲート電極134は、断面凹形の第1導電層155及び該第1導電層155の上に形成された第2導電層156を含む。 - 特許庁

The data line includes a data line, formed on the gate insulation film so as to cross gate line and a repair line that is formed in parallel to the dataline and is electrically connected to the dataline.例文帳に追加

データ配線は、ゲート絶縁膜上にゲート配線と交差するように形成されたデータライン及びデータラインと平行に形成され、データラインと電気的に接続されたリペアラインを含む。 - 特許庁

例文

The gate bypasses 14a connect both sides of the intersecting parts of the gate bus lines 14 and the plurality of source bus lines 12, and cross the plurality of source bus lines 12 across the insulating layer 13.例文帳に追加

ゲートバイパス14aは、各ゲートバスライン14の複数のソースバスライン12との各交差部の両側を接続しており、絶縁層13を介して複数のソースバスライン12と交差している。 - 特許庁




  
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