「DZ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The plug also satisfies Dz>D2, when the largest outer diameter of a surface facing the gasket 60 is defined as Dz, in the overhang portion 54.例文帳に追加

また、張出部５４において、ガスケット６０を向く側の面の最大外径をＤｚとしたときに、Ｄｚ＞Ｄ２を満たす。 - 特許庁

The zoom lens satisfies the following conditional expressions (1): (1) 7.8<dz/fw<8.8, where dz: the movable distance of the second lens group for variable magnification, fw: the focal length at the wide angle end of the entire system of the lens.例文帳に追加

（１）７．８＜ｄz／ｆw＜８．８但し、ｄz：変倍のための第２レンズ群の可動距離、ｆw：レンズ全系の広角端での焦点距離、とする。 - 特許庁

Here, the cells present in this foam have an average ratio Dz/Dxy of the diameter Dz in the direction of sheet thickness to the diameter Dxy in the in-plane direction of 1.2 or larger.例文帳に追加

同発泡体に内在する気泡におけるシート厚み方向の直径Ｄｚと面内方向の直径Ｄｘｙとの比Ｄｚ／Ｄｘｙの平均値は１．２以上である。 - 特許庁

By this removing process of the DZ layer, the silicon wafer 30 can be obtained having the DZ layer exposed on a first surface 31 and the BMD layer exposed on the second surface.例文帳に追加

以上のようなＤＺ層の除去工程によって、第１面３１にＤＺ層が露出するとともに、第２面にＢＭＤ層が露出した本発明のシリコンウェーハ３０が形成される - 特許庁

A Zener current Iz flowing to the Zener diode Dz is adjusted by the variable resistor Rv1.例文帳に追加

可変抵抗Ｒｖ１により、ツェナーダイオードＤｚに流れるツェナー電流Ｉｚを調整する。 - 特許庁

The pressurization potential of a charge pump circuit is clamped by yield voltage of a zener diode DZ.例文帳に追加

チャージポンプ回路の昇圧電位をツェナーダイオードＤＺの降伏電圧でクランプするようにした。 - 特許庁

The actuators DX, DY, and DZ reciprocate connection parts with the table 2 for shaking the table 2.例文帳に追加

アクチュエータＤＸ、ＤＹ、ＤＺはテーブル２との接続部を往復させてテーブル２を加振する。 - 特許庁

An m/z difference calculation part 43 calculates a difference DZ between a scanning start m/z and a scanning finish m/z, and a scanning interval time determining part 45 determines a scanning interval time Tm, referring to a pre-prepared table 44.例文帳に追加

一方、m/z差算出４３がスキャン開始m/zと終了m/zとの差DZを算出し、予め作成されたテーブル４４を参照してスキャン間時間決定部４５がスキャン間時間Tmを決める。 - 特許庁

The approximate formula uses a formula that a progression obtained by expanding the Maclaurin's series related to a differential function f(dZ)=1/(Z+dZ) is cut at an absolute term and a primary term.例文帳に追加

前記近似式は、例えば微分可能関数ｆ（ｄＺ）＝１/（Ｚ＋ｄＺ）に関するマクローリン級数展開による級数を定数項と１次の項で打ち切った計算式を適用したものである。 - 特許庁

Furthermore, a gettering site 13, comprising BMD, or the like, is provided in the bulk part farther inside than the DZ layer.例文帳に追加

また、このＤＺ層より内部のバルク部にＢＭＤ等から成るゲッタリングサイト１３が設けられる。 - 特許庁

The point Q is located radially inside the largest outer diameter Dz of a seat face 55 of the overhang portion 54.例文帳に追加

さらに点Ｑは、張出部５４の座面５５の最大外径Ｄｚよりも径方向内側に位置する。 - 特許庁

In the all zero detection part 17, a signal DZ clearly specifying that all the pieces of data are zero is outputted.例文帳に追加

オールゼロ検出部１７では、全てのデータが０であることを明示する信号ＤＺを出力する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises adjusting an average crystal grain size dx before cold rolling to 80 to 400 μm, and making the average grain size dz in the final product sheet satisfy dx/dz≤3.例文帳に追加

また、冷間圧延前の平均結晶粒径ｄｘを８０〜４００μｍに調整し、最終製品板の平均粒径ｄｚがｄｘ／ｄｚ≦３を満たすようにすることを特徴とするその製造方法。 - 特許庁

The signal line 120A is arranged in an overlap region DZ overlapping the projection 24T in a Z direction.例文帳に追加

信号線１２０Ａは、Ｚ方向において凸部２４Ｔと重なり合う重複領域ＤＺに配置されている。 - 特許庁

Power semiconductor elements such as diodes Du-Dw, Dx-Dz are housed in the recessed part 13D with other electronic parts 25.例文帳に追加

凹部１３Ｄ内にダイオードＤu 〜Ｄw ，Ｄx 〜Ｄz などの電力用半導体素子を他の電子部品２５とともに収容する。 - 特許庁

To provide a method of heat treatment which increases a BMD density and also can expand a DZ layer width at the same time, and a silicon wafer having the wider DZ layer width compared with the conventional one, in spite of having a high BMD density.例文帳に追加

ＢＭＤ密度を増加させると同時に、ＤＺ層幅をも拡張することのできる熱処理方法を提供し、高ＢＭＤ密度を有するにもかかわらず、従来に比べて広いＤＺ層幅を有するシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

A DZ at a sufficient depth from the surface to the inside of a wafer is combined with high gettering effect in the bulk region of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの表面から内側に十分な深さのＤＺがウェーハのバルク領域での高いゲッタリング効果と結合される。 - 特許庁

This device has an insulated gate field effect Tr (MOSFET) 100, a BiPT 210, and a Zener diode DZ 220.例文帳に追加

本装置は絶縁ゲート電界効果Ｔｒ（ＭＯＳＦＥＴ）１００、ＢｉＰＴ２１０及びツェナーダイオードＤＺ２２０を有する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer which has a DZ layer with extremely few crystal defects and excels in strength characteristics, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

結晶欠陥の極めて少ないＤＺ層を備えつつ、強度特性に優れたシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a silicon wafer having the optimum DZ width and oxygen deposit density for a device to contribute to enhanced performance of the device by enabling to control the DZ width and the oxygen deposit density separately in a silicon wafer processing method and equipment for carrying out the same.例文帳に追加

シリコンウェーハの処理方法及び該方法を実施する装置に関し、ＤＺ幅と酸素析出物密度をそれぞれ別個に制御することを可能にして、デバイスにとって最適のＤＺ幅と最適の酸素析出物密度とをもつシリコンウェーハを実現させ、デバイスの高性能化に寄与しようとする。 - 特許庁

The HC adsorption material layer is formed by coating on aqueous suspension, in which the ratio of an average particle size (Dz) of zeolite after crushing to an average particle size (Ds) of silica sol before crushing is adjusted so as to become Dz/Ds=10-100, on the honeycomb carrier, drying and firing.例文帳に追加

ＨＣ吸着材層は、粉砕後のゼオライトの平均粒子径（Ｄｚ）と粉砕前のシリカゾルの平均粒子径（Ｄｓ）との比がＤｚ／Ｄｓ＝１０〜１００になるように調製した水系懸濁液をハニカム担体に塗布・乾燥・焼成することにより形成される。 - 特許庁

The DZ 220 is constituted by the junction between an N-type impurity diffused layer 54 continuous to the drain region and a p-type impurity diffused layer.例文帳に追加

ＤＺ２２０はドレイン領域に連続するＮ型不純物拡散層５４とＰ型不純物拡散層５６との接合により構成される。 - 特許庁

To provide a silicon wafer which has a DZ (Denuded Zone) layer with extremely few crystal defects and excels in strength characteristics, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

結晶欠陥の極めて少ないＤＺ層を備えつつ、強度特性に優れたシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive rubber composition suitable for adhesion of a rubber and a wire cord using a vulcanization accelerator substituted for conventional DZ as a vulcanization accelerator.例文帳に追加

加硫促進剤として従来のＤＺに代る加硫促進剤を用いたゴムとワイヤーコードの接着に適した接着性ゴム組成物の開発。 - 特許庁

The method results in a focus-versus alignment shift sensitivity about 50 times higher (typically dX, Y/dZ=20) than the present LVT.例文帳に追加

本発明による方法は、現在のＬＶＴより約５０倍（通常ｄＸ,Ｙ／ｄＺ＝２０）高い焦点対アライメントシフト感度をもたらす。 - 特許庁

Additionally, solid solution oxygen 14, with its concentration and distribution regulation controlled, is introduced in the surface layer part of the DZ layer 12 and the silicon epitaxial layer 22.例文帳に追加

そして、ＤＺ層１２およびシリコンエピタキシャル層２２の表層部にその濃度および分布が調節制御された固溶酸素１４が導入されている。 - 特許庁

Next, a dI/dZ-Z curve indicating a relationship between the distance from the objective lens to the object to be inspected and a change of the fluorescent intensity is formed on the basis of the I-Z curve.例文帳に追加

次に、Ｉ−Ｚカーブから、対物レンズと被検物の間の距離と、蛍光強度変化との関係を示すｄＩ／ｄＺ−Ｚカーブを作成する。 - 特許庁

One of the interpolating signal (c) or the interpolating signals dz, ..., mz is selected on the basis of the interpolating angle determining signal (p) to generate the interpolating signal (x).例文帳に追加

補間信号ｃ又は補間信号ｄｚ，…，ｍｚのうちの一つが補間角度判定信号ｐに基づいて選択され、補間信号ｘが生成される。 - 特許庁

When viterbi decoding results are data all zero, error detection processing contents can be switched by using data DZ in the case of performing particular processing.例文帳に追加

ビタビ復号結果がデータオールゼロにおいては特殊な処理を行う場合において、データＤＺを用いて誤り検出処理内容を切り替えることができる。 - 特許庁

Thereby, the oxygen in the surface layer of the wafer is diffused from the wafer surface to the outside, the oxygen- precipitation core is stabilized (more than a critical core), and the DZ layer is produced.例文帳に追加

よってウェーハ表層の酸素がウェーハ表面から外方拡散され、酸素析出核が安定化（臨界核以上）し、ＤＺ層１１が現出する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer which is a low-oxygen silicon wafer, has a DZ layer of an uniform thickness on a surface layer, and has an IG layer inside the wafer.例文帳に追加

低酸素シリコンウェーハで、表層に厚さが均一なＤＺ層を有し、ウェーハ内部にＩＧ層を有するシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time when coordinate point data Dx, Dy and Dz are separate greatly from the spherical coordinates Ga, a virtual origin I1 being separate by the radius Ra from both of the two coordinate point data Dx and Dy, and a virtual origin I2 being separate by the radius Ra from both of the two coordinate point data Dy and Dz, are found.例文帳に追加

座標点データＤｘ，Ｄｙ，Ｄｚが球面座標Ｇａから大きく離れたときに、２つの座標点データＤｘ，Ｄｙの双方から半径Ｒａ離れた仮想原点Ｉ１と、２つの座標点データＤｙ，Ｄｚの双方から半径Ｒａ離れた仮想原点Ｉ２を求める。 - 特許庁

To form a deposition layer of high density in the vicinity of a surface and a rear, and obtain a DZ layer in which oxygen deposit is extremely little in a silicon wafer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

シリコンウェーハ及びその製造方法において、表裏面近傍に高密度の析出層を形成し、一方、極めて酸素析出物が少ないＤＺ層を得ること。 - 特許庁

To provide a method of stably producing an annealed wafer having a DZ layer of not less than 10 μm capable of easily producing a substrate in which a whole area is an OSF region.例文帳に追加

全面ＯＳＦ領域のサブストレートが容易に製造でき、かつ１０μｍ以上のＤＺ層を持つアニールウェハが安定的に製造できる方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the beam width Dy of the laser beam from the collimating lens 14 is magnified only in the horizontal direction by the prisms 34, 36 to obtain the laser beam with the beam width Dz.例文帳に追加

これによって、コリメートレンズ１４からのレーザビームのビーム幅Ｄｙを、プリズム３４、３６により水平方向にのみ拡大されてビーム幅Ｄｚのレーザビームを得る。 - 特許庁

The second surface 33 of a wafer material 30a where a device will not be formed is mirror-polished to remove the DZ layer 32 on the second surface side and expose a BMD layer 34 on the second surface side.例文帳に追加

ウェーハ素材３０ａのうち、デバイスを形成しない第２面３３に鏡面研磨を行い、第２面側のＤＺ層３２を除去し、第２面側にＢＭＤ層３４を露出させる。 - 特許庁

To provide a method of forming a DZ layer on the surface of a wafer to promote an oxygen deposit formation inside when thermal treatment is performed by using a defectless wafer of low oxygen concentration.例文帳に追加

低酸素濃度の無欠陥ウェーハを用いて熱処理する際に、ウェーハ表面にＤＺ層を形成し、内部での酸素析出物形成を促進する熱処理方法を提供する。 - 特許庁

A voltage detector 10 detects the states of a first high potential voltage VND and a second high potential voltage VUP and generates first and second detection signals DZ and DX.例文帳に追加

電圧検知部１０は、第１の高電位電圧ＶＮＤと第２の高電位電圧ＶＵＰとの状態を検知して第１検知信号ＤＺと第２検知信号ＤＸを出力する。 - 特許庁

When re-quantization is performed after quantization based on predetermined dead zone and quantizing step, first re-quantizing means 73 defines dz+h×qs where h is an integer larger than zero, dz is the predetermined dead zone and qs is the predetermined quantizing step as a new dead zone and quantizes the value of image data whose absolute value is less than the new dead zone to zero.例文帳に追加

所定のデッドゾーンおよび量子化ステップに基づく量子化を行った後に再量子化を行うときに、第１の再量子化手段７３は、ｈを０以上の整数とし、所定のデッドゾーンをｄｚとし、所定の量子化ステップをｑｓとすると、ｄｚ＋ｈ・ｑｓを新たなデッドゾーンに定め、絶対値がその新たなデッドゾーン以下である画像データの値を０に量子化する。 - 特許庁

Thus, even if in the low-oxygen silicon wafer 10, the DZ layer 11 having an uniform width in the direction of thickness is formed on the surface layer of the wafer, and the wafer where the IG layer 12 is formed inside is attained.例文帳に追加

よって低酸素のシリコンウェーハ１０であっても、ウェーハ表層に厚さ方向の幅が均一なＤＺ層１１が形成され、ウェーハ内部にＩＧ層１２が形成されたウェーハが得られた。 - 特許庁

Furthermore, as a circuit for controlling an output voltage, the power supply includes: a diode D1; a capacitor C1; resistors R1, R2 for setting the output voltages; a Zener diode Dz; a variable resistor Rv1; and a transistor Q2.例文帳に追加

また、出力電圧を制御する回路として、ダイオードＤ１、コンデンサＣ１、出力電圧を設定する抵抗Ｒ１、Ｒ２、ツェナーダイオードＤｚ、可変抵抗Ｒｖ１、及びトランジスタＱ２を備える。 - 特許庁

The power semiconductor elements such as diodes Du-Dw, Dx-Dz are thermally connected to the housing 13B, and the heat is radiated from the semiconductor elements to the cooling water through the housing 13B.例文帳に追加

ダイオードＤu 〜Ｄw ，Ｄx 〜Ｄz などの電力用半導体素子をハウジング１３Ｂに熱的に結合し、これらの半導体素子からハウジング１３Ｂを通してその内部の冷却水に放熱を行わせる。 - 特許庁

An annealed wafer or epitaxial wafer having a DZ (Denuded Zone) layer with reduced grown-in defect and BMD (Bulk Micro Defect) of COPs (Crystal Oriented Particles) etc. is subjected to a rapid temperature raising/falling heat treatment in an oxygen gas atmosphere.例文帳に追加

ＣＯＰ等のグローンイン欠陥およびＢＭＤが低減したＤＺ層を有するアニールウェーハあるいはエピタキシャルウェーハに、酸素ガス雰囲気における急速昇降温熱処理を施す。 - 特許庁

The thickness Th of the wiring layer is smaller than 1.2 times the total step height Dz, of the insulating layer and greater than 1.2 times the step heights Ds1, Ds2 formed in the respective slope sections 115CS1, 115CS2.例文帳に追加

配線層の厚みＴｈは、絶縁層の全段差Ｄｚの１．２倍より小さく、各々の斜面部１１５ＣＳ１，１１５ＣＳ２で形成される段差Ｄｓ１，Ｄｓ２の１．２倍よりも大きくされている。 - 特許庁

A first logic unit 20 generates a first control signal S1 that is in accordance with an input signal Sin or having an L level in response to the input signal Sin and the first detection signal DZ.例文帳に追加

第１論理部２０は、入力信号Ｓｉｎと第１検知信号ＤＺとに基づいて、入力信号Ｓｉｎに応じた第１の制御信号Ｓ１、又はＬレベルの第１の制御信号Ｓ１を出力する。 - 特許庁