「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(145ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, diffusion approximation can be adopted even in the near domain within a prescribed distance from the incidence point of the incident light.例文帳に追加

このため、入射光の入射点から所定距離内の近傍領域においても拡散近似を適用することができる。 - 特許庁

In each memory cell, an N-type first impurity diffusion area 3 is formed in a top layer of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

各メモリセルにおいて、半導体基板２の表層部には、Ｎ型の第１不純物拡散領域３が形成されている。 - 特許庁

To provide a technology capable of structuring a gas diffusion layer thinly in a membrane electrode assembly for a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池用の膜電極接合体において、ガス拡散層の厚みを薄く構成することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

Since the optical diffusion film 32 is provided, a fingerprint image of the fingertip 100 photographed by the photosensor 8 provides a high contrast image.例文帳に追加

光拡散膜３２が設けられているため、フォトセンサ８で撮像する指先１００の指紋画像は、コントラストの強い像となる。 - 特許庁

A prism sheet 1 with a base angle of a triangle groove within a range of 40 to 60° is provided between a polarizing sheet 4 and a diffusion sheet 6.例文帳に追加

三角溝の底角が４０〜６０°の範囲にあるプリズムシート１を偏光シート４と拡散シート６の間に設ける。 - 特許庁

A first thermal diffusion process is executed for thermally diffusing boron inside a monocrystalline silicon wafer (wafer 1) in a non-oxidized atmosphere.例文帳に追加

非酸化性雰囲気中でボロンをシリコン単結晶基板（基板１）内に熱拡散させる第１の熱拡散工程を行う。 - 特許庁

POROUS CONDUCTIVE SUBSTRATE HAVING INCLINED STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, MEMBER FOR FUEL CELL GAS DIFFUSION LAYER, AND FUEL CELL例文帳に追加

傾斜構造を有する多孔質導電性基材、その製造方法、燃料電池用ガス拡散層用部材および燃料電池 - 特許庁

To improve the degree of integration by preventing the diffusion of semiconductor impurities that occurs in a manufacturing process of a vertical NPN transistor.例文帳に追加

縦型ＮＰＮトランジスタの製造過程で生じる半導体不純物の拡散を抑制して、集積度を向上させる。 - 特許庁

To provide a diffusion plate which hardly generates a speckle pattern, has excellent transmissivity, and is usable in a ultraviolet-ray range.例文帳に追加

スペックルパターンが発生しにくく、良好な透過率を有し、しかも紫外線領域で使用可能な拡散板を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method and a treatment system which can effectively prevent the diffusion of a treatment gas from a treatment chamber.例文帳に追加

処理室からの処理ガスの拡散を有効に防止することができる処理方法および処理システムを提供すること。 - 特許庁

In addition, the photographing apparatus also has a comparator 8 which compares the signal charges stored in the floating diffusion layer 7 with a specified value.例文帳に追加

撮像装置はまた、浮遊拡散層７に蓄積された信号電荷量を設定値と比較する比較器８と、を備える。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers (14, 15) are formed on the surfaces of a silicon substrate 1, and a silicide layer 17 is formed on the surface thereof.例文帳に追加

シリコン基板１の表面部にソース／ドレイン拡散層（１４，１５）を形成し、その表面にシリサイド層１７を形成する。 - 特許庁

To provide a sheet conveying roller capable of suppressing the diffusion of volatile organic compound generated from a silicone rubber layer.例文帳に追加

シリコーンゴム層から発生した揮発性有機化合物の放散を抑制することができるシート搬送用ローラを提供する。 - 特許庁

The gas diffusion body is formed of the porous carbon base material and is used for a membrane-electrode assembly to constitute a fuel cell.例文帳に追加

ガス拡散体は、前記多孔質炭素基材で構成され、膜−電極接合体に使用され、燃料電池を構成する。 - 特許庁

To provide a filth housing container which surely prevents diffusion of malodors with simple configuration and decreases the frequencies of replacing components.例文帳に追加

簡単な構成で確実に悪臭の拡散を防止し、部品の取り替え頻度の少ない汚物収納容器を提供すること。 - 特許庁

A conductive film 23 is provided on a part of the source/drain diffusion layer of the semiconductor substrate and is constituted of a compound of semiconductor and metal.例文帳に追加

導電膜２３は、半導体基板のソース／ドレイン拡散層の部分に設けられ、半導体と金属との化合物からなる。 - 特許庁

A p^+type diffusion layer 3 whose resistivity is about 0.01 Ω.cm is provided between the semiconductor substrate 2 and the CMOS 5.例文帳に追加

また、半導体基板２とＣＭＯＳ５との間に、抵抗率が約０．０１Ω・ｃｍであるｐ^＋型拡散層３を設ける。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus capable of performing processing of calculating color output propriety information and error diffusion information at a high speed.例文帳に追加

色出力可否情報と誤差拡散情報の算出の処理を高速にすることができる、画像処理装置を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that carriers generated from other than a P type heavily doped layer contribute, as a photocurrent, to diffusion and thus deteriorate the response.例文帳に追加

Ｐ型高濃度層以外からの生成キャリアが拡散により光電流として寄与してしまい、応答性が悪くなる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33 and copper diffusion preventing films 6, 9.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、低誘電率層間絶縁膜４，７，２２，３３と、銅拡散防止膜６，９とを備えている。 - 特許庁

A grooved contact hole 15bs is formed over on a plurality of back gate diffusion layers 7bs and on the source 7s.例文帳に追加

複数のバックゲート拡散層７ｂｓ上及びソース７ｓ上にまたがって溝状のコンタクトホール１５ｂｓが形成されている。 - 特許庁

To provide a recessed electrode structure which interrupts the crystal grain boundary of an electrode and blocks the diffusion from the side wall.例文帳に追加

電極の結晶粒界を中断させ、同時に側壁からの拡散をも防ぐ窪んだ電極構造を提供すること。 - 特許庁

The impact relieving section 9 is formed on the portion overlapping the drain pad 17 of the diffusion area 4.例文帳に追加

ここに、衝撃緩和部９は、ｎ^+形ドレイン拡散領域４においてドレインパッド１７に重複する部位上に形成されている。 - 特許庁

To provide a multilayer film reflection mirror capable of preventing the degradation of reflectance due to the formation of a diffusion layer on an Si layer.例文帳に追加

Ｓｉ層上に拡散層が形成されることによる反射率の低下を防止する多層膜反射鏡を提供する。 - 特許庁

Isolation regions 303b and 303a are provided between the well contact and the diffusion layer and channel stop layers 307b and 307a are provided beneath the isolation regions 303b and 303a.例文帳に追加

ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b,303aの下にチャネルストップ層307b，307aを設ける。 - 特許庁

Moreover, the diffusion plate 4 may be furthermore mounted at a tip of the photographing lens 3 mounted to a main body section 2 of the digital camera 1.例文帳に追加

なお、拡散板４は、デジタルカメラ１の本体部２に装着された撮影レンズ３の先端部に、さらに装着されてもよい。 - 特許庁

In the diffusion step, the monomers around one illumination area of the liquid crystal monomer mixture is diffused in the illumination area.例文帳に追加

拡散ステップでは、液晶モノマー混合物のうちの一照光領域の周囲のモノマーを照光領域に拡散させる。 - 特許庁

A display luminance calculation section 152 calculates display luminance of each area based on the LED data 33 and a luminance diffusion filter 155.例文帳に追加

表示輝度算出部１５２は、ＬＥＤデータ３３と輝度拡散フィルタ１５５とに基づいて、各エリアの表示輝度を算出する。 - 特許庁

To provide a ray source which attains radioactive substance diffusion prevention and deterioration prevention in a radiation source used for an X-ray camera.例文帳に追加

レントゲンカメラで使用される放射線源において、放射性物質飛散防止及び劣化防止を図った線源を提供する。 - 特許庁

A groove depth and a groove width of the diffusion split groove 7 are formed uniformly without varying from one end to the other end.例文帳に追加

そして、この拡散割溝７の溝深さ及び溝幅を一端から他端まで変化させることなく均一に形成する。 - 特許庁

Hereby, a shallow diffusion layer caused by channeling prevention and the silicide layer with good flatness or the like can be formed.例文帳に追加

これにより、チャネリングの防止による浅い拡散層の形成や、平坦性のよいシリサイド層などを形成することが可能になる。 - 特許庁

A plate electrode whose conductivity type is different from the first conductivity type is formed in an exposed inner wall of the trench by a gas phase diffusion method.例文帳に追加

気相拡散法でトレンチの露出した内壁に第１導電型と異なる導電型のプレート電極を形成する。 - 特許庁

The diffusion clock signal whose oscillation source is an SSCG 29 is transmitted as a timing signal to a digital image processing part 25.例文帳に追加

ディジタル画像処理部２５には、ＳＳＣＧ２９を発振源とした拡散クロック信号がタイミング信号として送信される。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical device capable of suppressing the diffusion of a dopant into the current block portion from the InP semiconductor substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ半導体基板から電流ブロック部へのドーパントの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a production method of multilayer films by which films of thin boundary diffusion layers and small boundary roughness are obtained and multilayer films.例文帳に追加

界面拡散層が薄く、かつ界面粗さの小さな膜を得る多層膜の製造方法及び多層膜を提供する。 - 特許庁

Then ions are implanted obliquely into the substrate 81, to form a shallow source/drain diffusion layer 131 under the gate sidewall 101.例文帳に追加

次に基板８１に対して斜めにイオン注入し浅いソース−ドレイン拡散層１３１をゲート側壁１０１下に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of realizing an effective structure having a function for preventing diffusion of hydrogen to a capacitor.例文帳に追加

キャパシタへの水素の拡散防止機能を有する効果的な構造を実現することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Cerium-containing oxide is brought into contact with a water- repellent layer paste coating surface of the gas diffusion layer substrate.例文帳に追加

撥水層ペーストが塗工されたガス拡散層基材の撥水層ペーストの塗工面にセリウム含有酸化物を接触させる。 - 特許庁

Further, a step of forming a film of cobalt may be selectively performed at high temperature to form a diffusion suppressing interface film.例文帳に追加

また、選択的にコバルトを含む膜の形成工程を高温で実施して拡散抑制界面膜を形成させることもできる。 - 特許庁

For this F diffusion preventing film 6, it is sufficient to adopt a silicon nitride film or a silicon oxide film which includes Si-H bonding.例文帳に追加

このＦ拡散防止膜６には、シリコン酸窒化膜またはＳｉ−Ｈ結合を含むシリコン酸化膜を採用すればよい。 - 特許庁

A diffusion prevention film 2 is formed on a silicon substrate 1 and a low dielectric constant film 3 having a dielectric constant not larger than 3 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に拡散防止膜２を形成し、その上に比誘電率が３以下の低誘電率膜３を形成する。 - 特許庁

The projection part 3 of the lens sheet 10 and the emission face of the diffusion board 5 are adhered with the binder (or adhesive) 4.例文帳に追加

レンズシート１０の突起部３と拡散板５の出射面とが粘着剤（又は接着剤）４により接着されている。 - 特許庁

Two impurity diffusion layers 4 are formed on a surface of the semiconductor substrate 1 at positions across the gate electrode 3 in plan view.例文帳に追加

半導体基板１の表面の、平面視でゲート電極３を挟む位置に２個の不純物拡散層４が形成されている。 - 特許庁

To provide a bubble diffusion nozzle which enhances water-saving effects by efficiently forming bubbles and prevents the occurrence of an unusual noise.例文帳に追加

泡沫を効率よく形成して節水効果を高めるとともに異音の発生を防止する泡沫拡散ノズルを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an outwardly grown aluminide diffusion coating on a superalloy substrate by CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

ＣＶＤにより、超合金基材の上に、外方に向けて成長するアルミナイド拡散コーティングを形成する方法を提供する。 - 特許庁