「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(149ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, to determine the minimum clearance (d) between an n + source drain region and a p + source drain region, the lateral diffusion distance of the N well region needs not be considered but only a lateral diffusion distance 1' of the P well region 54 might as well be considered.例文帳に追加

したがって、Ｎ型ソースドレイン領域とＰ型ソースドレイン領域との間の最小間隔ｄを決める際に、Ｎウエル領域の横方向拡散距離を考慮する必要がなく、このＰウエル領域５４の横方向拡散分ｌ’だけを考慮すればよい。 - 特許庁

As for the display 1, between a display panel 20 and a light source part 12, sequentially from the light source part 12 side, a diffusion plate 13, the phosphor layer 14, a protective layer 15, a diffusion film 16, a lens film 17, and a reflection type polarizing film 18 are laminated sequentially.例文帳に追加

表示装置１は、表示パネル２０と光源部１２との間に、光源部１２の側から順に、拡散板１３、蛍光体層１４、保護層１５、拡散フィルム１６、レンズフィルム１７および反射型偏光フィルム１８が順に積層されたものである。 - 特許庁

This ring-like LED lighting system 1 comprises a ring-like diffusion plate 3 having substantially a semicircular section, and the light from LED 6, arranged without clearance in a closely fitted state in a ring shape, is directly radiated to the inside surface 33 of the ring-like diffusion plate 3.例文帳に追加

リング状ＬＥＤ照明装置１は、ほぼ半円形断面のリング状拡散板３を備え、このリング状拡散板３の内周面３３に対して、リング状に蜜な状態で隙間無く配列したＬＥＤ６からの光が直接に照射される。 - 特許庁

Furthermore, the wafer 3 for measuring film thickness in the wafer buffer is taken out at a suitable time with respect to the oxide film forming process (S1) in a diffusion furnace 1, and the oxide film is removed and cleaning is carried out (S11), and the wafer 3 for measuring film thickness is supplied to the diffusion furnace 1.例文帳に追加

また、拡散炉１における酸化膜形成工程（Ｓ１）に対し適時に膜厚測定用ウエハバッファ内の膜厚測定用ウエハ３を取り出して酸化膜の除去・洗浄を行い（Ｓ１１）、拡散炉１へ膜厚測定用ウエハ３を供給する。 - 特許庁

A passivation film 11 (film for preventing diffusion of movable ions) is formed on the surface of the device side of a glass substrate 10 by a sputtering method, a CVD method, a dipping method or the like in order to intercept the thermal diffusion of Na ions in the substrate 10 to the surface of the device side of the substrate 10.例文帳に追加

ガラス基板１０のデバイス側表面には、基板１０中のＮａイオンの該デバイス側基板表面への熱拡散を遮断すべく、スパッタ法、ＣＶＤ法、ディップ法等により形成されたパッシベーション膜１１（可動イオン拡散防止膜）が成膜されている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which can suppress attachment of a reflection sheet, a diffusion plate, and a diffusion sheet in a misaligned or distorted state, can be easily assembled, and in which variations due to error of assembly scarcely occur, and the manufacturing cost is reduced.例文帳に追加

反射シート、拡散板、拡散シートがずれたり、ゆがんだりして取り付けられるのを抑制することができ、組み立てが容易で、組み立て誤差によるばらつきが発生しにくく、製造コストを低減することができる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a biological treatment apparatus reducing fear such that an air diffusion means is blocked by sludge highly concentrated by an immersion membrane in an aerobic digestion tank and excluding the necessity for providing a means separate from the air diffusion means as a vibration means for vibrating the surface of the immersion membrane.例文帳に追加

好気性消化槽内で浸漬膜により高濃度に濃縮された汚泥によって散気手段が閉塞してしまうおそれを低減し、浸漬膜の膜面を振動させる振動手段として散気手段とは別個の手段を設ける必要性を排除する。 - 特許庁

The PNP bipolar transistor 164 is formed by P-type, N-type, and P-type impurity diffusion regions 122, 126, and 128 that are formed in the direction of the depth of a substrate, and the zener diode 150 is formed by the N-type and P-type impurity diffusion regions 126 and 128.例文帳に追加

ＰＮＰバイポーラトランジスタ１６４は、基板の深さ方向に形成したＰ型、Ｎ型及びＰ型不純物拡散領域１２２，１２６，１２８にて形成され、ツェナーダイオード１５０は、Ｎ型及びＰ型不純物拡散領域１２６，１２８にて形成される。 - 特許庁

To provide a polarizing diffusion film which is produced easily and in which specific polarized light, which is made incident by the light entering from the surface thereof, is transmitted and diffused efficiently and the polarized light perpendicular to the specific polarized light is reflected efficiently; and to provide a liquid crystal display apparatus using the polarizing diffusion film.例文帳に追加

製造が容易であって、表面から入射される光から特定偏光を効率よく透過および拡散するとともに、それとは直交する偏光を効率よく反射するフィルム、およびこれを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In a polarizing plate having an optical anisotropic layer composed of a liquid crystalline compound, a first transparent protective film, a polarizing film, a second transparent protective film and a light diffusion layer in this order, the haze value of the light diffusion layer is adjusted so as to be 45 to 55%.例文帳に追加

液晶性化合物から形成した光学異方層、第１透明保護膜、偏光膜、第２透明保護膜、そして光拡散層をこの順序で有する偏光板において、光拡散層のヘイズ値を４５％以上５５％以下に調整する。 - 特許庁

Then, the coat conductive particles are heated and pressurized so that the conductive particle lump of the coat conductive particles can be formed, and the metallic diffusion layer of the conductor pattern metal and the first metal is formed so that the conductor patterns of the plurality of layers can be electrically connected by the metallic diffusion layer.例文帳に追加

そして、加熱加圧することにより、コート導電粒子の導電粒子塊を形成するとともに、導体パターン金属と第１の金属との金属拡散層を形成し、この金属拡散層により複数層の導体パターンを電気的に接続させる。 - 特許庁

The vertical PNP transistor is equipped with a base layer which comprises a first phosphorus injection layer exhibiting its peak concentration at a position deeper than an emitter diffusion layer and a second phosphorus injection layer showing its peak concentration at a position shallower than the emitter diffusion layer, and the width of the base layer is expanded, whereby an Early effect can be restrained.例文帳に追加

エミッタ拡散層より深い位置にピーク濃度を持つ第１のリン注入層７とエミッタ拡散層７より浅い位置にピーク濃度を持つ第２のリン注入層６を有し、ベース幅を広げることにより、アーリー効果を抑制することができる。 - 特許庁

The liquid crystal display device 30 is configured such that the surface light source device 1 is formed from the light diffusion plate 3 comprising a propylene resin having a tacticity of not less than 95% and a light source 2 that is arranged on the backside of the light diffusion plate so as to illuminate the liquid crystal panel 20.例文帳に追加

タクティシティが９５％以上であるプロピレン樹脂からなる光拡散板３と、その背面側に配置された光源２とで面光源装置１を作成し、液晶パネル２０を照明することで、液晶表示装置３０を構成する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a bit line diffusion layer 11, a bit line insulating film 12, an ONO insulating film 4, a second gate electrode 6, a contact diffusion layer 13, an interlayer insulating film 9, a contact electrode 8, an ultraviolet-ray blocking film 22, and an ultraviolet-ray blocking film 21.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ビット線拡散層１１と、ビット線絶縁膜１２と、ＯＮＯ絶縁膜４と、第２ゲート電極６と、コンタクト拡散層１３と、層間絶縁膜９と、コンタクト電極８と、紫外線遮光膜２２と、紫外線遮光膜２１とを備える。 - 特許庁

The first and second separators 14, 16 have curved faces 36a, 42a at tip end part of convex parts 36, 42 contacted to the gas diffusion layers 28a, 30a, and the gas diffusion layers 28a, 30a are pressed by the curved faces 36a, 42a.例文帳に追加

第１及び第２セパレータ１４、１６は、ガス拡散層２８ａ、３０ａに当接する凸部３６、４２の先端に湾曲形状面３６ａ、４２ａを有し、前記湾曲形状面３６ａ、４２ａで前記ガス拡散層２８ａ、３０ａを押圧している。 - 特許庁

A part where a diffusion layer 1 of a transistor and a basic pattern OP of a gate pattern overlap with each other is computed, patterns of specific width are formed on both the sides of the overlap part, and both the sides of the pattern are extended to outside the diffusion layer 1 to obtain a pattern P3 of the phase shifter.例文帳に追加

トランジスタの拡散層１とゲートパターンの基本パターンＯＰとの重複部分を算出し、重複部分の両側に所定幅のパターンを生成し、前記パターンの両側を拡散層１外まで延長して、位相シフタのパターンＰ３として生成する。 - 特許庁

To suppress an increase in junction leakage current without causing corrosion or the like in an impurity diffusion region, to completely decrease a resistance value of the impurity diffusion region, and to provide a further microscopic, highly integrated, low electric power consumption, and high speed operational semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散領域の侵食等を生ぜしめることなく接合リーク電流の増大を抑制して不純物拡散領域の抵抗値を十分に低減し、更なる微細化・高集積化を実現して、低消費電力で高速動作を可能とする。 - 特許庁

The shower comprises at least one shower channel along the second axial direction, a one gas-inlet passage connected to the diffusion cell and the shower channel, gas-inlet passages connected to the diffusion cell and the shower channel, and gas-outlet passages connected to the shower channel and the gas deposition chamber.例文帳に追加

前記気体噴射体は、第二軸方向に沿って最低一つの噴射管路を備え、拡散室と噴射管路を連結する為の気体流入通路を備え、並びに噴射管路と気相成長チェンバーを連結する為の気体流出通路を備える。 - 特許庁

The light guide plate is equipped with an incident face for incidence of light, a diffusion face to diffuse the light, and a light outgoing face to emit the light, and the diffusion face includes a plurality of diffusing surface dots of truncated cone shape or of spherical cone shape.例文帳に追加

光を入射する入射面と、光を拡散する拡散面と、光を出射する出射面と、を有し、前記拡散面に円錐台状または球円錐状のドットである複数の拡散面ドットを有することを特徴とする導光板を提供する。 - 特許庁

In a structure introducing sewage into the soil bed 4 surrounded by a water impermeable tank 8 to purify the same, an air diffusion pipe 7 to which an air pressure feed device or a water supply pump is connected is provided under a perforated sewage diffusion pipe 5 for introducing sewage along with a drain pipe 6, is provided.例文帳に追加

周囲を不透水性槽で囲んだ土壌層に汚水を導入して浄化させる構造において、汚水を導入するための有孔汚水散水管より下方に、排水管と共に空気圧送装置や給水ポンプを連結した散気管を設ける。 - 特許庁

A diffusion layer 12 is installed in an incident end surface of the light guide plate 11, light outgoing from the solid light emitting element 10 is diffused with the diffusion layer 12, and made incident from almost the whole region of an incident end surface 11a of the light guide plate 11.例文帳に追加

導光板１１の入射端面１１ａに拡散層１２を設け、固体発光素子１０からの出射光を前記拡散層１２により拡散させて前記導光板１１にその入射端面１１ａのほぼ全域から入射させるようにした。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device wherein thermal stress is small, a terminating end length is short since a guard ring diffusion layer is shallow, the variation of the depth of the guard ring diffusion layer is small, the working process difficulty of a fine element structure is low and loss is low, and its manufacturing method.例文帳に追加

熱ストレスが小さく、ガードリング拡散層が浅いため終端長が短く、ガードリング拡散層の深さのばらつきが小さく、微細な素子構造の加工プロセス難度が低く、損失が低い電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A group of the same diffusion coefficient is selected when the halftone-dot line number inputted into a diffusion coefficient storage 226 is in a group of a rough quantity, or when the halftone-dot line number is in a group of a medium or dense quantity and the magnification is in a group of a medium or high quantity.例文帳に追加

拡散係数格納部２２６に入力された網点線数が低線数である場合、あるいは網点線数が中線数又は高線数であって、かつ変倍率が中倍率又は高倍率である場合には、同じ拡散係数の組を選択する。 - 特許庁

To provide a horizontal diffusion furnace capable of, without being complicated, manufacturing a diffused wafer having high in-plane uniformity of the depth of a diffusion layer across a wafer surface including a center portion and an outer peripheral portion, and a method for heat-treating a semiconductor wafer using the same.例文帳に追加

横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

The diffusion plate 1 and a chassis 2 are so structured that the diffusion plate 1 is hung from an upper edge part of a screen by being fitted with each other with an appropriate play with thermal expansion volume taken into consideration between protruded parts 21, 22 and holes 11a, 12a.例文帳に追加

拡散板１と筐体２とは、画面上縁部で突起部２１、２２と孔１１ａ、１２ａとの間で熱膨張量を考慮した適当な遊びを持ちながら勘合されることにより、拡散板１が画面上縁部から吊下げられる構造を有している。 - 特許庁

A septic tank 20 is constituted so that a diffusion plate 33 is provided inside an inlet 27 and a cathode 35 is provided under the diffusion plate 33 to be opposed to a cylindrical aluminum anode 36 and the upper end 50 of the cathode 35 is provided in close vicinity to an upper flange 28 as compared with the aluminum anode 36.例文帳に追加

浄化槽２０は、入口２７に内側に拡散板３３が設けられ、その下に円筒状のアルミ陽極３６に対抗して陰極３５が設けられ、陰極３５の上端５０は、アルミ陽極３６より上フランジ２８に近くに設けている。 - 特許庁

By controlling potentials of the p-type diffusion layer 31 and the n-type diffusion layer 32 via wirings 33 and 34, a decline of the amount of saturated electric charge in the photoelectric conversion region 1 can be suppressed and electric charges generated excessively can be discharged.例文帳に追加

配線３３及び３４を介してｐ型拡散層３１及びｎ型拡散層３２の電位を制御することによって、光電変換領域１の飽和電荷量の低下を抑制したり、過剰に発生した電荷を排出したりすることが可能となる。 - 特許庁

The display device is configured such that a supporting surface 9c for supporting the edge of the diffusion plate 10 is formed at a lamp holder 9 for holding a fluorescent tube 8, and a plurality of ribs 90 are made contiguous with the supporting surface 9c to support the inner side of the edge of the diffusion plate 10 with the ribs 90.例文帳に追加

蛍光管８を保持するランプホルダ９に、拡散板１０の縁を支持する支持面９ｃを形成し、該支持面９ｃに複数のリブ９０を隣接させて、拡散板１０における縁の内側をリブ９０にて支持する構成とした。 - 特許庁

The emitting-light of the LED 7 is directly discharged outside via a front-surface light-emitting section (diffusion plate 4) and a rear-surface light-emitting section (diffusion plate 5) of the case, or is discharged outside, after it is reflected once by a reflective surface 11 or a side face of the case.例文帳に追加

ＬＥＤ７の出射光は、筐体の前面発光部（拡散板４）と背面発光部（拡散板５）を介して直接外部に放出されるか、または反射面１１もしくは筐体の側面でいったん反射されたのちに外部に放出される。 - 特許庁

In the light diffusion plate, at least one side of a light diffusion resin plate 6 containing a propylene resin is formed into a rough surface 6a having a ten point average roughness Rz of not less than 25.0 μm and a coating layer 3 containing an antistatic agent is formed on the rough surface.例文帳に追加

プロピレン樹脂を含有する光拡散性樹脂板６の少なくとも片面が、十点平均粗さＲｚが２５．０μｍ以上である粗面６ａに形成され、該粗面に、帯電防止剤を含有するコーティング層３が積層された構成とする。 - 特許庁

Quantity of a current flowing from one source/drain diffusion region to the other source/drain diffusion region upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the charge holding section consisting of the charge storage film 23 and the fine particles 10.例文帳に追加

蓄電体膜２３と微粒子１０とからなる電荷保持部に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン拡散領域から他方の上記ソース／ドレイン拡散領域に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

The projection image display apparatus includes a screen 2 including a Fresnel lens 21 and a diffusion member (lenticular lens screen) 22, a driving mechanism 4 for moving the Fresnel lens 21 or the diffusion member 22 in a plane parallel to an emitting surface thereof, and a frame 10 for supporting them.例文帳に追加

投写型画像表示装置は、フレネルレンズ２１と拡散部材（レンチキュラーレンズスクリーン）２２とを含むスクリーン２と、フレネルレンズ２１又は拡散部材２２をその出射面と平行な面内で移動させる駆動機構４と、これらを支持する筐体１０とを備えている。 - 特許庁

The volatile memory element 312 has a body region 42, a gate electrode 15 and diffusion layer regions 31 and 32, and the quantity of current between the diffusion layer regions 33 and 34 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of current being held in the body region 42.例文帳に追加

揮発性メモリ素子３１２は、ボディ領域４２、ゲート電極１５、拡散層領域３１，３２を備え、ボディ領域４２が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３３，３４間の電流量を変化させる。 - 特許庁

To provide a composite sheet for a direct methanol type fuel cell which is superior in methanol diffusion and can supply methanol to an anode at a large area with diffusion and penetration effect, even if a methanol solution feed section from a fuel cartridge has a comparatively small area.例文帳に追加

メタノール拡散性に優れ、燃料カートリッジからのメタノール水溶液送出部が比較的小さな面積であっても、拡散浸透効果によってアノードに大面積でメタノールを供給することが可能なダイレクトメタノール型燃料電池用複合シートを提供する。 - 特許庁

The bulk semiconductor material includes a minority charge carrier diffusion length property configured to substantially match a predetermined hole diffusion length value and a thickness configured to substantially match a predetermined photodiode layer thickness.例文帳に追加

バルク半導体材料は、予め決められた正孔拡散距離値に実質的に一致するように構成されている少数電荷担体拡散距離特性と、予め決められたフォトダイオード層厚に実質的に一致するように構成されている厚みとを含んでいる。 - 特許庁

These steps preliminarily diffuse copper, which is primarily included in the plating layers 10, 11 and has a relatively high diffusion velocity, into the internal electrodes 3, 4 primarily including nickel, thereby reducing a difference in diffusion velocity between copper and nickel at the top temperature, which causes the occurrence of voids.例文帳に追加

これによって、めっき層１０，１１の主成分である拡散速度の比較的高い銅を、ニッケルを主成分とする内部電極３，４側に予め拡散させておき、ボイド発生の原因となるトップ温度での銅とニッケルとの拡散速度の差を減じておく。 - 特許庁

Further, the image processing apparatus includes a calibration means (128) for correcting an output gradation value of the representative gamma table produced from a plurality of the diffusion gamma table on the basis of a correction gamma table to produce a plurality of corrected diffusion gamma table in the case of calibration processing.例文帳に追加

更に、画像処理装置は、キャリブレーション処理時に、複数の拡散ガンマテーブルから生成される代表ガンマテーブルの出力階調値を、補正ガンマテーブルに基づいて補正して複数の補正拡散ガンマテーブルを生成するキャリブレーション手段(128)を有する。 - 特許庁

Even if the surface of the end 31 of the diffusion layer 30 is not made to perfectly adhere to the surface of the end 21 of the catalyst layer 20, it is acceptable if the volume of the interlayer air-gap is reduced by applying the catalyst layer along the bent shape of the end part 31 of the diffusion layer 30.例文帳に追加

完全に、拡散層３０の端部３１表面と触媒層２０の端部２１表面とを密着させなくても、拡散層３０の端部３１の屈曲形状に沿うように塗布して層間空隙の体積を減少させればよい。 - 特許庁

Since the angle of light can variously be changed on the diffusion plate 16, light to be emitted from the end surface of the glass substrate 10 by the relation of the refractive index of each constituting element if the diffusion plate 16 is absent is reflected on the reflective electrode 13 and can be emitted to the outside.例文帳に追加

また、拡散板１６では光の角度が様々に変えられるため、これがなければ各構成要素の屈折率の関係でガラス基板１０の端面から出射する光なども、反射電極１３で反射した後に外部に出射させることができる。 - 特許庁

A resist mask is formed and the p^+-type buried diffusion layer is formed by implanting ions to the opening section of the mask in this case but the opening section corresponding to a scribing line is not formed only by forming the opening section corresponding to the p^+-type buried diffusion layer to the resist mask.例文帳に追加

このとき、レジストマスクを形成し、その開口部にイオン注入することでＰ^＋型埋め込み拡散層を形成するが、レジストマスクには、Ｐ^＋型埋め込み拡散層に対応する開口部を形成するだけで、スクライブラインに対応した開口部は形成しない。 - 特許庁

Edge sealing members 22 are placed along the outer peripheries of gas diffusion electrodes 30, 31; and the widthwise direction outer edges of the fuel gas entrance, the fuel gas exit, the oxidizer gas entrance, and the oxidizer gas exit are more inside than the widthwise direction outer edges of the gas diffusion electrodes 30, 31.例文帳に追加

ガス拡散電極３０，３１の外周に沿ってエッジシール材２２が配置されており、燃料ガス入口、燃料ガス出口、酸化剤ガス入口および酸化剤ガス出口の幅方向外縁がガス拡散電極３０，３１の幅方向外縁よりも内側にある。 - 特許庁

In this case, a side surface that does not face the solid electrolyte for conducting the ion of the measurement electrodes 1 and 2 is covered with a diffusion limitation layer, and a side surface that does not face the solid electrolyte for conducting the ion of the diffusion limitation layer is covered with a closed gas airtight layer.例文帳に追加

そこにおいて、測定電極のイオン伝導固体電解質に面していない側面は拡散制限層で覆われ、さらに、その拡散制限層のイオン伝導固体電解質に面していない面は閉じたガス気密性の層により覆われている。 - 特許庁

A front surface side diffusion plate 101 is inclined at a +θ angle with respect to a center line 104 of the backlight device 100, which is the alignment center line of lamps 102, and a rear surface side diffusion plate 101 is inclined at a -θ angle with respect to the center line 104.例文帳に追加

前面側の拡散板１０１は、ランプ１０２の配列中心線であるバックライト装置１００の中心線１０４に対して＋θの傾きを有し、背面側の拡散板１０１は、中心線１０４に対して−θの傾きを有する。 - 特許庁

A light diffusion lens 3 which diffuses lights is provided between light emission bodies 4, 4, and 4 of the back light and the liquid crystal display panel 1, and lights emitted by the light emission bodies 4, 4, and 4 are diffused by the light diffusion lens 3 to uniformly irradiate the back of the liquid crystal display panel 1.例文帳に追加

バックライトの発光体４、４、４及び液晶表示パネル１の間に光を拡散する光拡散レンズ３を設け、発光体４、４、４が発した光を光拡散レンズ３が拡散し、液晶表示パネル１の裏面に均一に照射する。 - 特許庁

To provide a diffusion port device capable of generating efficiently an induced air current to enhance diffusion performance, by arranging properly guide vanes for generating a vortex flow, capable of exhibiting an air conditioning effect to the maximum, and capable of preventing surely dew from being condensed.例文帳に追加

旋回流を生じさせる案内羽根を適切な箇所に配置して、誘引気流を効率よく生じさせて拡散性能を向上させ、空気調和効果を最大限発揮できる上、結露の発生も確実に防止できる吹出口装置を提供する。 - 特許庁