「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(339ページ目) - Weblio英語例文検索

The structure is extended while including a peak part (11p) and a sink part (11d) by changing the height of the ridge line (11L) at positive and negative inclination slopes of a prescribed range equally, and includes the diffusion surface (12f) having the total average slope angle of ±10° or more on the surfaces at both sides of the ridge line (11L).例文帳に追加

構造体は、稜線（１１Ｌ）が正負均等に所定範囲の傾斜勾配にて高さが変化することでピーク部（１１ｐ）、並びに沈み部（１１ｄ）を有しながら伸びると共に、稜線（１１Ｌ）の両側の表面にそれぞれ、全体の平均勾配角度がプラスマイナス１０°以上の拡散面（１２ｆ）を有する。 - 特許庁

To provide a method for preventing sapping from an ear of paddy rice by stink-bugs having excellent workability in which, for example, exposure of an agent to a worker is prevented, a working condition is improved, diffusion into an environment is prevented, weather change does not affect thereon, and which is acquired by solving a problem for preventing stink-bugs by an insecticide spraying method using a conventional sprinkler.例文帳に追加

従来の散布器を使用した殺虫剤散布方法によるカメムシ類の防除の問題点を解決し、作業者への薬剤被爆防止、作業条件の改善、環境への拡散防止、天候に左右されないなど、作業性に優れたカメムシ類による水稲の穂に対する吸汁を防止する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an asymmetric thermoelectric module and a manufacturing method of the same, that can prevent diffusion of a semiconductor element and prevent deterioration due to aging by forming auxiliary layers for both sides of a semiconductor element to improve the thermoelectric performance and eliminate the defect caused by contact crack.例文帳に追加

半導体素子の両側に融点の異なった補助層を形成して熱電性能を向上させ、接点クラックによる不良を改善し、時間経過による劣化を防止するうえ、半導体素子の拡散を防止することができるようにする、非対称熱電モジュールおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for bump bonding, capable of effectively controlling the progress of metal diffusion between formed bumps and electrode pads and surely preventing failures in the gold wire tear-off process after bump formation, by enabling local heating of very small spots on the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの微小部位に対し局所的に加熱できるようにして、形成済みのバンプと電極パッド間での金属拡散の進行を効果的に抑制でき、バンプ形成後の金線の引きちぎり工程において失敗の発生を確実に防止することのできるバンプボンディング方法および装置を提供する。 - 特許庁

Thus high resolution images having a high brightness through fine-pitched microlens arrays are attained, and a directional light diffusion layer sheet having different radiation angles in lateral and vertical directions is employed to be able to easily and arbitrarily adjust the vertical viewing angle while maintaining a wide lateral viewing angle.例文帳に追加

これにより、高い輝度を有しマイクロレンズアレイの微細ピッチ化を通じて高解像度の映像を得ることができ、水平及び垂直方向に相違する放射角特性を有する方向性光拡散層シートを適用して広い水平視野角を維持しながら、垂直視野角の制御を容易かつ任意に調節することができる。 - 特許庁

A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。 - 特許庁

In this hydrogen gas sensor having a sensor element formed by bonding of the metal oxide semiconductor and the hydrogen absorbing metal such as a Pd-based metal, at least a part of the hydrogen absorbing metal surface is coated with a film having a function permeating hydrogen gas and suppressing diffusion of oxygen gas, such as a silica film.例文帳に追加

金属酸化物半導体とＰｄ系金属等の水素吸蔵性金属との接合により形成されるセンサ素子を有する水素ガスセンサにおいて、前記水素吸蔵性金属表面が、その少なくとも一部において、シリカ膜等の、水素ガスを透過し、かつ、酸素ガスの拡散を抑制する機能を有する膜でコートされている。 - 特許庁

The diffraction grating 2 is arranged on the diffusion optical path of laser beams, among optical paths for guiding laser beams emitted from a semiconductor laser 1 to an objective lens 6, and an effective diffraction pattern 15 is formed only on the center part of the diffraction grating 2 which has a diameter smaller than the effective beam diameter of a laser beam.例文帳に追加

半導体レーザー１から出射されるレーザービームを対物レンズ６に導く光路のうち、レーザービームの拡散光路上に回折格子２を配置すると共に、この回折格子２にレーザービームのビーム有効径に対して小径の中央部分に限定して有効回折パターン１５を形成している。 - 特許庁

Since the concentration of n-type dopants around a parasitic diode 124 increases due to the existence of the n-type diffusion layer 115, the breakdown voltage of the parasitic diode 124 connected to a collector electrode is set lower than that of a diode 122 connected to an emitter electrode.例文帳に追加

このため、寄生ダイオード１２４の周囲のＮ型不純物濃度は、Ｎ型拡散層１１５が形成されることでＮ型不純物量が増加することにより、コレクタ電極に接続されている寄生ダイオード１２４の耐圧がエミッタ電極に接続されているダイオード１２２の耐圧よりも低く設定される。 - 特許庁

The ion current reference sensor device is positioned near the chamber(s) of the engine and fuel provided to the chamber(s) is routed to provide a diffusion flame and the resultant ion current from the flame is measured and provided to the processing module at discrete intervals during the combustion process.例文帳に追加

イオン電流基準センサ装置はエンジンの燃焼室近傍に位置決めされ、燃焼室に供給される燃料は拡散火炎を提供すべく流路指定され、当該火炎からの結果としてのイオン電流が測定され、燃焼プロセスの間に離散的な間隔において処理モジュールに対して提供される。 - 特許庁

To provide a film forming method which can form a semiconductor device by epitaxial growth without segregating an impurity; and to provide a semiconductor device manufacturing method which can shallowly keep the depth of diffusion of the impurity on surface of the semiconductor substrate by elevating source/drain in an application of the film forming method.例文帳に追加

不純物の偏析なく半導体層をエピタキシャル成長によって形成することが可能な成膜方法および、この成膜方法を適用して積み上げソース・ドレインすることにより半導体基板の表面側における不純物の拡散深さを浅く保つことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MOS type transistor structure and using the capacity between a gate electrode 23 and an impurity diffusion layer 24 as a varicap, a short channel effect can be utilized by constituting a gate width (GW) formed in a channel region beneath the gate electrode 23 in a multistage.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ＭＯＳ型トランジスタ構造で、ゲート電極２３と不純物拡散層２４間の容量をバリキャップとして用いるものにおいて、前記ゲート電極２３下のチャネル領域に形成されたゲート幅（ＧＷ）を多段階に構成することで、狭チャネル効果を利用することを特徴とするものである。 - 特許庁

The entire side panel of opposite conductivity type resistance diffusion layer 107a provided on the surface of one conductivity type single crystal silicon layer 104 of an SOI substrate 101 are making direct contact with a dielectrically isolating region wherein an embedding insulating film 115 is filled up in a trench 113a reaching an embedding insulating layer 103.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０１の一導電型の単結晶シリコン層１０４の表面に設けられた逆導電型の抵抗拡散層１０７ａの側面の全面は、埋め込み絶縁層１０３に達する溝１１３ａに埋め込み絶縁膜１１５が充填してなる誘電体分離領域に、直接に接触している。 - 特許庁

To suppress the scattering and diffusion of an oil solution to the surrounding of a guiding and oiling device to apply the oil solution to a traveling yarn even in the case of applying a relatively large amount of the oil solution in the spinning step and efficiently apply a treating agent such as oil solution and prevent the pollution of the surrounding working environment (atmosphere).例文帳に追加

紡糸工程における油剤付着量が比較的多い場合であっても、走行糸条へ油剤を付与するガイド給油装置から、その周囲に油剤が飛散、拡散することを抑制することにより、油剤等の処理剤の効率的な付着と、周囲作業環境（雰囲気）の汚染防止を図る。 - 特許庁

Since the copolymers with the molecular diffusion coefficient varied coexist in the copolymer mixture exhibiting a plurality of peaks, the agent is excellent in rosin emulsion emulsifying property as compared with the one based on a copolymer exhibiting only a single peak and further paper excellent in sizing properties is manufactured by using the rosin emulsion as an internal sizing agent.例文帳に追加

複数ピークが現れる上記共重合体の混合系では、分子拡散係数が様々に異なる共重合体が混在するために、単一ピークしか現さない共重合体系に比べて、ロジンエマルションに対する乳化性に優れ、ひいては、当該ロジンエマルションを内添サイズ剤に用いた抄造紙のサイズ性にも優れる。 - 特許庁

A P+- well 9 with improved substrate concentration is formed at the substrate surface side of the inside of a P well 6, a polysilicon gate electrode 12 is formed on the substrate surface via a gate oxide film 10, and a source 14 and a drain 17 in double diffusion structure are formed in the P+- well 9 while sandwiching the gate electrode 12.例文帳に追加

Ｐウエル６の内側の基板表面側には基板濃度を高めたＰ^+-ウエル９が形成され、基板表面にはゲート酸化膜１０を介してポリシリコンゲート電極１２が形成され、そのゲート電極１２を挾んでＰ^+-ウエル９内に二重拡散構造のソース１４とドレイン１７が形成されている。 - 特許庁

A diffusion layer of a second conductivity type different from the first conductivity type is provided in the semiconductor layer below the first channel region, contacts the bottom of the first channel region in a substantially perpendicular to the surface of the semiconductor layer, and forms a P-N junction with the bottom of the first channel region.例文帳に追加

第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

The surface of an N-type semiconductor wafer 1 is coated with a liquid-state impurity source 2 composed of the mixture of an aluminum compound, boron compound, organic polymer material and organic solvent and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, and the organic solvent is evaporated so that a layer containing aluminum and boron can be formed.例文帳に追加

アルミニウム化合物とホウ素化合物と有機高分子物質と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ型半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

In a triple well NMOS transistor 311 having a P well region 22 formed in an N well region 28 and an MOSFET formed in the P well region 22, an impurity diffusion region 29 having an impurity concentration lower than that of an N+ drain region 25 is provided on the N+ drain region 25 side in order to suppress substrate current.例文帳に追加

Ｎウェル領域２８内にＰウェル領域２２が形成され、Ｐウェル領域２２にＭＯＳＦＥＴが形成されたトリプルウェルＮＭＯＳトランジスタ３１１において、Ｎ^+ドレイン領域２５側にＮ^+ドレイン領域２５よりも不純物濃度が低い不純物拡散領域２９を設け、それによって基板電流を抑制する。 - 特許庁

To provide a hard coating film coated tool capable of enhancing adhesiveness of a hard coating film, enhancing the oxidation resistance and wear resistance, suppressing welding resistance at high-temperature state and diffusion of element of a work into the hard coating film, and ready for drying, high-speed and rapid-feed in cutting.例文帳に追加

硬質皮膜の密着性を改善し、耐酸化性、耐摩耗性を向上させ、更に高温状態での耐溶着性並びに硬質皮膜中への被削材元素の拡散を抑制し、切削加工の乾式化、高速化、高送り化に対応する硬質皮膜被覆工具を提供することが目的である。 - 特許庁

A fresh developing solution is applied on the plate surface of a planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process obtained by disposing a silver halide emulsion layer of a high silver density emulsion containing ≤70 wt.% binder based on the amount (expressed in terms of silver nitrate) of silver halide and a protective layer on an anodically oxidized aluminum substrate.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体上に硝酸銀に換算したハロゲン化銀に対して７０重量％以下のバインダーからなる高銀密度乳剤のハロゲン化銀乳剤層および又は保護層を設けた銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版の版面上に新鮮な現像液を塗布する。 - 特許庁

To provide a back projection type screen which is good in transmission efficiency and is slight in color shift by ameliorating the loss of the transmitted light in a diffusion sheet to diffuse light and a back projection type image display device which is slight in color shift, is excellent in resolution and transmission efficiency and is less degraded in contrast by external light.例文帳に追加

光を拡散させる拡散シートでの透過光の損失を改善することにより、透過効率が良くかつカラーシフトが軽微な背面投射型スクリーンと、カラーシフトが軽微で、かつ解像力および透過効率に優れ、しかも外光によるコントラスト低下の少ない背面投射型画像表示装置を提供する。 - 特許庁

An image having high optical density can be printed on the ink-accepting layer by injecting water base ink according to the image because gelatin contained in the ink-accepting layer has excellent acceptability of ink and because the barrier layer decreases diffusion of a monomer from the photopolymer layer to the ink-accepting layer.例文帳に追加

インキ受容層中のゼラチンが優れたインキ受容性を有するためそして障壁層が光重合体層からインキ受容層への単量体の拡散を減ずるために、水性インキを像通りに噴射することによりインキ受容層上で高い光学濃度を有する像を印刷することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第２導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。 - 特許庁

To provide a backside protective sheet for a solar cell which constitutes a solar cell module, excellent in strength, weather resistance, heat resistance, water repellency, light stability, chemical resistance, light reflection performance, light diffusion performance and moisture resistance, ensuring its secular preservability, low cost and safe and capable of dealing with a solar cell system voltage 1,000 V.例文帳に追加

強度、耐候性、耐熱性、耐水性、耐光性、耐薬品性、光反射性、光拡散性、防湿性等に優れ、その経時的な保持性が高く、より低コストで安全な、太陽電池システム電圧１０００Ｖに対応できる太陽電池モジュ−ルを構成する太陽電池裏面保護シ−トを提供する。 - 特許庁

When measuring reflection, the reflected light from a reflecting sample undergoing diffusion illumination in a reflecting sample opening 2s by a light detecting optical system 5 and a two-channel spectroscopic device 6 through a light receiving opening 2b and the reflection characteristics of the reflecting sample are calculated by a signal processor 7 and a control arithmetic device 8.例文帳に追加

反射測定時には、反射試料開口２ｓにおいて拡散照明された反射試料からの反射光を、受光開口２ｂを通して受光光学系５及び２チャンネル分光装置６により測定し、信号処理装置７及び制御演算装置８により反射特性の算出を行う。 - 特許庁

The sensor body 1 includes two kinds of wiring patterns such as diffusion layer wiring patterns 15 and metal wiring patterns 17 electrically connected to piezo-resistance R1x-R4x, R1y-R4y and R1z-R4z of resistors, and at least parts thereof formed in the respective flexural parts 13 are formed of the wiring patterns 15.例文帳に追加

また、センサ本体１では、抵抗体たるピエゾ抵抗Ｒ１ｘ〜Ｒ４ｘ，Ｒ１ｙ〜Ｒ４ｙ，Ｒ１ｚ〜Ｒ４ｚに電気的に接続された配線として拡散層配線１５と金属配線１７との２種類があり、少なくとも各撓み部１３に形成される部分が拡散層配線１５により構成されている。 - 特許庁

The material obtained with the vapor-deposition is shown as high thermal-stability by adding the above elements having low diffusion speed, but further, the hardness and the strength are risen by integrating and precipitating fine precipitations in crystal grains while applying a heat treatment and/or a hot-plastic work, and the thermal-stability can be improved.例文帳に追加

蒸着によって得た材料は、拡散速度の低い前記元素の添加により高い熱的安定性を示すが、更に熱処理及び／又は熱間塑性加工を施して微細な析出物を結晶粒内に整合析出させることにより、硬度及び強度が上昇し、熱的安定性が高めることができる。 - 特許庁

The device is equipped with a transparent sheet 2, an irradiating means 8 for irradiating the inside of the transparent sheet 2 and a reflecting sheet 4 which is disposed opposite to the transparent sheet 2 with a space between and reflects the light emitted from the transparent sheet 2, in a manner of regression or diffusion, when it comes into close contact with the transparent sheet 2.例文帳に追加

透明シート２と、該透明シート２の内部を照射する照射手段３と、透明シート２に向き合って間隔を空けて配置されると共に透明シート２に密着したときに透明シート２から射出された光を回帰反射または拡散反射する反射シート４とを備える。 - 特許庁

In this case, in a step of growing a second semiconductor layer structure on a substrate in an area where the first layer structure 11 is etched and removed, the diffusion of an excessive material from a first area R1 to a second area R2 is reduced, thus suppressing the growth speed of the layer structure or the change of a crystal composition.例文帳に追加

このとき、第１層構造１１がエッチング除去された領域の基板１０上に第２半導体層構造を成長する工程において、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２への余分な原料の拡散が低減され、層構造の成長速度の増加や結晶組成の変化の発生が抑制される。 - 特許庁

The light-emitting module 10 includes: a base body 11, light-emitting elements 12 arranged on the base body; a lens body 15 arranged facing the light-emitting elements and refracting, condensing and transmitting the light of the light-emitting elements; and a diffusion body 16 arranged facing the lens body and diffusing the light transmitted through the lens body.例文帳に追加

基体１１と；基体に配設される発光素子１２と；発光素子に対向して配設され発光素子の光を屈折し集光させて透過するレンズ体１５と；レンズ体に対向して配設されレンズ体を透過した光を拡散する拡散体１６と；を具備する発光モジュール１０を構成する。 - 特許庁

A cell transistor 11 comprises floating gates FG1, FG2 that face each side 13a, 13b of a projection section 13 and diffusion regions 14a, 14b across tunnel dielectrics 16a, 16b, and also face a control gate CG across top dielectrics 17a, 17b and FC-to-FC side dielectrics 18a, 18b.例文帳に追加

セルトランジスタ１１は、凸部１３の各側面１３ａ，１３ｂと拡散領域１４ａ，１４ｂとにトンネル絶縁膜１６ａ，１６ｂを介して対向し、コントロールゲートＣＧとＦＣ間上部絶縁膜１７ａ，１７ｂ及びＦＣ間側部絶縁膜１８ａ，１８ｂを介して対向するフローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２を備える。 - 特許庁

The method of separating particulates comprises (1) isolating particulates alone, (2) removing particulates alone or (3) concentrating particulates alone, through a sieving effect without adsorption of the particulates, by separating particulates corresponding to diameters of 15 nm or smaller and dispersed in a gas or a liquid by means of a pore-diffusion-type membrane separation method.例文帳に追加

気体または液体中に分散した相当直径１５ｎｍ以下の微粒子を、孔拡散型の膜分離法を利用して、微粒子を吸着させることなく、ふるい効果で（１）微粒子のみを隔離するか（２）微粒子のみを除去するか、あるいは（３）微粒子のみを濃縮することを特徴とする微粒子の分離方法。 - 特許庁

A shape of the cylindrical fuel battery cell is enabled to be maintained by forming reaction layers 2a, 2b inside and outside a cylindrical polymer electrolyte film 1 and forming cylindrical gas diffusion layers 3a, 3b made of the high-strength complex inside and outside the same, with almost no support from outside.例文帳に追加

筒状の高分子電解質膜１の内外両側に反応層２ａ，２ｂを形成し、その内外両側に上記の高強度複合体からなる筒状のガス拡散層３ａ，３ｂを形成することにより、ほとんど外部から支持することなく、筒型の燃料電池セルの形状を維持することを可能にする。 - 特許庁

To achieve stroboscopic photography underwater or in a bad weather while sufficiently securing emitted light quantity by making emitted light from a stroboscope direct to a light diffusion surface so as not to scatter to circumference, as well as while not getting in the way.例文帳に追加

未使用時において邪魔にならず、かつまた、ストロボからの発光が周囲に散乱しないように光拡散面に指向させることで発光量を十分に確保した水中ないし悪天候下でのストロボ撮影を行うことができる防水ケース用光拡散具およびこれを用いた撮影方法の提供。 - 特許庁

Plasma oxidation with high oxidation rate is performed by changing to higher RF electric power from a point when ashing of the resist 301 is completed, and the plasma oxidation silica film 401 as an outside diffusion prevention film of dopant is formed on surfaces of an n-type wiring 103 and a p-type wiring 104 which are composed of polysilicon.例文帳に追加

レジスト３０１の灰化が終了した時点から高めのＲＦ電力に切り替えることで酸化レートの高いプラズマ酸化を行い、ポリシリコンからなるＮ型配線部１０３、Ｐ型配線部１０４の表面に不純物の外方拡散防止膜としてのプラズマ酸化珪素膜４０１を形成する。 - 特許庁

The suppression/introduction plug 60 and the metal melt 190 prevent the diffusion of metal Na vapor evaporated from the mixed melt 290 into a space 31 in the piping 30 and supply nitrogen gas in the space 31 into a space 23 by the differential pressure between the space 23 and the space 31.例文帳に追加

抑制／導入栓６０および金属融液１９０は、混合融液２９０から蒸発した金属Ｎａ蒸気の配管３０の空間３１内への拡散を防止するとともに、空間２３内の圧力と空間３１内の圧力との差圧によって空間３１内の窒素ガスを空間２３内へ供給する。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for a second optical wafer inspection for such defects as metalization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad area defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

An oxide film in the cut face of each parts 12, 14 after the solution treatment is removed, they are assembled with a low melting point metal thin film 30 interposed, and, in an age joining treatment apparatus 34, aging treatment under prescribed age treatment conditions and joining treatment by melting diffusion of the low melting point metal thin film 30 into an aluminum alloy are performed.例文帳に追加

溶体化処理後の各部品１２，１４の切断面の酸化膜を除去し、低融点金属薄膜３０を挟んで組付け、時効接合処理装置３４において、所定の時効処理条件の下で時効処理と、低融点金属薄膜３０のアルミニウム合金内への溶融拡散による接合処理とを行う。 - 特許庁

A printed circuit board 2 in which a resister 5 is connected to a synthetic resin base part 1, a light emitting diode 6 is connected to the specified position is fixed, power source cords 4, 4' are electrically connected to the printed circuit board, and a hard resin light diffusion cap 3 is fit to the base part 1 so as to cover the light emitting diode.例文帳に追加

合成樹脂製のベース部１に、抵抗５を実装し且つ所定位置に発光ダイオード６を接続したプリント配線基板２を定着し、そのプリント配線基板に電源コード４，４’を電気的に接続し、更に、前記ベース部１に前記発光ダイオードを覆うように硬質樹脂製の光拡散性キャップ３を嵌合した。 - 特許庁

A method for forming corrosion resistant coating comprises: a first step of performing Pt plating 2 treatment on a base material 1 of a Ni-based or Co-based superalloy high-temperature equipment component; a second step of performing coating 3 of one or two or more kinds of Hf, Zr and Si by PVD; and a third step of performing diffusion coating 4 of Al thereon.例文帳に追加

Ｎｉ基またはＣｏ基の超合金製の高温機器部品の基材１にＰｔメッキ２処理を行なう第１工程と、その上にＨｆ、ＺｒおよびＳｉの内の１または２以上をＰＶＤによりコーティング３する第２工程と、その上にＡｌの拡散コーティング４する第３工程とからなる。 - 特許庁

An inner cover 5 for kotatsu for restricting diffusion of the heat generated by an electric heater is provided so as to cover a kotatsu framework, and a quilt 7 for kotatsu is provided so as to cover the inner cover 5 from outside, and a table board 8 is placed on a framework main body 3 through the inner cover 5 for kotatsu and the quilt 7 for kotatsu.例文帳に追加

炬燵やぐらを覆うように、電気ヒータにて発生した熱の放散を抑制する炬燵用内カバー５が設けられ、更にこの炬燵用内カバー５を外方から覆うように炬燵布団７が設けられ、やぐら本体３の上に炬燵用内カバー５及び炬燵布団７を介して卓板８を載置する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor capable of obtaining a desired working speed and a desired optical sensing property from an element to which a design rule of a hyperfine line width is applied and capable of inhibiting the generation of a leakage current in a floating diffusion area which is a sensing node in a pixel region, a pixel of the image sensor, and a method of manufacturing the image sensor.例文帳に追加

超微細な線幅のデザインルールが適用される素子から所望の動作速度と光感知特性とを得ることができ、画素領域のセンシングノードである浮遊拡散領域の漏れ電流の発生を抑制することができるＣＭＯＳイメージセンサ、その画素及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The sheet-like light source unit 1 for a color display device mainly comprises a plurality of single color light sources 3A, 3B, etc emitting lights of different colors, a reflecting plate 4 for reflecting the lights from the light sources 3A and the like to form reflected lights, and a light diffusion plate 2 for receiving the reflected lights and transmitting them.例文帳に追加

カラー表示装置用面状光源ユニット１を、それぞれ異なる色の光を発する複数個の単一色光源３Ａ、３Ｂ等と、該光源３Ａ等から発せられる光を反射して反射光とする反射板４と、該反射光を受けてこれを透過させる光拡散板２とから主として構成する。 - 特許庁

Regarding the installation position of an air flow direction control device 10 installed on a ceiling surface 36 of a clean room 12 based on a diffusion vertical width H of an air flow supplied from an air conditioner 2, a position where a gap H1 from a ceiling surface 36 being H/3 or more and H/2 or less is provided is specified.例文帳に追加

本発明によれば、クリーンルーム１２の天井面３６に設置される気流方向制御装置１０の設置位置に関し、空気調和機２４から吹き出された気流の拡散上下幅Ｈに対して、Ｈ／３以上でＨ／２以下の天井面３６からの隙間Ｈ１をあけた位置と規定する。 - 特許庁