「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(340ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve such problem that in the conventional electrolytic NF_3 synthesis, NF_3 is synthesized by direct electrolysis occurring on an electrode surface and near the electrode, but when current is permitted to flow in an amount exceeding that corresponding to the rate of ammonium ion diffusion, the reaction between excess fluorine radicals and ammonium ions does not proceed on the electrode surface, resulting in a reduced current efficiency.例文帳に追加

従来のＮＦ_3の電解合成では、電極表面や電極近傍での直接電解によりＮＦ_3が合成されるが、アンモニウムイオンの拡散速度を越えて電流を流すと、過剰のＦラジカルとアンモニウムイオンとの反応は電極表面で進行できなくなり、電流効率は低下する。 - 特許庁

A gage diffusion resistance 3 and a circuit element 4 are formed on a first silicon substrate 11, a recess part is formed on a second silicon substrate 12 for forming the diaphragm 1, and an exposure part 15 where the second silicon substrate 12 is exposed is formed by grinding at the outer periphery part of an element and diaphragm forming area on the SOI substrate 10.例文帳に追加

第１のシリコン基板１１にゲージ拡散抵抗３、回路素子４を形成し、第２のシリコン基板１２に凹部を形成してダイヤフラム１を形成し、ＳＯＩ基板１０における素子及びダイヤフラム形成領域の外周部に、研削することにより第２のシリコン基板１２が露出した露出部１５を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon-substrate evaluating method for evaluating rapidly and surely the diffusion length of the minority carriers of a semiconductor silicon substrate by using an SPV method, in order to attempt rapid adjustment of the manufacturing condition of a semiconductor device, to improve thereby its yield and its productivity efficiency, and to increase the rate of its research and its development.例文帳に追加

半導体装置の製造条件の迅速な調整とそれによる歩留まり、生産能率の向上、また研究開発のスピードアップを図るために、ＳＰＶ法を用いた半導体のシリコン基板の少数キャリア拡散長評価を迅速かつ確実に行うためのシリコン基板の評価方法を提供する。 - 特許庁

This surface-mounted LED 10 (light emitting device) includes: an LED chip 1; a phosphor layer 19 converting the wavelength of light emitted from the LED chip 1; and a light diffusion part 6 that is structured to diffuse light at the center part on the upper side of the LED chip 1 relative to light in the other parts.例文帳に追加

この表面実装型ＬＥＤ１０（発光装置）は、ＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１から出射された光の波長を変換する蛍光体層１９と、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成されている光拡散部６とを備える。 - 特許庁

The case 1 wind-guides the air to the openings 1a, 1a released respectively with the positive and negative ions, and the positive and negative ions released into the wind-guided air flow respectively together with air flows, for example, to the different directions K3c, K3d, to restrain the ions from being recoupled and to promote the diffusion of the ions.例文帳に追加

ケース１が、プラス及びマイナスのイオンが夫々放出される開口１ａ，１ａへ空気を導風し、導風された空気に放出されたプラス及びマイナスのイオンが、例えば異なる方向Ｋ３ｃ，Ｋ３ｄへの気流と共に夫々通流してイオンの再結合の抑制及びイオンの拡散が促進される。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric formed by using an insulating material, which has a low dielectric constant and is superior in heat resistance, thermal conductivity, and mechanical strength, and has a low thermal expansion coefficient, and is capable of restraining the diffusion of metal constituting a wiring material into an insulating film, and provide a semiconductor device composed of this.例文帳に追加

低誘電率であって、耐熱性、熱伝導性及び機械強度に優れ、熱膨張係数が低くて配線材料である金属の絶縁膜中への拡散を抑制できる絶縁材料によって形成された層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electronic component which uses a dielectric porcelain, wherein with Ag or Ag alloy used as an internal conductor, the variation in dielectric characteristics due to diffusion of Ag is very slight, while no depletion between the internal conductor and a dielectrics takes place and no drawing of the internal conductor occurs at an external connection conductor part.例文帳に追加

ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体として使用しながらも、Ａｇの拡散による誘電特性のバラツキが極めて少なく、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の外部接続導体部における引き込み発生のない誘電体磁器を用いた電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

Here, a diffusion area which leads to a certain photoelectric conversion part and forms the reset transistor, the source follower transistor, and a switch transistor is formed in the vicinity of a photoelectric conversion part adjacent to the photoelectric conversion part, and in addition, the transfer transistor, the reset transistor, the source follower transistor and the selection transistor are arranged in parallel with one another.例文帳に追加

ここで、ある１つの光電変換部につながり、リセットトランジスタ、ソースフォロアトランジスタ及びスイッチトランジスタを形成する拡散領域が、その光電変換部に隣接した光電変換部の近傍に形成され、また、上記の転送トランジスタ、リセットトランジスタ、ソースフォロアトランジスタ及び選択トランジスタが互いに並行に配置される。 - 特許庁

A pixel unit 1 is structured with a non-volatile memory transistor MT formed in a p-type well 12 of a silicon substrate 10 to include a floating gate 14 and a control gate 16 and selection gate transistors ST1, ST2 formed in both sides of each memory transistor MT through common use of such memory transistor MT and diffusion layer 17.例文帳に追加

画素ユニット１は、シリコン基板１０のｐ型ウェル１２に形成された、浮遊ゲート１４と制御ゲート１６を持つ不揮発性メモリトランジスタＭＴと、このメモリトランジスタＭＴと拡散層１７を共有して各メモリトランジスタＭＴの両側に形成された選択ゲートトランジスタＳＴ１，ＳＴ２とから構成される。 - 特許庁

The linear light emitting device comprises: a light source; and a linear light guide body, in which light of the light source is introduced from one end side, a projecting part continuing along a longitudinal axis is provided, and light diffusion reflecting parts are formed on an upper surface of the projecting part over its entire width at predetermined intervals.例文帳に追加

光源と、 前記光源の光が一端側から導入される線状導光体であって、長手軸に沿って連続する凸部を備え、該凸部の上面にはその全幅に渡る光拡散反射部が所定間隔で形成されている線状導光体と、 を備える線状発光装置とする。 - 特許庁

To obtain a solid-state image sensing device which is enhanced in detection sensitivity by a method wherein a detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased without varying an output electrode or a reset electrode in threshold value, and charge is trapped in a gate insulating film of ONO film when a device is charged while it is manufactured.例文帳に追加

製造中デバイスが帯電した場合、ゲート絶縁膜を構成するＯＮＯ膜中に電荷がトラップされ、出力電極やリセット電極のしきい値の変動が生じることなく、浮遊拡散層からなる検出容量が低減し、検出感度が向上する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The display plate includes a light-transmitting substrate with light-transmitting properties and a light diffusion part formed at a side opposite to a visible side of the light-transmitting substrate, wherein the display plate includes a colored resin layer having a smooth surface smoothed by smoothing treatment formed at the visible side of the light-transmitting substrate.例文帳に追加

光透過性を有する光透過性基板と、光透過性基板の視認側と反対側に形成された光拡散部とを備え、光透過性基板の視認側に、平滑処理によって、平滑化された平滑面を有し、光透過性基板の視認側に形成された有色樹脂層を備える。 - 特許庁

To provide a resin-packaged type semiconductor device wherein a semiconductor element mounted to a die pad and a lead is connected by a bonding wire and they are packaged by a mold resin and wherein the surface diffusion of a base metal is suppressed in an inner lead and the adhesion between the mold resin and the inner lead is ensured to easily prevent peeling of resin.例文帳に追加

ダイパッドに搭載された半導体素子とリードとをボンディングワイヤで接続したものを、モールド樹脂で封止してなる樹脂封止型の半導体装置において、インナーリードにおける下地金属の表面拡散を抑制し、モールド樹脂とインナーリードとの密着性を確保して樹脂剥離を抑制しやすくする。 - 特許庁

The second radio station has a radio wave characteristic conversion part 66 converting the received wave into a reply wave that does not interfere with the received wave and contains a diffusion code contained in the received wave, without changing the code, and sends the reply wave converted by the conversion part 66 to the first radio station (SA4).例文帳に追加

第２無線局は受信波を、該受信波と干渉することがなく受信波に含まれた拡散符号を変更することなく含む返信波に変換する電波特性変換部６６を有し、該電波特性変換部６６により変換した返信波を第１無線局に返信する（ＳＡ４）。 - 特許庁

In this wiring board 1 equipped with a mounting part 2 on which an IC chip is mounted by thermo-compression bonding and a plurality of wirings 3 to 6 pulled out of the mounting part 2, each of ground wiring 4 having wide power source wiring 3 and a wide section 4P is formed with a plurality of openings 9 for suppressing thermal diffusion.例文帳に追加

熱圧着によってＩＣチップが実装される実装部２と、実装部２から引き出された複数の配線３〜６とを備えた配線基板１において、幅広の電源配線３および幅広部分４Ｐを有するグラウンド配線４それぞれに、熱拡散を抑制するための開口部９を複数形成する。 - 特許庁

Hence, when the upper surface side of the liquid crystal display panel 13 is illuminated by leading the light from the light source 16 to the surface direction by the light leading film 18, the site corresponding to the surrounding part of the display area 15 in the liquid crystal panel 13 is brightly illuminated by the light diffusion part 20 of the light leading film 18.例文帳に追加

従って、光源１６からの光を導光フィルム１８で面方向に導いて液晶表示パネル１３の上面側を照明する際、導光フィルム１８の光拡散部２０によって液晶表示パネル１３における表示領域１５の周辺部に対応する箇所を明るく照明することができる。 - 特許庁

Thus, the light within the range of a prescribed diffusion in divergent lights emitted from the LED chip groups 64R, 64G, 64B is collected by each condenser lens, and the light guide main body and more light are led up near the face of a photographic film 22, and a large amount of light is gathered in a lens unit 76.例文帳に追加

これにより、ＬＥＤチップ群６４Ｒ、６４Ｇ、６４Ｂから出射される発散光の内の、所定の拡散度の範囲の光が各集光レンズ及び導光部材本体によって集光されて、より多くの光が写真フィルム２２面近くまで導かれ、レンズユニット７６にも多くの光が取り入れられる。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a field effect transistor having a gate electrode 3 formed on the bottom face section 1a of a recessed groove provided on the surface of a semiconductor substrate 1 through a gate insulating film 2 and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13 formed on the portions of the surface 18a of the semiconductor substrate 1 corresponding to both sides of the recessed groove.例文帳に追加

半導体基板１の表面に設けられた凹溝の底面部１ａ上にゲート絶縁膜２を介して形成されたゲート電極３と、その凹溝の両側に相当する半導体基板表面１８ａに形成された一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタを備える。 - 特許庁

To provide a resin sheet with an attached color filter which is thin and light in weight, and is excellent in mechanical strength, in gas barrier property, in heat resistance and in light diffusion property, a method for accurately and efficiently manufacturing the resin sheet with the attached color filter and a liquid crystal display device using the resin sheet with the attached color filter.例文帳に追加

本発明は、薄型、軽量であり、機械強度、ガスバリア性、耐熱性および光拡散性に優れたカラーフィルター付き樹脂シート、上記カラーフィルター付き樹脂シートの精度よく効率的な製造方法および上記カラーフィルター付き樹脂シートを用いた液晶表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for producing rare earth-transition metal-nitrogen-based magnet powder which can inexpensively and stably produce magnet powder having high characteristics by subjecting a raw material mixture to reduction diffusion reaction, to provide rare earth-transition metal-nitrogen-based magnet powder obtained thereby, to provide a composition for a bond magnet using the same, and to provide a bond magnet.例文帳に追加

原料混合物を還元拡散反応し安価で高特性の磁石粉末を安定的に生産できる希土類−遷移金属−窒素系磁石粉末の製造方法および、及び得られる希土類−遷移金属−窒素系磁石粉末、それを用いたボンド磁石用組成物、並びにボンド磁石を提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating a woody material to suppress the diffusion of the volatile organic substance of the woody material, capable of markedly reducing the amount of the volatile organic substance diffused into a room from the woody material used in a trim material or the like of a house and contributing to the prevention of a sick house syndrome or chemical substance hyperesthesia.例文帳に追加

住宅の内装材等に使用されている木質材料から室内に放散される揮発性有機物質の量を顕著に低減させることができ、シックハウス症候群や化学物質過敏症の防止に役立つ、木質材料の揮発性有機物質放散抑制処理方法を提供する。 - 特許庁

For this reason, the information displayed on the liquid crystal display panel 13 is not affected by the light diffusion part 20 of the light leading film 18, and thus even when the upper surface side of the liquid crystal panel 13 is illuminated by the light leading film 18, the information displayed on the liquid crystal display panel 13 is clearly seen.例文帳に追加

このため、液晶表示パネル１３に表示された情報が導光フィルム１８の光拡散部２０によって影響を受けることがないので、導光フィルム１８によって液晶表示パネル１３の上面側を照明しても、液晶表示パネル１３に表示された情報を鮮明に見ることができる。 - 特許庁

The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which has improved absorption of laser light, prevents diffusion of surplus laser light by absorption of the light in an undercoat layer, meets the need of reduction in diameter of writing light, and ensures the occurrence of few spot defects against charging potential in a wide range of a cylindrical support surface.例文帳に追加

電子写真感光体において、レーザー光の吸収を良くし、余剰となったレーザー光の吸収を下引き層に持たせて拡散を防止し、光書込み光径の小径化に対応し、円筒状支持体表面の広い範囲において、帯電電位に対して点欠陥の発生の少ない表面を提供する。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 8 is formed by thermally diffusing a P-type impurity over the surface of the layer 4, and a fourth N-type semiconductor layer 20 which is doped more heavily than the layer 4 is formed from the layer 18 having a large diffusion coefficient toward the layer 4.例文帳に追加

第２Ｎ型半導体層の表面にＰ型不純物を熱拡散してＰ型半導体層８を形成させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８から第２Ｎ型半導体層に第２Ｎ型半導体層の濃度より高い濃度の第４Ｎ型半導体層２０を形成する。 - 特許庁

A part of the compound semiconductor 60 between the contact metal layer 32 and an emission layer part 24 exhibits translucency to a light beam from the emission layer part 24 and serves as a semiconductor layer 25 for blocking diffusion of components from the contact metal layer 32 into the emission layer part 24.例文帳に追加

そして、化合物半導体層６０の、コンタクト金属層３２と発光層部２４との間に位置する部分が、発光層部２４からの発光光束に対して透光性を有し、かつ、コンタクト金属層３２から発光層部２４への成分拡散を抑制する拡散ブロック用半導体層２５とされている。 - 特許庁

The anode conductive layer is provided with a plurality of anode electrode parts equipped with holes in contact with and in electric conduction with an anode gas diffusion layer for letting fuel pass through to an membrane electrode assembly and arranged in virtually the same plane, and an anode insulating seal frame for positioning and retaining the plurality of anode electrode parts.例文帳に追加

アノード導電層は、アノードガス拡散層に接触して電気的に導通し、膜電極接合体に燃料を通過させるための孔を有し、実質的に同一の平面に配列される複数のアノード電極部と、複数のアノード電極部を位置決め保持するアノード絶縁シール枠と、を有する。 - 特許庁

To provide a composition having a sufficient process margin and proper storage stability, that is superior in adhesion to a substrate, heat resistance and solvent resistance and property of controlling an irregular shape, and capable of easily forming a film for use as a light diffusion reflecting film of a reflecting or semi-transmissive liquid crystal display element.例文帳に追加

十分なプロセスマージンと良好な保存安定性を有し、基板との密着性、耐熱性、耐溶剤性、凹凸形状のコントロール性に優れた、反射型または半透過型の液晶表示素子の光拡散反射膜に用いるための膜を容易に形成することのできる組成物を提供すること。 - 特許庁

The horizontal transfer region 4 is tapered (both ends are tapered) so as to improve the charge detection sensitivity of a floating diffusion layer 3 which converts signal charge to voltage signals, and an overflow barrier 5 and the overflow drain 6 are provided adjacent to the final storage electrode 8a of the horizontal transfer region 4 along the shape of the horizontal transfer region 4.例文帳に追加

信号電荷を電圧信号に変換する浮遊拡散層３の電荷検出感度を上げるためにテーパ形状（両端先細り形状）となっている水平転送領域４の形状に沿って、オーバーフローバリア５とオーバーフロードレイン６が水平転送領域４の最終蓄積電極８ａ隣にまで設けられている。 - 特許庁

The inner diffusion reflector exhibits uniform reference reflection intensity in a range of 0°≤θ°<a° within the range of 0°≤θ°<15° in both sides of the specular reflection direction of the plate denoted by θ°=0°, and has a peak reflection intensity higher than the reference reflection intensity in the range of a°≤θ°≤20°.例文帳に追加

内面拡散反射板の正反射方向をθ°＝０°として、左右両側の０°≦θ°＜１５°の範囲において、０°≦θ°＜ａ°の範囲の反射強度を均一な基準反射強度とし、且つ、ａ°≦θ°≦２０°の範囲内に、前記基準反射強度よりも大きなピーク反射強度を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.例文帳に追加

積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The surface of a glass surface 12 of the halftone reticl 10 is provided with rugged parts 11, by which the uniform diffusion of illumination light 15, etc., into a glass surface 12 is made possible and therefore diagonal incident light 20 effective for improving the contrast on the wafer 112 may be inexpensively and easily increased without the execution of intricate processes.例文帳に追加

ハーフトーンレティクル１０のガラス面１２の表面に凹凸部１１を設けることにより、照明光１５等をガラス面１２に均一に拡散することができるため、複雑なプロセスをせずに安価で容易にウェーハ１１２上のコントラスト向上に有効な斜め入射光２０を増加させることができる。 - 特許庁

Thus, a barrier layer 15 which is chemically stable even in a high-temperature usage environment at a temperature exceeding 200°C and effectively works as a barrier layer can be interposed between Cu interconnections 18 and the interlayer insulation film 12, and thereby diffusion of Cu, which is a material of the interconnections, into the interlayer insulation film 12 can be prevented.例文帳に追加

これにより、２００℃を超える高温使用環境においても化学的に安定であり、バリア層として効果的に作用するバリア層１５をＣｕ配線１８と層間絶縁膜１２との間に介在させることができるので、配線材料たるＣｕの層間絶縁膜１２への拡散を防止することができる。 - 特許庁

In the LDD layer 5a, formed from the surface of the semiconductor substrate 1 down to a predetermined depth D1, a p-type diffusion layer 10 is so formed as to be surrounded by the LDD layer 5a, excluding the surface of the LDD layer 5a, while being extended from the surface of the LDD layer 5a to a depth D3.例文帳に追加

半導体基板１の表面から所定の深さＤ１にわたり形成されたＬＤＤ層５ａには、ＬＤＤ層５ａの表面を除いてＬＤＤ層５ａに取り囲まれるとともに、ＬＤＤ層５ａの表面から深さＤ３にわたりｐ型拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

A p-type base region 12 is provided with a base electrode connection part 24 made of an n^+-type region, and moreover a Zener voltage controlled diffusion region 25 made of a p^+-type region is provided in the circumference of the base electrode connection part 24 in such a manner as to form p-n junction and cause Zener breakdown at the desired voltage.例文帳に追加

ｐ形のベース領域１２にｎ^+形領域からなるベース電極接続部２４が設けられ、さらにベース電極接続部２４の周囲に、ｐｎ接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように、ｐ^+形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域２５が設けられている。 - 特許庁

A control part 51 inserts the diffusion plate 60 onto the optical path when the change in the position determined on the basis of the determination information JG exceeds a threshold in the case where a motion mode is a water image pickup mode, uses an image signal then generated by the imaging part 22, and sets a gain for each color component.例文帳に追加

制御部５１は、動作モードが水中撮像モードとされている場合において、判別情報ＪＧに基づいて判別した位置変化が閾値を超えたとき、光路上に拡散板６０を挿入して、このとき撮像部２２で生成された画像信号を用いて色成分ごとのゲインを設定する。 - 特許庁

The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including silver complex salt diffusion transfer development), and then treating the plate with a treating liquid containing a solvent for the silver halide, an organic compound having a mercapto group in the molecule and ≥0.2 mol phosphoric acid compound per 1 liter of the liquid.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理（銀錯塩拡散転写現像を含まない）後、ハロゲン化銀溶剤、分子中にメルカプト基を有する有機化合物及び１リットルあたり０．２モル以上のリン酸化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁

Then, a propagation route until the ultrasonic beam is reflected by the flaw 12X is assumed, and the final curved-surface shape is calculated by correcting the shape of the vibrator so that the phases totally agree on the whole surface of the vibrator from the amplitude change following diffusion, and the difference of the amplitude change/phase change at the refraction time.例文帳に追加

次に、超音波ビームがキズ１２Ｘで反射するまでの伝搬経路を考え、拡散に伴う振幅の変化、屈折時の振幅変化・位相変化の差から、トータルとして振動子全面で位相が一致するように、振動子の形状を補正して最終的な曲面形状を算出する。 - 特許庁

To surely prevent the diffusion of a material easily diffusible into an interlayer insulating film and is represented by a Cu-containing material into the interlayer insulating film and the peeling of the material, and at the same time, to reduce the interlayer capacity of wiring and to enable the wiring to maintain high oxidation resistance when the wiring is formed by using the material.例文帳に追加

Ｃｕを含有する材料に代表されるような層間絶縁膜に対する易拡散性の材料を用いて配線を構成した場合に、前記易拡散性の材料の層間絶縁膜への拡散や材料の剥離を確実に防止するとともに、層間容量を低減させ、しかも高い耐酸化性を保持する。 - 特許庁

A light guide passage 11d guiding light from an LED 19 to a light transmitting part 11b is provided in an operating button 11 which can be pressed down while having the light transmitting part 11b, and a diffusion part 20 diffusing light from the LED 19 is provided between the LED 19 and the light guide passage 11d.例文帳に追加

下方へ押し込み操作可能でありかつ透光部１１ｂを有する操作ボタン１１に、ＬＥＤ１９からの光を透光部１１ｂに導く導光路１１ｄを設け、ＬＥＤ１９と導光路１１ｄとの間に、ＬＥＤ１９からの光を放散させる放散部２０を設ける。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing the deterioration of performance in the semiconductor element such as a MISFET formed on a main surface of the semiconductor substrate by suppressing the diffusion of copper atoms attached to a back surface of the semiconductor substrate from the back surface into the semiconductor substrate, in a semiconductor device where copper wiring is used in a wiring layer.例文帳に追加

配線層に銅配線を使用する半導体装置において、半導体基板の裏面に付着した銅原子が半導体基板の裏面から内部へと拡散することを抑制し、半導体基板の主面に形成されているＭＩＳＦＥＴなどの半導体素子の特性劣化を抑制できる技術を提供する。 - 特許庁

The film assembly 2 for an electrode of a fuel cell comprises a solid polymer electrolyte film 5, a pair of catalyst layers 6 and 7 overlapped on both sides of the solid polymer electrolyte film 5, and a pair of porous gas diffusion layers 8 and 9 overlapped on the outside of respective catalyst layers 6 and 7 and formed by a conductive material.例文帳に追加

燃料電池用電極・膜接合体２は、固体高分子電解質膜５、固体高分子電解質膜５の両面に重ねられた一対の触媒層６，７、及び各触媒層６，７の外側に重ねられ、導電性材料により形成された多孔質の一対のガス拡散層８，９を備えている。 - 特許庁

The anisotropic diffusion sheet 34 has a plurality of convexes 34a, that are arranged in parallel in one direction and are arranged in parallel in a direction crossing the one direction, in-plane on the luminance enhancement film 33 side and has shape anisotropy and refractive index anisotropy in-plane.例文帳に追加

異方性拡散シート３４は、複数の凸部３４ａを有しており、各凸部３４ａは、輝度向上フィルム３３側の面内に、一の方向に並列配置されると共に一の方向と交差する方向に並列配置されており、かつ面内に形状異方性および屈折率異方性を有している。 - 特許庁

The junction body of the electrolyte film for the fuel cell and the electrode is composed of a hydrogen ion conductive polymer electrolyte film, a pair of catalyst layers pinching the electrolyte film, and a gas diffusion layer, with the catalyst layer open to at least one face with a vacant hole part of a hole diameter larger than that of a gas channel.例文帳に追加

燃料電池用電解質膜・電極接合体は、水素イオン伝導性高分子電解質膜、ならびに前記電解質膜を挟む一対の触媒層およびガス拡散層からなる電極より構成され、前記触媒層が少なくとも一方の面にのみ開口し、孔径がガスチャネルよりも大きな空孔部を有する。 - 特許庁

In the electric wire 11 for submersible motors, which has a conductor shielding layer 13 for preventing the diffusion of a conductor 12 around the conductor 12 and also has a bridged electric insulating composition layer 14 around the conductor shielding layer 13, the conductor shielding layer 13 includes a resin composition which does not have benzene rings.例文帳に追加

導体１２の外周に該導体１２の拡散を防止する導体遮蔽層１３を有し、その導体遮蔽層１３の外周に架橋してなる電気絶縁組成物層１４を有する水中モータ用電線１１において、上記導体遮蔽層１３がベンゼン環を持たない樹脂組成物からなる。 - 特許庁