「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for correcting or processing a correlation value for indicating the correlation between a reception signal and a diffusion code for reproducing data in spectrum diffusion communication.例文帳に追加

スペクトル拡散通信において、受信信号と拡散符号との相関を表す相関値をデータ再生のために利用しやすいように修正または加工する方法を提供する。 - 特許庁

The switch lever 1 also interlocks with a diffusion plate 4, then, at the same time when the switch lever 1 is moved upward, the diffusion plate 4 is arranged in front of an auxiliary light LED 3.例文帳に追加

切り替えレバー１は拡散板４とも連動しており、切り替えレバー１が上方向に移動されると同時に補助光用ＬＥＤ３の前面に、拡散板４が配置される。 - 特許庁

A portion opposed to the diffusion layer 24 among the side faces of the through electrode 7 is curved, and the portion opposed to the through electrode 7 among the surfaces of the diffusion layer 24 is curved.例文帳に追加

貫通電極７の側面のうち拡散層２４に対向する部分は湾曲しており、拡散層２４の表面のうち貫通電極７に対向する部分は湾曲している。 - 特許庁

To provide a fuel cell separator in which drainage performance of water at the portion of a diffusion layer depressed by a rib is improved without increasing contact electric resistance between the rib and the diffusion layer.例文帳に追加

リブと拡散層との間の接触電気抵抗を増大させることなく、拡散層のうちリブで押されている部分の、水の排水性を高めた燃料電池用セパレータの提供。 - 特許庁

The fuel cell is provided with gas diffusion layers 76, 77 and a gas sealing layer 80 inserted between the gas diffusion layers and other composing members of the fuel cell.例文帳に追加

燃料電池は、ガス拡散層７６，７７と、ガス拡散層７６，７７とガス拡散層以外の燃料電池の構成部材との間に介挿されたガス封止層８０と、を備える。 - 特許庁

A scan-in terminal Sin is connected to a diffusion layer region 220, and a scan-out terminal Sout is connected to the diffusion layer region 225 via a charge-voltage conversion amplifier 401.例文帳に追加

拡散層領域２２０にはスキャンイン端子Ｓｉｎが接続され、拡散層領域２２５には電荷電圧変換アンプ４０１を介してスキャンアウト端子Ｓｏｕｔが接続される。 - 特許庁

To provide a dust catcher capable of preventing defective operation of a fuel gas diffusion valve from being caused by dust of scale or the like falling from a straight pipe part of a fuel gas diffusion pipe.例文帳に追加

燃料ガス放散管の直管部から落下するスケール等のダストによって燃料ガス放散弁に作動不良が生じることを防止することのできるダストキャッチャーを提供する。 - 特許庁

The conductive covering layer 6 consists of a permeation portion 6a permeated inside from the surface of the gas diffusion layer substrate 8 and a covered portion 6b formed on the surface of the gas diffusion layer substrate 8.例文帳に追加

導電性被覆層６は、ガス拡散層基材８の表面から内部に浸透した浸透部６ａと、ガス拡散層基材８の表面上に形成された被覆部６ｂからなる。 - 特許庁

The method also includes a step of forming a second Cu diffusion barrier insulating film 8 on this, and a step of forming a structure that the copper residue 7a is sandwiched between the first and second Cu diffusion barrier insulating films 3 and 8.例文帳に追加

この上に第２のＣｕ拡散バリア絶縁膜８を設けて、銅残渣７ａを第１および第２のＣｕ拡散バリア絶縁膜３，８で挟み込んだ構造にする。 - 特許庁

A second graph 14 indicates an order where the bit of a code index is reversed, and the code region power at the maximum diffusion rate while a subcode in a lower diffusion rate code is grouped.例文帳に追加

第２グラフ14は、符号インデックスがそのビットを逆にした順序であり、低い拡散率符号のサブ符号が一緒のグループになるようにして、最大拡散率での符号領域パワーを示す。 - 特許庁

The fuel diffusion layer 42 is provided with a fuel diffusion layer core 421, an outside fuel electrode water repellent layer 422 having and an inside fuel electrode water repellent layer 423.例文帳に追加

燃料拡散層４２は、燃料拡散層核部４２１と燃料極外側撥水性材料含有層４２２と燃料極内側撥水性材料含有層４２３とを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer diffusion device and a method of manufacturing a semiconductor device, with which entrainment of the atmosphere into a diffusion furnace can be prevented, when a semiconductor wafer is inserted into the furnace.例文帳に追加

半導体ウエハを拡散炉内に挿入する際に、炉内に大気が巻き込まれるのを抑制できる半導体ウエハの拡散装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first diffusion layer 8 having N^+ type conductivity, and a second diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ^＋型である第１拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第２拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

By heat treating the sheet, since the pulp material, contained in the sheet is burnt off and fine pores are increased inside the sheet, the gas diffusion member, having the gas diffusion characteristics, is formed.例文帳に追加

シートを加熱処理することにより、シートに含まれているパルプ材を焼失させてシートの内部に細孔を増加させることにより、ガス拡散性を有するガス拡散部材を形成する。 - 特許庁

The first impurity diffusion layer 104 constitutes the drain region of a memory transistor MT and the source region of a selection transistor ST, and the first impurity diffusion layer 124 constitutes the drain region of the selection transistor ST.例文帳に追加

第１不純物拡散層１０４はメモリトランジスタMTのドレイン領域と選択トランジスタSTのソース領域、第１不純物拡散層１２４は選択トランジスタSTのドレイン領域をなす。 - 特許庁

The anode gas diffusion layer 14 and the cathode gas diffusion layer 15 are respectively provided with carbon paper formed with through-holes 14a and 15a, each having a hollow part with an inner diameter of 0.1-2 mm.例文帳に追加

アノードガス拡散層１４およびカソードガス拡散層１５は、内径０．１〜２ｍｍの中空部を有する貫通孔１４ａ，１５ａが形成されたカーボンペーパを備えている。 - 特許庁

Meanwhile, an n+ diffusion region 12b of the source electrode and an n+ diffusion region 13b of the drain region are formed by injecting a high-concentration n-type impurity into the simultaneously provided contact holes.例文帳に追加

なお、ソース電極のｎ＋拡散領域１２ｂとドレイン電極のｎ＋拡散領域１３ｂは、同時に設けたコンタクトホールに高濃度のｎ型不純物を注入して形成する。 - 特許庁

A channel stopper 20 is formed between a diffusion layer 12 and a diffusion layer 13 of an ESD protective circuit 10A, thereby preventing inversion of a p-well layer 11 and preventing the leak current.例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路１０Ａの拡散層１２と拡散層１３との間にチャンネルストッパー２０を形成することにより、ｐウェル層１１の反転を防ぎ、リーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a simulation process in which limitations are eliminated, the limitation being that Gaussian diffusion kernels have the same diffusion length in the different directions in calibration of a resist model used in critical dimension (CD) calculation.例文帳に追加

最小寸法（ＣＤ）の計算で使用するレジスト・モデルの較正におけるガウシアン拡散カーネルが異なる方向に同じ拡散長を有する制限をなくしたシミュレーション・プロセスの提供。 - 特許庁

To provide an inexpensive optical control diffusion element which is excellent in contrast, brightness and durability by equalizing an intensity distribution of an illumination pattern of a diffusion light in a visible wavelength region.例文帳に追加

可視波長域にある拡散光の照明パターンの強度分布を一様にすることでコントラスト・輝度ともに優れ、また、耐久性に優れ、安価な光制御拡散体を提供する。 - 特許庁

One of the source/drain of each of the above-mentioned double diffusion type transistors is individually formed in each transistor, and the n double diffusion type transistors share the other source/drain.例文帳に追加

前記各二重拡散トランジスタのソース／ドレインのうちの一つは各トランジスタに個別的に形成され、他の一つのソース／ドレインは前記ｎ個の二重拡散トランジスタが共有する。 - 特許庁

A guide groove 13a opened toward the separator 16 and guiding water in a high water content part in the diffusion layer 13 to a low water content part is installed in the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層１３にはセパレータ１６側に向かって開口し、拡散層内１３における高含水率部の水を低含水率部へ案内する案内溝１３ａが設けられている - 特許庁

On the other hand, the cathode 24 has a laminated body composed of a catalyst layer 30, a gas diffusion layer 32 and a water retentive layer 60 arranged between the catalyst layer 30 and the gas diffusion layer 32.例文帳に追加

一方、カソード２４は、触媒層３０、ガス拡散層３２、および触媒層３０とガス拡散層３２との間に設けられた保水層６０からなる積層体を有する。 - 特許庁

To provide a transistor model generation device and a transistor model generation method, easily creating a transistor model reflecting a diffusion layer length-dependent parameter corresponding to each diffusion layer.例文帳に追加

それぞれの拡散層に対応する拡散層長依存パラメータが反映されるトランジスタモデルを容易に作成するトランジスタモデル生成装置、トランジスタモデル生成方法を提供する。 - 特許庁

A first output amplifier 20 whose input terminal is connected to the floating diffusion 16 impedance-converts the potential fluctuation of the floating diffusion 16 and generates output signals Y(t).例文帳に追加

第１の出力アンプ２０は、その入力端子がフローティングディフュージョン１６に接続され、フローティングディフュージョン１６の電位変動をインピーダンス変換して出力信号Ｙ(t)を生成する。 - 特許庁

A water-retention layer 60 is disposed between the catalyst layer 26 and gas diffusion layer 28 of an anode 22, and a water-retention layer 70 is disposed between the catalyst layer 30 and gas diffusion layer 32 of a cathode 24.例文帳に追加

アノード２２の触媒層２６とガス拡散層２８との間に保水層６０を設け、カソード２４の触媒層３０とガス拡散層３２との間に保水層７０を設ける。 - 特許庁

An MEA 1 is formed in which an anode gas diffusion layer 10, an anode catalyst layer 12, a proton conductive polymer film 13, a cathode catalyst layer 14, and a cathode gas diffusion layer 15 are arranged, in this order.例文帳に追加

アノードガス拡散層１０、アノード触媒層１２、プロトン伝導性高分子膜１３、カソード触媒層１４、カソードガス拡散層１５の順に配置されたＭＥＡ１を形成する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode in which a catalyst less expensive than platinum and platinum group oxide is used, and also to provide a manufacturing method of the gas diffusion electrode, a fuel cell, and a brine electrolytic cell.例文帳に追加

、白金や白金族酸化物よりも安価な触媒を用いたガス拡散電極、ガス拡散電極の製造方法、燃料電池および食塩電解セルを提供すること。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 110a is selectively formed just under the p-type diffusion layer 111a as the top gate, and becomes a channel layer of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

トップゲートとなる前記Ｐ型拡散層１１１ａの直下に選択的に形成された前記Ｎ型拡散層１１０ａは接合型電界効果トランジスタ１５１のチャネル層となる。 - 特許庁

A diffusion layer 11 related to a circuit element is formed on an Si semiconductor substrate, and a barrier layer 14 is installed between a conductive member 16 and the diffusion layer 11.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板上において、回路素子に関係する拡散層１１が形成され、導電部材１６と拡散層１１との間にはバリア層１４が設けられている。 - 特許庁

A diffusion element 2 diffusing the coherent light is provided between the coherent light source 1 and an illuminated object 5 illuminated with the coherent light source 1 to vibrate the diffusion element 2.例文帳に追加

コヒーレント光源１とこのコヒーレント光源１によって照明される被照明体５との間にコヒーレント光を拡散させる拡散素子２を設け、この拡散素子２を振動させる。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１６が形成されている。 - 特許庁

A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加

Ｐ型の埋込拡散層５が、Ｎ型の埋込拡散層４上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のＰＮ接合領域１７が形成されている。 - 特許庁

A plurality of unit gas diffusion layers 14 and 16 having regions of high gas-permeability 32 and 34 and a region of low gas-permeability are stacked to construct a gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層をガス透過性の高い高透過性領域３２，３４とガス透過性の低い低透過性領域とを有する複数の単位ガス拡散層１４，１６を積層して構成する。 - 特許庁

To produce an R-T-B based sintered magnet stably without varying the diffusion quantity even if the conditions of RH diffusion to the R-T-B based sintered magnet change.例文帳に追加

Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体へのＲＨ拡散の条件が変わっても拡散量が変動することなく安定してＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を製造する。 - 特許庁

To provide a photomask for suppressing exfoliation of photoresist, when manufacturing a diffusion reflection plate by using proximity exposure, and also to provide the diffusion reflection plate, its manufacturing method and a color filter.例文帳に追加

プロキシミティー露光を用いて拡散反射板を製造する際に、フォトレジストの剥離を抑制できるフォトマスク、拡散反射板及びその製造方法並びにカラーフィルタを提供する。 - 特許庁

After an n^- diffusion region 60 becoming a drift region is formed on a p^- substrate 50, a part of the substrate 50 and the n^- diffusion region 60 are removed selectively to form a trench 51.例文帳に追加

ｐ^-基板５０にドリフト領域となるｎ^-拡散領域６０を形成した後に、基板５０およびｎ^-拡散領域６０の一部を選択的に除去してトレンチ５１を形成する。 - 特許庁

To manufacture an integrally-formed member of an electrolyte membrane-electrode assembly, a gas diffusion layer, and a seal member while suppressing damage of the electrolyte membrane-electrode assembly and the gas diffusion layer.例文帳に追加

電解質膜・電極接合体及びガス拡散層の損傷を抑えつつ、電解質膜・電極接合体、ガス拡散層及びシール部材の一体形成部材を製造する。 - 特許庁

According to the plantation, an auxiliary diffusion region 153, is formed as consisting of a second impurity having a concentration higher than that of the extension region 151 and lower than that of the main diffusion region 152 of the source/drain.例文帳に追加

これにより、エクステンション領域１５１よりも高く、かつソース／ドレインの主拡散領域１５２よりも低い濃度の第２不純物による補助拡散領域１５３が形成される。 - 特許庁

The diffusion bit line 211 is formed also into a line shape below the metal bit line 212, and the metal bit line 212 is connected with the diffusion bit line 211 between the word lines 11.例文帳に追加

拡散ビット線２１１は、金属ビット線２１２の下方に同じくライン状に形成されており、金属ビット線２１２はワード線１１間で拡散ビット線２１１と接続している。 - 特許庁

Further, an electronic overflow is reduced via the narrow diffusion preventing layer 4 of a band gap, since the diffusion preventing layer 4 is formed in a position operate at a prescribed interval apart from the activity layer 7.例文帳に追加

また、拡散防止層４を活性層７から所定間隔離れた位置に設けたことにより、バンドギャップの狭い拡散防止層４を介しての電子のオーバーフローが低減される。 - 特許庁

The gate electrode 32 of the transfer part 1 and the stray diffusion region 22 of the signal charge accumulation part 7 are capacitive coupled, so that the electrostatic potential of the stray diffusion region 22 becomes deep.例文帳に追加

転送部１のゲート電極３２と信号電荷蓄積部７の浮遊拡散領域２２とが、この浮遊拡散領域２２の静電ポテンシャルが深くなるように容量結合している。 - 特許庁

Contacts 103-1 to 103-3 are formed on the metal layer 107-1, the diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and the diffusion layer 108 of the second conductive type, respectively.例文帳に追加

金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８上には、それぞれコンタクト１０３−１〜１０３−３が形成されている。 - 特許庁

That is, in the diffusion joining process, by the second tool part 20, the flat plate 2' is deformed to become the upper plate member 2, and the upper plate member 2 is diffusion-joined to the lower plate member 1.例文帳に追加

つまり、この拡散接合工程において、第２の治具部２０により、平板２’は変形され上板部材２となり、かつ、この上板部材２が下板部材１と拡散接合される。 - 特許庁

The lenticular lens sheet 20 of the transmission type screen 10 includes a lenticular lens layer 29, a light shield layer 23, a first diffusion layer 24, a translucent substrate 25, and a second diffusion layer 26.例文帳に追加

この透過型スクリーン１０のレンチキュラーレンズシート２０は、レンチキュラーレンズ層２９と、遮光層２３と、第１拡散層２４と、透光性基板２５と、第２拡散層２６とを備える。 - 特許庁