Diffusionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18238件
Diffusion sections 23, 24, 26 are formed at a range out of the films 22a, 22b, 22c opposed to an upper surface 11A of a diffusion plate 11, and a light source image adjustment section 25 is formed at a range out of the light emitting side film 22 opposed to a lower surface 11B of the diffusion plate 11.例文帳に追加
フィルム22a,22b,22cのうち拡散板11の上面11Aとの対向領域に拡散部23,24,26が形成され、光射出側フィルム22のうち拡散板11の下面11Bとの対向領域に光源像調整部25が形成されている。 - 特許庁
The NPN-type transistor 5 comprises an N-type epitaxial layer corresponding to the emitter, a P-type diffusion layer selectively formed on the N-type epitaxial layer and corresponding to the base, and an N-ype diffusion layer selectively formed on the P-type diffusion layer and corresponding to the collector.例文帳に追加
NPN型トランジスタ5は、エミッタに相当するN型エピタキシャル層と、N型エピタキシャル層上に選択的に形成され、ベースに相当するP型拡散層と、P型拡散層上に選択的に形成され、コレクタに相当するN型拡散層とから構成される。 - 特許庁
Spacers 14a and 14b are disposed between diffusion regions 11a and 11b, constituting a semiconductor element, and an element separation trench opposite the diffusion regions 11a and 11b to make constant stress from the element separation trench to the diffusion regions.例文帳に追加
半導体素子を構成する拡散領域11a,11bに対向して、拡散領域11a,11bと素子分離トレンチとの間に位置するようにスペーサ14a,14bを配置することにより、素子分離トレンチから拡散領域への応力を一定にするようにした。 - 特許庁
When an anode side diffusion layer 122 and a cathode side diffusion layer 132 are pressed by the separators 140 and 150 toward proton exchange membrane 110, respective diffusion layers will have thicknesses different from their original shapes depending on area.例文帳に追加
このセパレータ140及び150によって、アノード電極側の拡散層122及びカソード電極側の拡散層132を夫々プロトン交換膜110に向って押圧すると、夫々の拡散層は、部位に応じて原形状と異なる厚みを有することとなる。 - 特許庁
To prevent a stay of water, and obtain a gas diffusion electrode which is superior in gas diffusion property without cutting off a proton conduction path between a catalyst layer and a proton electro-conductive solid polyelectrolyte membrane, and between the electronic conduction path between the catalyst layer and a gas diffusion layer.例文帳に追加
触媒層とプロトン導電性固体高分子電解質膜間のプロトン伝導経路および触媒層とガス拡散層との間の電子伝導経路を遮断することなく、水の滞留を防ぎ、ガス拡散性に優れたガス拡散電極を得る。 - 特許庁
Temperature dependence of diffusion constant is determined by calculating diffusion constant of acid for a plurality of heating temperatures following to exposure according to molecular dynamics and diffusion constant of acid at a desired temperature is determined by linear interpolation or extrapolation.例文帳に追加
分子動力学法により、複数の露光後加熱温度に対して酸の拡散定数を計算して拡散定数の温度依存性を求め、所望の温度における酸の拡散定数を線形補間または線形補外することにより求めることができる。 - 特許庁
Since the light reflected on the high reflection layer 22 can be introduced from any position of the light diffusion part 7, the light introduced from the light diffusion part 7 is such light as has less luminance unevenness, with the irradiance being averaged across the entire light diffusion part 7.例文帳に追加
また、高反射層22により反射された光は、光拡散部7のあらゆる位置から導出され得るため、光拡散部7から導出される光は、光拡散部7全体に亘って放射照度が平均化された輝度むらの少ない光となる。 - 特許庁
An N+ type buried diffusion layer 103 and an N type epitaxial layer 102 are formed on a P type silicon substrate 101, and a P type diffusion layer 104 and an N+ type drain lead-out diffusion layer 106A in a surface region are formed in the N type epitaxial layer 102.例文帳に追加
P型シリコン基板101上にN+埋め込み拡散層103およびN型エピタキシャル層102が形成され、N型エピタキシャル層102内には表面領域内のP型拡散層104とN+ドレイン引き出し拡散層106Aが形成されている。 - 特許庁
The storage apparatus comprises a bit line diffusion layer 2 extending in the substrate 1 in columns, an insulating film 14 formed on a region between the bit line diffusion layers 2, word lines 3 on the substrate 1 and the insulating film 14, and bit line backing wiring 7 above the bit line diffusion layers 2.例文帳に追加
基板1中に列方向に延びるビット線拡散層2、ビット線拡散層2の間の領域上に形成された絶縁膜14、基板1及び絶縁膜14上のワード線3、ビット線拡散層2上方のビット線裏打ち配線7を備える。 - 特許庁
This image processor has an error memory, error diffusion processors of the number equal to the number of the laser beams, data delaying devices among the error diffusion processors, and video signal generators of the number equal to the number of the laser beams and performs error diffusion in parallel by the number equal to the number of the laser beams.例文帳に追加
誤差メモリと、レーザービームの本数と同数の誤差拡散処理装置と、誤差拡散処理装置間のデータ遅延装置と、レーザービームの本数と同数のビデオ信号生成装置を持ち、レーザービームの本数と同じ数だけ並列に誤差拡散処理を行う。 - 特許庁
Steps 25 are formed at a peripheral edge part of the gas diffusion layer junction of the fuel cell formed by laminating a water-repellent layer 21 on the gas diffusion layer 20, and a protection layer 26 is formed over the side surface of the gas diffusion layer so as to fill up the steps.例文帳に追加
ガス拡散層20に撥水層21を積層してなる燃料電池のガス拡散層接合体において、その縁部に前記積層方向に段差25を形成し、かつこの段差を補填するように、かつガス拡散層の側面にわたり保護膜26を被覆する。 - 特許庁
A diffusion coefficient selection part 650 sets a diffusion coefficient set for diffusing a quantization error at the time of quantizing a pixel in the vicinity of the noticed picture element over the noticed picture element in accordance with a position of the noticed picture element in a current processing area of the error diffusion processing.例文帳に追加
拡散係数選択部650は、誤差拡散処理の現在の処理領域における注目画素の位置に応じて、注目画素の近傍の画素を量子化した際の量子化誤差を注目画素に拡散するための拡散係数セットを設定する。 - 特許庁
To provide a mixture for preventing the diffusion of a contaminating component which has a stable and excellent cleaning ability against a contaminating component contained in contaminated soil compared with the existing techniques for preventing the diffusion of a contaminating component, and to provide a method of preventing the diffusion of a contaminating component.例文帳に追加
従来の汚染成分拡散防止技術に比べ、汚染土壌中に含まれる汚染成分に対して、安定し、かつ優れた浄化能力を有する汚染成分拡散防止用混合物及び汚染成分拡散防止方法を提供することにある。 - 特許庁
A semiconductor layer 1 has a first non-diffusion region 12 and a second non-diffusion region 13 respectively in contact with one width-direction end and the other width-direction end of a diffusion region 11 involving a source region 1s, a channel region 1ch and a drain region 1d.例文帳に追加
半導体層1は、ソース領域1s、チャネル領域1chおよびドレイン領域1dを含む拡散領域11の幅方向の一方端および他方端にそれぞれ接する第1非拡散領域12および第2非拡散領域13を有する。 - 特許庁
A liquid crystal display device 30 is provided with the light diffusion plate 3, a plurality of the light sources 2 arranged in the back side of the light diffusion plate 3 and a liquid crystal panel 20 arranged on the front side of the light diffusion plate 3.例文帳に追加
また、この発明の液晶表示装置30は、前記光拡散板3と、前記光拡散板3の背面側に配置された複数の光源2と、前記光拡散板3の前面側に配置された液晶パネル20とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
In the composite light diffusion compensating element configured by serially connecting a plurality of light diffusion compensating elements, a compound light diffusion compensating element 701 is provided for reducing the loss and widening the band by performing diffusion compensation by reflecting signal light plural times between incident planes located while facing by using at least a pair of light diffusion compensating elements 703 and 704 located while confronting the incident planes.例文帳に追加
複数の光分散補償素子を直列に接続して構成した複合型の光分散補償素子において、入射面を対向させて配置した少なくとも一対の光分散補償素子703,704を用いて、その対向して配置した入射面の間で信号光を複数回反射させて分散補償を行うことで低損失広帯域化が可能な複合型の光分散補償素子701を実現した。 - 特許庁
A first light diffusion structure 22 is provided on a first light diffusion surface 18 opposed to the light extraction surface 16 and a second light diffusion structure 24 extending in the longitudinal direction of the light guide body 10 is provided on the light extraction surface 16.例文帳に追加
前記前記光取り出し面16に対向する第1光拡散面18には、第1光拡散構造22が設けられ、前記光取り出し面16には、前記導光体10の長手方向に延在する第2光拡散構造24が設けられている。 - 特許庁
Since a diffusion prevention film 10 for preventing diffusion of metal elements 1 in a high dielectric constant insulating film 13 to an upper layer is formed on the high dielectric constant insulating film 13, diffusion of the metal elements 1 in the high dielectric constant insulating film 13 to the upper layer is prevented.例文帳に追加
高誘電率絶縁膜13上に、高誘電率絶縁膜13中の金属元素1の上層への拡散を防止する拡散防止膜10が形成されるため、高誘電率絶縁膜13中の金属元素1の上層への拡散が防止される。 - 特許庁
To provide a light diffusion film having satisfactory diffusion properties and exhibiting sufficient resistance to all use environments even without using a generally used diffusing agent, and particularly useful as a light diffusion member in a lighting device and a liquid crystal display.例文帳に追加
一般的に使用されている拡散剤を使用しなくても、良好な拡散特性を有し、あらゆる使用環境に対して十分な耐性を示す、照明装置や液晶表示装置の光拡散部材として特に有用な光拡散フィルムを提供する。 - 特許庁
The outer electrode 30 covered with the diffusion layer 31 is formed by using a material having high selectivity to hydrogen, selects the hydrogen from the measurement gas diffused by Knudsen diffusion through the diffusion layer 31 in the direction of an arrow B, and adsorbs the hydrogen.例文帳に追加
拡散層31で覆われた外側電極30は、水素に対する選択性が高い材料を用いて形成し、矢示B方向で拡散層31内をクヌーセン拡散してくる被測定ガス中から水素を選択して外側電極30に吸着させる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of unidirectional diffusion plate capable of manufacturing a diffusion plate having a fine relief pattern of the order of several micrometer pitch which can be used also for a high precision display device, and to provide a surface relief type diffusion plate.例文帳に追加
本発明は、高精細なディスプレイ装置にも用いることができるような、数μmピッチ程度の細かいレリーフパターンの拡散板の作成ができるような、一方向性拡散板の作成方法および表面レリーフ型拡散板を提供することを目的としている。 - 特許庁
The reference light irradiating unit comprises a diffusion plate which is disposed on the optical path where the laser light passes and which generates the reference light, a rotation control unit which rotates the diffusion plate, and an identification information detecting unit which detects identification information formed on the diffusion plate.例文帳に追加
参照光照射部は、レーザ光が通過する光路上に設けられかつ前記参照光を生成する拡散板と、拡散板を回転させる回転制御部と、拡散板に形成された識別情報を検出する識別情報検出部とからなる。 - 特許庁
A substrate for magnetic semiconductor comprises: a diffusion receiving layer 103 of semiconductor in which a thin film of magnetic atoms is formed on the irradiation surface to be irradiated by laser; and a thermal conduction suppressing layer 102 which is in contact with a surface opposite to the irradiation surface of the diffusion receiving layer and that has thermal conductivity lower than that of the diffusion receiving layer.例文帳に追加
レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層103と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層102とを備える。 - 特許庁
A third light diffusion part 76 including a third reflection surface 76a inclined to a side of the first light diffusion part 74 toward the second surface 71b from the first surface 71a is formed at a position corresponding to the second light diffusion part 75 in the protrusion wall 66b.例文帳に追加
突出壁66bにおける第2光拡散部75に対応する位置に、第1面71aから第2面71bに向かうにつれて第1光拡散部74側に傾斜する第3反射面76aを備える第3光拡散部76が形成される。 - 特許庁
Since the creeping distance from a p-type diffusion region 23 to an n-type diffusion region 24 can be made longer in the vertical direction, the capacity of the n-type MOSFET 26 can be increased.例文帳に追加
p型拡散領域23からn型拡散領域24までの沿面距離を垂直方向に長くすることができ、n型MOSFET26のキャパシティーを大きくすることができる。 - 特許庁
The wafer is bisected along a center line 21 of a nondiffusing layer 20, and a diffusion wafer 22a having a double-layer structure of the high concentration impurity diffusion layer 19 and the nondiffusing layer 20 is formed as two wafers.例文帳に追加
そして、非拡散層20の中央線21に沿って二分割し、高濃度不純物拡散層19と非拡散層20の2層構造の拡散ウェーハ22aを2枚に形成する。 - 特許庁
Further, a P^-- diffusion region 52 having a concentration lower than that of the P^- body region 41, and the P diffusion regions 51 is formed to be in contact with the end of the gate trench 21 in the longitudinal direction thereof.例文帳に追加
また,ゲートトレンチ21の長手方向の端部と接し,P^- ボディ領域41およびP拡散領域51よりも低濃度のP^--拡散領域52が形成されている。 - 特許庁
The anti-static light diffusion sheet 1 is formed by laminating a translucent anti-static layer 3, having 10^6-10^11 Ω/square for the surface resistivity on one surface of a light diffusion sheet body 2.例文帳に追加
光拡散シート本体2の片面に、10^6〜10^11Ω/□の表面抵抗率を有する透光性制電層3を積層した構成の制電性光拡散シート1とする。 - 特許庁
To form an arbitrary contact area for the contact area between a conductive material filled into a connection hole formed on an insulating film on a diffusion region, or the like and the diffusion region, or the like.例文帳に追加
拡散領域等の上の絶縁膜に形成された接続孔に充填された導電材料と、拡散領域等との接触面積について、任意の接触面積を形成する。 - 特許庁
In the first impurity diffusion region 33, a band gap is expanded by impurity diffusion to suppress heat generation by light absorption and to prevent the deterioration caused from the side of the ridge 20.例文帳に追加
第1不純物拡散領域33では、不純物拡散によりバンドギャップが拡大し、光吸収による発熱が抑えられ、リッジ部20の側面からの劣化が抑制される。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for manufacturing a light diffusion plate with a primer layer capable of securing sufficient sticking strength between the light diffusion plate and the other optical film or the like with efficient productivity and at a low cost.例文帳に追加
他の光学フィルム等との間で十分な貼合強度を確保できるプライマー層付き光拡散板を生産効率良くかつ低コストで製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁
An optical sheet (diffusion plate 32) different from an optical sheet 38 is disposed on the light source side of an optical sheet 30, the optical sheet 38 and the diffusion plate 32 are bonded by an adhesive layer 60.例文帳に追加
光学シート30の光源側に光学シート38とは別の光学シート(拡散板32)が配設され、光学シート38と拡散板32は接着層60により接合されている。 - 特許庁
The lateral diffusion region 14B of the p-type diffusion region 14 reaches to a point just under the gate electrode 6, so that a surface leakage current occurring between the n^+-source region 7 and the n^+-drain region 8 can be reduced.例文帳に追加
また、横方向拡散14Bがゲート電極6の直下まで到達することでN+ソース領域7とN+ドレイン領域8との間の表面リーク電流を低減する。 - 特許庁
A current measuring part 1 measures the value of a current flowing through the second diffusion region c or the fourth diffusion region e, and outputs current value signals corresponding to the measured current value.例文帳に追加
電流測定部1は、第2拡散領域または第4拡散領域を流れる電流の電流値を測定し、且つ測定された電流値に応じた電流値信号を出力する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing of a diffusion layer for photovoltaics, easily forming the diffusion layer for photovoltaics using a selective emitter, and also to provide a method for manufacaturing of solar cell.例文帳に追加
選択エミッタを用いた太陽電池用拡散層を容易に形成することが可能な太陽電池用拡散層の製造方法および太陽電池セルの製造方法を得る。 - 特許庁
Since the x-ray transmission parts 25 can lower diffusion of gold as compared with a single crystal composed of a single element such as silicon, reduction of performance of the grid due to diffusion of gold can be prevented.例文帳に追加
X線透過部25は、シリコン等の単元素からなる単結晶に比べて金の拡散を少なく抑えられるので、金の拡散によるグリッドの性能低下を防止できる。 - 特許庁
The diffusion plate 49 is disposed in the diffusion chamber 44 to generate a downward stream while diffusing the hardener in the longitudinal direction by a synergistic effect together with an air blow nozzle 50.例文帳に追加
拡散用チャンバー44には拡散プレート49を配置し、エアブローノズル50との相乗効果により固化材を長手方向に拡散しながら、下方に向かう流れを生成する。 - 特許庁
To provide a low temperature co-fired ceramic substrate having a diffusion barrier layer to prevent diffusion occurring at a heterojunction region during firing, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
焼成過程において異種接合領域に発生する拡散現象を防止するための拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。 - 特許庁
To provide a hazy anisotropic transparent resin film which is excellent in a light diffusion performance such as enhancement of brightness when being used as a light diffusion film for a backlight unit of a liquid crystal display device.例文帳に追加
液晶表示装置のバックライトユニットの光拡散フィルムとして用いた際、輝度向上等の光拡散性能に優れたヘーズ異方性透明性樹脂製フィルムを提供する。 - 特許庁
Then, an n-type diffusion layer 12 is formed between a p-type diffusion layer 10 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加
そして、NPNトランジスタ1のベース領域として用いられるP型の拡散層10とP型の分離領域3との間にはN型の拡散層12が形成されている。 - 特許庁
Then, an n-type diffusion layer 14 is formed between a p-type diffusion layer 12 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加
そして、NPNトランジスタ1のベース領域として用いられるP型の拡散層12とP型の分離領域3との間にはN型の拡散層14が形成されている。 - 特許庁
Activating heat treatment is carried out after the spot defect is repaired, and since the diffusion along the thickness is not advanced by the excessively rate-increased diffusion, the junction which has exact desired thickness can be formed.例文帳に追加
点欠陥を修復してから活性化熱処理を行えば、過度増速拡散により厚み方向の拡散が進むことはないので、所望どおりの浅さの接合を形成できる。 - 特許庁
In addition, by shortening the distance h between each of the LEDs 1 and the diffusion plate 3, thinning of the backlight device can be achieved while unevenness of a quantity of light incidenting on the diffusion plate 3 is reduced.例文帳に追加
また、LED1と拡散板3との距離hを短くすることで、拡散板3に入射する光量のムラを低減させたまま、バックライト装置の薄型化を可能とする。 - 特許庁
By applying a light diffusion treatment on the side face of the light guide fiber 3, the light is irregularly reflected at the light diffusion treatment part 6 and the light is emitted outside from the side face of opposite side and irradiated.例文帳に追加
ライトガイドファイバー3の側面を光拡散加工することにより、当該光拡散加工部6で光が乱反射し、反対側の側面から光が外へ放出して照射される。 - 特許庁
The n-type diffusion area 12 and the p-type diffusion area 17 correspond to body contact areas for setting the back gate potential levels of the PMOS transistor and the NMOS transistor.例文帳に追加
N型拡散領域12及びP型拡散領域17はPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタのバックゲート電位設定用に設けられたボディコンタクト領域に相当する。 - 特許庁
The diffusion plate consists of a light diffusing material that diffuses light beams and the protruding sections are protruded from the diffusion plate so that the center section of the plate is guided and slightly bent toward the lower direction.例文帳に追加
拡散プレートは、光を拡散させる光拡散物質からなり、突出部は拡散プレートから突出して拡散プレートの中心部が下にふっくらとして撓むように誘導する。 - 特許庁
It is possible to keep the width of the low concentration source region 7a wide also after thermal diffusion in order to secure the low concentration source region 7a before the thermal diffusion corresponding to the width of the side cap film 6.例文帳に追加
サイドキャップ膜6の幅の分、低濃度のソース領域7aを熱拡散前に確保するため、熱拡散後も低濃度のソース領域7aの幅を広く維持することができる。 - 特許庁
The flow passage grooves 11, 12 form a flow passage 11A to supply the supply material to the diffusion member 20, and the flow passage 12A to exhaust an exhaust material from the diffusion member 20.例文帳に追加
流路溝11,12は、拡散部材20に供給物質を供給するための流路11Aと、拡散部材20からの排出物質を排出する流路12Aとを形成する。 - 特許庁
The gate G_ST of the selection transistor ST is formed with a MOS structure so as to straddle the first impurity diffusion layer 104, the first body region 100, and the first impurity diffusion layer 124.例文帳に追加
第1不純物拡散層104、第1ボディ領域100、第1不純物拡散層124に跨るように選択トランジスタSTのゲート部G_STをMOS型構造で形成する。 - 特許庁
The light emitted from the light guide body 6 is diffused at the portion where the diffusion pattern 9 is located, and is taken out in high luminance at the portion where the diffusion pattern 9 is not located without diffusing.例文帳に追加
導光体6から出る光を光拡散パターン9がある部分で拡散させ、光拡散パターン9が無い部分で拡散させることなく高輝度の状態のままで取り出す。 - 特許庁
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