F regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 305件
In the plane view from the side of the object F, the light shielding layer BM overlaps with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加
対象物F側から平面視した場合に、遮光層BMは第2,第3電極24間の離間領域と重なり、受光素子Dの受光面は遮光層BMの開口部内に位置する。 - 特許庁
The cutting planes 4 making an angle of 22.5 degrees with the edge line 2 are respectively formed on the surface 3 on the mating side on each of the end parts of the double-edged type die set blade 1 in a corner part region F made of two 45 degrees corner parts.例文帳に追加
2つの45度の角部からなる角部領域Fでは、両刃型ダイセット刃1の各端部における突き合せ側の表面3に、エッジライン2と22.5度の角度をなす切断面4がそれぞれ形成される。 - 特許庁
Regions AR3021C, AR3022C where two of the resistive storage elements contact the diode element are each cut by F1 smaller than F (minimum processing size), and smaller than the contact region AR3020C.例文帳に追加
2個の抵抗性記憶素子がダイオード素子と接触する領域AR3021C、AR3022Cは、それぞれF(最小加工寸法)より小さいF1だけ削られており、上記接触領域AR3020Cよりも小さい。 - 特許庁
The markers 16 are so formed that its appearance in cross section differs according to the distance between the cross section and the via 15, when the cross-section in the direction F of the FIB processing is formed in the analysis region 10.例文帳に追加
マーカ16は、解析領域10のFIB加工方向Fに断面を形成していったときに、その断面とビア15との距離によって、その断面における現れ方が異なるように形成する。 - 特許庁
The reverse surface 3b of the semiconductor substrate 3 is irradiated with laser light La focused on a condensing point F on a predetermined position between adjacent pixel portions 7 to form the reformed region 20.例文帳に追加
半導体基板3における隣接する画素部7間の所定位置に集光点Fを合わせて半導体基板3の裏面3b側からレーザ光Laを照射することによって改質領域20を形成する。 - 特許庁
To enable a person to grip a handrail firmly with his/her hand without feeling a disorder of the basipodite (a region from the second joint from the third one) of his/her forefinger F when he/she grips the handrail with his/her hand.例文帳に追加
人が手Hで手摺りAを握ったときに人差し指Fの基節(第2関節J2から第3関節J3までの間の部分)で違和感を感じることなくしっかりとを握ることができるようにする。 - 特許庁
A water-soluble protective film F is formed on a part region of a surface of base plate glass 10 on which a scribe line 11 is scribed, that is, on a belt-like zone having about 15 mm width across the scribe line 11.例文帳に追加
素板ガラス10のスクライブ線11を刻設した面の一部領域、すなわちスクライブ線11を跨ぐようにして約15mmの幅寸法を有する帯状の領域に水溶性の保護膜Fを形成した。 - 特許庁
A film f is folded longitudinally, a collection unit B is raised, and while an upper surface region f1 of each flap is folded onto an end surface Ba by a stationary sucking device 26, it is inserted between a pair of upper paddles.例文帳に追加
フィルムfを胴折りにして集積ユニットBを上昇させ、各フラップの上面の領域f1を静止状態の吸着器26で端面Ba上に折り込みつつ一対のアッパーパドル間に嵌挿させる。 - 特許庁
The air F from the air jetting port 15a is blown toward an air jetting region 16 located from one end 16a on the thermoplastic resin material 20 to another end 16b on the surface layer 13a of the touch roll 13.例文帳に追加
そして、エア噴射口15aからのエアFは、熱可塑性樹脂材20上の一端16aから、タッチロール13の表面層13a上の他端16bまでのエア噴射領域16に向って吹き付けられる。 - 特許庁
The air in the region inside the optical system unit 13 is exhausted from the airtight pot 36 until the fluorescence F released from the analyzed object 12 comes into the optical fiber 15 for fluorescence transmission, and the influence of the air is removed.例文帳に追加
分析対象物12から放出される蛍光Fが蛍光伝送用光ファイバ15に入射するまでの気密ポット36から光学系ユニット13の内部の領域の空気を排気し、空気の影響を除く。 - 特許庁
The steel sheet is subjected to a pickling treatment by using an aqueous mixed acid solution containing chlorine ions of a range of a region enclosed by points A, B, C, D, E, F, G and H shown in Figure of the attached figures in nitric acid as the mixed acids of hydrofluoric acid and nitric acid.例文帳に追加
弗酸及び硝酸の混酸に、硝酸に対して添付図面の図1に示す点A,B,C,D,E,F,G,Hで囲まれた領域の範囲の塩素イオンを含有する混酸水溶液を用いて酸洗処理を行う。 - 特許庁
The non-screw part (31) comprises an axially-extended part (E) that is longer that an axially-extended part (F) of the internal operation means (32), and the internal operation means (32) is arranged in a region of the non-screw part (31).例文帳に追加
非ねじ部分(31)は、内側作用手段(32)の軸線方向延長部(F)よりも大きな軸線方向延長部(E)を具え、内側作用手段(32)は非ねじ部分(31)の領域内に配置される。 - 特許庁
The axial forces (F) are impressed to the lower position of a neutral axis (19) of the fusion pipe (13) to generate the bending moment of the direction countering the sagging by the gravity in the intermediate region of the fusion pipe (13).例文帳に追加
軸方向の力(F)は、融合パイプ(13)の中立軸線(19)の下方位置に印加されて、融合パイプ(13)の中間領域の重力による垂れ下がりに抗する方向の曲げモーメントを発生させる。 - 特許庁
A one-dimensional region where the virtual flat image 33 crosses the sample is a region of interest, a graph of the height and phase along the region of interest is made and displayed to a graph display area 37, and height and phase values at a position identified by cursors A to F displayed onto the graph, a differential value between two cursors, or the like are written in a property value table 38.例文帳に追加
仮想平面像33と試料とが交差した一次元領域を関心領域とし、この関心領域に沿った高さと位相とをグラフ化してグラフ表示領域37に表示し、さらにそのグラフ上に表示したカーソルA〜Fで特定される位置における高さ及び位相の値や2本のカーソル間の差分値などを特性値テーブル38中に表記する。 - 特許庁
In this method of working a crystal oscillation piece, the inside of a crystal oscillation piece 32 is irradiated with a laser beam LB-F to change the crystal structure of a part irradiated with this laser beam, thereby limiting an oscillating region of the crystal oscillation piece 32 to a region segmented by the part irradiated with the laser beam.例文帳に追加
水晶振動片32の内部にレーザ光LB−Fを照射することで、このレーザ光が照射された箇所の結晶構造を変化させることにより、前記水晶振動片32の振動領域を前記レーザ光の照射部位により区分される領域に限定する、水晶振動片の加工方法。 - 特許庁
An altered region 20 is formed by irradiation with laser light La focused on a condensing point F on a predetermined position between the reverse surface 3b and the p-type semiconductor regions 7 to be inside a depletion layer 19 spreading from the pn junction 11 between the semiconductor substrate 3 and p-type semiconductor region 7.例文帳に追加
改質領域20は、裏面3bとp型半導体領域7との間の所定位置に集光点Fを合わせてレーザ光Laを照射することによって形成されており、半導体基板3とp型半導体領域7とのpn接合11から広がる空乏層19の内部に形成されている。 - 特許庁
Since the intensity of a laser beam L is controlled so that the nearer to a rear surface 21b of a semiconductor substrate 21 a modified region K is, the larger an expansion R from a light collective point F becomes, the nearer to the rear surface 21b of a starting point of crack advance the modified region K becomes, the larger the expansion R is.例文帳に追加
半導体基板21の裏面21bに近い改質領域Kほど、集光点Fからの拡がりRが大きくなるようにレーザ光Lの強度を制御するため、クラック進展の起点となる裏面21bに近い改質領域Kほど拡がりRが大きくなり、分割に要する力が小さくなる。 - 特許庁
The CPU 31 controls a combustion roughness value as a parameter, indicating the combustion state of an internal combustion engine, during a given period in a region equivalent to the lean region of an air-fuel ratio and calculates a representative value of an air-fuel ratio during the period, based on the detecting value (an actual air-fuel ratio) of the A/F sensor 20.例文帳に追加
また、CPU31は、内燃機関の燃焼状態を示すパラメータとしての燃焼ラフネス値を所定期間、空燃比のリーン域に相当する領域で制御し、該燃焼状態制御が実施される所定期間でのA/Fセンサ20の検出値(実空燃比)に基づき、当該期間内の空燃比の代表値を算出する。 - 特許庁
When the head position 51D of the driver 51 is in a second region (S21:NO), image data of a projection part CP1 partitioned by the blind spot region A1 of the driver 51 are displayed as video-image data for the driver's seat F side and video-image data for the front passenger seat G side of the multi-view display 4 (S23).例文帳に追加
また、運転者51の頭部位置51Dが、第2領域にある場合には(S21:NO)、運転者51の死角領域A1によって区画される投影部分CP1の画像データをマルチビューディスプレイ4の運転席F側用の映像データ及び助手席G側用の映像データとして表示する(S23)。 - 特許庁
On the semiconductor substrate 3, modified regions 20 are formed by focusing a condensing point F at a prescribed position between a backside 3b and a first p-type semiconductor region 5a and by applying laser beams La, and no modified regions 20 are formed between the backside 3b and the second p-type semiconductor region 5b.例文帳に追加
半導体基板3には、裏面3bと第1のp型半導体領域5aとの間の所定位置に集光点Fを合わせてレーザ光Laを照射することによって、改質領域20が形成されており、裏面3bと第2のp型半導体領域5bとの間には改質領域20が形成されていない。 - 特許庁
The upper structure for a shoe 1 includes a first upper member 30 that is disposed at the forefoot region F on the medial side of the shoe 1, and a second upper member 31 that is disposed at the rear foot region R on the medial side of the shoe 1 and whose front end edge portion 31a overlaps with the rear end edge portion 30a of the first upper member 30.例文帳に追加
シューズのアッパー構造において、シューズ内甲側の前足部領域Fに配設された第1のアッパー部材30と、シューズ内甲側の後足部領域Rに配設され、その前端縁部31aが第1のアッパー部材30の後端縁部30aの上にオーバラップする第2のアッパー部材31とを設ける。 - 特許庁
Thereby as the cell thickness in the region A is increased, due to uneven distribution of liquid crystal 4 toward a flowing direction F of liquid crystal in driving the liquid crystal device, variation in the cell thickness of a liquid crystal panel decreases, a difference of cell thickness between the region A and the other parts diminishes and generation of display unevenness, malfunctions or the like is suppressed.例文帳に追加
このようにすると、液晶流れの方向Fにより液晶4が駆動時に偏在することによって領域Aのセル厚が増加すると液晶パネルのセル厚のばらつきが低減され、領域Aのセル厚と他の部分のセル厚との差が小さくなるため、表示ムラ、動作不良などの発生が抑制される。 - 特許庁
Since wiping off of the liquid leakage around only one bolt B of the wetting surface F is enough for this liquid leakage sensor, the wiping off work is easier compared with the current sensor requiring the wiping off work in a narrow region surrounded by plural bolts.例文帳に追加
しかも、被浸水面Fのうち1つのボルトBの周りの漏液を拭き取ればよいから、従来の複数のボルトに囲まれた狭い領域内で漏液を拭き取る作業に比べて、漏液の拭き取り作業も容易になる。 - 特許庁
A second semiconductor region 24 is etched, and a thickness F of a second mask layer 25a is measured by spectroscopic ellipsometry during its etching time period, and stop of the etching is determined using a measurement value by the measurement and the selection ratio K.例文帳に追加
第2の半導体領域24をエッチングするとともに、該エッチング期間中に第2のマスク層25aの厚さFを分光エリプソメトリにより測定して、該測定の測定値と選択比Kとを用いてエッチングの停止を判断する。 - 特許庁
Whether a forward mode state of performing reproduction by allowing a tape to travel in a forward direction or a reverse mode state of performing reproduction by allowing the tape to travel in a reverse direction is displayed as an 'F' or 'R' on a display region AR 2.例文帳に追加
テープをフォーワード方向に走行させて再生を行うフォワードモード状態であるか、リバース方向に走行させて再生を行うリバースモード状態であるかを表示領域AR2に「F」あるいは「R」として表示する。 - 特許庁
By the embedded insulating film 4 and the n^+-type diffusion layer 5, the p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging device region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of an outside where a chip end surface F exists is separated electrically.例文帳に追加
埋め込み絶縁膜4およびn^+拡散層5により、撮像素子領域Arとなる内側のp型エピタキシャル層3aと、チップ端面Fが存在する外側のp型エピタキシャル層3bとが電気的に分離される。 - 特許庁
In the plane view from the side of an object F, the light shielding layer BM and the insulation layer 28 overlap with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加
対象物F側から平面視した場合に、遮光層BMと絶縁層28は第2,第3電極24間の離間領域と重なり、受光素子Dの受光面は遮光層BMの開口部内に位置する。 - 特許庁
Only components that advance in parallel with the optical axis O of an off-axis parabolic mirror 11 in the terahertz pulse light generated from each point of the region R are reflected at the parabolic mirror 11 and subsequently converged upon the position of a focus F.例文帳に追加
領域Rの各点から発生したテラヘルツパルス光のうち軸外し放物面鏡11の光軸Oと平行に進行する成分のみが、放物面鏡11で反射した後に焦点Fの位置に集光される。 - 特許庁
The p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging element region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of outside where a chip end surface F exists is separated electrically by the embedded electrode 4 and the n^+-type diffusion layer 5.例文帳に追加
埋め込み電極4およびn^+拡散層5により、撮像素子領域Arとなる内側のp型エピタキシャル層3aと、チップ端面Fが存在する外側のp型エピタキシャル層3bとが電気的に分離される。 - 特許庁
The painting process is performed on the surface to be painted while controlling the movements of the arm 6 and the head 7 on the basis of the distance information F, L, R, H1, H2 acquired by the range finder, the information on the region to be painted and the postural information of the arm 6.例文帳に追加
測距装置から取得した距離情報F,L,R,H1,H2、塗装領域の情報及びアーム6の姿勢情報に基づきアーム6及びヘッド7の動作を制御して被塗装面に対する塗装工程を行わせる。 - 特許庁
Thereby, the adhesion-accumulation of the nanofibers 10a on the non-target accumulation region F are excluded, and the presence or absence of the accumulation of the nanofibers 10a on the film forming target surface in electrospinning can be switched by the simple method.例文帳に追加
これにより非堆積領域Fへのナノファイバ10aの付着・体積を排除して、エレクトロスピニングによる膜形成の対象面において、簡便な方法でナノファイバ10aの堆積の有無の切り替えを行うことができる。 - 特許庁
An HfSiON gate insulating film 5 is formed through an interface layer 4 on a p-type Si substrate, and for example, SF_6 gas is sprayed to the surface to introduce F for introducing a halogen element so that a halogen element region 7 can be formed.例文帳に追加
p型Si基板上に界面層4を介してHfSiONゲート絶縁膜5を形成し、その表面に例えばSF_6ガスを吹き付けてFを導入する等してハロゲン元素を導入し、ハロゲン元素領域7を形成する。 - 特許庁
To provide a MOS-type solid-state image pickup device for reducing in principle a 1/f noise without enlarging a gate dimension L and a dimension W of an activated region in a transistor, or without increasing the gate insulating film capacity Cox.例文帳に追加
トランジスタのゲート寸法Lおよび活性領域の寸法Wを増大させたり、ゲート絶縁膜容量Coxを増加させたりしなくても、1/fノイズを原理的に低減可能なMOS型の固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
Then, the symbols "7" in the right and left symbol display regions 6a and 6c are moved in an upper direction and lower direction respectively, and the symbol "6" in the central symbol display region 6b is copied to empty spaces generated due to the movements (f).例文帳に追加
そして、左右の図柄表示領域6a、6bの図柄「7」をそれぞれ上方向及び下方向に移動させると共に、移動によって空いた領域に中図柄表示領域6aの図柄「6」を複製する(f)。 - 特許庁
When an invalid region not for buttons is touched twice in a row, a touch operation execution part estimates that an "F" button 52f between a first and second touch points 61 and 62 has been touched.例文帳に追加
二回連続でボタン以外の領域である無効領域に対してタッチされたとき、タッチ動作実行部は、二つのタッチの位置である第1ポイント61と第2ポイント62との間の「F」ボタン52fに対してタッチされたと推定する。 - 特許庁
A pad region 82 where a pad for connecting an internal circuit 12 included in the first semiconductor chip 10 to the I/F circuit 30 is arranged is provided along a side SB2 being a long side of the second semiconductor chip 20.例文帳に追加
第2の半導体チップ20の長辺である辺SB2に沿って、第1の半導体チップ10が含む内部回路12と高速シリアルI/F回路30とを接続するためのパッドが配置されるパッド領域82が設けられる。 - 特許庁
When receiving incoming data from a PC by a host I/F, a printer analyzes the received incoming data by a job unit analysis part, and stores an ESC/P raster command included in the received data in units of printing jobs into a storage region.例文帳に追加
プリンタは、PCからの受信データをホストI/Fにより受信すると、受信した受信データをジョブ単位解析部により解析して、該受信データに含まれるESC/Pラスタコマンドを印刷ジョブ単位で記憶領域に保存する。 - 特許庁
When firmware data stored in any of cameras 4 and accessory electronic apparatuses connected to the cradle 1 through a camera communication I/F 17 is older than the firmware data stored in the firmware storage region 16 according to an ID of the electronic apparatus, data stored in the electronic apparatus is updated with the data stored in the firmware storage region 16.例文帳に追加
また、カメラ通信I/F17を介してクレードル1に接続されたいずれかのカメラ4またはアクセサリの電子機器に記憶されたファームウェアデータが、当該電子機器のIDに対応してファームウェア格納領域16に記憶されたファームウェアデータより古い場合、ファームウェア格納領域16に記憶されたデータで、電子機器に記憶されたデータが更新される。 - 特許庁
In this visual inspection device A for acquiring inspection region image information of the inspection object 3 by detecting by the image pick up means, the reflected beam of the inspection beam F with which the inspection object 3 is irradiated by an illumination means 1, and analyzing the inspection region image information, coaxial epi-illumination is used as the illumination means 1.例文帳に追加
照明手段1によって被検査体3に照射した検査用光線Fの反射光線を画像撮像手段で検出することにより被検査体3の検査領域画像情報を取得して、同検査領域画像情報を解析することにより検査を行う外観検査装置Aにおいて、照明手段1に同軸落斜照明を用いる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a single crystal by which a high quality single crystal can be stably and efficiently manufactured by expanding the margin of the pulling speed F enabling the single crystal to be pulled in a desired defective region, particularly an N-region where no Cu-deposition defect is detected in manufacturing of the single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加
チョクラルスキー法による単結晶の製造において、所望の欠陥領域、特にCuデポジション欠陥が検出されないN領域で単結晶の引上げを行うことのできる引上げ速度Fのマージンを拡大して、高品質の単結晶を安定して効率的に製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
The integrated circuit device 10 includes a scanning driver block SB, a high-speed I/F circuit block HB, and a scanning driver pad placing region PR, where a pad to electrically connect the scanning output line of the scanning driver block SB to a scanning line is placed.例文帳に追加
集積回路装置10は、走査ドライバブロックSBと高速I/F回路ブロックHBと、走査ドライバブロックSBの走査出力線と走査線とを電気的に接続するためのパッドが配置される走査ドライバ用パッド配置領域PRを含む。 - 特許庁
When receiving receive data from a PC 23 by a host I/F 45, a printer 1 analyzes the received data by a job unit analysis part 41a, and stores an ESC/P raster command included in the received data in units of printing jobs into a storage region.例文帳に追加
プリンタ1は、PC23からの受信データをホストI/F45により受信すると、その受信データをジョブ単位解析部41aにより解析して、該受信データに含まれるESC/Pラスタコマンドを印刷ジョブ単位で記憶領域に保存する。 - 特許庁
The obstacle detection device divides an input image (color still image) of a road surface R captured by a camera into a plurality of regions based on a frame F, and extracts average luminance or average color saturation as an input factor for each divided region.例文帳に追加
障害物検出装置は、カメラで撮影した路面Rの入力画像(カラー静止画像)をフレームFに則して複数の領域に分割し、これら分割領域毎に入力ファクターとして平均輝度や平均彩度を抽出する。 - 特許庁
The evaluation value S that determines whether each pixel in the discrimination region shows the contour or not is calculated from the determined feature quantity L by using the evaluation function F, and the optimal contour B is determined from the calculated evaluation value S.例文帳に追加
取得した特徴量Lに基づいて、判別領域内の各画素が輪郭を示す画素であるかどうかの評価値Sを、評価関数Fを用いて算出し、算出した評価値Sに基づいて最適な輪郭Bを決定する。 - 特許庁
The method for forming a thin film pattern comprises a step for forming a bank B on a substrate P, a step for arranging functional liquid L in a region sectioned by the bank B, and a step for forming a film pattern F by drying the functional liquid L arranged on the substrate P.例文帳に追加
基板P上にバンクBを形成する工程と、バンクBによって区画された領域に機能液Lを配置する工程と、基板P上に配置された機能液Lを乾燥させて膜パターンFを形成する工程とを有する。 - 特許庁
In the case where only the front side is data with printing and the rear side is data without printing (B), the printing position control signal is set so as to print to the left side of the printing region for the image data, and the pulse width for controlling the ROS quantity of light is set to 20% (F).例文帳に追加
また、前側のみ印字ありデータで後側が印字なしデータの場合(B)、該画像データの印字領域左側に印字されるように印字位置制御信号を設定し、ROS光量制御用パルス幅は20%に設定する(F)。 - 特許庁
This pair of underpants is constituted in such a scheme that the stretchability each of the part extended from front lower parts of the knees (a) to front femoral region b and the hip parts c is high, and the stretchablity each of the front belly part d, the waist perimeter e, and the rest cylindrical leg parts f at both sides is low.例文帳に追加
膝の前下部a、aから大腿前部b、b、及び、臀部c、cの伸縮性を大きく構成し、前腹部d、d及び腰部周囲e、e並びに両側の脚筒残部f、fの伸縮性を小さく構成した。 - 特許庁
An inverter circuit 25 can change the voltage V and frequency f of a driving electric power given to induction motors such as a lowering motor 9 and a knitting-out motor 13 to change the torque and rotation rate of the induction motors in a region including a restrained state.例文帳に追加
インバータ回路25は、巻下げモータ9および編み出しモータ13の誘導モータに与える駆動電力の電圧Vおよび周波数fを変更して、拘束状態を含む領域で誘導モータのトルクおよび回転速度をそれぞれ変更可能である。 - 特許庁
According to the backside incident type photodiode, when the optical fiber F is inserted into a recess 1d of the photodiode 10 and mounted, since this component is abutted against a stepped part 1ds, a light-sensing region 1r disposed at a part deeper than the stepped part is protected against the component.例文帳に追加
この裏面入射型ホトダイオードによれば、光ファイバFをホトダイオード10の凹部1d内に挿入して取付ける際、この部品は段部1dsに当接するので、これよりも深部に位置する光感応領域1rは当該部品から保護されることとなる。 - 特許庁
The feature quantity of each pixel is mechanically and previously studied in a plurality of sample images including the specified region where the contour is known, and then evaluation function F is measured from the feature quantity for evaluating whether each pixel shows the contour or not.例文帳に追加
輪郭が既知である特定領域を含む複数のサンプル画像における各画素の特徴量を予め機械学習することにより、各画素が輪郭を示す画素であるかどうかをその特徴量に基づいて評価する評価関数Fを求める。 - 特許庁
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