意味 | 例文 (75件) |
F-Clの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 75件
The nitrogen-containing heterocyclic group is an imidazolium group, a pyridinium group, a triazolium group, or a guanidium group, and a corresponding anion group is F-, Cl-, Br-, and I- or the like.例文帳に追加
含窒素複素環基は、イミダゾリウム基、ピリジニウム基、トリアゾリウム基またはグアニジニウム基であり、対応するアニオン基が、F^−、Cl^−、Br^−、I^−等である。 - 特許庁
To provide a method for easily and efficiently producing a fluorine-containing propene represented by the general formula: CF_3CH=CHZ (wherein, Z is Cl or F), compatible also with industrial-scale production.例文帳に追加
工業的スケールにも対応できる、簡便かつ効率的な、一般式:CF_3CH=CHZ (式中、ZはCl又はFである。)で表される含フッ素プロペンの製造方法を提供する。 - 特許庁
In the formula, R^1 is an alkyl group or the like; X^1 is a halogen; and L is Cl or F.例文帳に追加
(R^1はアルキル基等、X^1はハロゲン、LはClまたはFを意味する。) - 特許庁
The method for producing phosphorus pentafluoride is characterized by reacting a phosphorus trihalide represented by general formula PX_3 (wherein, X is F, Cl or Br) with a molecular halogen in a gaseous state and hydrogen fluoride.例文帳に追加
一般式:PX_3(式中、XはF、ClまたはBrを示す)で表される三ハロゲン化リンを、気相状態の分子状ハロゲン及びフッ化水素と反応させることを特徴とする五フッ化リンの製造方法。 - 特許庁
M is 2H or a divalent metal; halogen is any one or more of F, Cl, Br and I.例文帳に追加
Mは2Hまたは2価金属であり、ハロゲンはF、Cl,Br,Iのうちいずれかもしくは複数である。 - 特許庁
Therein, [M]^n+ is an n-valent cation; (n) is an integer of 1 to 4; R^F is a 1-6C perfluoroalkyl group or -Q^F-Cl; and Q^F is a 1-6C perfluoroalkylene group.例文帳に追加
ただし、[M]^n+はn価の陽イオンを、nは1〜4の整数を、R^Fは炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基または−Q^F−Clを、Q^Fは炭素数1〜6のペルフルオロアルキレン基を、示す。 - 特許庁
This antiseptic composition for the urine contains as an effective component a compound expressed by a general formula (1) HO-C(R^1)(R^2)-C(X)(NO_2)-C(R^3)(R^4)-OH (R^1-R^2 represents hydrogen or an alkyl group, and X represents F, Cl, Br or I, in the formula).例文帳に追加
下記一般式(1) HO-C(R^1)(R^2)-C(X)(NO_2)-C(R^3)(R^4)-OH (1)(式中、R^1からR^4は、水素原子またはアルキル基を表し、XはF、Cl、Br、Iを表す。)で表される化合物を有効成分とする、尿用防腐剤組成物。 - 特許庁
This ditriflate modification of binaphthol is obtained by reacting a trifluoromethanesulfonyl halide (wherein the halogen is F, Cl, Br or I) with the corresponding binaphthol in the presence of a base.例文帳に追加
ビナフトール類に塩基存在下、トリフルオロメタンスルホニルハライド(ハロゲンはF、Cl、Br、I)を反応させる。 - 特許庁
In the lead-acid battery, an additive containing a halogen (I, F, Cl, or Br) or a halogen compound is added to an electrolyte.例文帳に追加
鉛蓄電池は、電解液に、ハロゲン(I、F、Cl、Br)又はハロゲン化合物を含む添加剤を添加している。 - 特許庁
The glass material contains Cu, I, SnO and one or more halogens selected from F, Cl and Br.例文帳に追加
Cu、I、SnO及びF、Cl及びBrから選ばれる1以上のハロゲンを含有するガラス材料を用いる。 - 特許庁
To provide a method of efficiently producing a chlorine-containing fluoropropene, represented by a general formula, CFX_2CCl=CH_2 (X is F or Cl and may be the same or different), by a simple and economically advantageous method suitable for executed by an industrial scale.例文帳に追加
工業的スケールでの実施に適した簡便かつ経済的に有利な方法によって、効率よく一般式: CFX_2CCl=CH_2 (XはF又はClであり、同一または異なっていてよい)で表される塩素含有フルオロプロペンを製造できる方法を提供する。 - 特許庁
In a second process, a gas containing fluorine atoms (F) and a gas containing chlorine atoms (Cl) are excited by plasma and supplied.例文帳に追加
次の第2の工程においては、フッ素原子(F)を含むガスと塩素原子(Cl)を含むガスをプラズマにより励起して供給する。 - 特許庁
A spraying method is used for forming a concrete layer CL which covers an excavation surface F (construction surface) of the natural ground in a tunnel 10.例文帳に追加
本発明に係る吹付け工法は、トンネル10の地山掘削面(施工面)Fを覆うコンクリート層CLを形成するためのものである。 - 特許庁
Provided are a polycarbonate having a component originated from a plant having improved color hue by controlling a content of F, Cl, Br and I in a polymer material and reducing the content of F, Cl, Br and I in the product polymer, and its manufacturing method and a molded article from the polycarbonate.例文帳に追加
本発明は、ポリマー原料中のF、Cl、Br、Iの含有量を制御し製品ポリマー中のF、Cl、Br、Iの含有量を低減することで、色相が改善された植物由来成分を有するポリカーボネート、その製造方法、およびそのポリカーボネートの成形体を提供する。 - 特許庁
This method for removing the carbon tetrachloride in the fluorocarbon represented by the formula: X(CF2)nCl [X is F, Cl or H; (n) is 1 to 20] is characterized by decomposing the carbon tetrachloride in the fluorocarbon with an antimony(V) compound, water, fuming sulfuric acid, a hydrazine compound or triphenylphosphine.例文帳に追加
式:X(CF_2)_nCl(式中、XはF、ClまたはHを示し、nは1〜20を示す。)で表されるフルオロカーボンに含まれる四塩化炭素を、アンチモン(V)化合物と水、発煙硫酸、ヒドラジン化合物またはトリフェニルホスフィンを用いて分解することを特徴とするフルオロカーボン中の四塩化炭素の除去方法。 - 特許庁
This functional metal complex polymer obtained from a compound of formula (1) (R is H, Cl, Br, F, NO_2, CN, or Ph group) as an electron acceptor and any other metal ion as an electron donor.例文帳に追加
下記(1)式の を電子受容体とし、他の金属イオンを電子供与体として得られる機能性金属錯体高分子である。 - 特許庁
The formula (1) is SiH_nX_4-n [in the formula, (n) is an integer of 0-3, each of Xs expresses an atom selected from a group comprising F, Cl, Br and I.例文帳に追加
SiH_nX_4−n(1)[式中、nは0〜3の整数;Xは、F、Cl、Br及びIからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。 - 特許庁
The input face 2 is formed in a concave face along the side face of a circular cone CC which has a center line CL tilted with respect to the optical axis of the optical fibers F.例文帳に追加
入力面2は、光ファイバFの光軸に対して傾斜した中心線CLを有する円錐CCの側面に沿った凹面となっている。 - 特許庁
Cl radicals and F radicals are generated in a microwave generator 21, and these generated radical species 24 are introduced into a chamber 20 through piping 22.例文帳に追加
マイクロ波生成器21内でClラジカル及びFラジカルが生成され、生成されたこれらのラジカル種24は、配管22を介してチャンバ20内に導入される。 - 特許庁
Preferably, the anion connecting to the modification group is one or more kinds of BF_4^-, PF_6^-, ClO_4^-, bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (TFSI^-), Br^-, Cl^- and F^-.例文帳に追加
修飾基と結合するアニオンとしては、BF_4^-、PF_6^-、ClO_4^-、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド(TFSI^-)、Br^-、Cl^-、F^-のうち1種以上であることが好ましい。 - 特許庁
When the ratio of F to Cl is increased to ≥1,000, the transmittance of the fluorine added glass after irradiation with F2 laser light is lowered only by <1%.例文帳に追加
また上記においてF/Cl比を1000以上にしたフッ素添加ガラスはF_2 レーザ照射後の透過率劣化量を1%未満にできる。 - 特許庁
In the formulas, X is Cl or the like; Y is a halogen atom, KO- or the like; and R^F is F(CF_2)_3OCF(CF_3)CF_2OCF(CF_3)- or the like.例文帳に追加
YCO−CF_2CF_2CF_2−X (3)、 CF_2=CFCF_2−X (4)、 R^FCOO−CH_2CH_2CH_2CH_2−X (1)、 R^FCOO−CF_2CF_2CF_2CF_2−X (2)、 FCO−CF_2CF_2CF_2−X (3F)。 - 特許庁
In the production method, the chlorine-containing fluoropropene, represented by the general formula, CFX_2CCl=CH_2 (X is F or Cl and may be the same or different), is obtained by heating a chlorine-containing fluoropropane represented by a general formula, CFX_2CHClCH_2Cl (X is the same as the above), under the absence of a catalyst in a vapor state to cause a dehydrochlorination reaction.例文帳に追加
触媒の不存在下において、一般式:CFX_2CHClCH_2Cl (XはF又はClであり、同一または異なっていてよい)で表される塩素含有フルオロプロパンを気相状態で加熱して、脱塩化水素反応を生じさせることを特徴とする一般式:CFX_2CCl=CH_2(Xは上記に同じ)で表される塩素含有フルオロプロペンの製造方法。 - 特許庁
An F/F element 31 provided in an output control circuit 30 of the pulse train generator 100 receives a clock signal CL from a reference clock generating circuit 10, and inverts an output signal from the pulse train generator 100 in each time of leading-up of the signal CL to generate each pulse for constituting a definite pulse train G.例文帳に追加
パルス列生成装置100の出力制御回路30に備えたF/F素子31は、基準クロック生成回路10からクロック信号CLを受け、この信号CLが立ち上がる度に、パルス列生成装置100の出力信号を反転させて有限パルス列Gを構成する各パルスを生成する。 - 特許庁
Eu and D each range from 0.001 to about 0.5; D is an anion selected from F, Cl, Br, S and N; at least some of D anions replace oxygen in the host silicate lattice of the phosphor).例文帳に追加
Dは、F、Cl、Br、S及びNから選択されるアニオンであり、Dアニオンの少なくともいくつかが蛍光体のホストシリケート格子中の酸素に取って代わる。 - 特許庁
The input face 2 is formed in a concave face along a portion of the side face of a circular cone CC which has a center line CL which is substantially parallel to the optical axis of the respective optical fibers F.例文帳に追加
入力面2は、各光ファイバFの光軸に略平行な中心線CLを有する円錐CCの側面の一部に沿った凹面となっている。 - 特許庁
This invention is a method for producing 4-tertiary butoxystylene represented by the formula 2 by Heck's reaction of 4-tertiarybutoxy halobenzene represented by the formula 1 (wherein, X=F, Cl or I).例文帳に追加
下記式(1)で表される4−第三級ブトキシハロベンゼンをHeck反応させることを特徴とする下記式(2)で表される4−第三級ブトキシスチレンの製造方法。 - 特許庁
The inorganic acid removing unit 11 treats inorganic acid ions of F^-, Cl^-, PO_4^3-, SO_4^2-, or the like, in the cleaning water absorbing the inorganic acid gas generating from a cleaning room 1.例文帳に追加
無機酸除去ユニット11は、洗浄室1から発生した無機酸ガスを吸収した洗浄水中のF^−,Cl^−,PO_4^3−,SO_4^2−等の無機酸イオンを処理する。 - 特許庁
An inorganic anion exchanger containing the hydrous bismuth compound as an active ingredient is reacted with a halide ion contained in a liquid or gas to remove it as a BiOX (X=I, Br, Cl or F).例文帳に追加
この含水ビスマス化合物を有効成分とする無機陰イオン交換体を液体または気体中に含有されるハロゲン化物イオンと反応させてBiOX(X=I,Br,Cl,F)として除去する。 - 特許庁
In formula I, R is an H or halogen atom, such as Cl, F, or Br, or the like, and a heterocyclic group among the substituent represented by R1-R10 is embodied by thienyl and furyl groups and the like.例文帳に追加
(式中、Rは、ハロゲン原子又は一価の有機基を、m、n及びpは0〜5の整数を示す) (式中、R^1〜R^10は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜20のアルコキシ基又は複素環を示す) - 特許庁
The plurality of compounds are represented by CHClF_2 or C_2H_xX_y (wherein, y is ≥1; x+y is 6; X's of y are each independently Cl or F).例文帳に追加
好ましくは、前記複数の化合物はCHClF_2及び式C_2H_xX_y(式中、yは1以上、xとyの合計は6、y個のXはそれぞれ独立して塩素又は弗素を表す)で表される化合物である。 - 特許庁
In the above chemical formulae, Rf^1 and Rf^2 are each a 1-4C straight-chain or branched perfluoroalkyl group, a fluoroalkyl group, or a fluoroalkenyl group; and X is fluorine (F) or chlorine (Cl).例文帳に追加
但し、上記化学式において、Rf^1及びRf^2は、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のペルフルオロアルキル基、フルオロアルキル基、フルオロアルケニル基であり、Xはフッ素(F)又は塩素(Cl)である。 - 特許庁
In Li(Ni_xMn_2-x)O_4 (where, 0.4≤x≤0.6), a part of Mn is substituted by a metal element that is lighter than Mn and is capable of taking on univalence to trivalence, and further, O is substituted by F or Cl.例文帳に追加
Li(Ni_xMn_2-x)O_4(0.4≦x≦0.6)において、Mnの一部をMnより軽い元素でかつ1価から3価を取りうる金属元素で置換し、さらにOをFまたはClで置換する。 - 特許庁
The resultant cycloheptadiene is converted into a triflate compound, which is then reacted with a secondary phosphine to form the diphosphine represented by formula I (wherein, R is an aryl or a heteroaryl group; and R1 to R4 are each independently hydrogen, a 1-10C-alkyl, a 1-10C-alkoxy, F, Cl or Br).例文帳に追加
(Rはアリール又はヘテロアリール基であり、R^1ないしR^4は互いに独立してそれぞれ水素、C_1−C_10−アルキル、C_1−C_10アルコキシ、F、Cl又はBrである。) - 特許庁
Therein, R_1 to R_4 are each H, F, Cl, Br, I, 1-9C alkyl, 6-12C aryl, 1-5C alkoxy, 2-5C alkenyl or 7-17C aralkyl.例文帳に追加
(式中、R_1〜R_4は水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、炭素数1〜9のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数1〜5のアルコキシ基、炭素数2〜5のアルケニル基又は炭素数7〜17のアラルキル基を表す。) - 特許庁
G is a scaffold-structure, X is a coupling group for a probe F or functional unit F, CL is a chelator-group with at least a metal-coordinative center, m is an integer and at least 1, and n is an integer and at least 2.例文帳に追加
Gは、足場構造であり、Xは、プローブFまたは官能性のユニットFに対するカップリング基であり、CLは、少なくとも1つの金属配位中心を有するキレーター基であり、mは、整数でありかつ少なくとも1であり、そしてnは、整数でありかつ少なくとも2である。 - 特許庁
The liquid crystal medium contains one or more respective compounds expressed by formulae IA and IB (in the formulae R^1 and R^2 are each a 1-12C alkyl group allowing substitution; Y^1 is H or F; and X is F, Cl or the like).例文帳に追加
式IAの1種類以上の化合物および式IBの1種類以上の化合物を含む液晶媒体で、但し、R^1及びR^2は置換されていてもよい1〜12個の炭素原子を有するアルキル基であり、Y^1はH又はFであり、XはF又はClなどである。 - 特許庁
Further, the substrate has, on the above light shielding layer 12, a metal compound film as an antireflection layer 13 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) but can be etched by at least one of chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) and fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加
そしてこの遮光層12の上に、酸素非含有塩素系ドライエッチング(Cl系)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング((Cl+O)系)あるいはフッ素系ドライエッチング(F系)の少なくとも一方のエッチングでエッチングが可能な金属化合物膜が反射防止層13として備えられている。 - 特許庁
A photomask substrate 11 has, on one principal face, a metal film as a light shielding layer 12 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) but can be etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) and by fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加
フォトマスク基板11の一方主面に、酸素含有の塩素系ドライエッチング((Cl+O)系ドライエッチング)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有の塩素系ドライエッチング(Cl系ドライエッチング)およびフッ素系ドライエッチング(F系ドライエッチング)でエッチングが可能な金属膜が遮光層12として備えられている。 - 特許庁
When an n^+-GaN layer 6 is selectively etched with respect to an n^+-AlGaN layer 5 in the manufacturing process of the GaN semiconductor device, dry etching is performed with gas plasma whose concentration of gas including Cl atom is set to be 60 to 90% by using gas including the Cl atom and gas including a F atom.例文帳に追加
GaN系半導体デバイスの製造工程において、n^+ −GaN層6をn^+ −AlGaN層5に対して選択的にエッチングを行う際に、Cl原子を含むガスとF原子を含むガスを用い、そのCl原子を含むガスの濃度を60〜90%としたガスプラズマにてドライエッチングを行う。 - 特許庁
The F-doped synthetic quartz glass material contains, by weight, less than 50 ppm of Cl, less than 50 ppb of Na, less than 50 ppb in total of transition metals, and 0.1-5,000 ppm of fluorine.例文帳に追加
50ppmより少ないCl、50ppbより少ないNa、合計して50ppbより少ない遷移金属、及び0.1ppmから5000ppmのフッ素、を含有するFドープ合成石英ガラス材料とする。 - 特許庁
The lithium ion conductor is constituted of a compound oxide containing at least Li, P, O and halogen X, the halogen X being at least one selected from among a group consisting of F, Cl, Br and I.例文帳に追加
少なくともLi、P、Oおよびハロゲン元素Xを含み、ハロゲン元素Xが、F、Cl、Br、およびIからなる群より選択される少なくとも1種である複合酸化物からなるリチウムイオン導電体。 - 特許庁
Here, X is at least one kind of halogens selected from a group of F, Cl, Br and I, and mole ratios x, y and z are given as 0.02≤x≤1.3, 0.005≤y≤0.5, and 0.01≤z≤0.5.例文帳に追加
Li_x(Ni_1-yTa_y)(O_2-zX_z) (1) 但し、Xは、F、Cl、Br及びIよりなる群から選ばれる少なくとも1種類のハロゲン元素で、モル比x、y及びzは0.02≦x≦1.3、0.005≦y≦0.5、0.01≦z≦0.5をそれぞれ示す。 - 特許庁
A liquid crystal medium composed of a mixture of polar compounds having positive dielectric anisotropism containing one or more compounds of formula I (wherein R^1 is an optionally substituted 1-15C alkyl group, an alkoxy group, X is F, Cl, CN or a halogen substituted alkyl group, and L^1 and L^2 are each H or F).例文帳に追加
正の誘電異方性を有する極性化合物の混合物に基づく液晶媒体であって、これが式I(式中、R^1は、置換、非置換のC_1_〜_15のアルキル基、アルコキシル基、Xは、F、Cl、CN、ハロゲン代アルキル基等であり、L^1、L^2は、HまたはFである。)で表される1種または2種以上の化合物を含む前記液晶媒体。 - 特許庁
When dry-etching both sides of the gate electrode 21 by using chlorine(Cl) and fluorine(F) which are brought into active states in plasma, etching is stopped in an etching stop layer (the barrier layer 17) by the relative selectivity of Al of this etching gas.例文帳に追加
ゲート電極21の両側を、プラズマ中で活性状態となる塩素(Cl)およびフッ素(F)を含んだガスを用いてドライエッチングすると、このエッチングガスのAlに対する選択性によりエッチングストップ層(障壁層17)でエッチングが停止する。 - 特許庁
To provide a dust compact for reduction treatment which is efficiently/stably recycled as an iron raw material even when the iron-oxide-based raw material to be used contains a volatile component such as a Cl element and an F element, and to provide a method for producing reduced iron by using it.例文帳に追加
ClやFなどの揮発成分を含有する酸化鉄系原料を使用しても効率的・安定的に鉄原料として再資源化できる還元処理用ダスト成型物およびそれを使用する還元鉄製造方法を提供する。 - 特許庁
Protection layers 5, 13 composed of a compound of alkali metal (either of Li, Na, K, Rb, Cs) and halogen (either of F, Cl, Br, I) or alkali metal oxide are provided on the surfaces of a first plate and a second plate at least provided with a phosphor layer 10.例文帳に追加
第一プレートおよび少なくとも蛍光体層10が設けられた第二プレート表面にアルカリ金属(Li、Na、K、Rb、Csのいずれか)とハロゲン(F、Cl、Br、Iのいずれか)の化合物あるいはアルカリ金属酸化物からなる保護層5、13を設ける。 - 特許庁
This method for producing the 1,3,3,3-tetrafluoropropene comprises reacting 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene as a raw material with a metal fluoride, thereby subjecting the vinyl position chlorine atom of the 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene to a Cl/F exchange reaction with the fluorine atom of the metal fluoride to obtain the 1,3,3,3-tetrafluoropropene.例文帳に追加
1−クロロ−3,3,3−トリフルオロプロペンを原料とし、金属フッ化物と反応させることにより、1−クロロ−3,3,3−トリフルオロプロペンのビニル位塩素原子が金属フッ化物のフッ素原子によりCl/F交換され、1,3,3,3−テトラフルオロプロペンが得られる。 - 特許庁
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