「FT-IR」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A process exhaust gas is sampled and a component thereof is analyzed by a Fourier-transform spectroscope (FT-IR) 26.例文帳に追加

プロセス排気ガスを採取してその成分をフーリエ変換分光器（ＦＴ−ＩＲ）２６により分析する。 - 特許庁

By use of an FT-IR device from IR waveforms prior to hydrogen ions implanted into the semiconductor substrate, the IR waveform of an FZ crystal semiconductor substrate is acquired by a difference spectrum method (an FZ crystal corrected IR waveform prior to implantation of the hydrogen ions).例文帳に追加

ＦＴ−ＩＲ装置を利用し、半導体基板に水素イオンが注入される前のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求める（水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形）。 - 特許庁

To provide a method for producing a monomer for vinylidene fluoride (VDF)-based curable fluoroelastomers having a glass transition temperature of lower than -35°C and an amount of -COF end groups in the polymer of not higher than the sensitivity limit of the method using FT-IR spectroscopy.例文帳に追加

-35℃よりも低いガラス転移温度を有し、FT-IR分光分析を用いる方法で感度限界以下の-COF末端基の量をポリマー中に有する、ビニリデンフルオライド(VDF)をベースとする硬化性フルオロエラストマー用モノマーの製造法を提供する。 - 特許庁

The polycrystalline silicon is characterized by having ≤1.0×10^17 atoms/cm^3 interlattice oxygen concentration measured by the FT-IR method (ASTM F121-79) and ≤3% reduction rate of the solar cell conversion efficiencies when using a polycrystalline silicon wafer as the substrate.例文帳に追加

本発明の多結晶シリコンは、FT−IR法(ASTM F121−79)で測定した格子間酸素濃度が1.0×10^17atoms/cm^3以下であり、該多結晶シリコンウェーハを基板として用いた太陽電池の変換効率の低下率が3%以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for more simply measuring each of PFC components in an exhaust gas with high reproducibility using FT-IR.例文帳に追加

ＦＴ−ＩＲを用いて、排ガス中の各ＰＦＣ成分をより簡便でかつ再現性良く測定する方法を提供する。 - 特許庁

The dielectric film has the dielectric powder, and the reflection spectrum of FT-IR at 30 cm^-1 is 30% or higher.例文帳に追加

誘電体膜は、この誘電体粉末を有し、かつＦＴ−ＩＲの３０ｃｍ^−１における反射スペクトルが３０％以上である。 - 特許庁

An incident angle θ of infrared rays to the prism is scanned, and a spectrum of infrared rays totally reflected by the sample surface is analyzed by the FT-IR device.例文帳に追加

プリズムに対する赤外光の入射角度θをスキャンし、サンプル表面で全反射した赤外光のスペクトルをＦＴ−ＩＲ装置で解析する。 - 特許庁

The surface of rare earth system magnetic powder is measured by using an infrared spectroscopical(FT-IR) method, and rare earth system magnetic powder is provided as for the FT-IR spectrum in which siloxane bond is formed in a bonding condition that the peak top rate of 3100 to 2800cm^-1:1200 to 1000cm^-1 is 1:100 to 1:1.例文帳に追加

希土類系磁性粉末の表面を赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）法を用いて測定し、該ＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて、３１００〜２８００ｃｍ^−１：１２００〜１０００ｃｍ^−１のピークトップ比が、１：１００〜１：１の結合状態であるシロキサン結合が形成されている希土類系磁性粉末。 - 特許庁

To provide an optoelectronic device for infrared spectrum analysis mountable in a sample chamber of a widely-used FT-IR (fourier transform infrared) spectrometer, and to provide an optoelectronic image magnifying system.例文帳に追加

汎用のＦＴ−ＩＲ分光計の試料室内に装着できる赤外スペクトル分析用光電子装置および光電子工学的像拡大システムを提供する。 - 特許庁

This insulating resin composition comprises (A) a thermoplastic resin and (B) an inorganic filler having an absorption peak within the wavelength range of 900-1,300 cm^-1 in the IR spectra by FT-IR (Fourier transformation infrared spectrophotometer).例文帳に追加

絶縁性樹脂組成物は、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光光度計）による赤外線吸収スペクトルにおいて波数９００〜１３００ｃｍ^−１の範囲内に吸収ピークを持つ無機充填剤を含有する。 - 特許庁

This method is an effective and reliable automated FT-IR method for judging the difference in the compositions of the chemical samples by comparison with the corresponding standards, and for identifying a contaminant.例文帳に追加

対応する標準と比較して、化学的サンプルの組成における差異を判断し、そして同定するための、効果的で信頼性のある自動化されたＦＴ−ＩＲ方法。 - 特許庁

A buffer layer 16 whose FT-IR peak height ratio is set not more than 22% and whose thickness is about 10nm is formed on the methyl group content silicon nitride film 15a.例文帳に追加

このメチル基含有窒化珪素膜１５ａ上には、ＦＴ−ＩＲ ｐｅａｋ ｈｅｉｇｈｔ比が２２％以下とされた、１０ｎｍ厚程度のバッファ層１６が形成されている。 - 特許庁

The temperature T can be determined from the expression -α(E1-E2)/(k*Log(A1/A2)) [α is a constant] from the relation, and A1/A2 can be determined from the infrared absorption rate calculated by the FT-IR.例文帳に追加

この関係から温度Ｔは−α（Ｅ１−Ｅ２）／（ｋ・Ｌｏｇ（Ａ１／Ａ２））［αは定数］の式から求められるが、Ａ１／Ａ２をＦＴ−ＩＲの算出した赤外線吸収率から得ることができる。 - 特許庁

A low dielectric constant layer 17 whose FT-IR peak height ratio is set not less than 25% and whose dielectric constant is set not more than 3.1 is disposed through the buffer layer 16.例文帳に追加

そして、このバッファ層１６を介して、ＦＴ−ＩＲ ｐｅａｋ ｈｅｉｇｈｔ比が２５％以上とされ、比誘電率が３．１以下とされた低誘電率層１７が設けられてなる構成となっている。 - 特許庁

The insulating layer 5 contains carbon, hydrogen, oxygen, and silicon, and is constituted of a material including an absorption peak caused by Si-CH_3 bonding in the vicinity of 1,274 nm when measured by FT-IR.例文帳に追加

絶縁層５は、炭素と水素と酸素とシリコンとを含み、かつＦＴ−ＩＲにより測定したときに１２７４ｎｍ付近にＳｉ−ＣＨ_3結合に起因する吸収ピークを有する材質よりなっている。 - 特許庁

To provide an infrared microscopic FT-IR device and an analyzing method capable of performing qualitative/quantitative analysis, conveniently and accurately, on an organic material for the surface part of a high-density recording medium.例文帳に追加

高密度記録媒体の表面部の有機材料について定性・定量分析を簡便・的確に行うことができる赤外顕微・ＦＴ−ＩＲ装置及び分析方法を提供する。 - 特許庁

This infrared imaging microscope of a type used especially for executing FT-IR measurement has a detector in the form of a small detector array 85 comprising respective detector elements 86.例文帳に追加

特にＦＴ−ＩＲ計測を実施するために使用されるタイプの赤外線イメージングマイクロスコープは、個々の検出器エレメント（８６）からなる小検出器アレイ（８５）の形態での検出器を有する。 - 特許庁

To provide a method for measuring the steel plate surface by FT-IR, evaluating a magnetic characteristic, and improving the yield, and a manufacturing method for a directional electromagnetic steel plate having a small dispersion of the magnetic characteristic.例文帳に追加

鋼板表面をＦＴ—ＩＲで測定し、磁気特性を評価し、歩留まりの向上を図る方法および磁気特性のばらつきの少ない方向性電磁鋼板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The infrared absorption rate in a prescribed wave range in an infrared absorption region is calculated by FT-IR (Fourier transform infrared spectrometer) 10 wherein an incidence part 11 is arranged oppositely to a heating element and light emitted from the heating element enters the incidence part through a measuring gas, and the gas temperature is calculated by a temperature operation means 20 based on the infrared absorption rate calculated by the FT-IR.例文帳に追加

入光部（１１）が発熱体に対向して配置され、発熱体から出射し被計測ガスを通過し入光部に入射せしめられるＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光装置）（１０）で赤外線吸収域内の所定の波長域の赤外線吸収率を算出し、温度演算手段（２０）でＦＴ−ＩＲの算出した赤外線吸収率に基づきガスの温度を算出する。 - 特許庁

To enable a user to analyze and observe a sample on an X-MA equipment or an FT-IR equipment, without having to detach a picking base and the sample from respective jigs by easily and stably fixing the sample and the picking base.例文帳に追加

試料や採取台を簡便にかつ安定して固定させ、採取台及び試料を各々の治具から外すことなくＸ−ＭＡ装置やＦＴ−ＩＲ装置による分析や観察を可能とすること。 - 特許庁

The IR imaging microscope of a type used for implementing FT-IR measurement in particular is provided with an assembly (40) movable into a beam propagated to a microscope detector (32) or to the outer side thereof in order to change the magnifying power provided by the optical element of the microscope.例文帳に追加

特にＦＴ−ＩＲ計測を実施するために使用されるタイプの赤外線イメージングマイクロスコープは、前記マイクロスコープの光学エレメントによって提供される拡大率を変化させるため、マイクロスコープ検出器（３２）へ伝播するビーム内またはその外側へ移動され得るアセンブリ（４０）が設けられている。 - 特許庁

The incidence orientation dependency of the polarization state of the reflection light of infrared rays that are emitted from a light source (FT-IR device 4) and are applied to a sample thin film (sample 9) is measured to determine the molecular orientation state of a thin film.例文帳に追加

光源（ＦＴ−ＩＲ装置４）から出射し、試料薄膜（試料９）に入射した赤外線の反射光の偏光状態の入射方位依存性を測定することにより、薄膜の分子配向状態を決定する。 - 特許庁

The method disclosed herein utilizes an FT-IR apparatus to calculate the difference between a spectrum waveform before oxygen ions are implanted to a silicon substrate and a spectrum waveform after the oxygen ions are implanted to the silicon substrate in terms of spectrums.例文帳に追加

このためモニターした以上の元素が半導体基板中に注入されてしまい、結果として最終的なＳＩＭＯＸ製品において所望のＢＯＸ層厚み及び活性層厚みが得られない等の問題の解決を図る。 - 特許庁

In the optical film having antiplane alignment on at least one surface, Dxz of 1,240 cm^-1 in polarization ATR/FT-IR spectrum measured at 60 degrees of an incident angle is 1.05 or more.例文帳に追加

本発明の光学フィルムは、少なくとも一方の表面が面外配向している光学フィルムであって、入射角度６０度で測定した偏光ＡＴＲ／ＦＴ−ＩＲスペクトルにおける１２４０ｃｍ^−１のＤｘｚが１．０５以上である。 - 特許庁

Over the whole face of a thin film main surface in the semiconductor single crystal thin film, a plurality of film thickness measurement points 211 are decided, and in each of the film thickness measurement points 211, a film thickness of the semiconductor single crystal film is measured by an FT-IR and the like.例文帳に追加

半導体単結晶薄膜の薄膜主表面の全面に渡って複数の膜厚測定点２１１を定め、個々の膜厚測定点２１１において半導体単結晶薄膜の膜厚をＦＴ−ＩＲ等により測定する。 - 特許庁

A spectrum of the semi-cured condition prepreg 1, in which a substrate is impregnated with a resin composition containing an aromatic epoxy resin, is measured by FT-IR, and the gelling time of the prepreg 1 is estimated based on the peak ratio of the epoxy group and the benzene ring in the acquired spectrum in the mid-infrared region.例文帳に追加

芳香族エポキシ樹脂を含有する樹脂組成物が基質に含浸された半硬化状態のプリプレグ１を、ＦＴ−ＩＲにてスペクトル測定し、得られたスペクトルのエポキシ基とベンゼン環との中赤外領域のピーク比に基づき、プリプレグ１のゲルタイムを推定する。 - 特許庁

This pipe end anticorrosive joint is constructed by forming a resin coating layer on the inside face of a metallic pipe joint, and the resin coating layer is formed of polyethylene having an infrared circular dichroism ratio of 0.5-2, based on FT-IR(Fourier transform infrared spectrometry) and a crystallinity degree of 40% or more.例文帳に追加

金属製管継手の内面に樹脂被覆層を形成した管端防食継手であって、樹脂被覆層はＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光法）による赤外二色比が０．５〜２で、結晶化度が４０％以上であるポリエチレンで形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

The object is decomposed by a titanium-silicon composite oxide containing titanium, silicon, and oxygen to chemically bond them, and having an absorption peak at 650-990 cm^-1 in infrared absorption spectrum obtained by infrared diffuse reflectance spectroscopy (FT-IR DRS).例文帳に追加

赤外線拡散反射分析法（ＦＴ−ＩＲ ＤＲＳ）による赤外線吸収スペクトルにおいて６５０〜９９０ｃｍ^−１の吸収ピークを有し、チタン、ケイ素および酸素を含有し、これらを化学結合しているチタン−ケイ素化学結合複合酸化物により、対象物を分解する。 - 特許庁

The high-purity ammonia is obtained by reducing impurities having peaks in absorption wavelengths of 1310 cm^-1, 1320 cm^-1, and 1330 cm^-1 determined by analysis using an FT-IR, and then the nitride semiconductor is manufactured using this ammonia as a raw material.例文帳に追加

ＦＴ−ＩＲを用いた分析により確定される１３１０ｃｍ^−１、１３２０ｃｍ^−１ならびに１３３０ｃｍ^−１の吸収波長にピークを持つ不純物を、蒸留操作等で低減した高純度アンモニアを得て、これを原材料として窒化物半導体を製造する。 - 特許庁

The adhesive is heated and cured, then a predetermined treatment of promoting hydrolysis of urethane bonding is applied to the adhesive; the adhesive after the treatment is subjected to FT-IR measurement; the ratio between the peak intensity of absorption based on carboxyl group and peak intensity of absorption based on amide group is determined on the basis of the acquired IR spectrum, and the degree of degradation of the adhesive is evaluated on the basis of this peak intensity ratio.例文帳に追加

上記接着剤を加熱硬化させた後、該接着剤にウレタン結合の加水分解を進める所定の処理を施し、この処理後の接着剤のＦＴ−ＩＲ測定を行ない、得られたＩＲスペクトルから、カルボキシル基に基づく吸収のピーク強度とアミド基に基づく吸収のピーク強度との比を求め、このピーク強度比に基いて当該接着剤の劣化度を評価する。 - 特許庁

This non-crystalline (per)fluorinated polymer contains an ionic terminal group comprising COF, COOH, an amide derivative thereof, an ester or a salt, in an amount less than 0.05 mmol/kg polymer when a Nicholet (a registered trademark) nexus FT-IR apparatus (256 scanning, a resolving power of 2 cm^-1) is used for detecting terminal groups.例文帳に追加

末端基の検出に用いる方法がニコレット(登録商標)ネクサスＦＴ-ＩＲ装置(２５６スキャンニング、分解能２ｃｍ^-1)であるとき、次のイオン性末端基：ＣＯＦ、ＣＯＯＨ、それらのアミド誘導体、エステルまたは塩のそれぞれを、０.０５ミリモル/ｋｇポリマーより少ない量で含む非晶質の(パー)フッ素化されたポリマー。 - 特許庁

For example, in Fourier transformation infrared spectroscopy (FT-IR), a reference spectrum and a measurement spectrum including an impurity spectrum are measured, and correction including a frequency shift of the reference spectrum is performed on the reference spectrum to flatten the baseline of the impurity infrared absorption spectrum in the measurement spectrum, and thereby a differential spectrum is calculated.例文帳に追加

例えばフーリエ変換赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）法において、参照スペクトル及び不純物を含む測定スペクトルを取り込み、測定スペクトルに含まれる不純物による赤外吸収スペクトルのベースラインを平坦化するために、参照スペクトルに対して周波数シフトを含む補正を実施し、差スペクトルを算出する。 - 特許庁

The nitride semiconductor is manufactured with the hyperpure ammonia as a raw material obtained through distillation by decreasing the impurity having a peak absorption wavelength of 1310 cm^-1, 1320 cm^-1, and 1330 cm^-1 determined by the gas analysis which uses Fourier transformation infrared spectroscopy (FT-IR).例文帳に追加

フーリエ変換赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）を用いたガス分析により確定される１３１０ｃｍ^−１、１３２０ｃｍ^−１ならびに１３３０ｃｍ^−１の吸収波長にピークを持つ不純物を、蒸留操作等で低減した高純度アンモニアを得て、これを原材料として窒化物半導体を製造する。 - 特許庁

Mesoporous metallosilicate having a peak of hydroxyl group near the wave number of 3,610 cm^-1 in the FT-IR analysis and having lots of solid acid points and high heat resistance than the conventional one by using as a raw material one that is produced by dissolving crystalline metallosilicate into a solution containing a template agent and further adding a mesoporous structure-directing agent and reacting them.例文帳に追加

テンプレート剤を含む液に結晶性メタロシリケートを溶解させたものを原料に用い、さらにメソポーラス構造指向剤を添加し、反応させることにより、ＦＴ−ＩＲ分析における波数３６１０ｃｍ^-1付近に水酸基のピークを有する従来より固体酸点が多く耐熱性が高いメソポーラスメタロシリケートが得られる。 - 特許庁

An infrared microscope system 1 includes an optical unit 50 that narrows down the infrared light flux supplied from an interference unit 22 of an FT-IR 2 to a smaller diameter in a substantially parallel light, so as to generate a high density infrared light flux having a higher light beam density than the supplied infrared light flux and to introduce it.例文帳に追加

本発明の赤外顕微システム１は、ＦＴ−ＩＲ２の干渉計部２２から供給された赤外光線束を実質的に平行光とした状態で小径に絞ることで、当該赤外光線束の光線密度よりも高い光線密度とされた高密度の赤外光線束を形成して導入する光学ユニット５０を備えている。 - 特許庁