| 例文 (9件) |
Fermi functionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
Transverse conductivity is settled from the gauge field and the integral of a Fermi distribution function.例文帳に追加
ゲージ場とフェルミ分布関数の積分から横伝導度が定まる。 - 特許庁
For high temperatures, electrons in the tail of the Fermi distribution acquire enough kinetic energy to overcome the work function. 例文帳に追加
高い温度では、フェルミ分布の裾野にある電子は仕事関数に打ち勝つ(を越える)のに十分な運動エネルギーを獲得する。 - 科学技術論文動詞集
Hereupon, in the adjustment back-face electrode layer 12, the work function of the material of its portion contacted at least with the light absorbing layer 13 is so selected as to be made equal to or larger than the Fermi energy of the material of the light absorbing layer.例文帳に追加
ここで、調整背面電極層１２は、少なくとも光吸収層１３と接触する部位の材料が、その仕事関数が光吸収層材料のフェルミエネルギーに等しいかそれより大きいものに選定されている。 - 特許庁
By making the gate electrode be possible to be doped with the p-type dopant (for instance, boron), a transistor having a desired value (for instance, it conforms Fermi level of about 4.8 to 5.6 eV) and a relating work function can easily be formed.例文帳に追加
ゲート電極をｐ型ドーパント(例えば、ボロン)でドープさせることができることにより、所望の値を有する(例えば、約4.8から約5.6eVのフェルミ準位に一致する)、関連する仕事関数を有するトランジスタを形成することが容易になる。 - 特許庁
A work function ΦMn of a gate electrode 6 of nMOS is made into value between electron affinity χs of silicon and an energy difference Φi of intrinsic Fermi level εi of silicon and the vacuum level of silicon, namely, set so as to establish the relation of χs<ΦMn<Φi.例文帳に追加
ｎＭＯＳのゲート電極６の仕事関数ΦＭｎを、シリコンの電子親和力χsと、シリコンの真性フェルミ準位εｉとシリコンの真空準位とのエネルギー差Φｉとの間の値にする、すなわち、χs＜ΦＭｎ＜Φｉの関係が成り立つように設定する。 - 特許庁
To obtain a desired work function by especially suppressing a reaction between a high dielectric constant material and a gate electrode material, which causes a fermi level pinning phenomenon, and to increase uniformity and yield in a CMOS transistor structure employing a full silicide gate or a metal gate.例文帳に追加
フルシリサイドゲート又はメタルゲートを用いたＣＭＯＳトランジスタ構造であって、特にフェルミ・レベル・ピニング現象の原因となる高誘電率材料とゲート電極材料との反応を抑制して所望の仕事関数を得られるようにし、且つ均一性及び歩留まりを高くできるようにする。 - 特許庁
The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate.例文帳に追加
マスクで第１領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層（２）と、Ｎ＋ポリシリコンゲート（４）との間に、ＡｌｘＯｖの高誘電率界面誘電体層（３）が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、Ｎ＋ポリシリコンのＰ−ＭＯＳの仕事関数は、Ｐ＋ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。 - 特許庁
Besides, a work function ΦMp of a gate electrode 7 of pMOS is made into value between the added result of the electron affinity χs of silicon and a band gap energy Eg of silicon and the energy difference Φi of the intrinsic Fermi level εi of silicon and the vacuum level of silicon, namely, set so as to establish the relation of Φi<ΦMp<χs+Eg.例文帳に追加
また、ｐＭＯＳのゲート電極７の仕事関数ΦＭｐを、シリコンの電子親和力χsとシリコンのバンドギャップエネルギーＥgとを加えたものと、シリコンの真性フェルミ準位εｉとシリコンの真空準位とのエネルギー差Φｉとの間の値、すなわち、Φｉ＜ΦＭｐ＜χｓ＋Ｅｇの関係が成り立つように設定する。 - 特許庁
A p-type ohmic electrode is provided with an Se layer to maximally lower a barrier Φb of an Se Fermi level Ef and a wide band gap p-type semiconductor valence, so that the wide band gap p-type semiconductor can have an ohmic contact with a resistance far lower than that of a conventional ohmic electrode provided with a metal layer having a high work function.例文帳に追加
ｐ型オーミック電極にＳｅ層を有することにより、ＳｅのフェルミレベルＥｆとワイドバンドギャップｐ型半導体の価電子帯との障壁Φｂが最も低い構成となり、ワイドバンドギャップのｐ型半導体に従来の高い仕事関数を有する金属層を設けたものよりもはるかに低い抵抗を有するオーミックコンタクトを実現することが可能となる。 - 特許庁
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