「HBT」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

GaN/HBT SUPERLATTICE BASE STRUCTURE例文帳に追加

ＧａＮ・ＨＢＴ超格子ベース構造 - 特許庁

HBT AND EPITAXIAL WAFER THEREFOR例文帳に追加

ＨＢＴ用エピタキシャルウエハ及びＨＢＴ - 特許庁

To obtain an HBT structure with smaller turn-on voltage without deteriorating a current gain characteristic of the HBT.例文帳に追加

ＨＢＴの電流利得特性を損なわず、ターンオン電圧の小さいＨＢＴの構造を得る。 - 特許庁

HEMT-HBT DOHERTY MICROWAVE AMPLIFIER例文帳に追加

ＨＥＭＴ−ＨＢＴドハーティ・マイクロ波増幅器 - 特許庁

To obtain an epitaxial wafer for a heterojunction bipolar transistor (HBT) and reduced in its collector resistance, and the HBT.例文帳に追加

コレクタ抵抗が小さいＨＢＴ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタを得る。 - 特許庁

The technology disclosed herein adopts a configuration, wherein a resistor Rbb9 is provided in parallel with a voltage drive bias circuit including a transistor (GaAs-HBT) Trb1.例文帳に追加

GaAs-HBTからなるTrb1を含む電圧駆動バイアス回路と並列に、抵抗Rbb9を設けた構成とする。 - 特許庁

To provide a high-speed hetero junction bipolar transistor(HBT) of high productivity as well as its manufacturing method.例文帳に追加

生産性の高い高速のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）及びその製造方法を実現することである。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor(HBT) having higher efficiency and operability at high frequencies.例文帳に追加

より高い効率およびより高い周波数の動作性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）を提供すること。 - 特許庁

To provide a technology of preventing an idle current from unflowing when a reference voltage Vref is lowered in a GaAs-HBT power amplifier.例文帳に追加

GaAs-HBT電力増幅器において基準電圧Vrefを低くした際に、アイドル電流が流れなくなることを防止する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor (HBT) having superior ON-withstand voltage V_CE in which ON-withstand voltage of the HBT is raised to improve output characteristics of the HBT and capability of the HBT to resist large impedance mismatching (high VSWR).例文帳に追加

ＨＢＴのオン耐圧を高めることで、ＨＢＴの出力特性及び大きなインピーダンス不整合（高ＶＳＷＲ）に耐えるＨＢＴの能力を向上させた、優れたオン耐圧Ｖ_ＣＥを備えたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is a heterojunction bipolar transistor (HBT).例文帳に追加

半導体装置１は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）である。 - 特許庁

The HBT is equipped with a collector (C), a base (B), and an emitter (E).例文帳に追加

ＨＢＴは、コレクタ(Ｃ)と、ベース(Ｂ)と、エミッタ(Ｅ)とを備える。 - 特許庁

As a result, the area of the base region of the HBT can be reduced and the HBT having an improved high-frequency characteristic is obtained as a resultant.例文帳に追加

これにより、ベース領域の面積を低減でき、その結果、高周波特性が向上されたＨＢＴが得られる。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor is employed in which Bi is added to the base layer of a GaAs system HBT or an InP system HBT.例文帳に追加

ＧａＡｓ系またはＩｎＰ系ＨＢＴのベース層にＢｉを添加したＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を用いる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING InGaP/GaAs-HBT AND EVALUATING METHOD例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ−ＨＢＴの製造方法及び評価方法 - 特許庁

This HBT is also suitable, when Al is replaced with In.例文帳に追加

このＨＢＴは、Ａｌに代えてＩｎとする場合にも適合する。 - 特許庁

To form an HBT and a PIN diode simultaneously on a same semiconductor substrate and to achieve low cost without deteriorating reliability of the HBT.例文帳に追加

ＨＢＴの信頼性を損なうことなく、ＨＢＴとＰＩＮダイオードとを、同一の半導体基板上に同時に形成し、低コスト化を図る。 - 特許庁

To improve the flatness of the surface of an HBT non-alloy layer, reduce contact resistance and prolong the service life of the HBT.例文帳に追加

ＨＢＴのノンアロイ層表面の平坦性の向上と接触抵抗の低減化を図ると共にＨＢＴの寿命を延ばすことを可能とする。 - 特許庁

To provide a highly reliable heterojunction bipolar transistor (HBT) without severely changing an existing facility for manufacturing an HBT and a manufacturing process.例文帳に追加

ＨＢＴを製造するための既存の設備および製造工程を大幅に変更することなく、高信頼性のへテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を提供する。 - 特許庁

In an InGa/GaAs HBT, Pt/Mo/Pt/Au/Pt/Mo electrodes containing no Ti are used as base electrodes 1.例文帳に追加

ベース電極１にＴｉを含まないＰｔ／Ｍｏ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／Ｍｏ電極を用いる。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for HBT reducing the lattice distortion of a buffer layer and a substrate, or the buffer layer and a subcollector layer, and to obtain HBT using it.例文帳に追加

バッファ層と基板またはバッファ層とサブコレクタ層の格子ひずみを減少させたＨＢＴ用エピタキシャルウェハ及びこれを用いたＨＢＴを得る。 - 特許庁

The HBT 3 is composed of a collector layer 11, a base layer 12, and an emitter layer 13.例文帳に追加

ＨＢＴ３は、コレクタ層１１、ベース層１２、およびエミッタ層１３からなる。 - 特許庁

The semiconductor element 1 is provided with an HBT 3 and insulation layers 11 and 13.例文帳に追加

半導体素子１は、ＨＢＴ３、絶縁層１１及び１３を備えている。 - 特許庁

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR(HBT) HAVING IMPROVED EMITTER/BASE GRADING STRUCTURE例文帳に追加

エミッタ・ベース・グレーディング構造が改良されたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ） - 特許庁

At the formation of an HBT and an MIM capacitor using a III-V compound semiconductor on the same semiconductor substrate, an MIM capacitor is formed by using the contact electrode and a passivation film of the HBT, so that the HBT and the capacitor can be prepared at the same time.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体を用いたＨＢＴとＭＩＭキャパシタを同一半導体基板上に形成する場合に、ＨＢＴのコンタクト電極とパッシベーション膜を用いて、ＭＩＭキャパシタを形成し、ＨＢＴとキャパシタを同時に作製する。 - 特許庁

To reduce mutual influence between an HBT and an FET formed on the same substrate.例文帳に追加

同一基板に形成されるＨＢＴとＦＥＴとの相互影響を低減する。 - 特許庁

To provide an HBT epitaxial wafer and a HBT, capable of readily and surely obtaining a very high current gain.例文帳に追加

極めて高い電流利得を得ることができるとともに、このような性能を簡易かつ確実に得ることができるＨＢＴ用エピタキシャルウエハ及びＨＢＴを提供する。 - 特許庁

It is formed in a structure which laminates an HEMT epitaxial layer (HEMT structure 50) of one unit on an HBT epitaxial layer (HBT structure 40) of one unit in the identical wafer.例文帳に追加

同一ウェハ内で、一単位のＨＢＴエピタキシャル層（ＨＢＴ構造４０）の上に一単位のＨＥＭＴエピタキシャル層（ＨＥＭＴ構造５０）を積層した構造とする。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor (HBT) device having an electrostatic discharge ruggedness.例文帳に追加

静電気放電に耐久性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor (HBT) capable of making thermal stability compatible with the reliability to energization in the HBT having an InGaP as an emitter layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＰをエミッタ層として有するＨＢＴにおいて、熱的安定性と通電に対する信頼性を両立することの出来るＨＢＴを提供することにある。 - 特許庁

To sharply improve reliability by extending the life of an InGaP emitter HBT.例文帳に追加

ＩｎＧａＰエミッタＨＢＴの寿命を延ばし、飛躍的に信頼性を向上させる。 - 特許庁

To realize an HBT which can reduce an emitter size and a manufacturing cost.例文帳に追加

エミッタサイズを縮小でき、且つ製造コストを低減することができるＨＢＴを実現する。 - 特許庁

The alternate layers of a gallium nitride(GaN) layer and an aluminum/gallium nitride(AlGaN) layer having various Al compositions are provided, and an HBT (20) where an inclined superlattice structure is formed in a base layer (28) is included.例文帳に追加

窒化ガリウム（GaN）層と、いろいろなＡｌ組成を持つ窒化アルミニウム・ガリウム（AlGaN）層の交互層を有し、ベース層（２８）の中に傾斜超格子構造を形成しているHBT（２０）が含まれる。 - 特許庁

The etch stop layer increases linearity of the FET and does not degrade the flow of electrons in the HBT.例文帳に追加

エッチストップ層はＦＥＴの線形性を増大させ、ＨＢＴの電子の流れを低下させない。 - 特許庁

The power amplifier is integrated with parallel base-stabilized hetero junction bipolar transistors (HBT) 110.例文帳に追加

パワーアンプは並列なベース安定化ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）１１０を組み込んでいる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has an HBT that can uniformly manufacture a resistor or a transistor required for an integrated circuit without affecting the performance of the hereto bi-polar transistor(HBT), and its manufacturing method.例文帳に追加

ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の性能に影響を及ぼすことなく、集積回路に必要な抵抗又はトランジスタを均一に製作できるＨＢＴを有する半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device having a SiGe HBT part, a high-density base region based on ion implantation of a depth which does not reach the collector region is formed on an external base portion of the HBT portion.例文帳に追加

本願発明は、ＳｉＧｅ系ＨＢＴ部を有する半導体装置において、ＨＢＴ部の外部ベース部に、コレクタ領域に達しない深さのイオン打ち込みによる高濃度ベース領域が形成されているものである。 - 特許庁

To improve a high-speed property and the reliability of an HBT without deteriorating the processing accuracy of an emitter mesa.例文帳に追加

エミッタメサの加工精度を損ねることなく、ＨＢＴの高速性および信頼性が向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an HBT and an FET which can obtain a high withstanding voltage and high temperature operation.例文帳に追加

高耐圧化及び高温動作を実現できる、ＨＢＴとＦＥＴを備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an HBT having both excellent emitter/base behavior and good etching selectivity.例文帳に追加

優れたエミッタ・ベース挙動と、良好なエッチング選択性を兼ね備えたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること。 - 特許庁

An emitter base lamination part 20 is provided on an Si epitaxial growth layer 2 of an SiGeC-HBT.例文帳に追加

ＳｉＧｅＣ−ＨＢＴのＳｉエピタキシャル成長層２の上には、エミッタ・ベース積層部２０が設けられている。 - 特許庁

HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR(HBT) CIRCUIT, CIRCUIT DESIGNING METHOD THEREOF AND OPERATION ANALYZING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

ヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）回路及びその回路設計方法並びにそれを用いた動作解析方法 - 特許庁

A unit HBT and a unit FET are arranged to be adjacent to each other through an isolation region, and a base electrode of the unit HBT is connected to a source electrode of the unit FET to form a unit element; and a plurality of unit elements 100 are connected to form an active element.例文帳に追加

単位ＨＢＴと単位ＦＥＴを分離領域を介して隣接して配置し、単位ＨＢＴのベース電極に単位ＦＥＴのソース電極を接続した単位素子を複数接続して能動素子を構成する。 - 特許庁

The second harmonic is reflected toward the HBT 2 at the connecting point of the tip open stub 4 for blocking passing of the second harmonic, the HBT 2 mixes the reflected second harmonic with a fundamental wave to generate a third harmonic with respect to the fundamental wave.例文帳に追加

上記２倍波通過阻止用先端開放スタブ４の接続点で２倍波をＨＢＴ２側に反射して、反射された２倍波と基本波とがＨＢＴ２で混合されて、基本波に対して３次の高調波が生成される。 - 特許庁

Lowering of current gain can be eliminated, and reliability can be improved in GaAs HBT.例文帳に追加

このカーボン（Ｃ）により、電流利得の低下を防止することができ、ＧａＡｓ系ＨＢＴの信頼性を高めることができる。 - 特許庁