「IGZO」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor film made of IGZO-based amorphous oxide is manufactured by performing annealing processing under a condition satisfying an expression (2) after forming a film of an IGZO-based amorphous oxide layer by sputtering under a condition satisfying an expression (1).例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を下記式（１）を満足する条件でスパッタ成膜した後に、下記式（２）を満足する条件でアニール処理することにより、ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物からなる半導体膜を製造する。 - 特許庁

When the TFT substrate 1 is manufactured, a process of growing the IGZO film under a condition that oxygen is insufficient, a plasma process to the IGZO layer, or a baking process under nitrogen, is performed as a process of changing a threshold of the TFT 5.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１を製造するときには、ＴＦＴ５の閾値を変動させる処理として、酸素不足の条件下でＩＧＺＯ層を成膜する処理、ＩＧＺＯ層に対するプラズマ処理、あるいは、窒素下でのベーク処理を行う。 - 特許庁

To provide gallium oxide powder which is excellent in uniform miscibility with indium oxide powder, as a raw material of IGZO (InGaZnOx).例文帳に追加

ＩＧＺＯの原料として、酸化インジウム粉末との均一混合性に優れた酸化ガリウム粉末を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of suppressing the occurrence of abnormal discharge even if an IGZO sputtering target is used in DC sputtering.例文帳に追加

ＩＧＺＯスパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングで使用しても、異常放電の発生を抑制できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor or the like that: includes an active layer composed of a single-phase and semiconductor IGZO-based oxide material represented by composition formula In_2-xGa_xO_3(ZnO)_m, particularly a crystalline IGZO-based oxide material where m=1; and has excellent electric characteristics.例文帳に追加

組成式Ｉｎ_２−ｘＧａ_ｘＯ_３（ＺｎＯ）_ｍの中でもｍ＝１の結晶質ＩＧＺＯ系酸化物材料において、単相で且つ半導体のＩＧＺＯ系酸化物材料からなる活性層を備え、良好な電気特性を有する薄膜トランジスタ等を提供する。 - 特許庁

An IGZO layer is formed on a substrate by vapor-depositing ions including In, Ga, and Zn from a first target, and the compositional ratio of In of the IGZO layer is turned to be 45 to 80 atomic% by vapor-depositing the ions including In from a second target.例文帳に追加

第１ターゲットからＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むイオンが蒸着されて基板上にＩＧＺＯ層が形成されるようにして、第２ターゲットからＩｎを含むイオンが蒸着されて前記ＩＧＺＯ層のＩｎの組成比が４５ないし８０ａｔ％になるようにする。 - 特許庁

To manufacture an IGZO-based field effect transistor which has small variance in element characteristics due to parasitic resistance between an active layer and an electrode.例文帳に追加

活性層—電極間の寄生抵抗に起因する素子特性のばらつきの少ないＩＧＺＯ系電界効果型トランジスタを製造する。 - 特許庁

To provide an IGZO sintered compact which can deposit a thin film having low specific resistance and also has high light transmittance, and a method for producing the same.例文帳に追加

比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩＧＺＯ焼結体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an IGZO field effect thin-film transistor with low power consumption and excellent element stability against environmental changes and driving.例文帳に追加

ＩＧＺＯ系電界効果型薄膜トランジスタにおいて、消費電力が少なく、環境変化及び駆動に対する素子安定性の優れたものとする - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of simplifying a manufacturing process without causing elution of metal and providing a high-density IGZO sputtering target, and a sputtering target.例文帳に追加

金属の溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度なＩＧＺＯのスパッタリングターゲットが得られる製造方法およびスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

An IGZO semiconductor layer is provided on the source electrode layer and the drain electrode layer, and a source region and a drain region having lower oxygen concentration than the IGZO semiconductor layer is intentionally provided between the source electrode and drain electrode, and a gate insulating layer to form an ohmic contact.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層上にＩＧＺＯ半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりも酸素濃度の低いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

To provide a material for forming a transparent thin film where an IGZO amorphous semiconductor film which is more excellent in the mobility of carriers, etching resistance and the like in producing steps of a thin film transistor and the like than conventional one is formed and to provide an IGZO sintered compact to produce the material for forming the transparent thin film.例文帳に追加

キャリヤの移動度や薄膜トランジスタ等の作製工程における耐エッチング性等が従来以上に優れたＩＧＺＯアモルファス半導体膜を形成することができる透明薄膜形成用材料、及びこの透明薄膜形成用材料を作製するためのＩＧＺＯ焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide new gallium oxide powders whose aggregated particles are easily broken so as to become suitable as raw materials for sputtering targets such as an IGZO and the like.例文帳に追加

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、凝集粒子が壊れやすいという特徴を有する新たな酸化ガリウム粉末を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target having low bulk resistance, high density, uniform particle size, fine structure, and high flexure strength while keeping the characteristics of an IGZO (InGaO_3 (ZnO)_m) sputtering target.例文帳に追加

ＩＧＺＯスパッタリングターゲットの有する特性を保持したまま、バルク抵抗が低く、密度が高く、粒径がより均一で微細化した組織を持ち、抗折強度が高いスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film transistor that is superior in device characteristic distribution of a TFT that uses an a-IGZO as a channel layer, and that reduces a threshold voltage shift amount of a prolonged operation.例文帳に追加

ａ−ＩＧＺＯをチャネル層として用いるＴＦＴの素子特性分布に優れ、長時間動作の閾値電圧シフト量を低減した薄膜トランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

A film of an IGZO-based amorphous oxide layer is formed under a back pressure of higher than 5×10^-4 Pa in a sputtering method, and then subjected to annealing processing at an annealing temperature of 100 to 300°C.例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を、スパッタ法における背圧を５×１０^−４Ｐａ超として成膜し、その後、１００℃以上、３００℃以下のアニール温度でアニール処理する。 - 特許庁

IGZO whose principal components are indium, gallium, zinc, and oxygen is used for forming semiconductor layers 13 and 17 of a TFT substrate 1 having a TFT 5 and an auxiliary capacitance 6.例文帳に追加

ＴＦＴ５と補助容量６を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。 - 特許庁

When forming the semiconductor layers 13, 17 of a TFT substrate 1 provided with a TFT 4 and the auxiliary capacitor 5, IGZO whose main components are indium, gallium, zinc and oxygen is used.例文帳に追加

ＴＦＴ４と補助容量５を有するＴＦＴ基板１の半導体層１３、１７を形成するときに、インジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を主成分とするＩＧＺＯを使用する。 - 特許庁

The present invention relates to the method of manufacturing the IGZO-based amorphous oxide thin film by forming the IGZO-based amorphous oxide thin film on a substrate by sputtering and then performing annealing processing, in which the amorphous oxide thin film having the arbitrary electric resistance value within the range from the conductor region to the insulator region is manufactured by changing a combination of an amount of water in a film forming device and temperature of the annealing processing.例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 - 特許庁

To solve such a problem that a threshold voltage is greatly shifted to a negative value due to heat treatment of an a-IGZO thin film, and to suppress the maximum temperature in a device production process lower than a softening point of a plastic substrate.例文帳に追加

ａ−ＩＧＺＯ薄膜の熱処理による閾値電圧が大きく負の値にシフトしてしまう問題の解決とデバイス作製プロセスの最高温度をプラスチック基板の軟化点よりも低く抑える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an IGZO-based amorphous oxide thin film which has a desired electric resistance value within a range from a conductor region to an insulator region, and also has excellent stability against electrical stress and heat.例文帳に追加

導電体領域から絶縁体領域までの範囲内で所望の電気抵抗値有し、且つ、電気的ストレスに対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する - 特許庁

To manufacture an IGZO-based amorphous oxide semiconductor film by a sputtering method, which has suitable carrier density as an active layer of a TFT and excellent stability against electrical stress and heat.例文帳に追加

スパッタ法により、ＴＦＴの活性層として好適なキャリア密度を有し、且つ、電気的ストレス、及び熱に対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物半導体膜を製造する。 - 特許庁

To provide new gallium oxide powder whose aggregated particles tend to be easily broken when they are pulverized in order to improve miscibility with other powders, so as to become suitable as raw materials for sputtering targets such as IGZO (InGaZnOx).例文帳に追加

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体との混合性を高めるために、粉砕した際に凝集粒子が壊れやすい、新たな酸化ガリウム粉末を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact where the In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact composed mainly of the crystal of a compound denoted as In_2Ga_2ZnO_7 is obtained as an IGZO sintered compact.例文帳に追加

ＩＧＺＯ焼結体として、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である複合酸化物焼結体を得ることができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new gallium oxide powder capable of most densely filling the powder than a conventional one when the powder is subjected to compression molding by mixing with other powder, for example indium oxide powder, so as to be suitable as a raw material for a sputtering target such as IGZO.例文帳に追加

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体、例えば酸化インジウム粉末などと混合して圧縮成形した際に、従来よりも最密に充填することができる、新たな酸化ガリウム粉末を提供せんとする。 - 特許庁

In a first step, a vapor deposition method with a polycrystalline sintered body having an IGZO-based composition as a target is used to form, on a substrate 12, a thin film 10A comprising an amorphous oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn.例文帳に追加

第１工程として、基板１２上に、ＩＧＺＯ系の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとした気相成膜法を用いて、ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを成膜する。 - 特許庁