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IGZOとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 IGZOとは、インジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）を酸化（Oxidize）させることで結晶性を持たせた酸化物半導体のことである。、イグゾー
「IGZO」を含む例文一覧
該当件数 : 31件
To provide an IGZO-based oxide material which is composed of a single phase and is a semiconductor, and to provide a method for producing the IGZO-based oxide material.例文帳に追加
単相で且つ半導体のＩＧＺＯ系酸化物材料及びＩＧＺＯ系酸化物材料の製造方法を提供する。 - 特許庁
To improve heat resistance of electric characteristics of an IGZO film used as a transparent semiconductor.例文帳に追加
透明半導体として使用されるＩＧＺＯ膜の電気的特性の耐熱性を向上させる。 - 特許庁
An ohmic contact is formed by intentionally providing a buffer layer having a higher carrier concentration than an IGZO semiconductor layer between the IGZO semiconductor layer and the source and drain electrode layers.例文帳に追加
ソース電極層及びドレイン電極層とＩＧＺＯ半導体層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁
To make clear a composition whose moisture amount in a film can be reduced in an IGZO-system oxide semiconductor thin film, and to obtain an oxide semiconductor thin film that has a high reproducibility, and that is suitable for producing a large area device, in particular, a flexible device.例文帳に追加
IGZO系酸化物半導体薄膜において、膜中水分量を低減可能な組成を明らかにし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した酸化物半導体薄膜を得る。 - 特許庁
To manufacture an IGZO-based amorphous oxide insulating film which has excellent stability against electrical stress and heat.例文帳に追加
電気的ストレス及び熱に対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物絶縁膜を製造する。 - 特許庁
The semiconductor film made of IGZO-based amorphous oxide is manufactured by performing annealing processing under a condition satisfying an expression (2) after forming a film of an IGZO-based amorphous oxide layer by sputtering under a condition satisfying an expression (1).例文帳に追加
ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を下記式（１）を満足する条件でスパッタ成膜した後に、下記式（２）を満足する条件でアニール処理することにより、ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物からなる半導体膜を製造する。 - 特許庁
When the TFT substrate 1 is manufactured, a process of growing the IGZO film under a condition that oxygen is insufficient, a plasma process to the IGZO layer, or a baking process under nitrogen, is performed as a process of changing a threshold of the TFT 5.例文帳に追加
ＴＦＴ基板１を製造するときには、ＴＦＴ５の閾値を変動させる処理として、酸素不足の条件下でＩＧＺＯ層を成膜する処理、ＩＧＺＯ層に対するプラズマ処理、あるいは、窒素下でのベーク処理を行う。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「IGZO」の意味 |
IGZO
出典:『Wiktionary』 (2024/10/29 15:15 UTC 版)
発音
名詞
IGZO
- (semiconductor physics) Initialism of indium gallium zinc oxide: an oxide-semiconductor with the chemical formula InGaO3(ZnO)5
アナグラム
- Gizo
Weblio例文辞書での「IGZO」に類似した例文 |
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「IGZO」を含む例文一覧
該当件数 : 31件
To provide gallium oxide powder which is excellent in uniform miscibility with indium oxide powder, as a raw material of IGZO (InGaZnOx).例文帳に追加
ＩＧＺＯの原料として、酸化インジウム粉末との均一混合性に優れた酸化ガリウム粉末を提供する。 - 特許庁
To provide a sputtering target capable of suppressing the occurrence of abnormal discharge even if an IGZO sputtering target is used in DC sputtering.例文帳に追加
ＩＧＺＯスパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングで使用しても、異常放電の発生を抑制できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
To provide a thin-film transistor or the like that: includes an active layer composed of a single-phase and semiconductor IGZO-based oxide material represented by composition formula In_2-xGa_xO_3(ZnO)_m, particularly a crystalline IGZO-based oxide material where m=1; and has excellent electric characteristics.例文帳に追加
組成式Ｉｎ_２−ｘＧａ_ｘＯ_３（ＺｎＯ）_ｍの中でもｍ＝１の結晶質ＩＧＺＯ系酸化物材料において、単相で且つ半導体のＩＧＺＯ系酸化物材料からなる活性層を備え、良好な電気特性を有する薄膜トランジスタ等を提供する。 - 特許庁
An IGZO layer is formed on a substrate by vapor-depositing ions including In, Ga, and Zn from a first target, and the compositional ratio of In of the IGZO layer is turned to be 45 to 80 atomic% by vapor-depositing the ions including In from a second target.例文帳に追加
第１ターゲットからＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むイオンが蒸着されて基板上にＩＧＺＯ層が形成されるようにして、第２ターゲットからＩｎを含むイオンが蒸着されて前記ＩＧＺＯ層のＩｎの組成比が４５ないし８０ａｔ％になるようにする。 - 特許庁
To manufacture an IGZO-based field effect transistor which has small variance in element characteristics due to parasitic resistance between an active layer and an electrode.例文帳に追加
活性層—電極間の寄生抵抗に起因する素子特性のばらつきの少ないＩＧＺＯ系電界効果型トランジスタを製造する。 - 特許庁
To provide an IGZO sintered compact which can deposit a thin film having low specific resistance and also has high light transmittance, and a method for producing the same.例文帳に追加
比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩＧＺＯ焼結体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an IGZO field effect thin-film transistor with low power consumption and excellent element stability against environmental changes and driving.例文帳に追加
ＩＧＺＯ系電界効果型薄膜トランジスタにおいて、消費電力が少なく、環境変化及び駆動に対する素子安定性の優れたものとする - 特許庁
To provide a manufacturing method capable of simplifying a manufacturing process without causing elution of metal and providing a high-density IGZO sputtering target, and a sputtering target.例文帳に追加
金属の溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度なＩＧＺＯのスパッタリングターゲットが得られる製造方法およびスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁
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