「IGBT」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

APPARATUS USING IGBT MODULE HAVING MULTIPLE TERMINALS例文帳に追加

多端子を有するＩＧＢＴモジュールを使用した装置 - 特許庁

IGNITION DEVICE FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINE, SYSTEM AND IGBT例文帳に追加

内燃機関用点火装置，システムおよびＩＧＢＴ - 特許庁

SILICON WAFER FOR IGBT AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

ＩＧＢＴ用のシリコンウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

This results in a situation where one IGBT of the U-phase switching circuit, one IGBT of the V-phase switching circuit, and one IGBT of the W-phase switching circuit are arranged side by side in the left-right direction.例文帳に追加

そのため、Ｕ相スイッチング回路、Ｖ相スイッチング回路及びＷ相スイッチング回路のＩＧＢＴが１つずつ左右方向に隣合って配置されることになる。 - 特許庁

The gate voltage of the IGBT 2 is decreased by these diodes 31-33, thereby suppressing the current that flows to the IGBT 2, and element destruction of the IGBT can be prevented.例文帳に追加

これらのダイオード３１〜３３によりＩＧＢＴ２のゲート電圧を下げることでＩＧＢＴ２に流れる電流を抑え、その素子破壊を防止することができる。 - 特許庁

DEEP N-TYPE DIFFUSION FOR TRENCH TYPE IGBT例文帳に追加

トレンチタイプのＩＧＢＴのための深度Ｎタイプの拡散 - 特許庁

The controlling circuit 32 controls the drive signal generating circuit 34, which controls the IGBT 16, IGBT 20 so that the controlling circuit 32 can repeat as a set an alternating current period to alternately conduct the IGBT 16, IGBT 20 and a direct-current period to continuously conduct the IGBT 16 subsequent to the alternating current period.例文帳に追加

制御回路３２は、ＩＧＢＴ１６、２０を交互に導通させる交流期間と、この交流期間に続いてＩＧＢＴ１６を継続して導通させる直流期間とを、１組として、繰り返すように、ＩＧＢＴ１６、２０を駆動信号生成回路３４に制御させる。 - 特許庁

OVERCURRENT PROTECTION CIRCUIT OF IGBT HAVING REVERSE BREAKDOWN VOLTAGE例文帳に追加

逆耐圧を有するＩＧＢＴの過電流保護回路 - 特許庁

The IGBT device 10 is a thin substrate type high speed IGBT having the thickness of 50-200 μm is provided.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子１０は、基板厚さが５０μｍ−２００μｍの薄板基板型の高速ＩＧＢＴである。 - 特許庁

To suppress di/dt, dv/dt, at the switching of IGBT, while suppressing the increase of the switching time of the IGBT and suppressing the increase of loss.例文帳に追加

ＩＧＢＴのスイッチング時間，損失の増加を抑えながら、ＩＧＢＴのスイッチング時のｄｉ／ｄｔ，ｄｖ／ｄｔを抑制する。 - 特許庁

When both a high potential side IGBT drive signal output from high potential side IGBT drive circuits 11a to 11c and a low potential side IGBT drive signal output from low potential side IGBT drive circuits 11d to 11f, have an off-drive period simultaneously, the determination circuit 31 determines that the high potential side IGBT drive signal and the low potential side IGBT drive signal have the dead time.例文帳に追加

判定回路３１は、高電位側ＩＧＢＴ駆動回路１１ａ〜１１ｃから出力される高電位側ＩＧＢＴ駆動信号と低電位側ＩＧＢＴ駆動回路１１ｄ〜１１ｆから出力される低電位側ＩＧＢＴ駆動信号とに、同時にオフ駆動する期間があるとき、デッドタイムを有していると判定する。 - 特許庁

This power converter includes a voltage sensor 23 for detecting the voltage between the collector of an IGBT(insulated gate bipolar transistor) 6 and the emitter of an IGBT 8, and a voltage sensor 24 for detecting the voltage between the collector of an IGBT 7 and the emitter of an IGBT 9.例文帳に追加

ＩＧＢＴ６のコレクタとＩＧＢＴ８のエミッタとの間の電圧を検出する電圧センサ２３と、ＩＧＢＴ７のコレクタとＩＧＢＴ９のエミッタとの間の電圧を検出する電圧センサ２４とを備える。 - 特許庁

This IGBT 100 is a composite IGBT wherein a first IGBT 1 of a PNP type which has a low threshold voltage VTH1 and a second IGBT 2 of a PNP type which has a high threshold voltage VTH2 are connected in parallel.例文帳に追加

本例のＩＧＢＴ１００は、低い閾値電圧Ｖ_ＴＨ１ を持つｐｎｐ型の第１のＩＧＢＴ１と高い閾値電圧Ｖ_ＴＨ２ を持つｐｎｐ型の第２のＩＧＢＴ２とを並列接続した複合ＩＧＢＴである。 - 特許庁

Further, the controlling circuit 32 and the drive signal generating circuit 34 bring the IGBT 16 out of conduction once in the direct-current period, while conducting the IGBT 20 and then, making the IGBT 20 out of conduction, while conducting the IGBT 20.例文帳に追加

更に、制御回路３２及び駆動信号生成回路３４は、直流期間内に、１度、ＩＧＢＴ１６を非導通とし、かつＩＧＢＴ２０を導通させ、その後にＩＧＢＴ２０を非導通とし、ＩＧＢＴ２０を導通させる。 - 特許庁

A constant-voltage source is provided or induced by an external circuit for a reference to a source of a MOSFET or an emitter of an IGBT.例文帳に追加

定電圧源が、外部回路により提供されるか誘導されて、MOSFETのソースか、又は、IGBTのエミッターを参照する。 - 特許庁

STRUCTURE OF HIGH REVERSE BREAKDOWN-VOLTAGE IGBT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

高逆耐圧ＩＧＢＴの構造とその製造方法 - 特許庁

Since the threshold voltage of the IGBT 100 coincides with the threshold voltage of the first IGBT, the ON-state voltage is not increased.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００の閾値電圧が第１のＩＧＢＴの閾値電圧に合致しているので、オン電圧は上昇しない。 - 特許庁

Moreover, the voltage detection circuit 126 is connected to a drive terminal of the IGBT drive circuit 123 to which an emitter of the IGBT 113 is connected.例文帳に追加

また、ＩＧＢＴ１１３のエミッタが接続されるＩＧＢＴ駆動回路１２３の駆動端子に接続されている。 - 特許庁

The power loss is equally shared by each IGBT by alternately turning on and off each IGBT by using these signals.例文帳に追加

これらの信号により各ＩＧＢＴを交互にオン、オフし、各ＩＧＢＴにおいて電力損失を均等に分担させる。 - 特許庁

A gate electrode 26 is shared by IGBT 5a in a main cell and IGBT 5b in the sensing cell.例文帳に追加

メインセルにおけるＩＧＢＴ５ａおよびセンスセルにおけるＩＧＢＴ５ｂのゲート電極２６を分割せずに共通化させる。 - 特許庁

A drive control means (1) receives input signals (UPin) and (UNin) and outputs signals (UPout) and (UNout) for driving a switching element (IGBT).例文帳に追加

駆動制御手段(１)は、入力信号(UPin)(UNin)を受けてスイッチング素子(IGBT)を駆動するための信号(UPout)(UNout)を出力する。 - 特許庁

IGBT DRIVE CIRCUIT, SWITCHING CIRCUIT, AND PWM CIRCUIT例文帳に追加

ＩＧＢＴ駆動回路、スイッチング回路、及びＰＷＭ回路 - 特許庁

To provide an IGBT manufacturing method capable of easily and finely adjusting the injection amount of a hole in an IGBT and manufacturing the IGBT at a low manufacturing cost.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおけるホールの注入量を細かく調整することが容易で、かつ、ＩＧＢＴを安価な製造コストで製造することが可能なＩＧＢＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a highly reliable semiconductor device by excellently fixing a lower IGBT to an upper IGBT by solder and firmly connecting the lower IGBT to a wire.例文帳に追加

下部ＩＧＢＴと上部ＩＧＢＴとを半田により良好に固着すると共に、下部ＩＧＢＴとワイヤとを強固に接続して、信頼性の高い半導体装置を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a reverse conducting IGBT.例文帳に追加

半導体素子および逆導通ＩＧＢＴを提供すること。 - 特許庁

THIN PLATE IGBT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

薄板型ＩＧＢＴの製造方法及び薄板型ＩＧＢＴ - 特許庁

The voltage division node ND is connected to the emitter E of the IGBT 2.例文帳に追加

分圧ノードＮＤは、ＩＧＢＴ２のエミッタＥと接続される。 - 特許庁

A diode 20 is connected from the connecting point of the capacitor 17 to the diode 18 to the connecting point of the IGBT 6 and the IGBT 7.例文帳に追加

コンデンサ１７とダイオード１８の接続点からはＩＧＢＴ６とＩＧＢＴ７の接続点にダイオード２０が接続される。 - 特許庁

Switching characteristics of each IGBT chip are measured in a switching characteristic measuring process and the IGBT chips within a reference value is selected.例文帳に追加

スイッチング特性測定工程で、各ＩＧＢＴチップのスイッチング特性を測定し、規格値内のＩＧＢＴチップを選別する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for the usage of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) for manufacturing the IGBT excellent in breakdown voltage, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

耐圧に優れたＩＧＢＴを製造するＩＧＢＴ用途のエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This can improve a short circuit tolerance while suppressing a loss of the IGBT 1 during clamping the IGBT.例文帳に追加

したがって、クランプ時にＩＧＢＴ１を損失が大きくなることを抑制しつつ、短絡耐量を向上することが可能となる。 - 特許庁

When the current detection circuit 125 determines that current flows in the IGBT 110d even though a driving signal instructs turning off of the IGBT 110d, a control circuit 128 determines that the IGBT 110d is in an abnormal state where the IGBT 110d cannot be turned off.例文帳に追加

制御回路１２８は、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路１２５がＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断すると、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態にあると判断する。 - 特許庁

A rotating electrical machine drive controller 10 includes an inverter 14, which includes an IGBT soldered to a board, an IGBT temperature sensor 20, which detects the temperature of the IGBT, and a motor controller 18.例文帳に追加

回転電機駆動制御装置１０は、基板にはんだ接合されたＩＧＢＴを含むインバータ１４と、ＩＧＢＴの温度を検出するＩＧＢＴ温度センサ２０と、モータ制御部１８とを備える。 - 特許庁

The IGBT and the diode are connected in reversely parallel to each other.例文帳に追加

ＩＧＢＴとダイオードとは、互いに逆並列に接続されている。 - 特許庁

Thereby, the IGBT 2 has a dead zone for the ignition signals.例文帳に追加

それにより、ＩＧＢＴ２は、点火信号に対して不感帯を持つ。 - 特許庁

Therefore, thermal destruction of the IGBT 110d can be prevented.例文帳に追加

従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止することができる。 - 特許庁

The temperature of the IGBT rises by heat generated in the positive-characteristic thermistor.例文帳に追加

正特性サーミスタの発熱によってＩＧＢＴが昇温する。 - 特許庁

The IGBT region includes a trench gate having the bend, and the trench gate of the IGBT region is provided around the diode region.例文帳に追加

ＩＧＢＴ領域は、湾曲部を有するトレンチゲートを備えており、ＩＧＢＴ領域のトレンチゲートは、ダイオード領域を周回している。 - 特許庁

To reduce the snapback voltage of an IGBT element in an IGBT having freewheel diodes of inverse-parallel connection in the same chip.例文帳に追加

同一チップ内に逆並列接続した環流ダイオードを有するＩＧＢＴにおいて、ＩＧＢＴ素子のスナップバック電圧を低減する。 - 特許庁

To reduce the turn-off time of a bipolar transistor constituting an IGBT, and to readily operate the bipolar transistor that constitutes the IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴを構成するバイポーラトランジスタのターンオフ時間を短くし、かつＩＧＢＴを構成するバイポーラトランジスタを動作しやすくする。 - 特許庁

TRENCH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) WITH DEPRESSION STOP LAYER例文帳に追加

空乏ストップ層を有するトレンチ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ） - 特許庁

As a result, one IGBT element is not cut off prior to the other, and the load is thererby prevented from concentrating to the delayed other IGBT element.例文帳に追加

したがって、一方のＩＧＢＴ素子が先に遮断して、遅れた他方のＩＧＢＴ素子に負担が集中するということがない。 - 特許庁

To improve the recovery property of a built-in diode of IGBT without impairing forward characteristics of an insulated gate bipolar transistor (IGBT).例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の順方向特性を損なわずに、ＩＧＢＴの内蔵ダイオードのリカバリー特性を向上する。 - 特許庁

A collector terminal of an IGBT 27 is connected to an output terminal and an emitter terminal of the IGBT 27 is connected to a common sustain circuit through a virtual ground line, respectively.例文帳に追加

IGBT２７のコレクタ端子は出力端子に、エミッタ端子は仮想グランドラインを通じて共通サステイン回路１に夫々接続される。 - 特許庁

However, the current sinks allow to pass IGBT instruction signals therethrough.例文帳に追加

しかしながら、電流シンクは、ＩＧＢＴ命令信号は通過させる。 - 特許庁