「IGBT」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

IGBT, AND MANUFACTURING METHOD OF IGBT例文帳に追加

ＩＧＢＴ及びＩＧＢＴの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING IGBT AND IGBT例文帳に追加

ＩＧＢＴの製造方法及びＩＧＢＴ - 特許庁

IGBT AND DIODE例文帳に追加

ＩＧＢＴおよびダイオード - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF IGBT例文帳に追加

ＩＧＢＴの製造方法 - 特許庁

IGBT SIMULATION SYSTEM AND IGBT SIMULATION PROGRAM例文帳に追加

ＩＧＢＴシミュレーション装置およびＩＧＢＴシミュレーションプログラム - 特許庁

An IGBT 1a, an IGBT 1b and an IGBT 1c are formed on the bus bar 12 so as to correspond to the IGBT 2a, the IGBT 2b and the IGBT 2c, respectively.例文帳に追加

バスバー１２上には、ＩＧＢＴ２ａに対応してＩＧＢＴ１ａが、ＩＧＢＴ２ｂに対応してＩＧＢＴ１ｂが、ＩＧＢＴ２ｃに対応してＩＧＢＴ１ｃが、それぞれ実装されている。 - 特許庁

IE-TYPE TRENCH GATE IGBT例文帳に追加

ＩＥ型トレンチゲートＩＧＢＴ - 特許庁

Specifically, the IGBT is used as an output element for a driving circuit of a panel, wherein the IGBT is provided with the speed-up means.例文帳に追加

即ち、パネルの駆動回路の出力素子として、高速化手段を施したIGBTを用いる。 - 特許庁

GATE DRIVE APPARATUS FOR IGBT例文帳に追加

ＩＧＢＴ用ゲート駆動装置 - 特許庁

To provide an IGBT that can prevent the IGBT from being out of control and destruction and has superior turn-off characteristic with reduced tail current 95.例文帳に追加

IGBTの制御不能および破壊を防ぎ、かつテイル電流95を減少させた良好なターンオフ特性を有するIGBTを提供する。 - 特許庁

SOI TRENCH LATERAL IGBT例文帳に追加

ＳＯＩトレンチ横型ＩＧＢＴ - 特許庁

IGBT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＩＧＢＴとその製造方法 - 特許庁

OVERCURRENT PROTECTING CIRCUIT OF IGBT例文帳に追加

ＩＧＢＴの過電流保護回路 - 特許庁

POWER IGBT WITH HIGH INTENSITY例文帳に追加

高い強度をもつパワーＩＧＢＴ - 特許庁

ON-VEHICLE IGNITOR USING IGBT例文帳に追加

ＩＧＢＴを用いた車載イグナイタ - 特許庁

DRIVE METHOD FOR DOUBLE-GATE IGBT例文帳に追加

ダブルゲートＩＧＢＴの駆動方法 - 特許庁

MOUNTING STRUCTURE OF COMPLEMENTARY IGBT例文帳に追加

相補型ＩＧＢＴの実装構造 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING REVERSE BLOCKING IGBT例文帳に追加

逆阻止ＩＧＢＴの製造方法 - 特許庁

LATERAL IGBT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

横形ＩＧＢＴとその製造方法 - 特許庁

CIRCUIT FOR DRIVING GATE OF IGBT INVERTER例文帳に追加

ＩＧＢＴインバータのゲート駆動回路 - 特許庁

SURGE VOLTAGE SUPPRESSION CIRCUIT OF IGBT例文帳に追加

ＩＧＢＴのサージ電圧抑制回路 - 特許庁

IGBT TRANSIENT CHARACTERISTICS SIMULATION CIRCUIT例文帳に追加

ＩＧＢＴの過渡特性シミュレーション回路 - 特許庁

STROBE CONTROL CIRCUIT AND IGBT DEVICE例文帳に追加

ストロボ制御回路およびＩＧＢＴデバイス - 特許庁

To provide an IGBT which has a less tail current 64, when it is turned off and superior turn-off characteristics, and to provide a method of driving the same.例文帳に追加

IGBTのターンオフ時のテイル電流64を減少させ、良好なターンオフ特性を有するIGBTとその駆動方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND REVERSE CONDUCTING IGBT例文帳に追加

半導体素子および逆導通ＩＧＢＴ - 特許庁

A Zener diode 15a for protecting the IGBT is connected between collector gates of the IGBT 15.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１５のコレクタ・ゲート間にＩＧＢＴ保護用のツェナダイオード１５ａが接続される。 - 特許庁

The switching element is provided with IGBT, a diode connected in parallel to IGBT and a temperature sensor detecting a temperature of IGBT.例文帳に追加

スイッチング素子は、ＩＧＢＴと、ＩＧＢＴに並列接続されるダイオードと、ＩＧＢＴの温度を検出する温度センサとを有している。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER FOR IGBT例文帳に追加

ＩＧＢＴ用エピタキシャルウェーハの製造方法 - 特許庁

IGBT SERIES CONNECTION TYPE GATE DRIVE CIRCUIT例文帳に追加

ＩＧＢＴ直列接続式ゲート駆動回路 - 特許庁

TRENCH IGBT FOR LARGE CAPACITY LOAD例文帳に追加

大容量性負荷のためのトレンチＩＧＢＴ - 特許庁

To provide an IGBT capable of improving the efficiency of a trench IGBT device in various applications in a wide range.例文帳に追加

広範な種々のアプリケーションにおいて、トレンチＩＧＢＴデバイスの効率を改善すること。 - 特許庁

When shortcircuitting is generated in a load, the value of a saturation collector current of the IGBT 100 becomes lower than that of the first IGBT 1, so that the load shortcircuitting endurance of the IGBT 100 is improved.例文帳に追加

負荷短絡時には第１のＩＧＢＴ１よりは飽和コレクタ電流の電流値が下がるので、負荷短絡耐量が向上する。 - 特許庁

The IGBT module is constituted by connecting a plurality of IGBT chips 100.例文帳に追加

ＩＧＢＴモジュールは、複数個のＩＧＢＴチップ１００を接続することにより構成される。 - 特許庁

IGBT, AND GATE DRIVE CIRCUIT FOR DRIVING IT例文帳に追加

ＩＧＢＴとそれを駆動するゲート駆動回路 - 特許庁

The IGBT is formed on the SOI substrate.例文帳に追加

該ＳＯＩ基板にＩＧＢＴ等を形成する。 - 特許庁

To protect an IGBT from overvoltage by supplying a sufficient current to the gate of an IGBT, when overvoltage is applied to the IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴに過電圧が印加されたときに、十分なゲート電流をＩＧＢＴのゲートに供給して、ＩＧＢＴを過電圧から保護する。 - 特許庁

SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER FOR IGBT AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER FOR IGBT例文帳に追加

ＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハ及びＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an IGBT and a control circuit of the IGBT and the like are formed on a trench-isolated SOI substrate and which achieves a high breakdown voltage of the IGBT and improves turn-off characteristic of the IGBT.例文帳に追加

トレンチ分離されたＳＯＩ基板にＩＧＢＴとその制御回路等が形成される半導体装置において、ＩＧＢＴの高耐圧化及びターンオフ特性の改善等が必要になる。 - 特許庁

IGBT, AND POWER CONVERSION DEVICE USING SAME例文帳に追加

ＩＧＢＴとそれを用いた電力変換装置 - 特許庁

This inverter control device is provided with the variable gate voltage of an IGBT at each IGBT of an inverter part, the variable gate resistance of the IGBT, and a gate drive control circuit for controlling it.例文帳に追加

本発明のインバータ制御装置はインバータ部分のそれぞれのＩＧＢＴにIGBTの可変ゲート電圧と、ＩＧＢＴの可変ゲート抵抗と、それを制御するゲート駆動制御回路を備えている。 - 特許庁

The unit cell 1 includes one IGBT element 2.例文帳に追加

ユニットセル１は、一個のＩＧＢＴ素子２を含む。 - 特許庁

A three-level three-phase AC voltage is generated by turning on the IGBT elements Q1 and Q3, the IGBT elements Q2 and Q3, or the IGBT elements Q2 and Q4.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子Ｑ１，Ｑ３、ＩＧＢＴ素子Ｑ２，Ｑ３、またはＩＧＢＴ素子Ｑ２，Ｑ４をオンさせて３レベルの三相交流電圧を生成する。 - 特許庁

SILICON WAFER FOR IGBT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＩＧＢＴ用のシリコンウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

A gate width of a gate electrode of IGBT is increased.例文帳に追加

ＩＧＢＴのゲート電極のゲート幅を広げる。 - 特許庁

To reduce the resistance component of the emitter electrode of an IGBT and to suppress rise in costs due to a gold thin wire.例文帳に追加

IGBTのエミッタ電極の抵抗性分を低減し、且つ金細線のワイヤによるコスト高を抑える。 - 特許庁