「Impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The very shallow impurity diffusion layer is formed by conducting an annealing process using RLSA plasma, after performing carrying out ion implantation process at low energy.例文帳に追加

極浅の不純物拡散層は、低エネルギーでのイオン打ち込み工程の後、ＲＬＳＡプラズマを用いたアニール工程を行うことにより形成される。 - 特許庁

An element isolation region is formed on a semiconductor substrate 10, on which a high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1 and a semiconductor active layer 2 are laminated.例文帳に追加

高濃度不純物拡散半導体層１、半導体活性層２が積層された半導体基板１０に素子分離領域が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor region 12 on the opposite sides of the channel portion 13, n-type impurity diffusion layers 161 and 162 for source/drain electrodes are formed.例文帳に追加

チャネル部１３を隔てた両側の半導体領域１２にソース／ドレイン電極用のＮ型不純物拡散層１６１，１６２が形成されている。 - 特許庁

This protective film 5 functions as the implantation barrier layer for the carrier or the protective film for preventing the diffusion (infiltration) of the impurity into the high-withstand-voltage insulating film 4.例文帳に追加

この保護被膜５は、キャリアの注入バリア層あるいは耐圧絶縁膜４への不純物の拡散（侵入）を防止する保護被膜として機能する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of restricting variations of characteristics caused by a junction depth and having an extremely shallow impurity diffusion region.例文帳に追加

接合深さに起因する特性のバラツキを抑制可能な、極浅不純物拡散領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the concentration distribution of impurities in the depthwise direction of the base diffusion layer 12 is controlled, the base diffusion layer 12 having a desired concentration distribution can be formed and the base diffusion layer 12 displaying an approximately constant impurity concentration in the depthwise direction can be formed.例文帳に追加

これによって、ベース拡散層１２の深さ方向における不純物の濃度分布を制御し、所望の濃度分布を有するベース拡散層１２を形成することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示すベース拡散層１２を形成することができる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an impurity diffusion region 105 and a gate electrode 104 formed on a semiconductor substrate 101, a silicide layer 106 formed on the impurity diffusion region 105 and the gate electrode 104, and a first etching stop film 110 formed on the silicide layer 106.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１上に形成されたゲート電極１０４および不純物拡散領域１０５と、ゲート電極１４および不純物拡散領域１０５の上に形成されたシリサイド層１０６と、シリサイド層１０６上に形成された第１のエッチングストップ膜１１０とを備えている。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed in the surface layer, impurity ions are implanted, the organic film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method, and a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed from being desorbed from the surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a first conductivity-type well 2 provided in the semiconductor substrate 1, a second conductivity-type impurity diffusion layer 4 provided in the well 2, and a source connection electrode 5 brought into contact on the impurity diffusion layer 4 and the well 2.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１と、この半導体基板１中に設けられた第１導電型のウエル２と、このウエル２中に設けられた第２導電型の不純物拡散層４と、この不純物拡散層４及び前記ウエル２に接触されたソース接続電極５とを有する半導体装置である。 - 特許庁

A titanium film 10 is formed on an interlayer insulating film 3, where a contact hole 6 and an interconnection trench 9 are formed and on an impurity diffusion layer 2 exposed from the contact hole 2, then a titanium silicide film 11 is formed at the bottom of the contact hole 6 by causing a reaction between the titanium film 10 and the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

コンタクトホール６と配線溝９とが形成された層間絶縁膜３上、及びコンタクトホール６から露出した不純物拡散層２上に、チタン膜１０を形成し、このチタン膜１０と不純物拡散層２とを反応させ、コンタクトホール６の底に、チタンシリサイド層１１を形成する。 - 特許庁

To include an impurity diffusion region having a low impurity concentration and a deep junction depth immediately below a contact in an ESD protection element, and to prevent contact penetration in an MOS transistor due to static electricity without increasing a formation area in an MOS transistor.例文帳に追加

静電保護素子においてはコンタクト直下に不純物濃度が低く接合が深い不純物拡散領域を備え、ＭＯＳトランジスタにおいては形成面積を増大させずに静電気によるコンタクト突抜けを防止する。 - 特許庁

To prevent blooming of the readout gate section of a solid-state image pickup device, in which an impurity region for potential barrier is formed in the deep portion of a photodiode section, by suppressing the influence of thermal diffusion in the impurity region on the adjacent readout gate section.例文帳に追加

フォトダイオード部の深部にポテンシャルバリア用の不純物領域を形成する固体撮像装置において、不純物領域の熱拡散が隣接する読み出しゲート部に及ぶことを抑制し、この部分のブルーミングを防止する。 - 特許庁

Then heat treatment is carried out by irradiation with an energy beam 19 to diffuse impurity atoms in the silicon film 13 by using the compound layer 18 as an impurity diffusion source, thereby forming a source area 20 and a drain area 21.例文帳に追加

次に、エネルギービーム１９を照射して熱処理を行うことにより、化合物層１８を不純物拡散源としてシリコン膜１３に不純物原子を拡散させてソース領域２０およびドレイン領域２１を形成する。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor whose source/drain diffusion region can become a double diffusion drain junction structure, without forming a space oxide film by using a silicon nitride film as a protection film at impurity implantation, and for which the source/drain diffusion region of a more stabilized double diffusion structure can be formed by a one-time pattern process and an ion implantation process.例文帳に追加

高電圧用トランジスタの製造方法においてシリコン窒化膜を不純物注入時に防護膜とすることによってスペース酸化膜を形成しなくてもソース／ドレイン拡散領域を二重拡散ドレインジャンクション構造とし一度のパターン工程及びイオン注入工程により安定した二重拡散構造のソース／ドレイン拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide an amplifier for charge transfer devices and a solid-state imaging element, capable of preventing the charge detection sensitivity of an amplifier from decreasing, by preventing an impurity diffusion layer from being formed on a semiconductor substrate where a floating diffusion amplifier has been formed.例文帳に追加

フローティングディフュージョンアンプを形成した半導体基板に不純物拡散層が形成されることを防止することで、アンプの電荷検出感度の低下を防止できる電荷転送素子用アンプ及び固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

Concerning the compound semiconductor device with which a diffusing area containing a second electro-conductive impurity is cyclically located on the surface area of a first electro-conductive compound semiconductor, a diffusion blocking area containing a second electro-conductive impurity different from the impurity contained in the diffusing area is provided in the lateral periphery and/or on the bottom of the diffusion area.例文帳に追加

第１の電気伝導型の化合物半導体の表面領域に第２の電気伝導型の不純物を含む拡散領域が周期的に配列された化合物半導体素子において、前記拡散領域の、横方向周囲および／または底部に、前記拡散領域に含まれる不純物とは異なる第２の電気伝導型の不純物を含む拡散阻止領域が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

A source region is formed on one side of the gate electrode in a gate length direction, and a drain region is formed on the other side, both formed by impurity diffusion from polycrystalline silicon containing an impurity and filling the inside of the trench portion, deep enough to reach vicinity of the bottom of the gate electrode (vicinity of bottom of trench portion).例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域は、何れも、トレンチ内部に充填された不純物を含む多結晶シリコンからの不純物拡散によって形成され、ゲート電極の底部近傍（トレンチ部の底部近傍）の深さまで形成されている。 - 特許庁

When a deep source or drain diffusion layer region is formed with high impurity concentration, an intermediate region of higher impurity concentration than a semiconductor substrate having a conductivity type opposite to that of a source-drain layer is formed between the source-drain layer and the semiconductor substrate.例文帳に追加

高濃度で深いソース又はドレイン拡散層領域を形成する時、ソース・ドレイン拡散層と反対の導電型を有する半導体基板との間に該半導体基板の不純物濃度より高い濃度の中間領域を形成する。 - 特許庁

To provide a mask material composition that is suitably adoptable for a mask formed for diffusion barrier of an impurity diffusing component diffusing into a semiconductor substrate; a method for forming an impurity diffusing layer using the mask material composition; and a solar battery.例文帳に追加

半導体基板への不純物拡散成分の拡散の際に拡散保護のために形成するマスクに好適に採用可能なマスク材組成物、当該マスク材組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。 - 特許庁

A low resistant impurity including layer is formed by diffusion in the area to which a laser diode of a silicon substrate is fixed, thereafter the impurity including layer is removed by selective etching, and a difference in level is provided in the area in which the optical waveguide is formed.例文帳に追加

シリコン基板のレーザダイオードを固定する領域に低抵抗の不純物含有層を拡散により形成しておき、選択的エッチングで不純物含有層を除去して、光導波路を形成した領域との間に段差を設ける。 - 特許庁

The P-type impurity regions 9 are diffused by a thermal treatment carried out in an after process, an element isolating P-type impurity region 9a obtained by diffusion is diffused up to a point just under the side wall oxide film 7 at most, so that a channel is hardly narrowed.例文帳に追加

このＰ型不純物領域９は、後工程の熱処理により拡散するが、得られた素子分離用Ｐ型不純物領域９ａは高々サイドウォール酸化膜７の直下まで拡散するにすぎず、チャネル幅が狭くなるようなことはない。 - 特許庁

The gate electrode 20 is doped as an N-type, and an electrode 20b, a section located on the first and second impurity diffusion regions, has a lower concentration of impurity than an electrode 20a, which is a section located upward of the channel region.例文帳に追加

ゲート電極２０は、Ｎ型にドープされており、第一及び第二不純物拡散領域の上方に位置する部分の電極２０ｂの不純物濃度が、前記チャネル領域の上方に位置する部分２０ａの不純物濃度よりも低濃度である。 - 特許庁

To provide a method for fabricating an EEPROM, which can connect a memory cell transistor and a selection transistor reliably by a diffusion area having a high impurity concentration.例文帳に追加

高い不純物濃度を有する拡散領域によってメモリセルトランジスタと選択トランジスタとが確実に接続されるＥＥＰＲＯＭの製造方法を提供する。 - 特許庁

At least a part of the impurity diffusion layer 104 and at least a part of the recording layer PC are formed in a region surrounded by the side wall insulating film 106.例文帳に追加

不純物拡散層１０４の少なくとも一部及び記録層ＰＣの少なくとも一部は、サイドウォール絶縁膜１０６に囲まれた領域内に形成されている。 - 特許庁

A resistor row is composed of a plurality of resistor elements 5 formed of an impurity diffusion layer, and resistor elements 5a having the same element shape with the resistor element 5 are arranged on both sides of the resistor row composed of the resistor elements 5.例文帳に追加

不純物拡散層により形成された複数の抵抗素子５の列の両側に、抵抗素子５と素子形状が同じ抵抗素子５ａを配置する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a static protection element in which static damage is reduced by avoiding concentration of current to the vicinity of surface of an impurity diffusion region.例文帳に追加

静電保護用素子を有する半導体装置において、不純物拡散領域の表面近傍における電流集中を回避して静電破壊を起こり難くする。 - 特許庁

To further enhance an activation rate without increasing an impurity diffusion length for a material having a small thermal resistance such as SiGe or the like also in a millisecond anneal.例文帳に追加

ミリセカンドアニールにおいて、ＳｉＧｅなどの熱的耐性の小さい材料に対しても、不純物拡散長を増大させることなく、活性化率をさらに向上させる。 - 特許庁

The control part 33 and the isolation part 32 are formed to be shallower than the N-type diffusion layer 4 and have impurity concentration higher than a P-type well 2 of the substrate 1.例文帳に追加

これ等の制御部３３及び分離部３２は、前記ｎ型拡散層４よりも浅く、且つ基板１のｐ型ウェル２よりも高濃度の不純物濃度に形成される。 - 特許庁

A first gate electrode 13 is provided on the first side wall between the first and second impurity diffusion regions via a gate insulating film 12.例文帳に追加

第１ゲート電極１３は、第１不純物拡散領域と第２不純物拡散領域との間の第１側壁上にゲート絶縁膜１２を介して配設される。 - 特許庁

To ensure uniform thickness, quality and impurity diffusion of a film formed on a plurality of semiconductor wafers in a vertical reaction tube.例文帳に追加

縦型反応炉内において複数の半導体ウェーハを均一に処理ガスにさらすことによって、半導体ウェーハに均一な膜厚、膜質、不鈍物拡散を得ること。 - 特許庁

To bring a source-drain region composed of a silicon mixed crystal layer in an MIS transistor close to a channel region while preventing trouble due to diffusion of an impurity.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタにおけるシリコン混晶層からなるソースドレイン領域を、不純物の拡散による不具合を防止しながらチャネル領域に近づけることができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI substrate in which reduction in yield can be suppressed while impurity diffusion into a semiconductor film is suppressed.例文帳に追加

半導体膜への不純物の拡散を抑えつつ、歩留まりの低下を抑えることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。 - 特許庁

A bottom part of the bowing profile enters into the silicon semiconductor substrate, beyond the high concentration impurity diffusion semiconductor layer and improves the leakage characteristics of the element isolation region.例文帳に追加

ボーイング形状部底部は、高濃度不純物拡散半導体層を越えてシリコン半導体基板内に入り込み素子分離領域のリーク特性が向上する。 - 特許庁

A 1poly type memory cell 10 has a pair of source-drain region 11, a floating gate electrode layer 13, and an impurity diffusion region 14 for control gate.例文帳に追加

１ｐｏｌｙ型メモリセル１０は、１対のソース／ドレイン領域１１と、フローティングゲート電極層１３と、コントロールゲート用不純物拡散領域１４とを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for preventing degradation of a cell current by elevation of resistance because of decrease of impurity concentration of a diffusion layer or a semiconductor layer.例文帳に追加

拡散層、または半導体層の不純物濃度の低下による抵抗の上昇によるセル電流の低下を防止することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A first impurity diffusion region 33 is formed to the notch 19A of the narrow region 32 in a part of a layer other than the contact layer 19 of a semiconductor multilayer structure 10A.例文帳に追加

半導体積層構造１０Ａのコンタクト層１９以外の層の一部には、狭領域３２の切込み１９Ａに、第１不純物拡散領域３３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of forming an impurity low-density diffusion region close to a gate electrode in a second region, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

第２領域において不純物低密度拡散領域をゲート電極に近接して形成することができる半導体装置、及びその製造方法を得る。 - 特許庁

The thickness of polysilicon film and sheet resistance after diffusion of impurity are measured respectively, and the semiconductor film forming conditions are adjusted so as to always provide fixed values for the product of these values.例文帳に追加

ポリシリコン膜の膜厚と不純物導入後のシート抵抗をそれぞれ測定し、それらの積が常に一定になるように、半導体膜の形成条件を調整する。 - 特許庁

The impurity layer 7 of a conduction type opposite to that of the drain diffusion layer 11b is formed on the channel region at a position apart from the region 5a by an interval T.例文帳に追加

チャンネル領域に、ドレイン拡散層１１ｂとは逆導電型の不純物層７を、低濃度不純物領域５ａから間隔Ｔをあけた位置に形成する。 - 特許庁

Since a plurality of trenches are formed in the impurity diffusion area 2 and annealing is applied, a pressure reference chamber and the diaphragm section can be simultaneously formed.例文帳に追加

本発明によれば、不純物拡散領域２に複数のトレンチを形成しアニールを行うことにより、圧力基準室とダイアフラム部とを同時に形成することができる。 - 特許庁

With the first insulating film 6, a first thickness film part 8 is formed, and all the edge of the second impurity diffusion area 4 is positioned right under the first thickness film part 8.例文帳に追加

第１絶縁膜６には、第１厚膜部８が形成されており、第２不純物拡散領域４の全周縁は、第１厚膜部８の直下に位置している。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus which can prevent the occurrence of a process damage, while suppressing diffusion of an implanted impurity.例文帳に追加

注入された不純物の拡散を抑制しつつもプロセスダメージの発生を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The impurity diffusion layer 17 immediately below the dielectric film 18 is insulated from a single crystal silicon layer 13 by a field oxidized film 2 and a buried oxidized film 12.例文帳に追加

誘電体膜１８直下の不純物拡散層１７は、フィ−ルド酸化膜２、埋め込み酸化膜１２により単結晶シリコン層１３から絶縁されている。 - 特許庁

Therefore, the transfer characteristics and overflow characteristics of the signal charge are not heavily influenced even if locations, where each impurity diffusion region is formed, vary during manufacturing process.例文帳に追加

従って、製造工程において各不純物拡散領域の形成位置がばらついても、信号電荷の転送特性やオーバーフロー特性にはあまり影響しない。 - 特許庁

To suppress the diffusion of a p-type impurity (typically magnesium) contained in a semiconductor region of a III-V compound semiconductor into another adjacent semiconductor region.例文帳に追加

III-V族化合物半導体の半導体領域に含まれるｐ型の不純物（典型的にはマグネシウム）が隣接する他の半導体領域に拡散するのを抑制すること。 - 特許庁