「Impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

The diffusion preventing layer 4, which is provided between a photoelectric conversion layer 3 and a reflective metal layer 5 and consists of a ZnO layer, is not uniform in the impurity composition but has a plurality of layer constitutions having differing impurity concentrations or consisting of different materials or has graded impurity concentration distributions.例文帳に追加

光電変換層３と反射金属層５との間に設けたＺｎＯからなる拡散防止層４は、不純物組成が均一ではなく、不純物の濃度もしくは材料が異なる複数の層構成を有するか、または、グレーデッドな不純物濃度分布を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of suppressing outward diffusion of the impurity from a device isolation film containing the impurity in a heat treatment when forming another member after forming the device isolation film in the device isolation film containing the impurity.例文帳に追加

不純物を含有する素子分離膜において、当該素子分離膜を形成後の他の部材を形成する際の熱処理により、当該素子分離膜からの不純物の外方拡散を抑制することができる半導体装置および、その製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのしきい値制御の為に、ＤＤＤ不純物層形成にリンを用い、ＤＤＤ不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、ＭＯＳトランジスタのしきい値制御とＤＤＤ不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁

The impurity diffusion method comprises an oxidation step of forming an oxide film on a surface of a semiconductor of a substrate; a diffusion step of setting a gas partial pressure of a compound gas containing an impurity element to 0.1 torr to 800 torr, setting a temperature of the substrate to 750°C to 950°C, and diffusing the impurity element to the semiconductor through the oxide film.例文帳に追加

基板の半導体の表面に酸化膜を形成する酸化工程と、不純物元素を含む化合物ガスのガス分圧を０．１トール以上８００トール以下とし、前記基板の温度を７５０℃以上９５０℃以下として、前記酸化膜を介して前記半導体に前記不純物元素を拡散させる拡散工程と、を備えたことを特徴とする不純物拡散方法を提供する。 - 特許庁

In an impurity concentration profile 10 in a silicon substrate after high concentration ions are injected, a region whose impurity concentration is higher than the specified value 12 is a passive region 14 where silicon crystals are made amorphous and are not diffused, and a region whose impurity concentration is lower than the specified value 12 is a crystal region or a diffusion region 16 where diffusion is occurred.例文帳に追加

高濃度イオン注入後のシリコン基板中の不純物濃度プロファイル１０において、指定濃度１２よりも高い不純物濃度からなる領域では、シリコン結晶がアモルファス化された拡散の行われない不動領域１４とし、指定濃度１２よりも低い濃度からなる領域が結晶領域として拡散の行われる拡散領域１６とする。 - 特許庁

The impurity diffusion region 34 is set deeper at a position below a boundary between its inner periphery and a non-diffusion region in a current block layer 32 than at it center.例文帳に追加

また、その不純物拡散領域３４の深さは、内周側の不純物拡散領域３４と非拡散領域との電流ブロック層３２内における境界部の下側位置だけにおいて中央部よりも深くされている。 - 特許庁

In the impurity diffusion method of diffusing impurities into a substrate 10, a region 18 of the substrate 10 where impurities are diffused is coated, at first, with a solution containing a mask material that prevents diffusion of impurities.例文帳に追加

基板１０に不純物を拡散する不純物拡散方法では、まず、基板１０において不純物を拡散すべき領域１８に、不純物の拡散を防止するマスク材料を含む溶液を塗布する。 - 特許庁

Therefore, since the impurity is diffused broadly at the second diffusion layer 16 forming time, the second diffusion layer 16 can enlarge a part superposed with the gate electrode 13 relatively, and the transfer efficiency of the charge can be improved.例文帳に追加

このため、第２拡散層１６の形成時に不純物が広範囲に拡散するため、第２拡散層１６がゲート電極１３と重なる部分を比較的大きくすることができ、電荷の転送効率を向上できる。 - 特許庁

To provide a method of forming the contact of a semiconductor element which can prevent diffusion of impurity ions and reduce the contact resistance and leakage current by forming an embedded layer for preventing ion diffusion.例文帳に追加

イオン拡散防止埋込み層を形成することにより、不純物イオンの拡散を抑制し、コンタクト抵抗及び漏れ電流を低減することができる半導体素子のコンタクト形成方法に関するものである。 - 特許庁

With the insulating film 30 as a mask, a p-type impurity such as Zn is diffused to the semiconductor recess from the gate opening to form a gate diffusion layer 40.例文帳に追加

絶縁膜３０をマスクとして、ゲート開口部より半導体凹部にＺｎ等のｐ型不純物を拡散してゲート拡散層４０を形成する。 - 特許庁

This impurity is diffused due to heat, thereby forming a p-type pillar layer 14 in which diffusion layers 14A1 to 14A3 are coupled in a depthwise direction.例文帳に追加

熱によりこの不純物が拡散することにより、拡散層１４Ａ１〜３が深さ方向に結合されたｐ型ピラー層１４が形成される。 - 特許庁

The different materials are impurity diffusion layers of p-type conductivity and n-type conductivity which are formed contiguously to each other or separately from each other.例文帳に追加

また、異なる材料は、不純物を拡散させたｐ型とｎ型の導電型の拡散層であり、互いに隣接または隔離して形成されている。 - 特許庁

In the lower parts of the masks, such as the side wall sections 24, etc., lateral diffusion occurs and the low-concentration impurity-diffused areas can be formed with high controllability and reproducibility.例文帳に追加

サイドウォール部２４などのマスクの下部では、横方向の拡散が生じて低濃度の不純物拡散領域を制御性、再現性良く形成できる。 - 特許庁

To form micro protrusions in a part other than the lower part of a surface electrode and to form a structure similar to that formed by selective impurity diffusion.例文帳に追加

表面電極の下部以外の部分に微小な突起を生産性よく形成するとともに、選択的不純物拡散と同様な構造を形成する。 - 特許庁

An impurity region 130 comprising the component of the anti-diffusion film 120 is formed in the lower wiring 110 in a direction in which the via hole 230a is extended.例文帳に追加

下部配線１１０内にはビアホール２３０ａの延びる方向に拡散防止膜１２０の成分を含む不純物領域１３０が形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-state imaging device for efficiently transferring electric charges from a photodiode to a floating impurity diffusion region.例文帳に追加

フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor wafer and a highly reliable light-emitting device which suppress deterioration in the output of light emission based on the diffusion of an impurity to an active layer.例文帳に追加

活性層への不純物の拡散に基づく発光出力の低下を抑えた信頼性の高い半導体ウエハ及び発光装置を提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device includes photodiodes 1-1, first and second impurity diffusion layers 206-10, 206-12 of a first conductive type, and first and second transistors 2-1, 3-1.例文帳に追加

実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード1-1と、第１導電型の第１、第２不純物拡散層206-10,206-12と、第１、第２トランジスタ2-1,3-1とを備える。 - 特許庁

The field relaxing region is surrounded by the integrated impurity diffusion region 109, and extended below the second region of the gate electrode 106.例文帳に追加

ここで、電界緩和領域は、一体化した不純物拡散領域１０９に含まれ、且つ、ゲート電極１０６の第２領域の下方に延在する。 - 特許庁

Accordingly, a diffusion into the gate insulating film 3 or a channel region of impurity ions is inhibited, and the dispersion of the threshold voltage of a MISFET can be reduced.例文帳に追加

これにより、不純物イオンのゲート絶縁膜３中又はチャネル領域への拡散を抑制し、ＭＩＳＦＥＴのしきい値のばらつきを低減できる。 - 特許庁

A current flows between the diffusion regions N21 and N12 only if a region into which the impurity is introduced is used as a drain among the regions 103 and 104.例文帳に追加

領域１０３，１０４のうち不純物が導入された領域がドレインとして使用される場合にのみ、拡散領域Ｎ_21，Ｎ_12間に電流が流れる。 - 特許庁

An electrode 6 connected to the gate electrode G of the n-channel MOS transistor 1 and an impurity diffusion layer 7 are connected with each other through a capacitor 2.例文帳に追加

ＮｃｈＭＯＳトランジスタ１のゲート電極Ｇに接続されている電極６と、不純物拡散層７とは、コンデンサ２を介して接続される。 - 特許庁

Electrons are injected into the floating gate 40 by applying a high voltage to the second impurity diffusion layer 70 in capacitive coupling with the floating gate 40.例文帳に追加

フローティングゲート４０と容量カップリングした第２の不純物拡散層７０に高電圧を印加することによりフローティングゲート４０に電子が注入される。 - 特許庁

A first electrode 18, a solid electrolyte 19 and a second electrode 20 are laminated on the impurity diffusion layer 12 to form an electrolyte member 5.例文帳に追加

不純物拡散層１２の上に、第１電極１８、固体電解質１９および第２電極２０から成る電解質部材５を積層して形成する。 - 特許庁

To make a semiconductor device finer, and suppress a current leak in a common contact connecting a gate electrode and an impurity diffusion area.例文帳に追加

半導体装置を微細化するとともに、ゲート電極と不純物拡散領域とを接続する共通コンタクトにおける電流リークを抑制する。 - 特許庁

An impurity is implanted to form a low concentration diffusion layer 15 on the surface layer of the semiconductor substrate 1 with the gate electrode 5 and the sidewall 13 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極５およびサイドウォール１３をマスクにして半導体基板１の表面層に低濃度拡散層１５形成のための不純物を導入する。 - 特許庁

Since a surface cut off from a crystal surface several times is used as an upper surface, the generation of channeling can be prevented in forming an impurity diffusion layer 4 or the like.例文帳に追加

また、結晶面から数度オフされた面を上面とすることにより、不純物拡散層４等を形成する際のチャネリングを防止することができる。 - 特許庁

After an n-type impurity diffusion layer 3 is formed on at least one surface of the semiconductor substrate 1, a rear surface is abraded for thinning the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の一方の表面に少なくともｎ型の不純物拡散層３を形成後、裏面を削って前記半導体基板１を薄くする。 - 特許庁

A P-type flat initial impurity profile is kept in a P-type region 21a of the P-type semiconductor substrate 21 present above the N diffusion layer 35.例文帳に追加

Ｎ拡散層３５の上部に存在するＰ型半導体基板２１のＰ領域２１ａではＰ型の平坦な初期不純物プロファイルが維持されている。 - 特許庁

An N^+-type impurity is embedded to form an N^+-type embedded diffusion layer 11 on a P-type substrate 10 via an oxide film 30 formed in a predetermined thickness.例文帳に追加

Ｐ型基板１０上に所定の厚さで形成した酸化膜３０を介して、Ｎ^^+型埋め込み拡散層１１を形成するＮ^+型不純物を埋め込む。 - 特許庁

In the first step, the dopant gas is introduced into the reactor so as to compensate for the decrease in impurity concentration on the surface layer of the silicon wafer due to out diffusion.例文帳に追加

第１の工程においては、反応炉内にドーパントガスを導入し、外方拡散により低下するシリコンウェーハ表層の不純物濃度を補う。 - 特許庁

Thereby a current block layer 10 does not have to be laminated above the impurity diffusion region 16, and manufacture can be easily done.例文帳に追加

これにより、不純物拡散領域１６の上方に電流ブロック層１０を積層する必要がなくなり、容易に製造することが可能となる。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus which can prevent the occurrence of a process damage, while suppressing diffusion of an implanted impurity.例文帳に追加

注入された不純物の拡散を抑制しつつもプロセスダメージの発生を防止することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element comprising a capacitor protective film and a low-resistance contact material film which prevent degradation of a capacitor dielectric film due to impurity diffusion.例文帳に追加

不純物拡散によるキャパシタ誘電膜の劣化を防止するキャパシタ保護膜及び低抵抗コンタクト用物質膜を含む半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for forming a local channel having a steep impurity concentration distribution with high positional accuracy while preventing channeling and diffusion at an increased rate.例文帳に追加

チャネリングを防止しつつ、増速拡散を防止し、位置精度良く、急峻な不純物濃度分布を有するローカルチャネルを形成する技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a channel diffusion layer where surface concentration is high and impurity concentration distribution is steep, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

表面濃度が濃く且つ急峻な不純物濃度分布を有するチャネル拡散層を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A dug portion 6 which is lower than the interface between the gate insulating film 2 and semiconductor substrate 1 is provided on surfaces of the two impurity diffusion layers 4.例文帳に追加

２個の不純物拡散層４の表面に、ゲート絶縁膜２と半導体基板１との界面より低くなった掘り込み部６が設けられている。 - 特許庁

A pair of impurity diffusion regions 24a and 24b is formed in a part of surface region of the semiconductor substrate sandwiching the control electrode.例文帳に追加

一対の不純物拡散領域２４ａ、２４ｂは、半導体基板の表層領域の制御電極を挟む領域部分に形成されている。 - 特許庁

A resistance change portion 22 is formed between a part of surface region of the semiconductor substrate on the underside of the control electrode and the impurity diffusion region.例文帳に追加

抵抗変化部２２は、半導体基板の表層領域の、制御電極の下側の領域部分と不純物拡散領域との間に形成されている。 - 特許庁

The gate electrode 114 is formed by a semiconductor, for example polysilicon, in which an impurity having the same conductivity type as the first diffusion layer 116 is introduced.例文帳に追加

そしてゲート電極１１４は、第１拡散層１１６と同一導電型の不純物が導入された半導体、例えばポリシリコンにより形成されている。 - 特許庁

To suppress lateral diffusion of impurities and permit microfabrication of a semiconductor integrated circuit when thermally diffusing impurity areas in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の中の不純物領域を熱拡散する際に、その横方向拡散を抑制して半導体集積回路の微細化を実現する。 - 特許庁

An n-type impurity is diffused into the n-type diffusion layer 17 with a concentration gradient provided in the direction connecting a source electrode 21 and a drain electrode 22.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７は、ソース電極２１とドレイン電極２２とを、結ぶ方向に濃度勾配を設けてＮ型不純物が拡散されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus which forms a minute impurity diffusion region, and to provide the semiconductor apparatus and a solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

微細な不純物拡散領域を形成することが可能な半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 110 is formed at parts of an upper part of the AlGaN layer 104 which come into contact with at least the electrodes 107 and 108.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層１０４の上部における少なくとも各電極１０７、１０８と接触する部分には、不純物拡散層１１０が形成されている。 - 特許庁