「Impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DIFFUSION METHOD AND DIFFUSION DEVICE OF IMPURITY ATOMS例文帳に追加

不純物原子の拡散方法および拡散装置 - 特許庁

FORMING METHOD OF IMPURITY DIFFUSION LAYER例文帳に追加

不純物拡散層の形成方法 - 特許庁

IMPURITY DIFFUSION METHOD TO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板への不純物拡散方法 - 特許庁

DIFFUSION AGENT COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING IMPURITY DIFFUSION LAYER例文帳に追加

拡散剤組成物および不純物拡散層の形成方法 - 特許庁

To form a shallower impurity diffusion layer.例文帳に追加

より浅い不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

The concentration gradient of the impurity in the second impurity diffusion layer 206-12 equals the concentration gradient of the impurity in the first impurity diffusion layer 206-10.例文帳に追加

第２不純物拡散層206-12内の不純物の濃度勾配は、第１不純物拡散層206-10内の不純物の濃度勾配と等しい。 - 特許庁

Since the impurity diffusion region is formed by doping the impurity on the polysilicon layer, the impurity diffusion region can be formed shallow.例文帳に追加

ポリシリコン層に不純物をドーピングして不純物拡散領域を形成するため、不純物拡散領域を浅く形成できる。 - 特許庁

The impurity concentration of the impurity diffusion area 41 is higher than the impurity concentration of the drain area 35.例文帳に追加

不純物拡散領域４１の不純物濃度は、ドレイン領域３５の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

To form a shallow and narrow impurity diffusion layer.例文帳に追加

不純物拡散層を浅く狭く形成することである。 - 特許庁

QUARTZ GLASS HAVING ABILITY TO INHIBIT DIFFUSION OF METAL IMPURITY例文帳に追加

金属不純物拡散阻止能を有する石英ガラス - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING IMPURITY DIFFUSION DEPTH例文帳に追加

不純物拡散深さの測定方法および測定装置 - 特許庁

Then, an impurity diffusion region 109 integrated together by thermal diffusion is formed.例文帳に追加

熱拡散処理で一体化した不純物拡散領域１０９を形成する。 - 特許庁

The bit line isolation diffusion layer 18 includes a diffusion suppressor 18B for suppressing diffusion of an impurity.例文帳に追加

各ビット線分離拡散層１８は、不純物の拡散を抑制する拡散抑制物１８Ｂを含む。 - 特許庁

In annealing, the thermal diffusion of impurity is inhibited by the impurity diffusion inhibition layer, electrical junction depth becomes shallower, and at the same time impurity concentration becomes higher at a region being shallower than the impurity diffusion layer, thus reducing resistance in the impurity diffusion layer.例文帳に追加

アニール時における不純物の熱拡散がこの不純物拡散抑制層により抑制され、電気的接合深さが浅くなるとともに、不純物拡散層より浅い領域では不純物濃度が高濃度となり、不純物拡散層の抵抗を下げる。 - 特許庁

Under a diffusion layer 20 and a source region 16, a diffusion layer having a higher impurity concentration than the diffusion layer 20 is formed, in contact with the diffusion layer 20.例文帳に追加

ドレイン領域１５にサージ電圧が印加された場合、拡散層３１と３２の相互間でブレークダウンが発生する。 - 特許庁

The impurity diffusion layer 12 is removed by etching.例文帳に追加

その不純物拡散層１２をエッチングによって除去する。 - 特許庁

IMPURITY DIFFUSION METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

The depth of the base portion of the second impurity diffusion layer 206-12 is coincident with the depth of the base portion of the first impurity diffusion layer 206-10.例文帳に追加

第２不純物拡散層206-12は、その底部の深さが第１不純物拡散層206-10の底部の深さに一致する。 - 特許庁

IMPURITY DIFFUSION CONTROL METHOD IN SEMICONDUCTOR HETERO STRUCTURE例文帳に追加

半導体ヘテロ構造における不純物拡散制御手段 - 特許庁

A second impurity diffusion region 11b is formed on the surface of the semiconductor substrate, one end of the second impurity diffusion region is contacted with the first side wall, and has the same conduction type as the first impurity diffusion region.例文帳に追加

第２不純物拡散領域１１ｂは、半導体基板の表面に形成され、一端が第１側壁に接し、第１不純物拡散領域と同じ導電型を有する。 - 特許庁

To suppress an outward diffusion of impurities at heat treatment of an impurity diffusion layer.例文帳に追加

不純物拡散層の熱処理時における不純物の外方拡散を抑制する。 - 特許庁

Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive type reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further formed shallower than the first impurity diffusion region 20.例文帳に追加

さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電型である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともに、これを第１不純物拡散領域２０より浅く形成する。 - 特許庁

To obtain impurity diffusion of high mass productivity at a low cost.例文帳に追加

低コストで量産性の高い不純物拡散を実現する。 - 特許庁

The first impurity diffusion layer 206-10 separates between the photodiodes 1-1.例文帳に追加

第１不純物拡散層206-10は、フォトダイオード1-1間を分離する。 - 特許庁

The impurity diffusion suppression region 22 is formed of In_x1Al_1-x1N (where 0<X1<1).例文帳に追加

不純物拡散抑制領域２２は、In_x1Al_1-x1N（但し、0＜X1＜1）である。 - 特許庁

An isolated region 2 is disposed between the first impurity diffusion region 13 and the second impurity diffusion region 5.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域１３と第２の不純物拡散領域５との間に分離領域２が配置されている。 - 特許庁

To provide a diffusion method and a diffusion device of impurity atoms with small variations in depth of diffusion between lots.例文帳に追加

ロット間における拡散深さのばらつきが小さい不純物原子の拡散方法および拡散装置を提供する。 - 特許庁

The floating diffusion layer 1 includes a diffusion region 11 and a diffusion region 12 having a higher impurity concentration than that of the diffusion region 11.例文帳に追加

浮遊拡散層１は、拡散領域１１と、拡散領域１１より高い不純物濃度を有する拡散領域１２とを含んでいる。 - 特許庁

One impurity diffusion region of the first transistor constitutes a common diffusion region continuously up to one impurity diffusion region of the second transistor through the impurity diffusion region arranged to the surface layer section of a substrate.例文帳に追加

第１のトランジスタの一方の不純物拡散領域が、基板の表層部に配置された不純物拡散領域を介して第２のトランジスタの一方の不純物拡散領域まで連続して共通拡散領域を構成している。 - 特許庁

An impurity diffusion layer is formed on the flexible portion 22.例文帳に追加

可撓部２２には、図示しない不純物拡散層が形成されている。 - 特許庁

The extension part is of the same conductivity type with the impurity diffusion region and connected to an impurity diffusion region on a corresponding side.例文帳に追加

エクステンション部は、不純物拡散領域と同一導電型であり、対応する側の不純物拡散領域に接続されている。 - 特許庁

The resistance change portion 22 is second conductivity-type, and has an impurity concentration lower than that in the impurity diffusion region.例文帳に追加

抵抗変化部は、第２導電型であり、不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い。 - 特許庁

Separation part regions Scp1, Scp2 are respectively formed between an impurity diffusion region 11 of a transistor Tp1 and an impurity diffusion region 12 of a transistor Tp2, and between an impurity diffusion region 13 of the transistor Tp2 and an impurity diffusion region 14 of a transistor Tp3.例文帳に追加

トランジスタＴｐ１の不純物拡散領域１１とトランジスタＴｐ２の不純物拡散領域１２との間、および、トランジスタＴｐ２の不純物拡散領域１３とトランジスタＴｐ３の不純物拡散領域１４との間に、分離部分領域Ｓｃｐ１，Ｓｃｐ２がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 are placed in parallel with a substrate face of a semiconductor substrate 11 as two layers, and a PN junction comprising the N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 forms a diode structure.例文帳に追加

Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４は半導体基板１１の基板面に対して平行となるように２層に設けられ、該Ｎ型不純物拡散層１３及びＰ型不純物拡散層１４とのＰＮ接合によるダイオード構造が形成される。 - 特許庁

First conductivity impurities of large mass are diffused under the extension high-concentration impurity diffusion layers 15, by which a P-type pocket impurity diffusion layer 16 is formed under the impurity diffusion layers 15.例文帳に追加

エクステンション高濃度不純物拡散層１５の下側には、質量の大きい第１導電型の不純物が拡散されることにより形成されたｐ型のポケット不純物拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive layer reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further it is made to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電層である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともにソース２６とドレイン２８とも隣接させる。 - 特許庁

N-type extension high- concentration impurity diffusion layers 15 possessed of a shallow junction and N-type high-concentration impurity diffusion layers 14 possessed of a deep junction are each formed on both sides of the P-type impurity diffusion layer 13.例文帳に追加

ｐ型の不純物拡散層１３の両側には、浅い接合を持つｎ型のエクステンション高濃度不純物拡散層１５及び深い接合を持つｎ型の高濃度不純物拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

The current diffusion layer has a first conductivity type impurity density.例文帳に追加

電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。 - 特許庁

A dielectric film is disposed on the first impurity diffusion region.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域の上に誘電体膜が配置される。 - 特許庁

The second impurity concentration that the p type diffusion area 21 has is lower than the first impurity concentration that the p+ type diffusion region 5 has.例文帳に追加

ｐ型拡散領域２１の有する第２の不純物濃度は、ｐ＋型拡散領域５の有する第１の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

The impurity concentration of the first diffusion layer 54 is higher than that of the substrate 6.例文帳に追加

第１の拡散層５４の不純物濃度が基板６より濃い。 - 特許庁

Furthermore, the solar cell is provided with the semiconductor substrate, whereon the impurity diffusion layer has been formed by means of the impurity diffusion layer formation method.例文帳に追加

また、太陽電池は、上述の不純物拡散層の形成方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を備える。 - 特許庁

To obtain an impurity diffusion apparatus capable of performing a uniform impurity diffusion on semiconductor element substrates over the whole region in a quartz tube.例文帳に追加

石英チューブ内の全域に亘り、半導体素子基板に均一な不純物拡散を行なうことができる不純物拡散装置を得ること。 - 特許庁

The n-type high concentration diffusion layer 10 has an impurity concentration higher than that of the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型低濃度拡散層９よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

When an n-type or a p-type impurity diffusion layer 52 is formed on a surface of a monocrystalline silicon substrate 51, the impurity concentration in the impurity diffusion layer 52 is appropriately determined.例文帳に追加

単結晶シリコン基板５１の表面上にＮ型またはＰ型の不純物拡散層５２を形成する際に、不純物拡散層５２中の不純物濃度を適宜設定する。 - 特許庁