「Impurity diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor laser (single-crystal substrate) 101, which suppresses impurity diffusion in an active layer and has high characteristic temperature and a high modulation frequency.例文帳に追加

活性層への不純物拡散を抑制し、かつ、特性温度および変調周波数が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion agent composition excellent in coating film formation properties and discharge stability and capable of being applied suitably for a spray coating method, a method of forming an impurity diffusion layer using the diffusion agent composition, and a solar battery.例文帳に追加

優れた塗膜形成性および吐出安定性を有し、スプレー塗布法に好適に採用可能な拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。 - 特許庁

The wafer is bisected along a center line 21 of a nondiffusing layer 20, and a diffusion wafer 22a having a double-layer structure of the high concentration impurity diffusion layer 19 and the nondiffusing layer 20 is formed as two wafers.例文帳に追加

そして、非拡散層２０の中央線２１に沿って二分割し、高濃度不純物拡散層１９と非拡散層２０の２層構造の拡散ウェーハ２２ａを２枚に形成する。 - 特許庁

The anti-diffusion region 22 is provided to have a thickness not smaller than a diffusion distance of the P type impurity from the collector region 11 toward the buffer region 12 in an element formation process.例文帳に追加

拡散防止領域２２は、素子形成プロセスにおいてコレクタ領域１１からバッファ領域１２側へＰ型不純物が拡散する距離以上の厚みで設けられている。 - 特許庁

Meanwhile, an n+ diffusion region 12b of the source electrode and an n+ diffusion region 13b of the drain region are formed by injecting a high-concentration n-type impurity into the simultaneously provided contact holes.例文帳に追加

なお、ソース電極のｎ＋拡散領域１２ｂとドレイン電極のｎ＋拡散領域１３ｂは、同時に設けたコンタクトホールに高濃度のｎ型不純物を注入して形成する。 - 特許庁

According to the plantation, an auxiliary diffusion region 153, is formed as consisting of a second impurity having a concentration higher than that of the extension region 151 and lower than that of the main diffusion region 152 of the source/drain.例文帳に追加

これにより、エクステンション領域１５１よりも高く、かつソース／ドレインの主拡散領域１５２よりも低い濃度の第２不純物による補助拡散領域１５３が形成される。 - 特許庁

Consequently, the diffusion region 18 formed on the half-dry mask 14 has a higher impurity concentration when compared with that in a diffusion region 16 where the half-dry mask 14 is not formed.例文帳に追加

これにより、半乾きマスク１４に形成された拡散領域１８は、半乾きマスク１４を形成しなかった拡散領域１６に比べて、不純物の濃度が高くなる。 - 特許庁

An oxide film is formed on the surface of a semiconductor substrate in advance, and the semiconductor substrate is put into a diffusion furnace to diffuse impurities, thereby forming an impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板表面には酸化膜をあらかじめ形成し、この半導体基板を拡散炉に収容して不純物を拡散させることにより不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

In an IGBT, an N--type epitaxial layer 3 is formed on a P+-type silicon substrate 1 via an N+-type silicon layer 2, and a P-type impurity diffusion region 4 and an N+-type impurity diffusion region 5 are formed in the surface layer part of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、Ｐ^+ 型シリコン基板１の上にＮ^+ 型シリコン層２を介してＮ^- 型エピタキシャル層３が形成され、エピタキシャル層３の表層部にＰ型不純物拡散領域４およびＮ^+ 型不純物拡散領域５が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing a crystal defect in an impurity diffusion region or in the circumference of the region, when the impurity diffusion region is formed in a region enclosed by the trench of a semiconductor substrate by ion implantation method.例文帳に追加

半導体基板のトレンチに挟まれた領域に、イオン注入法により、不純物拡散領域を形成する場合に、不純物拡散領域およびその周辺での結晶欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a variance of sheet resistance in an impurity diffused layer can be suppressed when the impurity diffused layer is formed in a semiconductor substrate through the vapor-phase diffusion of impurities in a diffusion furnace.例文帳に追加

拡散炉において不純物を気相拡散させることにより半導体基板に不純物拡散層を形成した半導体装置の製造方法において、不純物拡散層のシート抵抗のばらつきを抑制可能とした製造方法を提供する。 - 特許庁

The PNP bipolar transistor 164 is formed by P-type, N-type, and P-type impurity diffusion regions 122, 126, and 128 that are formed in the direction of the depth of a substrate, and the zener diode 150 is formed by the N-type and P-type impurity diffusion regions 126 and 128.例文帳に追加

ＰＮＰバイポーラトランジスタ１６４は、基板の深さ方向に形成したＰ型、Ｎ型及びＰ型不純物拡散領域１２２，１２６，１２８にて形成され、ツェナーダイオード１５０は、Ｎ型及びＰ型不純物拡散領域１２６，１２８にて形成される。 - 特許庁

To suppress an increase in junction leakage current without causing corrosion or the like in an impurity diffusion region, to completely decrease a resistance value of the impurity diffusion region, and to provide a further microscopic, highly integrated, low electric power consumption, and high speed operational semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散領域の侵食等を生ぜしめることなく接合リーク電流の増大を抑制して不純物拡散領域の抵抗値を十分に低減し、更なる微細化・高集積化を実現して、低消費電力で高速動作を可能とする。 - 特許庁

The first electrode 26a is constituted of an N-type diffusion layer 26, having a high impurity concentration so as to prevent breakdown, even when a high voltage is applied to the first electrode 26a; and an N-type well 25, having impurity concentration lower than that of the N-type diffusion layer is formed around the first electrode 26a.例文帳に追加

第１の電極２６ａに高い電圧が印加されてもブレークダウンしないように、第１の電極２６ａは、不純物濃度の高いＮ拡散層２６からなり、その周囲にＮ拡散層よりも不純物濃度が低いＮウエル２５が形成されている。 - 特許庁

Optical carriers generated inside an N-type impurity diffusion layer 8, formed on the surface of an N-type epitaxial layer 6 on a P-type semiconductor substrate 1 move into a depletion layer by a built-in field made by the concentration slope of impurity diffusion, and a photocurrent is generated.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上のＮ型エピタキシャル層６表面に形成されたＮ型不純物拡散層８内で発生した光キャリアは、不純物拡散の濃度傾斜による内蔵電界により空乏層中まで移動し、光電流が生じる。 - 特許庁

By selecting an impurity concentration of the second selective impurity introduction region 18, the first conductivity type in the region expanded by a lateral impurity diffusion from the first selective impurity introduction region 17 is cancelled to suppress a practical expansion of the element isolation region 16 in a lateral direction.例文帳に追加

第２の選択的不純物導入領域１８の不純物濃度の選定によって第１の選択的不純物導入領域１７からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第１導電型の打消しを行って、素子分離領域１６の横方向の実質的広がりを抑制する。 - 特許庁

The epitaxial growth of the n-type Si layer at temperatures ranging from approximate 1,000 to 1,200°C causes an impurity in an embedded type impurity layer to rise at the n-type Si layer side, however, the impurity diffusion from the embedded impurity layer in the varactor-forming region with the carbon introduced on its surface is suppressed to suppress the rise of the phosphorous.例文帳に追加

Ｎ型Ｓｉ層は約１０００〜１２００℃でエピタキシャル成長させるため、埋め込み型不純物層中の不純物がＮ型Ｓｉ層側にせり上がってくるが、表面にカーボンが導入されているバラクタ形成領域は埋め込み不純物層からの不純物拡散が抑制され、リンのせり上がりを抑制できる。 - 特許庁

Since the n type impurity layer obstructs the advance of diffusion of the channel layer, the depth of the channel layer can be controlled correctly by forming the n type impurity layer in the position where the desired depth of the channel layer is obtained.例文帳に追加

ｎ型不純物層は、チャネル層の拡散の進行を阻むため、所望のチャネル層深さが得られる位置にｎ型不純物層を形成することによりチャネル層深さを正確に制御できる。 - 特許庁

Alternately, the impurity diffusion layer 8, whose impurity concentration is lower than 1x10^19cm^-3, is formed larger than the depth of 1.2μm or smaller, exceeding 0.3μm from the surface of the epitaxial layer 6.例文帳に追加

または、エピタキシャル層６の表面から０．３μｍを超え、かつ、１．２μｍ以下の深さにわたって不純物濃度が１×１０^１９ｃｍ^−３より低い不純物拡散層８を形成する。 - 特許庁

Therefore, the impurity diffusion layer 8, whose impurity concentration is lower than 1x10^20cm^-3, is formed ranging to a depth of 0.3μm or less, exceeding 0.1μm from the surface of the epitaxial layer 6.例文帳に追加

よって、エピタキシャル層６の表面から０．１μｍを超え、０．３μｍ以下の深さにわたって不純物濃度が１×１０^２０ｃｍ^−３より低い不純物拡散層８を形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element, wherein not only an ionic impurity present in a liquid crystal layer is made to adsorb by an adsorption film, but also diffusion of the adsorbed ionic impurity due to light and heat, and decomposition of a liquid crystal are prevented.例文帳に追加

液晶層内に存在するイオン性不純物を吸着膜に吸着させるだけでなく、吸着されたイオン性不純物の光や熱による拡散や液晶の分解を回避する。 - 特許庁

To eliminate the need for heat treatment over a long time in the impurity diffusion process while protecting a tunnel insulation film against damage due to implantation of impurity ions using a gate electrode as a mask.例文帳に追加

ゲート電極をマスクとした不純物イオンの注入によるトンネル絶縁膜への損傷を防止しながら、不純物拡散工程における長時間にわたる熱処理を不要にできるようにする。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 60 are formed at least on side walls of the movable electrode and the fixed electrodes 16b, 22b, and the impurity for suppressing substrate etching for forming the cavity 2 is added thereto.例文帳に追加

少なくとも可動電極と固定電極１６ｂ，２２ｂの側壁には不純物拡散層６０が形成され、空洞２を形成するための基板エッチングを抑制する不純物が添加されている。 - 特許庁

By doping impurity to the top area of the first single-crystal silicon film 107 and the whole area of the second single-crystal silicon film 108, an impurity diffusion layer 109 being a source or drain is formed.例文帳に追加

第１の単結晶シリコン膜１０７の上部領域及び第２の単結晶シリコン膜１０８の全領域に不純物をドープして、ソース又はドレインとなる不純物拡散層１０９を形成する。 - 特許庁

The first semiconductor diffusion layer reaches to a second position from the top surface of the semiconductor layer located among the plurality of trenches and has a third impurity concentration lower than the second impurity concentration.例文帳に追加

第１半導体拡散層は、複数のトレンチの間に位置する半導体層の上面から第２の位置に達し且つ第２の不純物濃度より小さい第３の不純物濃度を有する。 - 特許庁

Thus, the impurity diffusion layer 14 embedded in the hole part 13 is made into a depletion layer and the effective diameter ϕ of the impurity diffused layer 14 is made smaller than the diameter of the hole part 13.例文帳に追加

これにより、孔部１３に埋め込まれた不純物拡散層１４を空乏層化させて、この不純物拡散層１４の実効的な径φを孔部１３の径よりも小さくすることができる。 - 特許庁

A second conductive type of first impurity diffusion region 13 is formed in a partial region of a surface of the first layer 12.例文帳に追加

第１の層１２の表面の一部の領域に第２導電型の第１の不純物拡散領域１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device with high performance and high reliability by suppressing diffusion of channel impurity of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのチャネル不純物の拡散を抑制し、高性能・高信頼性を実現しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask ROM with the intervals between embedded type impurity diffusion regions shrunk efficiently, and also provide a method for its manufacturing.例文帳に追加

埋め込み型不純物拡散領域同士の間隔が効率良く縮められるマスクＲＯＭ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The second clad layer 6 has a p-type impurity selective diffusion region 7 formed by selectively diffusing Zn.例文帳に追加

また、第２クラッド層６は、Ｚｎが選択拡散されることによって形成されたｐ型の不純物選択拡散領域７を有している。 - 特許庁

A TiW layer 7, an Au layer 8, a Pt layer 11, and an AuSn layer 9 are formed sequentially on the impurity diffusion layer 5.例文帳に追加

不純物拡散層５上にＴｉＷ層７、Ａｕ層８、Ｐｔ層１１、およびＡｕＳｎ層９が順に積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure in which a high-concentration impurity diffusion layer 9 is embedded in a polysilicon film as a gate electrode of the groove type transistor.例文帳に追加

溝型トランジスタのゲート電極であるポリシリコン膜中に高濃度不純物拡散材料９が埋設された構造を有する。 - 特許庁

By forming the impurity diffusion regions 9, a depletion layer can be extended toward the base region side to increase a withstand voltage.例文帳に追加

この不純物拡散領域９を形成することによりベース領域側に空乏層を伸ばして耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

To improve a MIS transistor in driving force by a method wherein the junction position of an extension high-concentration impurity diffusion layer is set shallow.例文帳に追加

エクステンション高濃度不純物拡散層の接合位置を浅くすることにより、ＭＩＳ型トランジスタの駆動力の向上を図る。 - 特許庁

Further, unwanted diffusion of an impurity introduced into the semiconductor substrate is suppressed, by forming the film under low temperature conditions.例文帳に追加

また、低温条件で成膜することにより、半導体基板内に導入されている不純物の不要な拡散が抑えられるようになる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell with high photoelectric conversion efficiency by easily forming an impurity diffusion layer on one of sides of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の一方の面に不純物拡散層を容易に形成し、光電変換効率の高い太陽電池を作製する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor which suppresses the short channel effect by forming a shallow impurity diffusion layer.例文帳に追加

深さの浅い不純物拡散層を形成することにより短チャネル効果を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the vertical MOS semiconductor device 1, a source region is formed of double diffusion structures 5 and 6 of different impurity concentrations.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳ半導体装置１では、ソース領域を不純物濃度の異なる二重拡散構造５、６により形成する。 - 特許庁

A first impurity diffusion layer 60 is provided in the semiconductor substrate 20 separately apart from the floating gate 40 by a predetermined distance.例文帳に追加

第１の不純物拡散層６０は、半導体基板２０内に設けられ、フローティングゲート４０から所定の距離だけ離間している。 - 特許庁

To provide a structure that is reduced in contact resistance between bit wiring and an impurity diffusion layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明はビット配線と半導体基板上の不純物拡散層とのコンタクト抵抗を低減した構造の提供を目的とする。 - 特許庁

In addition, the particles are allowed to pass through the gas phase of a diffusion source in order to form a surface layer by doping the impurity into the surface of the particles.例文帳に追加

さらにその粒子の表面に、不純物をドープして表面層を形成するために、拡散源の気相中を通過させる。 - 特許庁

A 2nd impurity diffusion area of the cell Tr is connected to an accumulation electrode of the capacitor and a gate electrode of the 1st search Tr.例文帳に追加

セルＴｒの第２の不純物拡散領域がキャパシタの蓄積電極及び第１サーチＴｒのゲート電極に接続される。 - 特許庁

To improve electrical characteristics furthermore when an impurity diffusion layer is formed in a semiconductor substrate used in a solar cell or the like.例文帳に追加

太陽電池などに用いられる半導体基板中に不純物拡散層を形成したときに電気特性のさらなる向上を図る。 - 特許庁

The electron potential energy of the lower-part diode impurity layer 41 in an initial state is higher than that of the floating diffusion layer 43.例文帳に追加

下部ダイオード不純物層４１の初期状態における電子ポテンシャルエネルギーは、浮遊拡散層４３の電子ポテンシャルエネルギーよりも高い。 - 特許庁

To provide a solar cell manufacturing method in which a desired impurity diffusion region can be stably formed within a narrow range.例文帳に追加

狭小な範囲に所望の不純物拡散領域を安定的に形成することができる太陽電池製造方法を提供する。 - 特許庁