「Magnetization」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A magnetization direction of a free layer is settled in a precedence direction along its anisotropic axis (longer axis).例文帳に追加

フリー層の磁化方向はその異方性軸（長軸）に沿った優先方向に落ち着く。 - 特許庁

DEVICE FOR MEASURING AMOUNT OF AC MAGNETIZATION OF MATERIAL, AND METHOD OF DETECTING BIOMOLECULE例文帳に追加

材料の交流磁化量を測定する装置および生体分子を検出する方法 - 特許庁

To tack magnetization of the magnetic collecting substance 2, a hard magnetic substance 3 is composited.例文帳に追加

さらに、この集磁物質２の磁化をピン止めさせるため、硬磁性物質３を複合化する。 - 特許庁

The energy assists magnetization direction change due to the recording magnetic field generated by the magnetic pole.例文帳に追加

このエネルギーは、磁極が生成する記録磁界による磁化方向変化をアシストする。 - 特許庁

The magnetization free layers 15, 25 are magnetically coupled to each other via the intermediate wiring layer 50.例文帳に追加

磁化自由層１５、２５は、中間配線層５０を介して磁気的に結合している。 - 特許庁

METHOD OF INVERSION OF MAGNETIZATION FOR MAGNETIC FILM, MAGNETIC RESISTANCE EFFECT FILM AND MAGNETIC MEMORY EMPLOYING THE SAME例文帳に追加

磁性膜の磁化反転方法、磁気抵抗効果膜及びそれを用いた磁気メモリ - 特許庁

The free magnetic body includes a storage region in which the magnetization direction changes to any one of easy directions and a magnetization direction transition region in which displacement of the magnetization direction from an easy direction grows as a distance from the storage region grows.例文帳に追加

フリー磁性体は、データにより磁化方向が容易軸方向のいずれかに変化する記憶領域と、記憶領域に隣接して設けられ、記憶領域から遠ざかるにつれ磁化方向が容易軸方向からずれていく磁化方向遷移領域とを備えている。 - 特許庁

To enable impression of magnetization voltages, having a difference of 30 degrees by mutually connecting induction coils, in carrying out magnetization of five or more pieces of induction coils, using a three phase power source.例文帳に追加

三相電源で５個以上の誘導コイル励磁するにあたり、誘導コイル同志の接続により位相差が３０度の励磁電圧の印加を可能とすることを目的とする。 - 特許庁

The horizontal part 121 orients the magnetization of the hard magnetic layer 13 in a direction parallel to the horizontal part, and the slope 122 orients the magnetization of the hard magnetic layer 13 in a direction orthogonal to the slope.例文帳に追加

水平部１２１は硬磁性層１３の磁化を水平部と平行な方向に配向させ、傾斜部１２２は硬磁性層１３の磁化を傾斜部と直交する方向に配向させる。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head or the like capable of strongly fixing a direction of the magnetization of a fixed layer in spite of employing a spin valve magnetoresistive effect element not including a layer to fix the magnetization direction of the fixed layer.例文帳に追加

固定層の磁化の方向を固定するための層を含まないスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いながら、固定層の磁化の方向を強固に固定できるようにする。 - 特許庁

A magnetization direction Y_1 in the first ferromagnetic layers 5X (5x) in non-energization (see Fig. A) is opposite to a magnetization direction Y_2 in the second ferromagnetic layer 5Z (5z).例文帳に追加

非通電時（図３（Ａ）参照）における第１の強磁性層５Ｘ（５ｘ）の磁化の向きＹ_１と、第２の強磁性層５Ｚ（５ｚ）の磁化の向きＹ_２とは、互いに逆向きである。 - 特許庁

To provide a method of controlling a magnetization state capable of restraining heat generation and reliably inducing magnetization inversion by applying a pulsed current having small current density to a magnetic material.例文帳に追加

磁性体に対し、小さい電流密度のパルス電流を印加することで、発熱を抑えつつ確実に磁化反転を引き起こすことができる磁化状態制御方法を提供する。 - 特許庁

The ACT current and DCT current of specific values are set to discriminate whether such magnetization inversion is developed or not that the magnetization of the pin layer is inverted to the direction opposite to the predetermined direction.例文帳に追加

所定値のＡＣＴ電流およびＤＣＴ電流を設定し、ピン層の磁化が所定の方向とは逆方向に反転する磁化反転が起きたか否かを判別する。 - 特許庁

Magnetic transfer is performed by using the magnetic recording medium 1 in the good initial magnetization process step that the magnetization directions of the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 5 are made counter-parallel.例文帳に追加

このようにして第一の磁性層３と第二の磁性層５の磁化方向が反平行となる良好な初期磁化状態の磁気記録媒体１を用いて磁気転写を行う。 - 特許庁

The magnetization-direction changeable layer 13 of the element 101 of the selected pixel 103 has its magnetization direction inverted, and then the resulting change in polarizing direction of incident light is detected by the polarizer.例文帳に追加

選択された画素１０３の素子１０１の磁化方向可変層１３は磁化方向が反転し、これによる入射光の偏光方向の変化が偏光板で検出される。 - 特許庁

Specifically, if the sensor target 31 rotates, the magnetization is performed such that the magnetization direction of each of the magnetized sites M1 to M8 changes in a sinusoidal manner as viewed from a magnetic sensor 32.例文帳に追加

具体的には、センサターゲット３１が回転した場合、磁気センサ３２から見たときに、各着磁部位Ｍ１〜Ｍ８の着磁方向が正弦曲線状に変化するように着磁した。 - 特許庁

The device comprises a magnetization means of electronic spins, which comprises a magnetic body layer (20) magnetized in a direction perpendicular to the magnetization planes of a corresponding fixed layer (12) and a free layer (16).例文帳に追加

本発明に基づく装置は、対応する固定層（１２）と自由層（１６）の磁化平面と直交する向きに磁化された磁性体層（２０）からなる電子スピンの極性化手段を具備する。 - 特許庁

A soft magnetic film 111 is provided with a magnetization difficult axis in the direction of generating a vertical recording magnetic field and a magnetization easy axis in a direction orthogonal to the direction of the vertical recording magnetic field.例文帳に追加

軟磁性膜１１１は、垂直記録磁界を生じさせる方向に磁化困難軸を有し、垂直記録磁界の方向と直交する方向に磁化容易軸を有している。 - 特許庁

To easily perform magnetization on the magnetization surface of a core material and the release while concentrating magnetic lines on the magnetic part of the core material by a cylindrical magnet and generating strong magnetism.例文帳に追加

筒状磁石で芯材の磁性部に磁力線を集中して強力な磁力を発生させながら、芯材の磁着面での磁着とその解除とを容易にできるようにする。 - 特許庁

Magnetization 418 in the portion 414 of the free layer 406 facing the first ferromagnetic bias layer faces a direction opposite to the magnetization 416 of the first ferromagnetic bias layer.例文帳に追加

第１の強磁性バイアス層と向かい合ったフリー層４０６の一部分４１４の磁化４１８は、第１の強磁性バイアス層の磁化４１６とは反対の方向を向いている。 - 特許庁

The composite spacer layer 6 is provided with a metallic connection part 14 having magnetic elements to be segregated so that the magnetization fixed layer 5 and the magnetization free layer 7 may be connected in an insulating layer 13.例文帳に追加

複合スペーサ層６は絶縁層１３内に磁化固着層５と磁化自由層７とを接続するように偏析する磁性元素を有する金属接続部１４を備える。 - 特許庁

The magnetization direction of the magnetic thin line 1 is transferred to the magnetic transfer film 5, so the magnetic transfer film 5 right below the incidence region 1r is inverted in magnetization direction together with the magnetic thin line 1.例文帳に追加

磁性細線１の磁化方向が磁気転写膜５に転写されるため、入射領域１ｒの直下における磁気転写膜５の磁化方向は磁性細線１と共に反転する。 - 特許庁

This magnetoresistive effect element is configured so that the resistance value can be made different due to the difference of the relative net angle of the magnetization orientation of the first ferromagnetic layer with the magnetization orientation of the second ferromagnetic layer.例文帳に追加

この素子は、第１強磁性層の磁化方向と第２強磁性層の磁化方向との相対角度の相違により抵抗値が相違する磁気抵抗効果素子となる。 - 特許庁

The plane-view shape of the recording layer 13 is asymmetrical about the direction S of an axis of easy magnetization of the recording layer 13, and symmetrical about an axis L of symmetry perpendicular to the axis of easy magnetization.例文帳に追加

記録層１３の平面視形状は、記録層１３の磁化容易軸方向Ｓに対し非対称で、磁化容易軸と垂直な対称軸Ｌに対して対称である。 - 特許庁

The ferromagnetic layer 12 is deposited, using a material in which an easy magnetization axis is along the radial direction or the circumference direction, without the need for heat treatment in magnetic field or treatment during magnetization process.例文帳に追加

強磁性層１２は、磁場中熱処理や着磁過程の処理を施すことなくディスク半径方向又は円周方向が磁化容易軸となる材料を用いて成膜される。 - 特許庁

To provide a magnetic memory array, capable of generating spiral magnetization, independently of the thickness of a magnetic layer and stably recording information, in response to the direction of the spiral magnetization.例文帳に追加

磁性層の厚さに関係なく渦状磁化を生成することができ、前記渦状磁化の向きに応じて情報を安定的に記録できるようにした磁性メモリアレイを提供する。 - 特許庁

The intermediate layer 15 is a (GdFeCo)Si film which is a RE-rich in-plane magnetization film having no compensation temperature up to the Curie temperature and showing 140 to 250 emu/cc saturation magnetization at room temperature.例文帳に追加

中間層１５は（ＧｄＦｅＣｏ）Ｓｉ膜であり、室温での飽和磁化の値は140 〜250 emu/ccであり、キュリー温度まで補償温度が見られないＲＥリッチの面内磁化膜である。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element includes an antiferromagnetic layer (8), a sticking layer (9A) where the magnetization direction is fixedly set, and a free layer (12) where the magnetization direction varies with applied magnetic field (Hap).例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、反強磁性層（８）と、その磁化方向が固定的に設定される固着層（９Ａ）と、印加磁界（Ｈａｐ）によりその磁化方向が変化する自由層（１２）を含む。 - 特許庁

To provide a storage element having a characteristic to retain recorded magnetization and enabling easy magnetization reversal with a small current density and a week current sensor.例文帳に追加

記録された磁化を保持する特性と、少ない電流密度で磁化反転を可能とする磁化反転の容易さとを両立した記憶素子ならびに微弱電流センサーを提供することにある。 - 特許庁

In the initialization processing which introduces the magnetic wall into the magnetization recording layer, initialization current flows in the initialization wiring and a current-induced magnetic field is applied to the magnetization recording layer by the initialization current.例文帳に追加

磁壁を磁化記録層に導入する初期化処理の際、初期化配線には初期化電流が流れ、初期化電流によって磁化記録層には電流誘起磁界が印加される。 - 特許庁

A rotor 1 includes a rotor core 2, a permanent magnet 3 having a small product of a coercive force and a magnetization direction, and permanent magnets 4 having a large product of a coercive force and a magnetization direction.例文帳に追加

回転子１は、回転子鉄心２、保磁力と磁化方向厚みの積が小となる永久磁石３、保磁力と磁化方向厚の積が大となる永久磁石４からなる。 - 特許庁

A magnetization current determining section 57 varies the magnetization amount of an alnico magnet 9b having low coercive force which constitutes a rotor of a motor 1 by an excitation current Id obtained in vector control.例文帳に追加

着磁電流決定部５７は、ベクトル制御において得られる励磁電流Ｉｄによって、モータ１の回転子を構成する低保磁力のアルニコ磁石９ｂの着磁量を変化させる。 - 特許庁

According to this method, the magnetic field necessary for the inversion off magnetization can be reduced and, especially, this method becomes effective for the recording of a magnetic resistance effect memory employing the method of inversion of magnetization.例文帳に追加

これによって、磁化反転に要する磁界を低減することが可能となると共に特に、この磁化反転方法を用いた磁気抵抗効果メモリの記録に有効となる。 - 特許庁

The spin transistor has a first ferromagnetic layer whose magnetization direction is unchanged, a second ferromagnetic layer whose magnetization direction is changeable, a channel between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer, and a gate electrode on the channel, and stores data by the magnetization direction of the second ferromagnetic layer.例文帳に追加

本発明の例に係わるスピントランジスタは、磁化方向が不変の第１強磁性層と、磁化方向が可変の第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間のチャネルと、チャネル上のゲート電極とを備え、第２強磁性層の磁化方向によりデータを記憶する。 - 特許庁

In this case, it is preferable to form the slits 16 in accordance with an area where the magnetization easy axis Me of the magnetic film 14 is substantially orthogonal to the coil 13, and to allow the slits 16 to extend in only the direction (magnetization hard axis Mh direction) orthogonal to the magnetization easy axis Me.例文帳に追加

なお、磁性膜１４の磁化容易軸Ｍｅとコイル１３とが略直交する領域に対応してスリット１６を形成すると共に、このスリット１６を磁化容易軸Ｍｅと直交する方向（磁化困難軸Ｍｈ方向）のみに延在させるようにするのが望ましい。 - 特許庁

The magnetic memory element 3 includes a fixed layer 19 whose magnetization direction is fixed, a storage layer 21 whose magnetization direction is variable and a tunnel insulating film 20 arranged between the fixed layer 19 and the storage layer 21, and the element inverts the magnetization direction of the storage layer 21 by electrons which are spin-polarized.例文帳に追加

磁気記憶素子３は、磁化方向が一定である固着層１９、磁化方向が可変である記憶層２１、および、固着層１９と記憶層２１との間に配置されたトンネル絶縁膜２０を有し、スピン偏極した電子により記憶層２１の磁化方向を反転させる。 - 特許庁

A magnetic transfer method including an initial magnetization process, an adhesion process, a magnetic transfer process, and an exfoliation process includes an additional magnetization process which after the exfoliation of the master carrier and the recording medium, externally applies to the recording medium a magnetic field smaller than or equal to twice the reversed magnetic field of the recording medium in an initial magnetization direction.例文帳に追加

初期磁化工程と密着工程と磁気転写工程と剥離工程とを含む磁気転写方法であって、マスター担体と記録媒体とを剥離した後、記録媒体に、初期磁化方向に、記録媒体の反転磁界の２倍以下の磁界を外部印加する追加磁化工程とを備える。 - 特許庁

The actual magnetization of the initialization assisting layer of the optical recording medium is in parallel to a write-in layer in a temperature range of the recording process and therefore, the directions of the initial magnetization and bias magnetic field can be aligned and the initialization layer never causes the magnetization inversion any more.例文帳に追加

光記録媒体は、記録プロセスの温度範囲において、書き込み層に対して初期化補助層の正味の磁化がパラレルの状態を取る為、初期着磁と記録バイアス磁界との方向を揃えることが可能となり、初期化層が決して磁化反転を起こさなくなる。 - 特許庁

The reproducing layer 13 has a laminated structure comprising; a vertical magnetization film 13a which comes in contact with the intermediate layer 12; a vertical magnetization film 13b; and an anti-ferromagnetic coupling film 13c which is put between the vertical magnetization films 13a and 13b and anti-ferromagnetically couples these films.例文帳に追加

再生層１３は、中間層１２と接する垂直磁化膜１３ａと、垂直磁化膜１３ｂと、当該垂直磁化膜１３ａ，１３ｂの間に介在してこれらを反強磁性結合させるための反強磁性結合膜１３ｃとからなる積層構造を有する。 - 特許庁

One of the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the first intermediate layer and the magnetization direction of the first pinned layer, and the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the second intermediate layer and the second pinned layer is parallel relation and the other is antiparallel relation.例文帳に追加

記憶層の第１中間層と面する膜の磁化方向と第１固着層の磁化方向との関係と、記憶層の第２中間層と面する膜の磁化方向と第２固着層との磁化方向との関係と、の一方が平行で他方が反平行となる。 - 特許庁

A thin-film magnetic material where volume changes depending on a magnetization direction is used as a recording layer, and a multiple-value magnetic recording medium for taking a four-value state due to a magnetization arrangement where magnetization is in up/down directions vertical to a film surface or left/right directions horizontal to the direction of the film surface is manufactured.例文帳に追加

磁化方向に依存して体積が変化する薄膜磁性材料を記録層とし、磁化が膜面垂直な上下方向あるいは膜面方向に水平な左右方向の磁化配列による４値の状態をとりうる多値磁気記録媒体を作製する。 - 特許庁

Magnetoresistive films including a magnetization fixing layer, a non-magnetic intermediate layer, and a magnetization free layer, at least one thin film making up the non-magnetic intermediate layer and the magnetization free layer is formed by using a sputtering apparatus while a pressure around a substrate is set at 8.0×10^-3 Pa or lower.例文帳に追加

磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a magnetization free layer 28, a magnetization fixed layer 26, and a barrier layer 27 provided between the magnetization free layer 28 and the magnetization fixed layer 26, includes steps of: laminating a MgO layer, a Mg layer, and a ZnO layer to form the barrier layer 27; and heating the barrier layer in vacuum after the formation of the barrier layer.例文帳に追加

磁化自由層２８と、磁化固定層２６と、前記磁化自由層２８と前記磁化固定層２６との間に配置されたバリア層２７とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層２７として、ＭｇＯ層／Ｍｇ層／ＺｎＯ層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a magnetic tunneling junction element having better magnetization property.例文帳に追加

より良好な磁化特性を発現する磁気トンネル接合素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium of a discrete track type having high thermal stability in the recorded magnetization.例文帳に追加

記録磁化の熱的安定性が高いディスクリートトラック型の磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁