「nS」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Provided is the organic electroluminescent element in which a light emitting layer is made of a material including one or more kinds selected from the group consisting of DPVBi, PBD, DSB, and BCzVBi and fluorescence lifetime of the light emitting layer is ≤3.0 ns.例文帳に追加

発光層がＤＰＶＢｉ、ＰＢＤ、ＤＳＢ、ＢＣｚＶＢｉからなる群から選択される１種又は２種以上を含む材料からなり、発光層の蛍光寿命が３．０ｎｓ以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In addition, transistors in a p-type SRAM area PS and transistors in an n-type SRAM area NS are covered with a lamination film comprised of a film 50a having tensile stress and a film 55a having compression stress.例文帳に追加

そして、Ｐ型ＳＲＡＭ領域ＰＳにおけるトランジスタおよびＮ型ＳＲＡＭ領域ＮＳにおけるトランジスタは、引っ張り応力を有する膜５０ａおよび圧縮応力を有する膜５５ａからなる積層膜により覆われている。 - 特許庁

The nichrome wire (NS) is wound while pressing with predetermined tension around a perimeter part of a container main part (HY) made of a synthetic resin, while moving simultaneously with rotation the container main part (HY) of the fermentation equipment made of the synthetic resin in the direction of an axis at a predetermined speed.例文帳に追加

合成樹脂製の発酵器の容器本体（ＨＹ）を回転と同時に軸方向に所定の速度で移動させながら、前記合成樹脂製の容器本体（ＨＹ）の外周部にニクロム線（ＮＳ）を所定の張力で押し付けて巻き付ける。 - 特許庁

In the constitution that a plurality of pairs of permanent magnets 2 are arranged alternately in NS polarities at their external circumferential polarities along the external peripheral surface of the rotating shaft 1, recesses 2e are formed at places that contact with the rotating shaft 1 at sides to which the different permanent magnets 2 contact.例文帳に追加

回転軸１の外周面に沿って複数対の永久磁石２を外周部の極性をＮＳ交互に配置する構成において、相隣る永久磁石２の接する側面の回転軸１に接する箇所に凹嵌部２ｅを形成する。 - 特許庁

In an optical disk device 1, a pulse train creating section 11 causes the laser beam source 21 to emit the light beam L1 containing pulses P0 and a pulse conversion section 23 divides the light beam L1 into the pulse train PL composed of four pulses with the interval of about 1 [ns].例文帳に追加

光ディスク装置１は、パルス列生成部１１においてレーザ光源２１からパルスＰ０を含む光ビームＬ１を出射させ、パルス変換部２３により間隔が約１［ｎｓ］である４本のパルスでなるパルス列ＰＬに分割する。 - 特許庁

The easy-to-tear thermoplastic resin film is preferably a polyester based resin film, a polyester based film where at least two kinds of polyester resin layers with different melting point are laminated, or a film having sticking strength of 8.0 Ns or less.例文帳に追加

さらに、好ましくは前記易引き裂き性熱可塑性樹脂フィルムは、ポリエステル系樹脂フィルム、融点の異なる少なくとも２種類以上のポリエステル樹脂層が積層されてなるポリエステル系フィルム、突き刺し強度が８．０Ｎ以下である、などのフィルムである。 - 特許庁

Moreover, when sorting by a tape inserter is performed (Yes in 214), a sorting number counted value Cs is also incremented by one (216), and each time the counted value Cs reaches a set sorting number Ns (Yes in 226), a tape is inserted by the inserter, and the counted value Cs is returned to 0 (228, 230).例文帳に追加

また、テープインサータによる仕分けを行っている場合(214が肯定)は、仕分け枚数計数値Ｃsも１インクリメントし(216)、計数値Ｃsが設定仕分け枚数Ｎsに達する(226が肯定)度に、インサータによってテープを挿入し、計数値Ｃsを０に戻す(228,230)。 - 特許庁

The influence of heat decay is suppressed by setting a half value width of optical power distribution of a proximity light generation element 33 heating a recording area of the magnetic recording medium 21 to 100 nm or less and making cooldown time of a magnetic recording medium 21 to 2 ns or less.例文帳に追加

磁気記録媒体２１の記録領域を加熱する、近接光発生素子３３の光パワー分布の半値幅を１００ｎｍ以下にすることで、磁気記録媒体２１の冷却時間を２ｎｓ以下にして、熱揺らぎの影響を抑制する。 - 特許庁

A statistic of a wide band fluorescent image is calculated in a statistic calculation means 403, and a gain (g) by which wide band and narrow band fluorescent image data WS and NS are multiplied is calculated on the basis of this statistic in a gain calculating means 404.例文帳に追加

統計量算出手段４０３において広帯域蛍光画像の統計量を算出し、これに基づいて広帯域および狭帯域蛍光画像データＷＳ，ＮＳに乗算するゲインｇをゲイン算出手段４０４にて算出する。 - 特許庁

The antireflection hard coat film is obtained by successively forming a hard coat layer (b), a coating layer (ns) an NH2-containing compound, a high refractive index thin film coating layer (c) and a low refractive index thin film coating layer (d) at least one face of a plastics film (a).例文帳に追加

プラスチックフィルム（ａ）上の少なくとも一面に、ハードコート層（ｂ）、ＮＨ_2基含有化合物塗布層（ｎｓ）、高屈折率薄膜塗布層（ｃ）、低屈折率薄膜塗布層（ｄ）を順次形成したことを特徴とする反射防止性ハードコートフイルム。 - 特許庁

The first laser light and the second laser light synchronize with a pulse from a pulse voltage generator circuit 5 to become pulse laser lights (a third laser light and a fourth laser light, respectively) with a pulse width of 0.2 ns.例文帳に追加

これらの光は、干渉フィルタ３によって合成され、ＥＯＭ４に入り、第１のレーザ光及び第２のレーザ光は、パルス電圧発生回路５からのパルスに同期して、それぞれパルス幅が0.2nsのパルスレーザ光（第３のレーザ光、第４のレーザ光）とされる。 - 特許庁

The turbine rotational speed sensor detecting the rotational speed Nt of a turbine shaft is installed on the input side of the forward/backward switching mechanism, and a secondary rotational speed sensor detecting the rotational speed Ns of a secondary shaft is installed on the output side of the forward/backward switching mechanism.例文帳に追加

前後進切換機構の入力側にはタービン軸の回転数Ｎｔを検出するタービン回転数センサが設けられ、前後進切換機構の出力側にはセカンダリ軸の回転数Ｎｓを検出するセカンダリ回転数センサが設けられる。 - 特許庁

A frame or field of a received image is divided into small blocks, and feature variables of an error detected block, that is, the average length NF/Ns of a consecutive error detected block and the maximum value Nmax of the consecutive error detected block are measured by each small block.例文帳に追加

受信画像のフレームまたはフィールドを小領域に分割し、各小領域毎に、誤検出ブロックの特徴量、すなわち連続誤検出ブロックの平均長ＮF／Ｎsおよび連続誤検出ブロックの最大値Ｎmaxを測定する。 - 特許庁

In a coating/developing system 10, a space NS of courtyard which is surrounded by a cassette station (C/S) 14 and the process line A of a going route, and an interface station (I/F) 18 and the process line B of a returning route is formed to extend straight in the X direction.例文帳に追加

この塗布現像処理システム１０においては、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と往路のプロセスラインＡとインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８と復路のプロセスラインＢとに囲まれてＸ方向にまっすぐ延びる中庭のスペースＮＳが形成される。 - 特許庁

The modified region 7 to be a cut start point is formed on a GaAs substrate 12 along a planned cut line 5 by irradiating the processing object with a laser beam L, i.e., a pulsed laser beam with a pulse width of 31-54 ns and a pulse pitch of 7.5-10 μm.例文帳に追加

３１ｎｓ〜５４ｎｓのパルス幅で且つ７．５μｍ〜１０μｍのパルスピッチで、パルスレーザ光であるレーザ光Ｌを照射することにより、切断の起点となる改質領域７を切断予定ライン５に沿ってＧａＡｓ基板１２に形成する。 - 特許庁

In the courtyard space NS, two sets of pressure reduction drying units 66L and 66R are installed, as units of a third group, while facing each other at predetermined positions, and one set of carrying device 68 is provided between both units 66L and 66R.例文帳に追加

この中庭スペースＮＳに、第３群のユニットとして２台の減圧乾燥ユニット６６Ｌ，６６Ｒが互いに向かい合って所定の位置にそれぞれ設置されるとともに、両ユニット６６Ｌ，６６Ｒの間に１台の搬送装置６８が設けられる。 - 特許庁

Furthermore, when a square-wave current pulse having a pulse period of 1 ms and a pulse width of 500 μs is supplied, (P1-P2)/P2=-0.05 by using a light output P1 10 ns after the supplying and a light output P2 1 μs after the supplying.例文帳に追加

また、パルス周期が１ｍｓ、パルス幅が５００μｓの方形波電流パルスを供給したとき、供給後１０ｎｓでの光出力Ｐ１、及び供給後１μｓでの光出力Ｐ２を用いて、（Ｐ１−Ｐ２）／Ｐ２＝−０．０５である。 - 特許庁

In a program circuit 150, program units PUT(1) to PUT(m) for respectively generating program signals PS(1) to PS(m) having a plurality of bits indicating non-volatile programmed information are connected in parallel between internal nodes Nd and Ns.例文帳に追加

プログラム回路１５０において、不揮発的にプログラムされた情報を示す複数ビットのプログラム信号ＰＳ（１）〜ＰＳ（ｍ）をそれぞれ生成するプログラムユニットＰＵＴ（１）〜ＰＵＴ（ｍ）は、内部ノードＮｄおよびＮｓの間に並列に接続される。 - 特許庁

On a rectangular glass lid 70 which hermetically closes an inner space NS in the scanner module 50, a totally reflecting surface 76 and a PBS film 78 are formed at an oblique angle of 45°, and a λ/4 wavelength plate 65 is arranged between the micro mirror 56 and the glass lid 70.例文帳に追加

また、スキャナモジュール５０内の内部空間ＮＳを密閉する矩形状リッドグラス７０には、全反射面７６、ＰＢＳ膜７８を４５度の傾斜角度で形成し、マイクロミラー５６とリッドグラス７０の間にλ／４波長板６５を配置する。 - 特許庁

While performing a high frequency operation (e.g., 1 GHz or 1 ns cycle time), no additional registers are required for storing bit data during command interpretation with enough time margins between the command bit stream interpretation and next bit data stream.例文帳に追加

高周波操作時(例えば、1GHzまたは1ナノ秒サイクル時間)においては、コマンドビットストリーム解釈と次のビットデータストリームの間に十分な時間的余裕をもってコマンド解釈中にビットデータを格納する目的のために追加レジスタが要求されることはない。 - 特許庁

The signal amplifier circuit comprises a current comparing section 120 generating voltage in accordance with difference between a reference current and a memory cell current in a node Ns, and an output level setting section 160 generating an output signal DOUT in a node No.例文帳に追加

本発明に従う信号増幅回路は、基準電流とメモリセル電流との差に応じた電圧をノードＮｓに生成する電流比較部１２０と、ノードＮｏに出力信号ＤＯＵＴを生成する出力レベル設定部１６０とを含む。 - 特許庁

Also, when a square wave current pulse having a pulse cycle of 1 ms and a pulsewidth of 500 μs is supplied, the formula (P1-P2)/P2=-0.05 is given, wherein an optical output P1 of 10 ns after supply and an output P2 of 1 μs after supply are used.例文帳に追加

また、パルス周期が１ｍｓ、パルス幅が５００μｓの方形波電流パルスを供給したとき、供給後１０ｎｓでの光出力Ｐ１、及び供給後１μｓでの光出力Ｐ２を用いて、（Ｐ１−Ｐ２）／Ｐ２＝−０．０５である。 - 特許庁

The air cleaning part 301A sucks air in a negative pressure atmosphere generating space NS formed in the gap between the two sheets 202 (202a and 202b) to make negative atmosphere, and the sucked air is sterilized and disinfected, and discharged from an exhaust port 305 thereafter.例文帳に追加

空気清浄部３０１Ａは、二枚のシート２０２（２０２ａ，２０２ｂ）の間の隙間に形成される陰圧雰囲気生成空間ＮＳの空気を吸引して陰圧雰囲気にし、吸引した空気を殺菌除菌した後に排気口３０５から排出する。 - 特許庁

A selector circuit 51 determines the first/second selection condition under control of a control signal S50, and selects one out of an S-pad 35 and a node N1 to be connected electrically to a source terminal NS of a measuring objective NMOS transistor MT.例文帳に追加

セレクタ回路５１は、制御信号Ｓ５０の制御下で第１／第２の選択状態が決定され、Ｓパッド３５及びノードＮ１のうち、一方を選択して測定対象ＮＭＯＳトランジスタＭＴのソース端子ＮＳに電気的に接続する。 - 特許庁

The method includes at least one symbol encoding step in the course of which each pulse pj (for j=1 to Ns) of an ith pulse sequence Tsg is multiplied by a value Vi representative of a symbol to be carried by the sequence.例文帳に追加

少なくとも１つのシンボル符号化ステップを含み、シンボル符号化ステップの過程において、ｉ番目のパルス系列Ｔｓｇの各パルスｐｊ（ただしｊ＝１〜Ｎｓ）が、その系列によって搬送されることになるシンボルを表す値Ｖｉと乗算される。 - 特許庁

An atom A having an electron configuration in the ground state of (ns^2)^1S_0 (n is a principal quantum number) in an electrostatic field SE is irradiated with a pulse laser beam as exciting light, so that the atom A is coherently excited to a plurality of hyperfine levels.例文帳に追加

本発明では、静電場ＳＥ内の、基底状態の電子配置が（ｎｓ^２）^１Ｓ_０（ｎは主量子数）である原子Ａへ励起光としてのパルスレーザ光が照射され、原子Ａが複数の超微細準位へコヒーレントに励起される。 - 特許庁

When a pair of the detected temperature Tx and the specified rotational frequency Ns exists in the prohibiting region K, the main control computer C1 performs alternative control for alternatively using the rotational frequency in correspondence with the detected temperature Tx out of the prohibiting region K.例文帳に追加

検出温度Ｔｘと指定回転数Ｎｓとの組（Ｔｘ，Ｎｓ）が禁止領域Ｋ内にある場合には、主制御コンピュータＣ１は、禁止領域Ｋ外において検出温度Ｔｘに対応した回転数を代替して使用する代替制御を行なう。 - 特許庁

In the machining method where a strain is given by irradiating a ceramic plate 11 with a pulsed laser beam emitted from a YAG pulse laser beam oscillator 10, a crack of the ceramic plate is prevented by making a pulse width of the pulsed laser beam 1 ns to 0.4 ms.例文帳に追加

ＹＡＧパルスレーザ発振器１０からのパルス状レーザ光をセラミック板１１に照射して歪みを与える加工方法において、前記パルス状レーザ光のパルス幅を１ｎｓｅｃ〜０．４ｍｓｅｃとすることにより、前記セラミック板の割れを防止する。 - 特許庁

Immediately after an engine 1 is started, a control device 2 performs a normal air-conditioning control upon operating the compressor 16 for the specified time t1 or more in cumulation within a certain speed range no higher than the prescribed revolving speed Ns irrespective of the setting of an operation switch 40.例文帳に追加

制御装置２は、エンジン１を始動させた直後、操作スイッチ４０の設定にかかわらずコンプレッサ１６を所定回転数Ｎｓ以下の回転数範囲内にて累積で所定時間ｔ１以上駆動させてから通常の空調制御を行う。 - 特許庁

The neighborhood solution operation part 23 calculates the minimum free energy relating to a neighborhood solution NS by the dynamic planning method, on the basis of the evaluation table TB stored in the table storage part 33 and the partial energy of a portion of an area corresponding to the changed base sequence.例文帳に追加

近傍解演算部２３は、テーブル記憶部３３に記憶された評価テーブルＴＢと、変更された塩基に対応する一部領域の部分エネルギーとに基づいて、近傍解ＮＳにかかる最小自由エネルギーを動的計画法により算出する。 - 特許庁

The upper die 20 has a molding surface 26 composed of a nonporous first surface 25 to touch the part of the optical material O that becomes an optical surface OS and a second surface 23 having pores to touch the part NS of the optical material O that does not become the optical surface.例文帳に追加

上型２０は、光学材料Ｏのうち光学面ＯＳになる部分に当接する非多孔性の第１面２５と、光学材料Ｏのうち光学面にならない部分ＮＳに当接し、孔が形成されている第２面２３とを含む成形面２６を備える。 - 特許庁

In this electrolyte membrane formed by filling the proton conductive polymer in the pore of a porous base material, the value of a positron annihilation lifetime τ3 (ns) found by a positron annihilation method is τ3<2, and its relative intensity I3 (%) is I3<9.例文帳に追加

多孔性基材の細孔内にプロトン伝導性ポリマーを充填してなる電解質膜において、陽電子消滅法により求められる陽電子消滅寿命τ３（ｎｓ）の値がτ３＜２であり、かつ、相対強度Ｉ３（％）がＩ３＜９であることを特徴とする。 - 特許庁

A biaxially oriented polyester film having trimethylene terephthalate units of at least 80 mole % of the total repeating units is used as the support layer of a photoresist film which has a coefficient of surface orientation (ns) of 0.030-0.115.例文帳に追加

本発明は、トリメチレンテレフタレート単位が全繰り返し単位の８０モル％以上であるポリエステルからなる二軸配向フィルムであり、フィルムの面配向係数（ｎｓ）が０．０３０以上０．１１５以下であることを特徴とするフォトレジストフィルムの支持体層用ポリエステルフィルムである。 - 特許庁

Here, the stagnation of water at the vicinity of the interface 12a of water 12 is prevented by causing convection B in water 12 by rotating a rotor 9 by rotating an NS magnet 10b by driving the driving shaft 10a of a magnetic field generator 10.例文帳に追加

その際、磁場発生装置１０の駆動軸１０ａを駆動してＮＳ磁石１０ｂを回転することによって回転子９を回転させ、水１２中に対流Ｂを生じさせることによって水１２の界面１２ａ近傍における水の滞留を防止する。 - 特許庁

When measuring a sample, each relational expression corresponding to each rotation angle of the diffraction grating 3 is applied to each slit selected and used from among the band width conversion slits NS, and the center wavelength is corrected by a wavelength correction part 14 which is a wavelength correction means.例文帳に追加

試料測定に際してはバンド幅変換用スリットＮＳのなかから選択使用される各スリットに対して回折格子３の各回転角に対応する各関係式を適用して波長補正手段である波長補正部１４により中心波長を補正する。 - 特許庁

In chemical formula (1), R_1 is a 1-6C straight or branched alkyl group or a 6-14C aryl group; R_2 is a 1-6C linear alkyl group or a 3-6C branched alkyl group; and ns, which are independent of each other, are integers of 1-3.例文帳に追加

前記化学式（１）中、Ｒ_１はＣ_１〜Ｃ_６の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基またはＣ_６〜Ｃ_１４のアリール基であり、Ｒ_２はＣ_１〜Ｃ_６の直鎖アルキル基、またはＣ_３〜Ｃ_６の分岐鎖アルキル基であり、ｎは、それぞれ独立して、１〜３の整数である。 - 特許庁

At least the side plate 60b is bent on the stack 14 side along the stacked direction by offsetting the center O of the connecting pin 64b by distance h on the stack 14 side to the neutral surface NS of the side plate 60b.例文帳に追加

少なくとも側板６０ｂは、該側板６０ｂの中立面ＮＳに対して、連結ピン６４ｂの中心Ｏが積層体１４側に距離ｈだけオフセットすることにより、前記側板６０ｂが積層方向に沿って前記積層体１４側に曲げ変形する。 - 特許庁

On the stationary bearing ring 2, the detection object 7 for absolute angle detection, which is periodically changed circumferentially in magnetization characteristics, and the detection object 27 for the original detection having a one pole or one NS pole pair magnetization characteristics are provided on the different position to each other.例文帳に追加

回転側軌道輪２には、着磁特性を円周方向に周期的に変化させた絶対角度検出用の被検出部７と、単極またはＮＳ１極対の着磁特性を有する原点検出用の被検出部２７とが、互いに異なる位置に取付けられる。 - 特許庁

The diameter (a) of a photodetecting surface 301 of the photodetector 30 disposed in a position of a distance b via a medium 201 of a refractive index ns from the exit end of the optical transmission path 10 may be made smaller by adequately controlling the taper angle α of a tapered part 101.例文帳に追加

光伝送路１０の出射端から屈折率ｎ_sの媒質２０１を介して距離ｂの位置に設けられた受光素子３０の受光面３０１の径ａは、テーパ部１０１のテーパ角αを適当に制御することで、小さくすることができる。 - 特許庁

A maximum stroke (D1) of the first piston against a housing (HS) is restricted to a smaller value than a sum of the maximum stroke (D2) of the second piston in respect to the housing and the maximum stroke (D3) of the first piston in respect to the second piston by a piston stopper (NS), for example.例文帳に追加

例えばピストンストッパ（ＮＳ）によって、ハウジング（ＨＳ）に対する第１ピストンの最大ストローク（Ｄ１）を、ハウジングに対する第２ピストンの最大ストローク（Ｄ２）と第２ピストンに対する第１ピストンの最大ストローク（Ｄ３）との和よりも小さい値に規制する。 - 特許庁

The operation control section 90a corrects variations which a lens section and an illumination section individually have by using a correction value AS from a correction table 95a generated in advance for each of them on the basis of the numerical information NS from the camera 61 in order to correct the variations.例文帳に追加

動作制御部９０ａは、カメラ６１からの数値情報ＮＳををもとにレンズ部や照明部が個体ごとに有するばらつき補正するために各々に対して予め作成された補正テーブル９５ａからの補正値ＡＳを用いて補正する。 - 特許庁

An excimer laser with energy density of 30 to 90 mJ/cm^2 and the half width at half maximum of 20 ns, is irradiated three times of frequency (20 Hz) interval on each irradiation region of the covering film 7 of a cathode 6, formed by thermal CVD method.例文帳に追加

熱ＣＶＤ法によりカソード６上に形成された被膜に、カソード６に対するエネルギー密度が３０〜９０mJ/cm^2のエキシマレーザを、カソード６の被膜７にビームの照射面積ごとにパルス半値幅２０ｎｓの照射を周波数（２０Ｈｚ）間隔で３回行う。 - 特許庁

When the number of revolutions of the motor Nm is less than the predetermined number of revolutions Ns in acceleration slipping, a motor field-current target value of the DC motor 4 is constrained to a low initial current IIN, to constrain a motor starting voltage and to control a decrease in an armature-current target value.例文帳に追加

加速スリップ時にモータ回転速度Ｎｍが所定回転速度Ｎｓ以下であるときに直流モータ４のモータ界磁電流目標値を低い初期電流値Ｉ_INに抑制して、モータ誘起電圧の抑制及び電機子電流目標値の減少を補正する。 - 特許庁

Even if the ribbon thicknesses of the adhesion parts and the non-adhesion parts are defined to be identical and the optical fibers are separated for every single core covering optical fiber, this constitution can produce no projection on the adhesion parts S and the non-adhesion parts NS that have been connected.例文帳に追加

このような構造とすることによって、接着部Ｓと非接着部ＮＳのテープ厚さを同一とし、単心被覆光ファイバ毎に分離した場合でも連結されていた際の接着部Ｓと非接着部ＮＳにおいて突起などは生じない。 - 特許庁

The rotor is provided with an exciting coil 21; a pair of pole cores 22, 23 having claw-like magnetic poles 22A, 23A alternately forming NS poles along a rotational circumferential direction; and a magnet 29, arranged between the two adjacent claw-like magnetic poles 22A and 23A.例文帳に追加

回転子は、励磁コイル２１と、回転周方向に沿って交互にＮＳ極を形成する爪状磁極部２２Ａ、２３Ａを有する一対のポールコア２２、２３と、隣接する２つの爪状磁極部２２Ａ、２３Ａの間に配置された磁石２９とを備える。 - 特許庁