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「on ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索
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on ionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4042



例文

As the electrification member 20A is positively electrified to form a positive electric field around the sealed glass bulb 2a, and the external electric field does not effect on the Na^+ ion in the arc tube, the Na^+ ion does not get out but remains in the arc tube, emitted light does not become pale-white, and lowering of light flux is improved.例文帳に追加

帯電部材が帯電し、密閉ガラス球2a周りにプラスの電場が形成され、アークチューブ内のNa+イオンに外部電界がおよばず、アークチューブ内のNa+イオンは外部に通り抜けることなく内部にとどまって、アークチューブの発光色の青白化や光束の低下が改善される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mat easily put on an affected part as a mat for relieving the ache of the affected part using a negative ion generating material, monazite, mica, a far-infrared ray radiating material and tourmaline, and to provide a method of adjusting the generated quantity of negative ion to a suitable numerical value.例文帳に追加

マイナスイオンを発生する素材、モナザイト、雲母、遠赤外線を放射する素材、トルマリン、を利用した患部の痛み緩和用マットとして、簡単に患部に装着出来るマットの製造法、およびマイナスイオンの発生量を適応する数値に調整する方法を提供する。 - 特許庁

A negative ion generating means 22 is mounted on a suitable place of an air channel 19 from the air blower 18, and the energization is controlled to determine the rotating frequency of the air blower 18 in operating the negative ion generating means 22 in non-combustion to be lower than that in combustion.例文帳に追加

送風機18からの空気流路19の適所にマイナスイオン発生手段22を配設するとともに、非燃焼時におけるマイナスイオン発生手段22の作動時の送風機18の回転数を燃焼時より低い回転数になるようにように通電制御する構成としてある。 - 特許庁

In the method for manufacturing the device having 3-dimensional tapered structure, after a core 2 is formed on a substrate 1, an etched surface 2a is formed by etching a part of the core 2 with reactive ion etching, and also grooves 3 are formed on the surface of the core 2 which is not etched.例文帳に追加

基板1上にコア2を形成後、反応性イオンエッチングによりコア2の一部のエッチングを行い、エッチング面2aを形成すると共に、エッチングされていないコア2の表面に溝3を形成する。 - 特許庁

例文

In succession, a second oxide layer is grown on all the surface, by which the thickest oxide layer 22 gets thicker, the oxide layer scarcely grows on the ion-implanted region 18 to become a thinnest part 24, and the other part becomes a part 26 of intermediate thickness.例文帳に追加

続いて2度目の酸化物層を全面に成長させることにより、最大厚部22は更に厚く、イオン注入領域18上は成長が進まず最小厚部24となり、他は中間厚部26となる。 - 特許庁


例文

This recording medium for a printer comprises a dye fixing layer 3 composed mainly of an intercalation compound which fixes and retains a water-soluble dye by an intercalation reaction based on an ion exchange action and a binder, formed as an outermost layer on a base 2.例文帳に追加

基材2上に、イオン交換作用に基づくインターカレーション反応により水溶性染料を定着保持する層間化合物と、結着剤とを主体とする染料定着層3が最外層として形成する。 - 特許庁

A recess filling method is carried out in a manner such that a film forming process which forms a metal film 15 on a surface where a recess 12 is formed on a surface of a substrate 11 and an etching process which injects an ion of an etching gas into the metal film are repeated alternately.例文帳に追加

本発明は基板11の表面の凹部12が形成された面に、金属膜15を形成する成膜工程と、金属膜にエッチングガスのイオンを入射させるエッチング工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

To provide a plasma display panel in which even if a protective layer receives ion sputtering by driving for a long time, there is less change on a protective layer surface on a scanning electrode, and change of discharge characteristics such as write-in characteristics is suppressed.例文帳に追加

保護層が長時間の駆動でイオンスパッタを受けても走査電極上の保護層表面の変化が少なく、書込み特性などの放電特性の変化を抑制したプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

A plastic surface is hydrophilicized by being subjected to a pre-treatment in which a plasma is generated and ion is made to act on the plastic surface, and a hydrophilicizing treatment in which a plasma is generated and radicals are made to selectively act on the plastic surface.例文帳に追加

プラズマを発生させてイオンをプラスチック表面に作用させる前処理と、プラズマを発生させてラジカルを選択的にプラスチック表面に作用させる親水化処理とを施して、プラスチック表面を親水化する。 - 特許庁

例文

A titanium film 4 and a titanium nitride film 5 are formed in order on the inner surface of a contact hole 3, and germanium ions are implanted in the film 5 on the sidewall of the hole 3 to reduce the film thickness of this ion-implanted part of the film 5.例文帳に追加

コンタクトホール3の内面にチタン膜4及び窒化チタン膜5を順次形成し、コンタクトホール3の側壁の窒化チタン膜5に対し、ゲルマニウムイオンを注入してこの部分の膜厚を縮小させる。 - 特許庁

例文

To provide an ion conductive roll member in which leaking out of components contained inside is prevented regardless of a barrier layer on a surface layer and friction coefficient on the surface is not varied due to friction by duration of use.例文帳に追加

表層のバリア層有無にかかわらず、内部含有成分の染み出しを防止し、かつ、使用耐久による磨耗によっては表面の摩擦係数が変化しないイオン導電性のローラー部材を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device having a SiGe HBT part, a high-density base region based on ion implantation of a depth which does not reach the collector region is formed on an external base portion of the HBT portion.例文帳に追加

本願発明は、SiGe系HBT部を有する半導体装置において、HBT部の外部ベース部に、コレクタ領域に達しない深さのイオン打ち込みによる高濃度ベース領域が形成されているものである。 - 特許庁

An oxide film of 2-20 μm thickness comprising MgO, Al2O3 or ZrO2 is formed on a nitride film formed by cathode arc type ion plating and a TiAlN film is further formed in 2-7 μm thickness on the oxide film.例文帳に追加

また、カソードアーク式イオンプレーティング法で形成した窒化膜上に、厚さ2〜20μmのMgO、Al_2O_3、または、ZrO_2からなる酸化膜を形成し、更にその上にTiAlN膜を2〜7μm形成した膜構造。 - 特許庁

Based on a distribution of etching grade of the ion gun 11 and a distribution of etched amount of the substrate 31, an intermediate target thickness of the thickness of the substrate 31 in the measuring point is preliminarily set based on the position of etching center.例文帳に追加

予めイオンガン11のエッチングレートの分布と、基板31の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板31の厚みの中間目標厚みが設定される。 - 特許庁

After a wetting layer is formed on topography by the ion metal plasma deposition method, nearly the entire portion of a bulk metal layer is formed on the wetting layer, in a single deposition chamber by the sputter deposition method.例文帳に追加

トポグラフィ上にウェッティング層をイオン金属プラズマ蒸着法によって形成した後、単一のディポジション・チャンバ内で該ウェッティング層上にバルク金属層のほぼ全体をスパッタ蒸着法により形成する。 - 特許庁

A via hole 11 and a groove 12 for second layer Cu wiring are formed on a first layer Cu wiring 7 that is formed on a MOS transistor 1, a barrier metal layer 13 is formed, and ion implantation is conducted.例文帳に追加

MOSトランジスタ1上に形成された第1層Cu配線7の上層にビア孔11及び第2層Cu配線用の溝12を形成し、バリアメタル層13を形成した後、イオン注入を行う。 - 特許庁

Furthermore, the surface layer part of the joint silicon single crystal thin film 5, stuck on the first substrate 7, is etched back upto an etch-stop layer 6' that is formed based on the ion implantation layer 6, through this peeling operation.例文帳に追加

そして、この剥離により第一基板7上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜5表層部を、エッチストップ用イオン注入層6に基づいて形成されたエッチストップ層6’までエッチバックする。 - 特許庁

A covering layer 12 of lithium carbonate is formed on the surrounding of a compound nickel acid lithium particulate 10 and the carbonate ion richness on the surface of the composite nickel acid lithium particulate is made 0.012-0.018 g^2/Lm^2.例文帳に追加

複合ニッケル酸リチウム微粒子10の周囲に炭酸リチウムの被覆層12を形成し、複合ニッケル酸リチウム微粒子10の表面における炭酸イオン濃度を0.012〜0.018g^2/Lm^2の範囲とした。 - 特許庁

In this chemical and mechanical polishing method, barrier metal formed on the semiconductor wafer 11 is polished, while slurry (abrasive solution) 5 and copper ion solution 7 are dripped on a polishing pad 2 of a platen (polishing surface plate) 1.例文帳に追加

本発明の化学機械研磨方法は、プラテン(研磨定盤)1の研磨パッド2上にスラリー(研磨液)5を滴下すると共に銅イオン溶液7を滴下しながら、半導体ウエハ11に形成したバリアメタルを研磨する。 - 特許庁

After a surface modified layer 21 insoluble in an etching solution E (for example limonene) is formed on the substrate P by ion implantation treatment, an opening portion 21U is formed on the surface modified layer 21 by dry etching treatment.例文帳に追加

イオン注入処理によりエッチング溶液E(例えばリモネン)に不溶な表面改質層21を基板Pの表面に形成したのち、ドライエッチング処理により表面改質層21に開口部21Uを形成する。 - 特許庁

The intensity of the light emission on the surface of an ion generating electrode 403 for generating positive/negative ions based on the plasma discharge phenomenon is detected by a photomultiplier tube 411 as a light emission intensity detecting means.例文帳に追加

プラズマ放電現象に基づいて正負イオンを発生させるイオン発生電極403の表面での発光の強度が、発光強度検出手段としての光電子倍増管411で検出される。 - 特許庁

To provide an ionic dissociation apparatus or a disassociation method used for a mass spectrometer, in which an electron beam and an infrared laser are irradiated on ions on the same axis, and to provide the mass spectrometer equipped with the ion dissociation apparatus.例文帳に追加

質量分析計に用いるイオン解離装置またはイオンの解離方法において、電子ビームと赤外線レーザーが同一軸上でイオンに照射されるイオン解離装置または解離方法を提供する。 - 特許庁

The flat plate Pt single crystal having a not smaller than 400 nm particle diameter is formed on a substrate by repeating an ion irradiation and a heating treatment by turns to the Pt thin film formed on the amorphous silica substrate.例文帳に追加

非晶質シリカ基板上に形成されたPt薄膜にイオン照射と加熱処理を交互に繰り返すことにより、基板上に粒径400nm以上の大きさを持つ平板状Pt単結晶を形成する。 - 特許庁

The substrate cleaning method jets cleaning gas consisting of water vapor on the surface of the substrate after plasma washing the substrate having on the surface the resist used in an ion implantation process or the like.例文帳に追加

イオン注入工程などにおいて使用されたレジストを表面に有する基板を、1分未満のプラズマアッシングした後、水蒸気からなる洗浄ガスを該基板表面に噴射することを特徴とする基体洗浄方法。 - 特許庁

In a lithium ion secondary battery, a positive electrode tab 11 led from an electrode group 7 is jointed on an outer periphery of a positive electrode current collector member 5, and a positive electrode presser member 22 is arranged on an outer periphery of the positive electrode tab 11.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池は、電極群7から導出された正極タブ11が、正極集電部材5の外周面に接合され、正極タブ11の外周に正極押さえ部材22が配置されている。 - 特許庁

To prevent dielectric breakdown and damage of an insulting film by suppressing positive charge-up for a semiconductor device formed on a semiconductor substrate without depending on a scanning method and scanning speed of an ion beam.例文帳に追加

イオンビームの走査方法及び走査速度によらずに、半導体基板上に形成された半導体装置に対する正のチャージアップを抑制して絶縁膜の絶縁破壊及び損傷を防止できるようにする。 - 特許庁

The electrolyte membrane for fuel cell has a catalyst electrode layer formed on a surface of a polymer electrolyte film substrate in which a concavo-convex structure is formed on the surface by carrying out ion irradiation and by etching the damaged region.例文帳に追加

イオン照射し、損傷領域をエッチングすることによって表面に凹凸構造を生じさせた高分子電解質フィルム基材表面に触媒電極層が形成された燃料電池用電解質膜。 - 特許庁

Thereafter, the surface layer section of the thin bonded single-crystal silicon film 5, laminated on the base wafer 7 when the thin 5 is peeled from the wafer 1, is etched back to an etching stopper layer 6', formed based on the ion-implanted layer 6 for stopping etching.例文帳に追加

そして、この剥離によりベースウェーハ7上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜5表層部を、エッチストップ用イオン注入層6に基づいて形成されたエッチストップ層6’までエッチバックする。 - 特許庁

The common sample holder for a scanning electron microscope device and a focused ion beam device is set mountable on a scanning electron microscope device with an electron beam backscatter pattern measurement function and on a focused-ion beam device with a microsampling function, and enables a crystal orientation analysis and microsampling, without having to remount a sample.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡装置と集束イオンビーム装置との共用試料ホルダーは、電子線後方散乱パターン計測機能を有した走査型電子顕微鏡装置と、マイクロサンプリング機能を装備した集束イオンビーム装置とに装着可能で、試料の載せ替え作業をせずに結晶方位解析とマイクロサンプリング加工が可能であることを特徴とする。 - 特許庁

An electrodialysis with two bipolar films 5 placed between a positive electrode and a negative electrode, an anion exchange membrane 4 placed on the positive electrode side, and a sodium ion permselective membrane 3 placed on the negative electrode side between the bipolar membranes 5 respectively separates and recovers sodium ion as sodium hydroxide and anion as acid from radioactive effluent containing sodium salt.例文帳に追加

陽電極と陰電極の間に2枚のバイポーラ膜を配置し、該バイポーラ膜間の陽電極側に陰イオン交換膜、陰電極側にナトリウムイオン選択透過膜をそれぞれ配置して電気透析を行うことにより、ナトリウム塩を含む放射性廃液からナトリウムイオンを水酸化ナトリウムとして、陰イオンを酸としてそれぞれ分離回収する。 - 特許庁

This manufacturing method is composed of a first process for executing blast treatment, alkali cleaning, or ethanol cleaning on a valve element base material surface corresponding to the sliding surface or on the valve seat base material surface, a second process for executing surfacing, a third process for executing Cr ion bombardment treatment, and a fourth process for forming a CrN film by an ion plating method.例文帳に追加

さらに、本発明の製法は、摺動面に相当する弁体基材表面または弁座基材表面をブラスト処理、アルカリ洗浄またはエタノール洗浄する第1工程、面仕上げをする第2工程、Crイオンボンバード処理する第3工程、およびイオンプレーティング法によりCrN被膜を形成する第4工程からなる。 - 特許庁

As a result, secondary electrons e^-, emitted from an electrode plate 62 by γ discharge are accelerated, in a direction which is opposite to that of the ions in the electric field of an upper ion sheath SH_U and passes through the plasma PR, and further traverses a lower ion sheath SH_L, and is injected into a resist pattern 100 on the surface of a semiconductor wafer W on a susceptor 12.例文帳に追加

そうすると、γ放電によって電極板62より放出された2次電子e^-は、上部イオンシースSH_Uの電界でイオンとは逆方向に加速されてプラズマPRを通り抜け、さらに下部イオンシースSH_Lを横断して、サセプタ12上の半導体ウエハW表面のレジストパターン100に所定の高エネルギーで打ち込まれる。 - 特許庁

Furthermore, high-conductivity and harmless fresh water can be efficiently obtained by supplying low-conductivity water containing a water pollutant of high BOD, or the like, to the electrolytic chambers on the ion (electrolyte) enriching section sides and by supplying the high-conductivity water not containing water pollutants such as the sea water to the electrolytic chambers on the ion (electrolyte) removing section sides.例文帳に追加

さらに、イオン(電解質)濃縮部側の電気透析室にはBOD等の水質汚濁物質を含む低導電度水を給水し、イオン(電解質)除去部側の電気透析室には海水等の水質汚濁物質を含まぬ高導電度水を給水することにより、高導電度水を効率良く無害な淡水を得ることが出来る。 - 特許庁

A method comprises a step for performing an ion implantation S/D IMP for forming a source/drain junction of a transistor into predetermined regions of semiconductor substrates 11, 21; and a step for performing an additional compensation ion implantation CO IMP into a part of the source/drain junction to compensate the deviation of transistor characteristics depending on locations on the semiconductor substrates 11, 21.例文帳に追加

半導体基板11,21の所定領域に、トランジスタのソース/ドレイン接合を形成するためのイオン注入S/D IMPを行うステップと、半導体基板11,21上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、ソース/ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入CO IMPを行うステップとを含む。 - 特許庁

In the organic EL device in which at least a first electrode, the functional layer including a light-emitting layer and a second electrode are laminated in order on a substrate, the sealing substrate 109 is joined with the adhesive layer 108 formed on the upper part of the second electrode 103, and the adhesive layer 108 includes an ion trapping material which traps an ion.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、第1電極と、発光層を含む機能層と、および第2電極とが順次積層されてなる有機EL装置において、第2電極103の上部に形成した接着層108で封止基板109を接合し、接着層108は、イオンをトラップするイオントラップ材料を含有している。 - 特許庁

In the film forming device in which plasma for vapor deposition 10 is generated by giving an electric impulse on a cathode target 2, target ions in the plasma for vapor deposition 10 are led onto a specimen substrate 4 on which bias voltage is applied and a thin film is formed, the plasma for vapor deposition 10 is generated by irradiating the cathode target 2 with an ion beam 9 generated in an ion source 3.例文帳に追加

陰極ターゲット2に電気的衝撃を与えて蒸着用プラズマ10を生成し、蒸着用プラズマ10中のターゲットイオンをバイアス電圧が印加された試料基板4に導いて薄膜を成膜する成膜装置において、イオン源3で生成されたイオンビーム9を陰極ターゲット2に照射して蒸着用プラズマ10を生成する。 - 特許庁

This radiation image conversion panel has: the substrate formed of a metal or an alloy; an oxide layer formed on the substrate by a vapor phase deposition method such as a sputtering method, an ion plating method or an ion beam assist evaporation method; and a phosphor layer formed on the oxide layer by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、この基板上に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法などの気相堆積法により形成された酸化物層と、この酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有するものである。 - 特許庁

The separating part has a separating electrode arranged on an inner face of the casing to generate repulsive force with the floating ion therebetween, and a separating counter electrode arranged on an opposite side inner face confronting the separating electrode in the inner face of the casing to generate attraction force with the floating ion therebetween.例文帳に追加

分離部は、ケーシングの内面上に配置された分離用電極であって、浮遊イオンとの間で斥力を生じさせる分離用電極と、ケーシングの内面のうち分離用電極と対向する対向側内面上に配置された分離用対極であって、浮遊イオンとの間で引力を生じさせる分離用対極と、を有する。 - 特許庁

The fuel electrode containing an oxide having oxygen ion conductivity and a metal is made a multi-layer structure or an inclined concentration structure and the concentration of oxide is made higher on the electrolyte side and the concentration of metal is made higher on the surface side on the opposite side of the electrolyte layer.例文帳に追加

酸素イオン伝導性を有する酸化物と金属を含有する燃料極を多層構造あるいは傾斜濃度構造とし、電解質側ほど酸化物濃度が高く、反電解質側である表面側ほど金属濃度を高くなるようにする。 - 特許庁

A lithium ion secondary battery is manufactured by forming a positive electrode layer on a base material with a flat surface by a chemical vapor deposition method, specifically an metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method, forming an electrolyte layer on the positive electrode layer, and forming a negative electrode layer on the electrolyte layer.例文帳に追加

平面を有する基材上に化学気相成長法、具体的には有機金属気相成長法により正極層を形成し、正極層上に電解質層を形成し、電解質層上に負極層を形成するリチウムイオン二次電池を作製する。 - 特許庁

Lower electrodes (13, 542) are formed on substrates (11, 52), on lower electrodes, a ferroelectric film (24), or a piezoelectric film (543) is formed by an ion-beam assist method, and on the ferroelectric film or the piezoelectric film, upper electrodes (25, 541) are formed.例文帳に追加

基板(11、52)の上に下部電極(13、542)を形成し、前記下部電極上にイオンビームアシスト法で強誘電体膜(24)又は圧電体膜(543)を形成し、前記強誘電体膜又は圧電体膜上に上部電極(25、541)を形成する。 - 特許庁

Since hindrance to electrolyte penetration due to swelling can be avoided by properly providing the groove on the surface side of the mix layer and making more binders exist on the collector side than on the surface side of the electrode, high-rate discharge characteristics of the lithium ion secondary battery can be enhanced.例文帳に追加

合剤層の表面側に溝を適正に設け、集電体側の結着剤を電極表面側より多く存在させることで、膨潤による電解液浸透の妨げを回避できるので、リチウムイオン二次電池の高率放電特性が向上できる。 - 特許庁

Furthermore, a filtering means including the filter, the ion adsorbent, and so on is arranged on a liquid crystal transfer route between a liquid crystal storing container in the liquid crystal dropping device and a nozzle to drop the liquid crystal on the substrate (especially between the container and the liquid crystal discharging means).例文帳に追加

また液晶滴下装置内の液晶を貯蔵する容器と液晶を基板上に滴下するノズルとの間(特に、該容器と液晶吐出手段との間)の液晶の移送経路に上記フィルタやイオン吸着部材などを含む濾過手段を設ける。 - 特許庁

Next, a reflection electronic image of the observation face is generated (S10), and by adjusting that contrast of the reflection electronic image, the boundary line of the ion concentration change layer formed on a part facing the joining face on the glass is visualized on the reflection electron image (S20).例文帳に追加

次いで、観察面の反射電子像を生成し(S10)、当該反射電子像のコントラストを調節することにより、ガラスのうち接合面に面する部分に形成されたイオン濃度変化層の境界線を、反射電子像において可視化する(S20)。 - 特許庁

In the deposition method performing thin-film formation by irradiating a target material with ions in a vacuum chamber to deposit the constitution material of the target material on a substrate, at least one or more seconds of non-irradiation time is set within one period of a first operation period of intermittent ion irradiation consisting of ion irradiation and ion non-irradiation.例文帳に追加

本発明によって、真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させて薄膜作製を行う成膜法であって、イオン照射とイオン非照射とからなる断続的なイオン照射の第1の動作周期の1周期内に少なくとも1秒以上の非照射時間を設ける、ことを特徴とする成膜方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method of inspecting a lithium ion secondary battery with which a battery which is temporarily short-circuited by concurrently touching a manufacturing device or the like with a negative electrode external terminal and an exterior can in manufacturing the lithium ion secondary battery, danger of corrosion of the exterior can caused by a lithium metal deposited on an inner surface of the exterior can is suppressed, and a highly reliable lithium ion secondary battery can be selected.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の製造時に、負極外部端子と外装缶とが同時に製造装置等に触れること等により一時的に短絡を起こした電池を簡単に検出でき、外装缶の内表面に析出したリチウム金属による外装缶の腐食の危険性が抑制された、信頼性の高いリチウムイオン二次電池を選別し得るリチウムイオン二次電池の検査方法を提供すること。 - 特許庁

To prolong the service life of ion exchange columns when a high purity boric acid solution is obtained by treating an acid radical-containing boron eluate produced by adsorbing boron in a boron-containing aqueous solution on an ion exchange resin and passing an acid through the resin to regenerate the resin and to reduce troublesome operations such as the separation, regeneration and mixing of cation and anion exchange resins in the regeneration operation of ion exchange resins.例文帳に追加

ホウ素含有水溶液をイオン交換樹脂に吸着するホウ素を酸を通液して再生した酸根を含むホウ素溶離液を処理して高純度のホウ酸溶液を得るに当たり、イオン交換塔の寿命の延長を図り、また、イオン交換樹脂の再生操作において陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂の分離、再生、混合という煩雑な操作の軽減が図り得る手段を提案する。 - 特許庁

This method for producing the antibacterial, antifungal and deodorizing inorganic composition comprises subjecting the raw material powder consisting mainly of the calcium silicate hydrate under a carbonation treatment process of curing in a carbon dioxide gas atmosphere, and then subjecting an ion-loading process of bringing the carbonated raw material powder in contact with a metal ion having the antibacterial, antifungal and deodorizing properties to load the metal ion on the raw material powder.例文帳に追加

ケイ酸カルシウム水和物を主成分とする原料粉体を、炭酸ガス雰囲気で養生する炭酸化処理工程に供し、次いでこの炭酸化した原料粉体を防菌防カビ消臭性を有する金属イオンと接触させることにより、前記原料粉体に金属イオンを担持させるイオン担持工程に供することを特徴とする防菌防カビ消臭性無機組成物の製造方法。 - 特許庁

The hybrid deflector 500 for an ion implantation system is composed of a magnetic deflection module 350 which works to deflect ion beam from a beam axis, an electrostatic deflection module 504 which works to deflect the ion beam from the beam axis, and a controller 304 which, based on one or a plurality of input controlling signals, operates either the magnetic deflection module or the electrostatic deflection module selectively.例文帳に追加

本発明に係るイオン注入システムのためのハイブリッド偏向器500は、イオンビームをビーム軸から偏向するように動作する磁気偏向モジュール350と、前記イオンビームを前記ビーム軸から偏向するように動作する静電偏向モジュール504と、1つまたは複数の入力制御信号に基づいて、前記磁気偏向モジュールと前記静電偏向モジュールの1つを選択的に動作させるコントローラー304とを含む。 - 特許庁

例文

Electrode plates 31a-34d constituting an imaginary rod electrode are formed in specified necessary shape at least at the edges on the ion optical axis x side, and the electrode plates 31a-34d are held at the parts away from the ion optical axis, by an insulator holder 35 formed of an insulator and fixed in these positions to unitize the imaginary rod multipolar ion lenses.例文帳に追加

仮想ロッド電極を構成する各電極素板31a〜34dを、少なくともイオン光軸x側の縁部において所定の必要とされる形状にするとともに、絶縁体から成る絶縁体ホルダ35により該イオン光軸xから離れた部分において各電極素板31a〜34dを保持し、それらの位置を固定することにより仮想ロッド多重極イオンレンズをユニット化する。 - 特許庁




  
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