「on ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

On an n^+ substrate as an n^+ drain region 11; an n^- drift region 12, a p^- body region 41, and an n^+ source region 31 are formed by epitaxial growth and ion injection.例文帳に追加

まず，Ｎ^+ ドレイン領域１１となるＮ^+ 基板上にエピタキシャル成長およびイオン注入によりＮ^- ドリフト領域１２，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^+ ソース領域３１を形成する。 - 特許庁

With this, an evaporation film is laminated on the surface of the sample at the vacuum evaporation device and the sample 6 can be immediately moved to the focusing ion beam machining/observation apparatus 2.例文帳に追加

これにより、真空蒸着装置で蒸着膜を試料表面に積層して直ぐに該試料６を収束イオンビーム加工観察装置２に移動させることが可能となる。 - 特許庁

Semiconductor wafers 22 are arranged on a circular disk 24 in one piece, and an ion beam 28 is made to impinge obliquely onto the semiconductor wafer 22 at a prescribed angle.例文帳に追加

円盤状のディスク２４に複数枚の半導体ウエハ２２を一体的に配置して、半導体ウエハ２２に対して所定の角度だけ傾斜した方向よりイオンビーム２８を入射させる。 - 特許庁

A substrate surface is treated with plasma ions, a conductive polymer solution is applied to the substrate surface subjected to the plasma ion treatment to form a conductive polymer thick film on the substrate.例文帳に追加

基板表面をプラズマイオンで処理し、前記プラズマイオン処理された基板面上に導電性高分子溶液を塗布し、前記基板上に導電性高分子厚膜を形成する。 - 特許庁

A photoelectric transfer target part 110 has a glass substrate 111 of glass such as borosilicate glass, and an ion barrier layer 112 of SiO2 formed on one surface thereof.例文帳に追加

光電変換ターゲット部１１０は、ホウケイ酸ガラスのようなガラスから構成したガラス基板１１１と、その一方の面に形成されたＳｉＯ_２から構成したイオンバリア層１１２とを有する。 - 特許庁

In the ion gun, firstly, a structure is adopted which makes gas introduction only to the portion where ionization is intended and prevents gas leakage on the way so as to prevent gas glow discharge at the unnecessary portion in the vacuum.例文帳に追加

真空中の不必要な部分でのグロー放電を防ぐため、第一にイオン化を目的とした部分にのみガスが導入されるようにし、中途でのガス漏れを防ぐ構造にした。 - 特許庁

In such a condensate purification system, an all organic carbon resolving device 18 for resolving all organic carbon generated from the ion exchange resin 16 is provided on the way of the recirculation line.例文帳に追加

このような復水浄化システムにおいて、イオン交換樹脂１６から発生した全有機炭素を分解するための全有機炭素分解装置１８を、再循環ラインの途中に設ける。 - 特許庁

This is conductive fine particles where a metal layer having conductivity is formed on the surface of the base material fine particles, the content of halogen ion is 30 ppm or less.例文帳に追加

基材微粒子の表面に導電性を有する金属層が形成されてなる導電性微粒子であって、ハロゲンイオンの含有量が３０ｐｐｍ以下である導電性微粒子。 - 特許庁

Indium ions are implanted into a TiN film 10 which is the gate electrode on the condition that they do not reach the gate insulation film 9, to form an In ion implanted layer 12 in the TiN film 10.例文帳に追加

ゲート絶縁膜９に達しない条件で、ゲート電極であるＴｉＮ膜１０中にインジウムイオンを注入し、ＴｉＮ膜１０中にＩｎイオン注入層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a compound for polishing a barrel and a barrel polishing method capable of stably exercising the action of a surface active agent without depending on an amount of ion included in the water.例文帳に追加

水中に含まれるイオン量に依ることなく界面活性剤の作用を安定して発揮させることが可能なバレル研磨用コンパウンドおよびバレル研磨方法を提供すること。 - 特許庁

The antibacterial material is produced by forming a zinc oxide thin film on a glass substrate, a plastic sheet, a plastic film substrate, etc., by vacuum deposition, sputtering, ion plating, etc.例文帳に追加

ガラス基板、プラスチックシート、プラスチックフィルム基板等の上に、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の手法で酸化亜鉛薄膜を形成させることを特徴とする抗菌性材料である。 - 特許庁

To provide a fuel cell capable of improving durability of an ion exchange membrane and obtaining stable and high output by reducing deviation of distribution of power generation on a whole electrode surface.例文帳に追加

電極面全体の発電分布の偏りを可及的に低減して、イオン交換膜の耐久性を向上させるとともに、安定した高出力を得ることを可能にする。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 100, a silicon oxide film 110 is formed by thermal oxidation process and silver is implanted in the silicon oxide film 110 by negative ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面に、熱酸化工程により、シリコン酸化膜１１０を形成し、このシリコン酸化膜１１０中に、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

More particularly, it is preferable to execute copper plating or nickel plating of high ion concentration or high current density, and to form the rough surface having the above roughness on the surface of the electrode 2.例文帳に追加

具体的には高イオン濃度あるいは高電流密度の銅メッキもしくはニッケルメッキを施して電極２の表面に上記の粗さの粗面を形成することが好ましい。 - 特許庁

To immediately neutralize electrification of a duct to supply ions efficiently to the interior of a vehicle with an on-vehicle ion generating device attached to the duct of a vehicle air conditioning device.例文帳に追加

車両用空気調和機のダクトに取り付けられる車載用イオン発生装置において、ダクトの帯電をすばやく中和し、車室内に効率よくイオンを供給できるようにする。 - 特許庁

To easily peel off a hard carbon layer formed on a resist film by implanting ion with high concentration and high energy in a semiconductor producing process.例文帳に追加

本発明は、半導体製造工程において、高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより、レジスト膜に形成された硬いカーボン層を、容易に剥離することを目的とするものである。 - 特許庁

Also, excellent mold release properties can be obtained by not adding the metal ion containing compound to the receiving layer on an intermediate transfer sheet and the intermediate transfer sheet without the peeling of the receiving layer can be easily obtained.例文帳に追加

また、中間転写シート上の受容層に金属イオン含有化合物を添加しないことで離型性に優れ、受容層トラレのない中間転写シートを得ることが容易となる。 - 特許庁

By conducting wet etching to the oxide film 2, after performing ion implantation to the oxide film 2 on the primary surface of the silicon single-crystal substrate 1, the pattern opening 2a is formed.例文帳に追加

シリコン単結晶基板１の主表面上の酸化膜２に対しイオン注入を行った後、該酸化膜２をウェットエッチングすることにより、パターン開口部２ａを形成する。 - 特許庁

After concentration, the solidified material is fired to obtain an oxide of the metal ion and the metal oxide fine particles are applied on the barium titanate powder to obtain the barium titanate powder coated with the metal oxide fine particle as the dielectric ceramic powder.例文帳に追加

濃縮終了後の固化物を焼成し、金属イオンの酸化物を得、金属酸化物微粒子を被覆で被覆したチタン酸バリウム粉末を誘電体磁器粉末として得る。 - 特許庁

The diffused resistor 12 is formed by inducing impurities through ion implantation on a silicon substrate 11, followed by heat treatment at high temperature to an interlayer insulating film 14, a silicon nitride film 18 and the like.例文帳に追加

シリコン基板１１に、イオン注入で不純物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜１４、窒化シリコン膜１８などの高温熱処理で拡散抵抗１２を形成する。 - 特許庁

The solid polymer fuel cell has a cell structure in which the hydrogen electrode 12 disposed on both sides of the polymer ion-exchange membrane 11 and an oxidation electrode 13 are putted between separators 14 and 15.例文帳に追加

高分子イオン交換膜１１の両側に配置した水素極１２，酸化極１３をセパレータ１４，１５で挟み込んだセル構造をもつ固体高分子型燃料電池である。 - 特許庁

A sealed cylinder type lithium ion secondary battery includes the bunch of electrode windings housed at the center of a battery can, and the top cover thereof is arranged on the upper part of the bunch of electrode windings.例文帳に追加

密閉円筒型リチウムイオン二次電池は、電池缶内の中央に収容された電極捲回群を備えており、電極捲回群の上部には上蓋が配置されている。 - 特許庁

The LDD diffusion layer 107, which specifies the distance L between PN junctions, is formed on the surface layer of the semiconductor substrate 101 by ion implantation employing the gate electrode pattern 105 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１０１の表面層にＰＮ接合間距離Ｌを規定するＬＤＤ拡散層１０７を形成する。 - 特許庁

The antistatic film has a coating layer containing a compound which has two or more quaternary nitrogens in a molecule and the counter anion of which is a nitrate ion on one surface of the polyester film.例文帳に追加

分子内に４級化窒素を２つ以上有し、その対アニオンが硝酸イオンである化合物を含む塗布層をポリエステルフィルムの片面に有することを特徴とする帯電防止フィルム。 - 特許庁

One impurity area is formed by implanting an impurity into a semiconductor by performing ion irradiation with a gate part formed on the semiconductor and a mask member as a mask.例文帳に追加

半導体上に形成されたゲート部およびマスク材をマスクとして、イオン照射を行うことによって不純物を前記半導体に注入して、一方の不純物領域を形成する。 - 特許庁

The electrode (a lithium ion battery positive electrode) 30 is provided wherein an active material layer 35 mainly containing an electrode active material is held on a metal collector 32.例文帳に追加

本発明によると、電極活物質を主成分とする活物質層３５が金属製の集電体３２に保持された電極（例えばリチウムイオン電池用正極）３０が提供される。 - 特許庁

To form an active face of metal by using sputtering action of unselected ion separated by a magnet and adsorbing residual gas on the surface for maintaining a high vacuum degree.例文帳に追加

マグネットによって分離された選外イオンのスパッタリング作用を利用して金属の活性面を作成し、その表面に残留ガスを吸着させることにより高真空を維持する。 - 特許庁

A heavily doped diffusion layer 42 is formed to the surface layer of a terminal-section base region 40 by an ion implantation using an end on the cell-section side of the oxide film 10 as a mask and a heat treatment.例文帳に追加

酸化膜１０のセル部側の端部をマスクとするイオン注入および熱処理により終端部ベース領域４０の表面層に高濃度不純物拡散層４２を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for treating the surface of a base material, which can uniformly deposit a film on a base material having a large surface area by sputtering and reform the surface of the base material by plasma ion implantation.例文帳に追加

面積の大きな基材に対して、均一に、スパッタリングによる成膜と、プラズマイオン注入による表面改質とを行うことが可能な基材表面処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion plating apparatus which can form a film having stable film characteristics on a workpiece by suppressing the re-vaporization of a formed film deposit which has been deposited on a hearth by the vaporization of a film material, or suppressing the deposition of a formed film deposit on the hearth, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

膜材の気化によりハースに付着した成膜堆積物の再気化を抑制、または成膜堆積物がハースに堆積するのを抑制して、ワークに安定した膜特性を有する被膜を成膜することができるイオンプレーティング装置および成膜方法を提供すること。 - 特許庁

The film formation method for forming a VC film on the substrate by an ion plating method includes: forming a TiN film or TiCN film on the surface of the substrate as the intermediate layer; and forming the VC film as an outermost surface layer on the substrate via the intermediate layer.例文帳に追加

ＶＣ膜をイオンプレーティング法によって基材に成膜するための成膜方法であって、前記基材の表面にＴｉＮ膜又はＴｉＣＮ膜を中間層として成膜し、前記基材に前記中間層を介して前記ＶＣ膜を最表面層として成膜する。 - 特許庁

The method includes a step wherein, with laser light being irradiated on a predetermined range on a diamond substrate (1) in a vacuum bath (2), a dopant ion beam is injected into the same region to form a conductive layer; and a step of forming a metal electrode on the conductive layer.例文帳に追加

真空槽（２）にて、ダイヤモンド基板（１）上の所定領域にレーザー光を照射しながら、その同じ所定領域に不純物のイオンビームを注入して導電層を形成するステップと、その導電層上に金属電極を形成するステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

After removing the ion implantation mask pattern, a transfer gate electrode, an NMOS gate electrode, and a PMOS gate electrode are formed on a semiconductor substrate in a pixel region, on that of the NMOS region, and on that of the PMOS region, respectively, by patterning the polysilicon film.例文帳に追加

イオン注入マスクパターンを除去した後にポリシリコン膜をパターニングして画素領域の半導体基板上に転送ゲート電極、ＮＭＯＳ領域の半導体基板上にＮＭＯＳゲート電極及びＰＭＯＳ領域の半導体基板上にＰＭＯＳゲート電極を形成する。 - 特許庁

The ion generating element 10 is provided with a dielectric 11 having one surface and the other surface on the opposite side, a first electrode 12 formed on the one surface of the dielectric 11, and a second electrode 15 formed on the other surface of the dielectric 11.例文帳に追加

イオン発生素子１０は、一方の表面と反対側の他方の表面とを有する誘電体１１と、誘電体１１の一方の表面の上に形成された第１の電極１２と、誘電体１１の他方の表面の上に形成された第２の電極１５とを備える。 - 特許庁

A method of producing a base material for superconductive thin film comprises: a first step of depositing a bed layer on a metal base plate; a second step of forming an orientation layer on the bed layer by an ion beam assisted deposition; and a third step of forming a cap layer comprising CeO_2 on the orientation layer by a sputtering.例文帳に追加

超電導薄膜用基材の製造方法において、金属基板上にベッド層を成膜し（第１工程）、ベッド層上にイオンビームアシスト蒸着法により配向層を形成し（第２工程）、配向層上にスパッタ法によりＣｅＯ_２からなるキャップ層を形成する（第３工程）。 - 特許庁

To form a film by the ion plating without including impurities in the film, or without damages on a substrate and the film by preventing damages on the denseness and adhesion of the film formed on the substrate and preventing generation of the arc discharge in the plasma.例文帳に追加

基板に成膜された膜の緻密さや付着力を損なわないようにする一方、プラズマ中にアーク放電が発生することを防ぐことにより、膜に不純物が混入することなく、基板や膜が損傷を受けることもないイオンプレーティングによる成膜を行えるようにすることである。 - 特許庁

A gate electrode 21 is assumed to be a pattern which extends from the gate insulating film 16 to an insulating film 13, such that at least on the gate insulating film 16 one edge overlaps on the ion implantation region 18 for connection, and the other end overlaps on an n-type impurity region 14.例文帳に追加

ゲート電極２１は、少なくともゲート絶縁膜１６上では一方縁部が接続用イオン注入領域１８上にかかり、かつ他方縁部がＮ型不純物領域１４上にかかるようゲート絶縁膜１６から絶縁膜１３にかけて延在させたパターンとする。 - 特許庁

An oxide film of 2-20 μm thickness comprising MgO, Al2O3 or ZrO2 is formed on a nitride film formed by cathode arc type ion plating, a TiAlN film is further formed in 2-5 μm thickness on the oxide film and a silicate film is further formed on the TiAlN film by a sol-gel process.例文帳に追加

また、カソードアーク式イオンプレーティング法で形成した窒化膜上に、厚さ２〜２０μｍのＭｇＯ、Ａｌ_2Ｏ_3、または、ＺｒＯ_2からなる酸化膜を形成し、更にその上に、ＴｉＡｌＮ膜を２〜５μｍ形成し、更にその上にゾル・ゲル法でシリケート膜を形成した膜構造。 - 特許庁

The electrolyte membrane 20 is composed of a first electrolyte layer 31 which is formed on one side and is supplied with an electrode active material that generates ions to conduct in the electrolyte membrane 20 and a second electrolyte layer 32 which is formed on the other side and is formed of a high ion conductive electrolyte having a higher ion conductivity than the electrolyte to form the first electrolyte layer 31.例文帳に追加

電解質膜２０は、この電解質膜２０内を伝導するイオンを生じる電極活物質が供給される一方の側に形成される第１の電解質層３１と、他方の側に形成されると共に、第１の電解質層３１を形成する電解質よりもイオン伝導性が高い高イオン伝導性電解質によって形成される第２の電解質層３２と、から成る。 - 特許庁

Next, while a predetermined potential difference is given between a fixed electrode and a vibrating film that is provided to the micro condenser microphone 43a, ion generated by corona discharge of the discharging electrode is made incident on a dielectric film between the fixed electrode and the vibrating film, the microphone is made into electret to fix charge based on the ion onto the dielectric film.例文帳に追加

次いで、微小コンデンサマイクロホン４３ａが備える固定電極と振動膜との間に所定の電位差を付与した状態で、当該固定電極と振動膜との間の誘電体膜に放電電極のコロナ放電により発生したイオンを入射させることにより、当該イオンに基づく電荷を当該誘電体膜に固定するエレクトレット化が実施される。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes: a substrate 3; a first semiconductor chip that is provided on the substrate 3; a second semiconductor chip that is provided on the first semiconductor chip and whose back surface is processed to be a mirror surface; and the adhesive sheet 5 that is provided between the first and second semiconductor chips and includes a metal impurity ion-trapping agent for trapping metal impurity ion.例文帳に追加

半導体装置１は、基板３と、基板３上に設けられた第１の半導体チップと、第１の半導体チップ上に設けられ、裏面が鏡面処理された第２の半導体チップと、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間に設けられ、金属不純物イオンを捕獲する金属不純物イオン捕獲剤を含む接着シート５と、を備える。 - 特許庁

The beam deflector is provided with a pair of magnetic poles, an insulating member installed on the magnetic pole, at least one pair of electrodes which are arranged on the insulating member and face each other interposing a space through which the ion beam passes, and constitute an asymmetrical einzel lens along the travel direction of the ion beam, and at least one power source which impresses voltage across the pair of electrodes.例文帳に追加

ビーム偏向器は一対の磁極と、磁極上に設けられた絶縁部材と、絶縁部材上に配置されイオンビームが通過する空間を挟んで相対向するとともに、イオンビームの進行方向に沿って非対称なアインツェルレンズを構成する少なくとも１つの電極組と、電極組に電圧を印加するための少なくとも１つの電源とを備えている。 - 特許庁

To provide an on-the-spot measuring method and an on-the-spot measuring apparatus of ion concentration in solution that can measure the spot in a true meaning when measuring the absorbance of solution using the principles of frustrated internal reflection method, and can accurately measure absorbance even if the ion concentration in the solution is higher or insoluble particles and bubbles are present in the solution.例文帳に追加

減衰全内反射法の原理を用いて溶液の吸光度を測定するに際して、真の意味でのその場測定を行うことができ、しかも装置の小型化を図ることができ、溶液中のイオン濃度が高い場合や、溶液中に不溶解粒子や気泡が存在しても正確な吸光度測定を行うことができる溶液中のイオン濃度のその場測定方法および装置を提供する。 - 特許庁

An on-vehicle power storage device includes: battery blocks 100a, 100b, each of which has a metallic casing 110, a plurality of lithium ion battery cells 140 housed in the metallic casing 110, and dummy cells 141 having no electric energy; and a control device 900 which monitors a physical state of the plurality of the lithium ion battery cells 140 on which electric components are mounted.例文帳に追加

車載用蓄電装置は、金属製のケーシング１１０、金属製ケーシング１１０内に収納された複数本のリチウムイオン電池セル１４０、および電気エネルギを持たないダミーセル１４１を有する電池ブロック１００ａ，１００ｂと、電子部品が実装され複数のリチウムイオン電池セル１４０の物理状態を監視する制御装置９００とを備えている。 - 特許庁

In the moisturization method, dew condensation water is formed by cooling air by heat exchange, and while the dew condensation water is held on a discharge electrode 11, high voltage is applied to concentrate the charge on the tip of the discharge electrode 11 to generate ion mist, the ion mist is made to float in air by air blow, and exposed to the human body.例文帳に追加

本発明を、熱交換によって空気を冷却して結露水を生成し、この結露水を放電極１１に保持させた状態で、放電極１１の先端に電荷が集中するように高電圧を印加してイオンミストを発生させ、該イオンミストを送風により空気中に漂わせて、人体に曝露させることを特徴とした、イオンミストによる保湿方法とする。 - 特許庁