「on ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

The first catalyst 1 having a catalyst component in which at least one metal selected from Fe, Co, and Mn and Pt are supported on zeolite and the second catalyst 2 having a catalyst component in which Pt is supported on zeolite by an ion exchange method are arranged on the upstream side and on the downstream side in an exhaust gas flow direction A.例文帳に追加

ゼオライトにＦｅ、Ｃｏ及びＭｎのうちの少なくとも１種とＰｔとが担持されてなる触媒成分を有する第１触媒１と、ゼオライトにＰｔがイオン交換法によって担持されてなる触媒成分を有する第２触媒２とを、排気ガス流れ方向Ａにおける上流側と下流側とに配置する。 - 特許庁

An optical mirror 20 is arranged in the direction opposite to the scattering direction of ion debris on the plane made by the direction of an impressed magnetic flux 9 toward the side of incident laser beam and the direction of liquid injection 8 thus avoiding possible damage by the debris on the optical mirror.例文帳に追加

レーザ光入射側の磁場印加方向９と流体噴射方向８とのなす平面とで、イオンデブリ１２の飛散方向と反対方向に光学ミラー２０を配置し、デブリによる光学ミラーの損傷を防止する。 - 特許庁

A sample working position S_0 on the sample 6 and its periphery are finally etched by an ion beam I_B emitted on the sample 6 using an edge end part 12a of the shielding material 12 as a boundary, as shown in Fig. (c).例文帳に追加

そして最終的に図９（ｃ）に示すように、遮蔽材１２のエッジ端部１２ａを境界として試料６に照射されたイオンビームＩ_Ｂによって、試料６上の前記試料加工位置Ｓ_０およびその周辺部がエッチングされる。 - 特許庁

A semiconductor element is constituted in a structure that a high-concentration B-doped semiconductor diamond layer is formed on an insulative high-pressure synthetic diamond single crystal substrate 1, and semiconductor layers 2a and 2b used as source and drain regions are formed on the substrate 1 by a reactive ion etching.例文帳に追加

絶縁性の高圧合成ダイヤモンド単結晶基板１上に、高濃度Ｂドープ半導体ダイヤモンド層を形成し、反応性イオンエッチングにより、ソース及びドレイン領域となる半導体ダイヤモンド層２ａ及び２ｂを形成する。 - 特許庁

Thereafter, p-type impurities are ion-implanted with the oxidized film 12 as a mask, a p+-type contact region 8 is formed on the surface layer part of a p-type channel region 6, and a p+-type region 16a is formed on the Poly-Si layer 16.例文帳に追加

この後、酸化膜１２をマスクとしてｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型チャネル領域６の表層部にｐ^+型コンタクト領域８を形成すると共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１６にｐ^+型領域１６ａを形成する。 - 特許庁

Since a single-to-multiple relation between a tof value and an m/z value is known based on an ion emission time, a coefficient matrix A which represents a relation between a peak strength on the passing time-of-flight spectrum and a peak strength of a mass spectrum (which is unknown) is determined (S3).例文帳に追加

イオン出射時間に基づきtof値とm/z値との一対多の関係が分かるから、追い越し飛行時間スペクトル上のピーク強度とマススペクトル（未知）上のピーク強度との関係を表す係数行列Ａを求める（Ｓ３）。 - 特許庁

In the ion bombardment apparatus 1, a heating-type thermionic emission electrode 3 composed of a filament is arranged on one inside surface of a vacuum chamber 2, an anode 4 is arranged on the other inside surface, and the base material W is arranged between the heating-type thermionic emission electrode 3 and the anode 4.例文帳に追加

イオンボンバードメント装置１は、真空チャンバ２の一の内側面に、フィラメントで構成した加熱式の熱電子放出電極３と、他の内側面のアノード４と両者の間に基材Ｗが配置されている。 - 特許庁

When a lamp 5 on the side of the first space 26 and the ion trap 9 on the side of the second space 27 are partitioned by the partition 25, the irradiation volume of vacuum ultraviolet light 7 with reference to a sample gas can be increased in the first space 26.例文帳に追加

第１空間２６側のランプ５と第２空間２７側のイオントラップ９とを仕切り壁２５で仕切ることにより、第１空間２６中において、サンプルガスに対する真空紫外光７の照射体積を増加できる。 - 特許庁

The deposition chamber 13 comprises a deposition chamber 13a where an SiO_2 film is deposited on the substrate by sputtering and an ITO film deposition chamber 13b where an ITO film is deposited on the substrate by an ion plating method.例文帳に追加

成膜室１３は、パッタ法によって基板に酸化膜であるＳｉＯ_2膜を成膜するＳｉＯ_2膜成膜部１３ａとイオンプレーティング法によって基板にＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜成膜部１３ｂとから構成される。 - 特許庁

An ion generation/blast means 2 is arranged on the side of a first side X3 within both sides X3 and X4 of a static elimination object surface X1 of the charged object X, and an air suction means 3 is arranged on the side of the second side X4.例文帳に追加

帯電物体Ｘの除電対象面Ｘ１の両側辺Ｘ３，Ｘ４のうちの第１の辺Ｘ３側にイオン生成・送風手段２を配置し、第２の辺Ｘ４側に空気吸引手段３を配置する。 - 特許庁

Ions of impurities are implanted to the surface layer of the substrate using the gate electrode as a mask on a condition that an angle is not more than 7° formed between a line image vertically projecting the progressing direction of an ion beam on the substrate surface and both edges of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極をマスクとして、基板の表層部に、イオンビームの進行方向を基板表面に垂直投影した線像と、ゲート電極の両側の縁との成す角度が７°以下になる条件で、不純物をイオン注入する。 - 特許庁

The element is obtained by: forming a foundation film on a substrate; conducting the heat treatment to the foundation film at not less than 400°C; reducing surface roughness by having ion beams irradiated on the surface of the foundation film; and forming the ferromagnetic layer and the magnetic layer.例文帳に追加

この素子は、基板上に下地膜を形成し、この下地膜を４００℃以上で熱処理し、この下地膜の表面にイオンビームを照射して表面粗さを低減し、強磁性層および磁性層を形成して得ることができる。 - 特許庁

In addition, in the diffusion welding method, after the ion bombardment treatment by the gaseous glow discharge is performed on the surface of the two members 1, the two members 1 are superposed on each other, pressurized, and heated for the diffusion welding.例文帳に追加

また、本発明の拡散接合方法は、二つの被接合部材１の表面に気体のグロー放電によるイオンボンバード処理を施した後、この二つの被接合部材１を重ね合わせ押圧するとともに加熱して拡散接合する。 - 特許庁

By this, the secondary particles 57 in which a myriad of the primary particles (raw material particles) 33 are flocculated via the second ion conductive polymer 51 on the target 55 are formed in layers on the target 55 to be the electrode layer 59.例文帳に追加

これによって、ターゲット５５には、無数の一次粒子（原料粒子）３３が第二のイオン伝導性ポリマー５１を介して凝集してなる二次粒子５７が、ターゲット５５上で層状に形成され、電極層５９となる。 - 特許庁

A silicon oxide film of 10-50 nm thick is deposited on the entire surface of a semiconductor substrate 11 and subjected to anisotropic etching to form an ion implantation regulating film 18 of silicon oxide on the side face of a gate structure 17.例文帳に追加

半導体基板１１の全面に膜厚が１０〜５０ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、異方性エッチングを行なうことにより、ゲート構造体１７の側面上に酸化シリコンからなるイオン注入調整膜１８を形成する。 - 特許庁

The ion source device has a pair of mirror electromagnets 11, 12 arranged at regular intervals on the outside of a plasma chamber 10, and a multipole permanent magnet device 20 arranged between a pair of mirror electromagnets, on the outside of the plasma chamber 10.例文帳に追加

プラズマチャンバ１０の外側に間隔をおいて配置された一対のミラー電磁石１１、１２と、前記チャンバの外側であって前記一対のミラー電磁石の間に設けられた多極永久磁石装置２０とを備える。 - 特許庁

In the electrolytic electrode unit A, a conductive diamond film 2 is deposited on a plate surface of an anode side substrate 1, and an ion exchange sheet 3 and a cathode-side electrode plate 4 are deposited on the conductive diamond film 2 in this order.例文帳に追加

本発明の電解電極ユニットＡでは、陽極側基板１の板面上に導電性ダイアモンド膜２を成膜し、この導電性ダイアモンド膜２上に、イオン交換シート３と陰極側電極板４とをこの順に積層する。 - 特許庁

When desired wiring patterns 2 and 5 are formed on a plurality of layers via an interlayer insulating layer 4, layers 3, 6 and 9 of different types of metals are formed on surfaces or bottoms of the patterns 2 and 5 to prevent the occurrence of ion migration.例文帳に追加

層間絶縁層４を介して複数層に所要の配線パタ−ン２，５を形成する場合に、配線パタ−ン２，５の表面又は底部に層間絶縁層４とイオンマイグレ−ションを起こさない異種金属層３，６，９を形成する。 - 特許庁

Then, after a protective oxide film 11 is formed on the inner wall of the trench 4, the film 11 formed on the bottom of the trench 4 is etched by reactive ion etching together with the substrate 1 which forms the bottom of the trench 4.例文帳に追加

次に、トレンチ４の内壁に保護酸化膜１１を形成したのち、反応性イオンエッチングによりトレンチ４の底部に配置された保護酸化膜１１をエッチングすると共に、トレンチ４の底部においてＳｉ基板１のエッチングを進める。 - 特許庁

An Au film 2 is deposited on an MgO (100) substrate 1, and a Ga converging ion beam 50 nm in beam diameter is applied to the section, where a junction is desired to be formed, to form an irradiated region 3 on the surface of the substrate, and then the Au film 2 is removed.例文帳に追加

ＭgＯ(１００)基板１上にＡu薄膜２を蒸着し、接合を形成したい位置にビーム径５０nｍのＧa収束イオンビームを照射して基板表面に照射領域３を形成し、Ａu薄膜２を除去する。 - 特許庁

When a shoot inhibitor containing a water-soluble calcium compound or calcium ion is sprayed on leaves of citruses, or sprayed on or infused into the ground, the self topping of new treetops is accelerated to suppress the emergence of shoots.例文帳に追加

水溶性のカルシウム化合物またはカルシウムイオンを含む徒長抑制剤を、柑橘類の葉面に散布したり土壌に散布あるいは注入すると、新梢の自己摘心が促進されて徒長枝の発生を抑止できる。 - 特許庁

The layer of a first superconducting material is formed on the upper surface of the first dielectric layer of a substrate by dc reactive sputtering, and a second dielectric layer is formed on the upper surface of the first superconducting material by ion beam sputtering.例文帳に追加

基板となる第一誘電体層の上面に、直流反応性スパッタリングによって第一超伝導体層を形成し、その第一超伝導体層の上面に、イオンビームスパッタリングによって第二誘電体層を形成する。 - 特許庁

Hereupon, in order to form an injecting pattern wherein its impurity ion injecting density in the same depth varies depending on the injecting places thereof, a field oxide film is formed on one region and impurity ions are injected simultaneously into both regions.例文帳に追加

同一深さでの不純物イオンの注入密度が場所によって相違する注入パターンを形成するために、一方の領域にフィールド酸化膜を形成しておいて両領域に同時に不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Eu of +2 valence is selectively ion injected on a-Si formed on a Si substrate 2, then, by applying annealing treatment, a light emitting element 3 is formed, and further, ITO electrode 4 and Al electrode 5 are formed.例文帳に追加

Ｓｉ基板２上に形成したａ−Ｓｉに対して＋２価のＥｕを選択的にイオン注入し、その後アニーリング処理を施すことにより発光素子３を形成し、さらにＩＴＯ電極４およびＡｌ電極５を形成する。 - 特許庁

The gas sensor 1 has the solid electrolyte body 21 having oxygen ion conductivity, the measuring electrode 22 provided on one surface of the solid electrolyte body 21, and a reference electrode 23 formed on the other surface of the solid electrolyte body 21.例文帳に追加

本発明のガスセンサ１は、酸素イオン伝導性の固体電解質体２１と、該固体電解質体２１の一方の面に設けた測定電極２２と、固体電解質体２１の他方の面に形成した基準電極２３とを有する。 - 特許庁

The proton conductor is formed by placing a proton conductive oxide layer on one surface of a hydrogen permeable cathode substrate, and placing an interposing layer comprising an oxide having a low oxygen ion deficiency on the oxide layer.例文帳に追加

水素透過性の陽極基材の一方の面上に、プロトン伝導性酸化物層が配置され、該酸化物層の上にさらに酸素イオン欠損量の少ない酸化物からなる介在層が配置されたプロトン伝導体である。 - 特許庁

A semiconductor multilayer film 100 is formed on a substrate, the substrate is stripped off from the semiconductor multilayer film 100, and then a phosphor film 3 is formed on the semiconductor multilayer film 100 by ion plating using arc discharge plasma.例文帳に追加

基板上に半導体積層膜１００を形成し、半導体積層膜１００から基板を剥離し、半導体積層膜１００上にアーク放電プラズマを用いるイオンプレーティング法により蛍光体膜３を成膜する。 - 特許庁

On the surface of the pin for hole as cast, a nitrided layer having 400-1100 Vickers hardness (load: 100 gf) is formed by using an ion- nitriding method or an radical-nitriding method and a sulfide layer having the lubricity is formed on the nitrided layer.例文帳に追加

イオン窒化法又はラジカル窒化法を用いて鋳抜きピンの表面に、ビッカース硬度（荷重：１００ｇｆ）４００〜１１００の硬さを有する窒化層を形成させ、その上に潤滑性を有する硫化物層を形成させる。 - 特許庁

Further, the polarity of the DC voltage impressed on the electrolytic cell 1 is switched by a polarity switching circuit 7 to release the metal ion depositing on the electrode plate, and the lowering of electrolytic efficiency is prevented.例文帳に追加

また、極性切換回路７によって、電極セル１に印加している直流電圧の極性を切り換えることにより、電極板１１に付着している金属イオンを剥離することができ、電解効率の低下を防止することができる。 - 特許庁

This cylindrical lithium-ion secondary battery has a positive electrode wherein a positive electrode mix layer containing lithium manganate is formed on aluminum foil, and a negative electrode wherein a negative electrode mix layer containing amorphous carbon is formed on electrolytic copper foil.例文帳に追加

円筒型リチウムイオン二次電池は、マンガン酸リチウムを含有する正極合剤層をアルミニウム箔上に形成した正極と、非晶質炭素を含有する負極合剤層を電解銅箔上に形成した負極とを備えている。 - 特許庁

Etching for forming a side wall 51 is performed by two steps of reactive ion etching (RIE) and wet etching, i.e. a silicon oxide film 5A is left on an LDD layer 4 on a silicon substrate 1 by the RIE and the silicon oxide film 5A is removed by the wet etching.例文帳に追加

サイドウォール５１形成時のエッチングをＲＩＥとウエットエッチングの二段階で行い、ＲＩＥでシリコン基板１のＬＤＤ層４上に酸化シリコン膜５Ａを残存させ、ウエットエッチングでこの酸化シリコン膜５Ａを除去する。 - 特許庁

An n+ cathode layer 2 is formed in a surface layer on one main surface of an n-type semiconductor substrate 100, and a p+ anode layer 3 where p+ layer 3a is overlapped in a horizontal direction by ion implantation and heat diffusion is formed in the surface layer on the other.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１００の一方の主面の表面層に、ｎ^+ カソード層２を形成し、他方の主面の表面層に、イオン注入と熱拡散でｐ^+ 層３ａが横方向で重なったｐ^+ アノード層３を形成する。 - 特許庁

Further, a buffer layer 20 of AlGaN having a thickness of about 300 nm is grown on the ion implanted surface of the Si substrate 10, and a GaN layer 30 being an objective semiconductor crystal and having a thickness of about 200 μm is grown on the buffer layer 20.例文帳に追加

上記のＳｉ基板１０のイオン注入面上に、ＡｌＧａＮより成るバッファ層２０を約３００ｎｍ成長し、更にその上に、目的の半導体結晶である窒化ガリウム（ＧａＮ）層３０を約２００μｍ成長する。 - 特許庁

A ground sample 1 is fixed on the lower magnetic pole iron core 2, and the abrasive 4 composed of new developed magnetic grinding fluid is put between the lower magnetic pole iron core 2 and the upper magnetic pole ion core 4.例文帳に追加

下部磁極鉄芯２の上に研磨試料１を固定して、上部磁極鉄芯３との間に新しく開発した磁気研磨液でなる研磨剤４を介在させる。 - 特許庁

This is the secondary battery using a solid electrolyte wherein an electrolytic solution containing metal salt(s) is contained in a porous polymer in which functional group(s) to interact with metal ion(s) is arranged on the surface of micro pores.例文帳に追加

金属イオンと相互作用する官能基を細孔の表面に配置した多孔質ポリマーに金属塩を含む電解液を含浸した固体電解質を用いた二次電池。 - 特許庁

An intake flow guide plate 12 is equipped with a covering part 12a, a locking part 12b and one or more negative ion generators 9' arranged on the lower surface of the covering part 12a.例文帳に追加

本発明の吸気流案内板１２は、覆設部１２ａと、係止部１２ｂと、覆設部１２ａの下面に配設された１乃至複数の陰イオン発生器９′と、を備えた構成を有する。 - 特許庁

A solution containing a metal ion, a complex-forming agent and a reducing agent is made to permeate only into the fine pore of the porous body and the metal is precipitated and carried on a surface in the fine pore by a reduction reaction.例文帳に追加

金属イオン、錯形成剤及び還元剤を含有する溶液を多孔体の細孔内だけに含浸させ、還元反応により金属を細孔内表面に析出、担持させる。 - 特許庁

Then, with the ion strength (305) of the object element in the measured specimen corrected (306) based on the correction curve, depthwise concentration distribution is measured of the object element (307).例文帳に追加

次に、補正曲線に基づいて測定試料の測定対象元素の二次イオン強度（３０５）を補正して（３０６）、測定対象元素の深さ方向濃度分布測定を行う（３０７）。 - 特許庁

An optical block 1 integrally constituted of a plurality of columnar optical devices 2 and a plate 3 is prepared, and refractive index distribution is formed on the optical device 2 by an ion exchange method.例文帳に追加

複数の柱状の光学素子２と平板３で一体に構成された光学ブロック１を作成し、この光学素子２にイオン交換法等により屈折率分布を形成する。 - 特許庁

A separate shield arrangement 20 is included which is fixed in a detachable way on a substrate holder 3 above a clamping means 10 to mask the clamping means with respect to reactive ion flux.例文帳に追加

反応性イオンフラックスに関してクランプリング手段を覆うために、クランプリング手段１０の上方で基板ホルダ３に脱着可能の方法で取り付けられた、別個のシールド装置２０を含む。 - 特許庁

When ion irradiation is carried out onto the beam limit (GUN) aperture 2-3, Ga of the irradiation region 7-1 is melt to disperse Ga on the surface of the beam irradiation region of the W aperture.例文帳に追加

ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３にイオン照射すると、照射領域７−１のＧａが溶融してＷアパーチャのビーム照射領域の表面にＧａが拡散する。 - 特許庁

The powder to which the mixing pretreatment has been performed is dispersed in a solvent to make a paste, and the paste is coated on top of a current collector, and dried, and thus the electrode for the lithium ion battery is prepared without any roll treatment.例文帳に追加

混合前処理された粉体は、溶媒に分散させペーストとし、前記ペーストを集電体上に塗布、乾燥し、圧延処理をしないでリチウムイオン電池電極とする。 - 特許庁

The solid electrolyte includes a core-shell particle comprising a metal oxide particulate having an ion conductive compound, a Lewis acid compound, and an alkali metal salt on the surface.例文帳に追加

表面にイオン伝導性化合物を有する金属酸化物微粒子からなるコアシェル粒子、ルイス酸化合物及びアルカリ金属塩を含有することを特徴とする固体電解質。 - 特許庁

The partially decomposed dolomite can be scattered on/mixed with soil directly, be put in the liquid-through vessel and used, and be packed in the liquid-through column and used, and achieve the waste water regulation of 8 ppm fluoride ion.例文帳に追加

このものは土壌に直接散布混合でき、通液性容器に入れて使用でき、またカラムに充填しても使用でき、８ｐｐｍの排水規制を達成することができた。 - 特許庁

To enable the operating status of lithium ion batteries to be monitored and displayed on a real-time basis thereby to prevent any battery trouble from being aggravated, make possible appropriate charge/discharge operations and extend the service lives of the batteries.例文帳に追加

リチウムイオン電池の動作状態をリアルタイムで監視，表示できるようにして電池事故の拡大を防止し、適切な充放電動作を可能として電池寿命の延伸を図る。 - 特許庁