「on ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

This semipermeable membrane element 1 for an ion mobile spectrometer to selectively supply gas to be measured 6 to the measuring cell of the ion mobile spectrometer(IMS) is equipped with a gas permeable grid supporting structure 2, one or more thin semipermeable layers 5 are placed on this supporting structure 2, and the semipermeable layers are mechanically sufficiently fixed to the supporting structure 2.例文帳に追加

イオン可動性スペクトロメータ（ＩＭＳ）の測定セルに測定ガス（６）を選択的に供給する半透過性のＩＭＳ用メンブレン要素（１）は、ガス透過性のグリッド状支持構造（２）を備え、該構造（２）上に半透過性材料から成る１又は数層の薄い半透過層（５）が配され、且つ該半透過層は前記構造（２）に機械的に十分に固定されている。 - 特許庁

The adjustment step adjusts both or either of ion implantation processing conditions of the ion implantation step and annealing processing conditions of the annealing step based on at least one of the thin film deposition conditions and the result of the deposition step, and the thin film processing result of the processing step.例文帳に追加

調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか１つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。 - 特許庁

A positive electrode current collector 10 for a battery is composed of an aluminum or aluminum alloy conductive base material 12, and a fluorine ion implantation layer 14 formed by ion-implanting fluorine has on the surface 16 of the base material 12.例文帳に追加

本発明によって提供される電池用の正極集電体１０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金製の導電性基材１２から構成された正極集電体１０であって、基材１２の表面１６にフッ素がイオン注入されたフッ素イオン注入層１４が形成されていることを特徴とする、正極集電体１０である。 - 特許庁

An electrochemical capacitor 1 is constituted into a structure that a capacitor film formed by mixing a fine grain-shaped and/or fiber-shaped carbon formed with an ion-dissociative group with conductive macromolecules is formed on a conductive substrate to form the composite film into conductive polymer composite electrodes, and an ion-permeable porous separator 4 is pinched between such the conductive polymer composite electrodes 2 and 3.例文帳に追加

導電性基板上に、イオン解離性基を形成させた微粒子状および／または繊維状カーボンと導電性高分子との複合膜を形成して導電性高分子複合電極とし、このような導電性高分子複合電極２，３の間にイオン透過性多孔質セパレータ４を挟んで電気化学キャパシタ１とする。 - 特許庁

In the method for producing a cut filter for near IR rays in which low reflective index films and high reflective index films are alternately stacked on a substrate, the respective films are formed by magnetron sputtering, and oxygen is fed to an electron cyclotron resonance type ion source and an assist ion source, while plasma is excited so as to oxidize the films.例文帳に追加

基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる近赤外線カットフィルターの製造方法であって、それぞれの前記膜をマグネトロンスパッタリングにより成膜し、電子サイクロトロン共鳴型イオン源及びアシストイオン源に酸素を供給するとともに、プラズマを励起させて前記膜を酸化することを特徴とする。 - 特許庁

This glass substrate for a display, comprising a glass substrate on whose surface a metal ion diffusion-preventing film 2 is formed, characterized in that the metal ion diffusion-preventing film 2 is a crystalline SnO2 film having a half-value width of ≤1 at one or more diffraction peaks at diffraction angles of about 26.5°, about 37.9° and about 51.6° by X-ray diffraction.例文帳に追加

表面に金属イオン拡散防止膜２が形成されたガラス基板よりなるディスプレイ用ガラス基板において、該金属イオン拡散防止膜２がＸ線回折による回折角約２６．５°、約３７．９°及び約５１．６°のいずれか１以上の回折ピークにおける半値幅が１°以下の結晶性ＳｎＯ_２膜であるディスプレイ用ガラス基板。 - 特許庁

The liquid material discharge apparatus is equipped with a discharge head 34 for discharging the liquid material on the basis of applied voltage, a liquid material tank 35 for supplying the liquid material to the discharge head 34 and a supply tube 24, and also equipped with ion generating means 50a-50d for sending an ion wind to the discharge head 34, the liquid material tank 35 and the supply tube 24.例文帳に追加

印加された電圧に基づき液体を吐出する吐出ヘッド３４と、該吐出ヘッド３４に前記液体を供給する液状体タンク３５、供給チューブ２４とを備え、前記吐出ヘッド３４と、液状体タンク３５と、供給チューブ２４とに向けてイオン風を送るイオン発生手段５０ａ〜５０ｄを備えた構成とする。 - 特許庁

In the mold for continuous casting, used for the production of the steel material, one or more of ions among chromium, molybdenum and tungsten, are poured so that desirably the thickness of the ion poured layer is 0.01-1.0 μm and the ion pouring amount becomes ≥1×10^16 ion/cm^2 to form the iron poured layer on the mold for continuous casting.例文帳に追加

鉄鋼材料を製造するために用いる連続鋳造用鋳型において、鋳型内面側表面の少なくとも鋳型上端から高さ３００ｍｍまでの範囲に、クロム、モリブデン及びタングステンのいずれか一種以上のイオンを、好ましくはイオン注入層の厚みが０．０１〜１．０μｍであると共に、イオン注入量が１×１０^１６イオン／ｃｍ^２以上となるように注入してイオン注入層を形成したことを特徴とする連続鋳造用鋳型。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step of forming a gate in a predetermined region on a semiconductor substrate, a step of forming the spacer on the sidewalls of the gate, a step for forming a nitride film on the spacer by performing a RTA process in a nitrogen atmosphere, and a step of forming a bonding region on a predetermined region on the semiconductor substrate by performing a contaminant ion implanting process.例文帳に追加

半導体基板上の所定の領域にゲートを形成する段階と、前記ゲートの側壁にスペーサを形成する段階と、窒素雰囲気中におけるＲＴＡ工程を行って前記スペーサ上に窒化膜を形成する段階と、不純物イオン注入工程を行い、前記半導体基板上の所定の領域に接合領域を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

In this way, the increase of the viscosity in the palladium ion-containing polyimide precursory metal solution and its gelatification are suppressed for a long time, thus the preparation of the solution and the control of the viscosity in the solution on the field are made needless, and the control of the solution is facilitated.例文帳に追加

パラジウムイオン含有ポリイミド前駆体金属溶液の粘度の上昇やゲル化が長期間にわたって抑えられるため、現場における調液や液の粘度管理が不要となり、液の管理が容易となる。 - 特許庁

To generate a mass spectrum of wide mass range and high precision that solves the problem of ion overtaking on a circulation orbit with less measurement frequencies as much as possible, relating to a multiple circulation time-of-flight mass spectrometer.例文帳に追加

多重周回飛行時間型質量分析装置において、極力少ない測定回数で周回軌道上でのイオンの追越しの問題を解消した広質量範囲で高精度のマススペクトルを作成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which can reduce a region, where ions can not be implanted by an oblique ion implantation method because the shadow of a block layer falls on the region, and can improve the integration rate of a semiconductor chip.例文帳に追加

斜めイオン注入工程においてブロック層の影となってイオン注入できない領域を低減でき、半導体素子の集積度を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin film component 5 separate from a target sample is transferred and fixed to a processing position in place of the focusing ion beam assist deposition (FIBAD) film formed on the surface of the sample heretofore at the time of machining of the sample to be used as a protective film.例文帳に追加

従来、試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション（ＦＩＢＡＤ）膜の代わりに、対象試料とは別の薄膜部品５を加工位置に移設固定して保護膜とする。 - 特許庁

A nitride film 1 is deposited on a substrate 10, and after removing the nitride film 1 of a lightly doped N-well region therefrom by photolithographing and etching, phosphorus 3 is so ion-implanted into the substrate 10 as to form an oxide film 4 by thermal oxidation.例文帳に追加

基板１０に窒化膜１を堆積し、写真製版とエッチングによりLightly−Ｎウエル領域の窒化膜１を除去した後、基板１０にリン３をイオン注入し、熱酸化により酸化膜４を形成する。 - 特許庁

A thin plate of a minute thin film different from a target sample is transferred and fixed to a processing position in place of the focusing ion beam assist deposition (FIBAD) film fabricated on the surface of the sample during sample processing to be used as a protective film.例文帳に追加

試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション（FIBAD）膜の代わりに、対象試料とは別の微小な薄膜の薄板を加工位置に移設固定して保護膜とする。 - 特許庁

The optical element is provided with an optical element base plate 1 and a hafnium oxide HfO_2 film 2 which is formed on the surface of the optical element base plate 1 by an ion beam assist deposition method and functions as the protective film for the optical element base plate 1.例文帳に追加

光学素子は、光学素子基板１と、光学素子基板１の表面にイオンビームアシスト蒸着法により成膜された、光学素子基板１の保護膜として機能する酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）膜２とを備える。 - 特許庁

This method for making a crystalline thin film is the one in which the use of a low-melting low-decomposition-temperature substrate is possible by impinging a high-strength pulse ion beam against a high-melting compound target and building up the compound on the substrate.例文帳に追加

大強度パルスイオンビームを高融点化合物ターゲットに照射し、室温に保持した基板上に堆積させることにより、低融点、低分解温度基板の使用を可能にした結晶質薄膜の作製方法。 - 特許庁

In the semiconductor ion sensor, the polarity of the resin on the surface of the resin coating 11 is heightened by processing the resin coating by gas in the ionized state, and the elution quantity of the ionophore from the surface of the resin coating 11 into a test solution is reduced.例文帳に追加

樹脂皮膜を電離状態のガスで処理することによって、樹脂皮膜１１の表面の樹脂の極性を高め、樹脂皮膜１１の表面から被検液へのイオノフォアの溶出量を低減する。 - 特許庁

The ion generator is provided with needle-shaped electrodes arranged upright on both faces of a substrate, and a plate-shaped electrode arranged for each of the needle-shaped electrode, wherein the respective needle-shaped electrodes are connected each other and the respective plate-shaped electrodes are connected each other.例文帳に追加

針状の電極を基板の両面に各々立設すると共に、各針状の電極に対して板状の電極を設け、針状の電極同士と板状の電極同士とを各々相互に接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an all-solid lithium ion secondary battery in which, when a current collector is fixed on a solid electrode, the current collector is adhered to the electrode sufficiently and is not likely to peel off even after a battery manufacturing is completed.例文帳に追加

固体からなる電極に集電体を取り付ける場合に、集電体が電極に良好に接着し、電池作成後も剥離するおそれがない全固体型リチウムイオン二次電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a heat storage layer 2 is formed on a heater substrate 1, i.e., a silicon substrate, a heating element layer is formed of polysilicon followed by formation of high and low resistance regions 3a, 3b by ion implantation.例文帳に追加

ヒータ基板１となるシリコン基板上に蓄熱層２を形成後、多結晶シリコンにより発熱抵抗体層を形成し、イオン注入法等で高抵抗領域３ａと低抵抗領域３ｂを形成する。 - 特許庁

To relax and suppress stress imposed on a filament caused by thermal expansion of a filament holder holding the filament in an ion source, and thereby to prevent malfunction of the filament caused by breaking, deformation or the like of the filament.例文帳に追加

イオン源において、フィラメントを保持するフィラメント保持具の熱膨張によりフィラメントが受ける応力を緩和および抑制し、これによって、フィラメントの破断や変形によるフィラメントの機能不全を予防する。 - 特許庁

The negative ion generator 12 of this electric fan is mounted on a motor 7 and is furnished with a generator cover 18 and a rear guard 9 which are grounded to preclude excessive electrostatic charging, and thereby the negative ions are generated and dispersed stably.例文帳に追加

電動機７の上部に実装した負イオン発生器１２の負イオン発生器カバー１８および後側ガード９を接地して過度の帯電を防止することにより、安定した負イオンの発生と拡散を実現する。 - 特許庁

The fluorescent compound takes on a fluorescent ion structure by directly reacting with water and emits fluorescent light.例文帳に追加

（式１及び式２中、Ｒはそれぞれ独立して水素又はアルキル基であり、Ａはスペーサー、Ｂは蛍光発光母体、Ｚはルイス酸基を表す。）蛍光発光性化合物は水と直接反応して蛍光性イオン構造になり、蛍光を発する。 - 特許庁

In the apparatus, a grid electrode is arranged on the front face of the deposition substrate in a plasma stream side and the positive or negative bias voltage to the potential of the plasma is applied to the grid electrode corresponding to the polarity of the atom ion to be doped.例文帳に追加

堆積基板の前面、プラズマ流側にグリッド電極を配置し、内包対象原子イオンの極性に応じて、グリッド電極にプラズマの電位に対し正または負のバイアス電圧を印加することにした。 - 特許庁

After the treatment of the frame body, made from a wood material, making up the body of the folding fan with a pyroligneous acid, a liquid composition with the negative ion generation functions is applied on the frame body in a coating layer.例文帳に追加

本発明の扇子は、扇子本体を構成する木質素材からなる骨部に木酢液を処理した後、コーティング層の状態においてマイナスイオン発生機能を有する液状組成物を塗布してなる。 - 特許庁

The rust-preventive coating material has an aqueous resin as the major component and contains, based on 1L composition, 0.1-50 g this rust-preventive pigment and, in addition, 10-300 g water dispersible silica, and 0.1-5 g phosphate ion.例文帳に追加

さらに、防錆コーティング剤は、水性樹脂を主成分として、この防錆顔料を組成物１リットルあたり０．１〜５０g 含有し、さらに１０〜３００ｇの水分散性シリカ、０．１〜５ｇのりん酸イオンを含有する。 - 特許庁

To mass-produce a negative ion generating metal plate with an excellent processibility and a high-quality appearance by continuously coating a substrate with a roll coater without allowing appearance defects, such as streaks or thin spots, to appear on the coated surface.例文帳に追加

塗装表面に筋状やかすれ等の外観不良を現出させることなく、また加工性にも優れた高品質外観のマイナスイオン発生金属板をロールコータによる連続塗装で量産できるものとする。 - 特許庁

Negative ions, consisting of single atom ions containing oxide ions and/or oxygen negative ion radicals, are supplied into the processing chamber 5 and are made to react on the organic substances decomposed by UV-rays.例文帳に追加

そして、処理室５内に、酸素マイナスイオンラジカルまたは酸化物イオンと酸素マイナスイオンラジカルを含む単原子イオンから成るマイナスイオンを供給して、マイナスイオンを紫外線により分解された有機物と反応させる。 - 特許庁

A metal oxide is reacted with graphene to produce a metal oxide/graphene precursor, and lithium ion solution is reacted with the metal oxide/graphene precursor, to thereby form the lithium-containing metal oxide on the graphene surface.例文帳に追加

金属酸化物とグラフェンとを反応させて金属酸化物／グラフェン前駆体を製造し、該金属酸化物／グラフェン前駆体にリチウムイオン溶液を反応させて該グラフェンの表面にリチウム入り金属酸化物を形成する。 - 特許庁

This liquid metal ion source has a screen on two current-fed terminals respectively, by which each joined portion between a current-fed terminal and an insulator is hidden as seen from a needle-like electrode or a storage portion.例文帳に追加

２本の電流導入端子のそれぞれに、針状電極及び貯蔵部から見込んだときに、電流導入端子と絶縁碍子との接合部が隠れる遮蔽物を設けた構造の液体金属イオン源。 - 特許庁

The method disclosed includes (i) ion implantation to create a thin amorphization layer, (ii) deposition of a high stress film on the amorphization layer, (iii) a thermal anneal to recrystallize the amorphization layer, and (iv) removal of the high stress film.例文帳に追加

（ｉ）薄いアモルファス化層を生成するためのイオン注入と、（ｉｉ）アモルファス化層上への高応力膜の堆積と、（ｉｉｉ）アモルファス化層を再結晶させるための熱アニールと、（ｉＶ）高応力膜の除去とを含む。 - 特許庁

The high frequency discharge is generated in the gas introduced by a gas introduction system 72 to form the plasma, and the deposited film on the surface of the holding claw 91 is sputter-etched by the ion impulse, and removed in the vacuum.例文帳に追加

ガス導入系７２により導入されたガスに高周波放電が生じてプラズマが形成され、保持爪９１の表面の堆積膜がイオン衝撃によりスパッタエッチングされて真空中で除去される。 - 特許庁

Then, another active substance material layer 23 is laminated on the active substance material layer 22 with an uneven surface, and ion-transmitting holes 22c are formed along an interface of the both active substance material layers.例文帳に追加

次に、不均一な表面を有する活物質材料層２２の上に別の活物質材料層２３を積層し、これら両活物質材料層の境界面に沿ってイオン通過性の孔２２ｃを形成する。 - 特許庁

To provide a neutralization apparatus, capable of suppressing damage on a neutralization object which results from a neutralization failure by suppressing abnormal discharge to stabilize the ion balance of ions to be supplied to the neutralization object.例文帳に追加

異常放電の発生を抑えて除電対象物に供給するイオンのイオンバランスを安定させ、除電不良に起因する除電対象物の破損を抑制することができる除電装置を提供する。 - 特許庁

An ice accretion sensor 51 is disposed at a prescribed position near an evaporation tube 27, and detects an electric resistance value, that is, the electric conductivity of cooling water and the like on the basis of ion current flowing between two probe electrodes.例文帳に追加

氷着センサ５１は、蒸発管２７の近傍、所定の位置に設置されており、２つのプローブ電極の間に流れるイオン電流に基づいて、冷却水等の電気抵抗値、即ち導電率を検出する。 - 特許庁

On the other hand, when the m/z of ions captured in the ion trap is in a relatively high state (S1-S7), the amplitude of the rectangular wave voltage is large and pseudo-potential potential is deep, thereby ions can be captured with high efficiency.例文帳に追加

一方、イオントラップに捕捉されるイオンのm/zが比較的高い状態のとき（Ｓ１〜Ｓ７）には、矩形波電圧の振幅は大きいので擬電位ポテンシャルは深く、高い効率でイオンを捕捉することが可能である。 - 特許庁

A first sample is irradiated with cesiums ion on the condition that an incidence angle is zero, and that an acceleration energy is 250 eV, and then secondary ions emitted by the first sample is subjected to a mass spectrometry, thereby measuring a distribution of an impurity element.例文帳に追加

入射角が０度、加速エネルギーが２５０ｅＶの条件でセシウムイオンを第１の試料に照射し、第１の試料から放出される二次イオンを質量分析して不純物元素の分布を測定する。 - 特許庁

Then, a resist pattern 40 having an opening is formed at a part to form the main magnetic pole 32 and the side shield 36, reactive ion etching is performed with the resist pattern 40 as a mask, and an opening is formed on the nonmagnetic insulating film 37.例文帳に追加

次に、主磁極３２とサイドシールド３６を形成する部分に開口部を有するレジストパターン４０を形成し、これをマスクにして反応性イオンエッチングを行い、非磁性絶縁膜３７に開口部を形成する。 - 特許庁

Thermal impact, vibration impact or mechanical impact is given to the ion implantation layer 11 weakened by the heat treatment from the outside, so as to peel off a silicon thin film and to obtain an SOI layer 12 on the quartz substrate 20.例文帳に追加

この熱処理で弱化された状態のイオン注入層１１に、熱衝撃、振動衝撃、あるいは機械的衝撃を外部から付与してシリコン薄膜を剥離し、石英基板２０上にＳＯＩ層１２を得る。 - 特許庁

When performing analysis, a precursor selection unit selects a precursor with respect to an obtained MS spectrum according to predetermined selection conditions, and performs an MS^2 analysis repeatedly on the precursor ion (m/z=M) as many as predetermined times.例文帳に追加

プリカーサ選択部は分析実行時に、得られたMSスペクトルに対し所定の選択条件に従ってプリカーサを選択し、設定されている繰り返し回数だけ該プリカーサイオン（m/z=M）に対するMS^2分析を実行する。 - 特許庁

A second thin gate oxide film that is formed on a semiconductor substrate 10 in a second region goes through the elimination of a through oxide film 20 after ion implantation and a formation process of the gate oxide film only once.例文帳に追加

第２領域における半導体基板１０に形成された膜厚の薄い第２ゲート酸化膜は、イオン注入後のスルー酸化膜２０の除去、およびゲート酸化膜の形成工程を１度しか経ない。 - 特許庁

To provide an accelerator system having a wide ion beam current control range and preventing a possibility that a great exposure dose from being transported on the downstream side by mistake at power saving and a long maintenance period.例文帳に追加

広範囲のイオンビーム電流調整範囲をもち、しかも省電力且つ長メンテナンス周期で、間違って多くの照射線量が下流側に輸送されてしまう虞れのない加速器システムを提供すること。 - 特許庁

After the completion of the decontamination, film forming aqueous solution to be used for ferrite film formation (containing organic acid solution containing iron (II) ion, oxidizer, and pH adjustor) is adjusted in temperature, and the ferrite film is formed on the pipe inner surface.例文帳に追加

除染終了後、フェライト皮膜形成に用いる皮膜形成水溶液（鉄（II）イオンを含む有機酸溶液、酸化剤及びｐＨ調整剤を含む）の温度調整を行い、配管内面にフェライト皮膜を形成する。 - 特許庁

A sample stage 5 and a gas supply unit 9 are disposed in the sample chamber 7 of a focus ion beam system and a microscope 31 is interposed between a sample 6 on the sample stage 5 and the gas nozzle 10 of the gas supply unit 9.例文帳に追加

集束イオンビーム装置の試料室７内に試料ステージ５とガス供給ユニット９とを設け、試料ステージ５上の試料６とガス供給ユニット９のガスノズル１０との間にマイクロスコープ３１を設ける。 - 特許庁